JPH02179614A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はアクティブマトリクス基板に関する。

（従来の技術） 第２図に従来のアクティブマトリクス基板を模式的に示
す、ガラス等の絶縁性基板２１上に薄膜トランジスタ（
以下ではｒＴＦＴ、と略称する）２５等の能動素子がマ
トリクス状に配設されている。各ＴＰＴ２５は走査線（
ゲートパスライン）２３及びゲートパスライン２３に交
差して配設されている信号線（ソースパスライン）２４
に接続されている。各ＴＰＴ２５には例えばＩＴＯで形
成された絵素電［２２が接続されている。各ＴＰＴ２５
はゲートパスライン２３及びソースパスライン２４に送
られる電気的な信号によってオン又はオフされる。ＴＰ
Ｔ２５オン・オフによって絵素電極２２の駆動が制御さ
れる。このアクティブマトリクス基板と、同じくガラス
のような第２の絶縁性基板との間に、例えば液晶のよう
な電界の大きさにより光の透過率が変化する物質を封入
し、表示装置を構成することができる。絵素電極２２と
、絵素電極に対向して第２の絶縁性基板上に形成された
対向ｔｉとの間に電圧を印加し、液晶等の光透過率を変
化させることにより表示が行われる。

（発明が解決しようとする課題） ところで、上述しなようなアクティブマトリクス基板を
用いた表示装置では、ゲートパスラインやソースパスラ
インの断線、ＴＰＴの動作不良等のアクティブマトリク
ス基板の欠陥は、表示装置にとって許容され得ない表示
欠陥の原因となる。

従って、アクティブマトリクス基板に生じた欠陥の救済
を行うことができる構造が望まれている。

本発明者らは、欠陥の救済を可能とする構造を備えたア
クティブマトリクス基板（第３図参照）を以前に開発し
ている。第３図のアクティブマトリクス基板では、２個
のＴＦＴ３５及び３６がゲートパスライン３３上に形成
されている。ＴＦＴ３５はそのドレイン電極が絵素電極
３２に電気的に接続されている。ソースパスライン３４
に近い側に形成されているＴＦＴ３６は予備であり、そ
のドレイン電極は絵素型ｆ！３２に電気的に接続されて
いない。

絵素型ｗ１３２に接続されているＴＦＴ３５に何らかの
不良が生じた場合には、まずソースパスラインの支線３
４ａを破線Ａに沿ってレーザ光等を用いて切断し、ＴＦ
Ｔ３５とソースパスライン３°４との間の電気的な接続
を断つ０次に、予備のＴＦＴ３６のドレイン電極と絵素
電極３２とをレーザ光を用いた光ＣＶＤ法により電気的
に接続する。

このようにして、絵素電極３２は予備のＴＰＴ３６を用
いて駆動されることになる。

上述した救済方法が効果を発揮するのは、絵素型［！３
２に予め接続されていたＴＦＴ３５がたとえ不良であっ
ても、予備のＴＦＴ３６が正常に動作する場合に限られ
る。しかしながら、−ｉ的には、ＴＦＴ３５の不良が異
物の混入等によるレジスト塗布不良等を原因とする場合
には、不良のＴＦＴ３５の周囲もまた同一の原因により
不良となっていることが多い、また、レーザ光による切
断工程や光ＣＶＤ工程に於て、装置の精度が不十分であ
るために、加工が必要でない部分を傷付けたり、汚染し
たりすることも起こり得る。このようなことから、ＴＦ
Ｔ３５が不良である場合に予備のＴＦＴ３６も不良とな
る可能性が大きい、従って、第３図のアクティブマトリ
クス基板では、ＴＦＴ３５の不良等の欠陥救済の確実性
が十分に高いとはいえなかった。

本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであって
、その目的とするところは、ＴＰＴの不良等の欠陥をよ
り確実に救済することが可能なアクティブマトリクス基
板を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上に
マトリクス状に配設された絵素電極と、該絵素電極の一
方向の各列の間に配設された走査線と、該走査線に交差
して配設された信号線とを有するアクティブマトリクス
基板であって、該絵素電極の１個の辺の近傍に配設され
た第１の能動素子と、該絵素ｔ８ｉの該辺とは異なる辺
の近傍に配設された第２の能動素子とを備え、該第１及
び第２の能動素子の内の一方が該絵素電極に電気的に接
続され、他方が該絵素電極に電気的に接続されておらず
、そのことにより上記目的が達成される。

本発明のアクティブマトリクス基板の一実施態様では、
前記第１及び第２の能動素子の内の一方が前記走査線上
に形成され且つ該走査線に並行して配設された信号線の
支線に電気的に接続され、他方が前記信号線に並行して
配設された走査線の支線上に形成され且つ該信号線に電
気的に接続されている。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図に本発明の一実施例の要部平面図を示す。

絵素電極２がガラス基板上にマトリクス状に配設されて
いる。絵素電極２の第１図で横方向の各列の間にゲート
パスライン３が配設されている。他方、ソースパスライ
ン４が絵素電ｆ１２の縦方向の各列の間に配設されてい
る０本実施例では、ゲートパスライン３上にＴＰＴ５が
形成されている。

他方、予備のＴＰＴ６が、ソースパスライン４に並行し
て延びるゲートパスラインの支線３ａ上に形成されてい
る。ＴＰＴ５のソース電極は、ゲートパスライン３に沿
って延びるソースパスラインの支線４ａに電気的に接続
されている。ＴＰＴ５のドレイン電極は絵素電極２に電
気的に接続されている。即ち、ＴＰＴ５が正常である場
合には絵素電極２はＴＰＴ５を用いて駆動される。予備
のＴＰＴ６のソース電極はソースパスライン４に電気的
に接続されているが、そのドレイン電極は絵素電極２に
電気的に接続されていない。但し、ＴＰＴ６のドレイン
電極は絵素電ｆｌ）！２に近接して形成されている。従
って、光ＣＶＤ法等により両者を容易に電気的に接続す
ることが可能である。

上述したことから明らかなように、ＴＰＴ６はＴＰＴ５
とは異なる絵素電極２の辺の近傍に配設されており、Ｔ
ＰＴ６とＴＰＴ５とは互いにかなり離れて位置している
。このため、ＴＰＴ５が不良である場合に、ＴＰＴ５だ
けでなく予備のＴＰＴ６までもが同一原因により不良と
なる可能性は小さい、従って、第３図のように２個のＴ
ＰＴが互いに近接して配設されている場合に比較して、
より確実にＴＰＴ５の不良を救済し得ることがわかる。

尚、ＴＰＴに代えてＭＱＳトランジスタ等の他の能動素
子を用いることもできる。

次に、本実施例のアクティブマトリクス基板の製造方法
の概略を説明する。ガラス基板上にゲートパスライン３
を例えばタンタルを用いて形成する。その際、本線に加
えて、予備のＴＰＴ６を形成するための支線３ａを同時
に形成する０次に、ゲートパスライン３及びその支線３
ａ上にゲート絶縁膜及び半導体層を堆積させ、バターニ
ング工程を経てＴＰＴ５及び６のチャネル部を形成する
。

ゲート絶縁膜には例えば窒化シリコン（ＳｉＮ、）が用
いられ、半導体層には例えば真性アモルファスシリコン
（ａ−３ｉ（ｉ））が用いられる。その後、ソースパス
ライン（ＴＰＴ６のソース電極を含む）４及びソースパ
スラインの支線４ａ（ＴＰＴ５のソース電極を含む）並
びにＴＰＴ５及び６のドレイン電極が例えばチタンを用
いて形成される。また、絵素電極２が例えばＩＴＯを用
いて形成される。ソースパスライン４とゲートパスライ
ン３との交差部には、ソースパスライン４とゲートパス
ライン３との６間のリークを防止するために、窒化シリ
コン等の絶縁物７が介設される。

欠陥救済の方法を説明する。ＴＰＴ５の特性が不良であ
り、絵素電極２の正常な駆動が不可能である場合には、
ビーム径を調整したレーザ光を照射することにより、ソ
ースパスラインの支線４ａを破線Ａの部分で焼き切り、
不良のＴＰＴ５とソースパスライン４との間の電気的な
接続を断つ。

次に、適当な金属原子を含む気体（例えばタングステン
を含むＷ　（ＣＯ）　ｅ等）雰囲気中にガラス基板を投
入し、予備のＴＰＴ６と絵素電極２との間隙に適当な種
類のレーザ光を照射することにより、光ＣＶＤ現象を利
用してレーザ光が照射された部分に金属を堆積させ、そ
れによって予備のＴＰＴ６と絵素電極２とを電気的に接
続する。このようにして、絵素電極２は予備のＴＰＴ６
を用いて駆動されることになる。

ＴＰＴ５のソース電極が接続されているソースパスライ
ンの支線４ａに断線が生じている場合には、予備のＴＰ
Ｔ６と絵素電極２とを上述したようにレーザ光を用いて
電気的に接続すれば、その欠陥を救済することができる
。

尚、上記実施例とは逆に、図示のＴＰＴ６のドレインｔ
８ｉ！と絵素電極２とを電気的に接続しておき、ＴＰＴ
５のドレインｘｉと絵素電極２とを電気的に接続しない
ように構成した場合にも、上記実施例と実質的に同様の
効果を得ることができる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス基板では、２個の能動素
子が絵素電極の異なる辺の近傍に配設されており、同じ
辺の近傍に配設される場合に比較して互いにかなり離れ
て位置している。このため、予め絵素電極に電気的に接
続されている能動素子が何等かの原因で不良となってい
ても、絵素電極に電気的に接続されていない他方の能動
素子までもが不良となっている可能性は小さい、また、
不良の能動素子の切り離し等の工程に於いて他方の能動
素子が傷つけられる可能性も小さい、従って、予め絵素
電極に電気的に接続されている能動素子に欠陥がある場
合に、他方の能動素子を適切な手段で絵素電極に接続し
て使用することによって欠陥の救済を確実に行うことが
できる。

２　ＩｌＨの能動素子の内の一方が走査線上に形成され
且つ走査線に並行して配設された信号線の支線に電気的
に接続され、他方が信号線に並行して配設された走査線
の支線上に形成され且つ信号線に電気的に接続されてい
る本発明のアクティブマトリクス基板では、信号線の支
線の断線といった欠陥が生じている場合に於いても２個
の能動素子が同時に信号線との接続を断たれることがな
く、上記欠陥を救済することができる。

−・　　　　ｆｉａ 第１図は本発明の一実施例の要部平面図、第２図は従来
のアクティブマトリクス基板の構成を模式的に示す図、
第３図は本発明者らが以前に開発したアクティブマトリ
クス基板の要部平面図である。

２・・・絵素電極、３・・・ゲートパスライン（走査線
）、３ａ・・・ゲートパスラインの支線、４・・・ソー
スパスライン（信号Ｓり、４ａ・・・ソースパスライン
の支線、５．６・・・ＴＦＴ　（能動素子）。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上にマトリクス状に配設された絵素電極
   と、該絵素電極の一方向の各列の間に配設された走査線
   と、該走査線に交差して配設された信号線とを有するア
   クティブマトリクス基板であって、 該絵素電極の１個の辺の近傍に配設された第１の能動素
   子と、該絵素電極の該辺とは異なる辺の近傍に配設され
   た第２の能動素子とを備え、該第１及び第２の能動素子
   の内の一方が該絵素電極に電気的に接続され、他方が該
   絵素電極に電気的に接続されていない、 アクティブマトリクス基板。 ２、前記第１及び第２の能動素子の内の一方が前記走査
   線上に形成され且つ該走査線に並行して配設された信号
   線の支線に電気的に接続され、他方が前記信号線に並行
   して配設された走査線の支線上に形成され且つ該信号線
   に電気的に接続されている請求項１に記載のアクティブ
   マトリクス基板。