JPH021778A - 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 - Google Patents
半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法Info
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- JPH021778A JPH021778A JP1022041A JP2204189A JPH021778A JP H021778 A JPH021778 A JP H021778A JP 1022041 A JP1022041 A JP 1022041A JP 2204189 A JP2204189 A JP 2204189A JP H021778 A JPH021778 A JP H021778A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製
造法に関し、さらに詳しくは熱的に安定で、かつ成膜性
の良好な酸化物被膜の製造法およびこの酸化物被膜形成
用塗布液に関する。
造法に関し、さらに詳しくは熱的に安定で、かつ成膜性
の良好な酸化物被膜の製造法およびこの酸化物被膜形成
用塗布液に関する。
(従来の技術)
従来、IC,LSI等の半導体素子の眉間絶縁の方法と
して、シラノール化合物の加水分解・縮合物を焼成し、
酸化物被膜を形成する方法がよく知られている。テトラ
エトキシシラン(エチルシリケート)等の4官能シラン
を用いる方法が最も多く検討されているが、4官能シラ
ンのみを用いる方法では、焼成してシリカ被膜を形成す
る際、三次元加橋構造が非常に密になり剛直となるため
、膜厚が厚くなるとクラックが発生するという欠点があ
る。この欠点の改善のために2官能や3官能シランを共
加水分解する方法が特開昭57−191219号公報等
に示されているが、これらの方法では縮合物または膜の
中に多量の炭素が含まれ、焼成によって膜の中に炭素が
残存する場合は、その後の半導体製造工程でクラックが
発生するという欠点がある。また膜の中に含まれる炭素
を脱離するためKは、500℃以上の高温が必要であり
、炭素の脱離による膜の収縮または脱離後の膜とシリコ
ン、アルミ等の基体との熱膨張係数の差が大きいため、
膜にクラックが発生する欠点がある。
して、シラノール化合物の加水分解・縮合物を焼成し、
酸化物被膜を形成する方法がよく知られている。テトラ
エトキシシラン(エチルシリケート)等の4官能シラン
を用いる方法が最も多く検討されているが、4官能シラ
ンのみを用いる方法では、焼成してシリカ被膜を形成す
る際、三次元加橋構造が非常に密になり剛直となるため
、膜厚が厚くなるとクラックが発生するという欠点があ
る。この欠点の改善のために2官能や3官能シランを共
加水分解する方法が特開昭57−191219号公報等
に示されているが、これらの方法では縮合物または膜の
中に多量の炭素が含まれ、焼成によって膜の中に炭素が
残存する場合は、その後の半導体製造工程でクラックが
発生するという欠点がある。また膜の中に含まれる炭素
を脱離するためKは、500℃以上の高温が必要であり
、炭素の脱離による膜の収縮または脱離後の膜とシリコ
ン、アルミ等の基体との熱膨張係数の差が大きいため、
膜にクラックが発生する欠点がある。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除去し。
熱的に安定で、かつ成膜性の良好な酸化物被膜の製造法
及びこの酸化物形成用塗布液を提供することにある。
及びこの酸化物形成用塗布液を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、前記目的を達成するため種々研究した結
果、シリコン、アルミ等の基体上でクラックが発生せず
、さらにその後の酸素7°ラズマ処理によってもクラッ
ク発生のない酸化物被膜を形成するためには、(1)焼
成時の硬化収縮歪を小さくする。(2)膜の熱膨張係数
を基体の値に近づける。
果、シリコン、アルミ等の基体上でクラックが発生せず
、さらにその後の酸素7°ラズマ処理によってもクラッ
ク発生のない酸化物被膜を形成するためには、(1)焼
成時の硬化収縮歪を小さくする。(2)膜の熱膨張係数
を基体の値に近づける。
(3)膜の中の炭素含有量を極めて少なくするかまたは
無くするという条件を満たす塗布液を用いることが必要
であり、該塗布液は、特定の化合物を溶剤の存在下に触
媒を用いて加水分解、縮合させて得られることを見出し
1本発明に到達した。
無くするという条件を満たす塗布液を用いることが必要
であり、該塗布液は、特定の化合物を溶剤の存在下に触
媒を用いて加水分解、縮合させて得られることを見出し
1本発明に到達した。
本発明は、囚一般弐Rm Sr (OR)4−m (
式中。
式中。
几は炭素数1〜4のアルキル基または了り−ル基。
mit、0〜2の整数を意味する)で表されるシラン化
合物と、(B)一般式M(OR’)n (式中9Mは
マグネシウム、硼素、燐、ジルコニウム、イツトリウム
、チタンまたはバリウムの金属原子、R′は炭素数1〜
4のアルキル基またはアリール基、nは金属原子Mの原
子価を意味する)で表される金属アルコキシド化合物と
を、溶媒の存在下に触媒を用いて加水分解、縮合させて
得られる反応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液お
よびこの塗布液の製造法に関する。
合物と、(B)一般式M(OR’)n (式中9Mは
マグネシウム、硼素、燐、ジルコニウム、イツトリウム
、チタンまたはバリウムの金属原子、R′は炭素数1〜
4のアルキル基またはアリール基、nは金属原子Mの原
子価を意味する)で表される金属アルコキシド化合物と
を、溶媒の存在下に触媒を用いて加水分解、縮合させて
得られる反応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液お
よびこの塗布液の製造法に関する。
本発明に用いられるシラン化合物は、前記一般式Rm
S r (OR)4−mで表され、具体的には5i(O
CH3)4 、 Si (OC2H5)4 、 Si
(OCsHy)4等の4官能シラン、 CHsSi
(OCHs)s 、 CHsSi (OC2H5)3
。
S r (OR)4−mで表され、具体的には5i(O
CH3)4 、 Si (OC2H5)4 、 Si
(OCsHy)4等の4官能シラン、 CHsSi
(OCHs)s 、 CHsSi (OC2H5)3
。
CHsSi (OC3H7)3 、 CzHsS
i (OCHs )3 、 CaHs 5i(OC
Hs)s 、 CH35i (OCaHs)s等の3官
能シラン。
i (OCHs )3 、 CaHs 5i(OC
Hs)s 、 CH35i (OCaHs)s等の3官
能シラン。
(CHs)zsi (OCH3)21 (CHs)z
si (OCzHs)z。
si (OCzHs)z。
(CH3)zsi (OCsHy)2* (CzHs
)zsi (OCJ−13)2 *(CaHs)zsi
(OCH3)21 (CHs)zsi (OCaHs
)z等の2官能シランが挙げられる。これらのシラン化
合物は単独でまたは2種以上混合して用いることができ
る。
)zsi (OCJ−13)2 *(CaHs)zsi
(OCH3)21 (CHs)zsi (OCaHs
)z等の2官能シランが挙げられる。これらのシラン化
合物は単独でまたは2種以上混合して用いることができ
る。
本発明に用いられる金属アルコキシド化合物は。
前記一般弐M(OR’)nで表され、具体的にはB(0
−i C3H7)! 、 Mg (OC3H7)2 、
P (0−i C3H?)3 。
−i C3H7)! 、 Mg (OC3H7)2 、
P (0−i C3H?)3 。
Ti (0−i C3H7)4 、 Ti (OCI!
H5)4等が挙げられる。
H5)4等が挙げられる。
これらの金属アルコキシド化合物は単独でまたは2種以
上混合して用いることができる。また前記一般式中のR
とR′は等しくても異なっていてもよい。
上混合して用いることができる。また前記一般式中のR
とR′は等しくても異なっていてもよい。
本発明に用いられる前記シラン化合物と金属アルコキシ
ド化合物との共重合組成としては、成膜性、炭素残渣等
の点から、シラン化合物70〜90モルチおよび金属ア
ルコキシド化合物10〜30モルチの範囲が好ましく、
またこれらのシラン化合物が、4官能シラン51(0几
)4であるか、4官能シランSi (OR)420〜4
0モルチ、3官能シランR8i (OR)s 20〜
60モルチ、および2官能シランR2Si (OR)2
0〜40モル係の混合物であることか好ましい。
ド化合物との共重合組成としては、成膜性、炭素残渣等
の点から、シラン化合物70〜90モルチおよび金属ア
ルコキシド化合物10〜30モルチの範囲が好ましく、
またこれらのシラン化合物が、4官能シラン51(0几
)4であるか、4官能シランSi (OR)420〜4
0モルチ、3官能シランR8i (OR)s 20〜
60モルチ、および2官能シランR2Si (OR)2
0〜40モル係の混合物であることか好ましい。
本発明に用いられる溶媒としては、成膜性の点から、シ
ラン化合物中のアルキル基またはアリール基と同数の炭
素を有するアルコール、アルキル基またはアリール基と
反応しないN、N−ジメチルホルムアミド等のアミド系
の溶媒などが用いられる。これらは混合して用いてもよ
い。
ラン化合物中のアルキル基またはアリール基と同数の炭
素を有するアルコール、アルキル基またはアリール基と
反応しないN、N−ジメチルホルムアミド等のアミド系
の溶媒などが用いられる。これらは混合して用いてもよ
い。
本発明に用いられる反応触媒としては1例えば塩酸、硫
酸、燐酸、硼酸、フッ酸などの無機酸。
酸、燐酸、硼酸、フッ酸などの無機酸。
五酸化燐、酸化硼素などの酸化物、シュウ酸などの有機
酸等が用いられる。該触媒の添加量は、シラン化合物と
金属アルコキシド化合物に対して合計量0.1〜5重量
%が好ましい。
酸等が用いられる。該触媒の添加量は、シラン化合物と
金属アルコキシド化合物に対して合計量0.1〜5重量
%が好ましい。
本発明の塗布液は、前記アルコキシシラン化合物と金属
アルコキシド化合物とを溶媒の存在下に前記触媒を用い
て加水分解、縮合させて得られる。
アルコキシド化合物とを溶媒の存在下に前記触媒を用い
て加水分解、縮合させて得られる。
また該溶液を用いて得られる酸化物被膜の熱膨張係数は
9選定する金属アルコキシド化合物の種類および量によ
って任意に変化させることができる。
9選定する金属アルコキシド化合物の種類および量によ
って任意に変化させることができる。
本発明の塗布液を用いて酸化物被膜を形成するに際して
は、シリコン、ガラス、セラミックス。
は、シリコン、ガラス、セラミックス。
アルミ等の基体表面上に、スピナー、ノーヶ、スプレー
等で塗布液を塗布したのち9通常50〜200℃、好ま
しく!I′1100〜150℃で乾燥し9次いで通常4
00〜800℃、好ましくは400〜500℃で焼成す
る。
等で塗布液を塗布したのち9通常50〜200℃、好ま
しく!I′1100〜150℃で乾燥し9次いで通常4
00〜800℃、好ましくは400〜500℃で焼成す
る。
本発明の塗布液を用いて得られる酸化物被膜は。
従来のシラノール縮金物を用いて得られる酸化膜被膜と
比較して、炭素含有量が少なく、また第2成分としてマ
グネシウム、釦素、燐、ジルコニウム、イツトリウム、
チタンまたはバリウムの酸化物が含まれ、これらが81
02と共重合体を形成するために熱的に安定であり、成
膜性も良好となる。
比較して、炭素含有量が少なく、また第2成分としてマ
グネシウム、釦素、燐、ジルコニウム、イツトリウム、
チタンまたはバリウムの酸化物が含まれ、これらが81
02と共重合体を形成するために熱的に安定であり、成
膜性も良好となる。
(実施例)
以下9本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例I
Si (OCJ(3)451 g、 CH35j (O
CH3)3 45 g+(CH3)zsi(OCHs)
z 12 g、 B(i−OCsHy)s 31g
、 Mg(OC3Ht)z 109をN、N−ジメチル
ホルムアミド1609およびメチルアルコール409の
混合溶媒中に溶解し、この溶液にさらにシュウ酸0.6
gを溶解させた水559を添加して加水分解。
CH3)3 45 g+(CH3)zsi(OCHs)
z 12 g、 B(i−OCsHy)s 31g
、 Mg(OC3Ht)z 109をN、N−ジメチル
ホルムアミド1609およびメチルアルコール409の
混合溶媒中に溶解し、この溶液にさらにシュウ酸0.6
gを溶解させた水559を添加して加水分解。
縮合を行い1反応物溶液を作製した。
この溶液をスピナーを用いて3000 rpmでSi
ウェハー上に塗布した後、150℃で1時間乾燥し9次
いで電気炉中、400℃で1時間焼成したところ、無色
透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。
ウェハー上に塗布した後、150℃で1時間乾燥し9次
いで電気炉中、400℃で1時間焼成したところ、無色
透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。
該シリカ系被膜の膜厚を9表面あらさ計(商品名タリス
テップ、ランクテーラーホプソン社製)を用いて測定し
たところ、0.7μmであった。また該被膜の吸収スペ
クトルを赤外分光光度計を用いて測定したところ、5i
O−8i吸収の他に。
テップ、ランクテーラーホプソン社製)を用いて測定し
たところ、0.7μmであった。また該被膜の吸収スペ
クトルを赤外分光光度計を用いて測定したところ、5i
O−8i吸収の他に。
Mg−0,B−0結合の吸収が観察され、完全な酸化膜
であることが確認された。さらに本酸化膜をバレル型酸
素プラズマ灰化装置PR−501A型(ヤマト科学社展
)を用いて400Wで20分間処理したが、膜中にクラ
ックは認められなかった。
であることが確認された。さらに本酸化膜をバレル型酸
素プラズマ灰化装置PR−501A型(ヤマト科学社展
)を用いて400Wで20分間処理したが、膜中にクラ
ックは認められなかった。
また前記溶液を、厚さ0.7μm、ラインアンドスペー
ス幅0.5〜5μmのアルミパターンが蒸着されたSi
ウェハー上に前記と同様の条件で成膜したところ、無
色透明でクラックのない酸化被膜が得られた。
ス幅0.5〜5μmのアルミパターンが蒸着されたSi
ウェハー上に前記と同様の条件で成膜したところ、無
色透明でクラックのない酸化被膜が得られた。
さらに前記溶液を150℃で3時間乾燥した後。
得られた粉末を直径12Mnのベレット状に圧縮成形し
、電気炉中で1000℃で1時間焼成した。
、電気炉中で1000℃で1時間焼成した。
この試料の熱膨張係数を理学電機社製、熱物理試験機T
MA8150型で測定したところ、室温から450℃ま
での平均線熱膨張係数は7.0X10”であった。
MA8150型で測定したところ、室温から450℃ま
での平均線熱膨張係数は7.0X10”であった。
実施例2
Si (OCzHg)4145 g、 P (OC3H
7)3 41 y。
7)3 41 y。
Mg (OC3H?12 14 gをエチルアルコール
3009に溶解し、この液にさらにシュウ酸0.8gを
溶解させた水66gを添加して加水分解、縮合を行い反
応物溶液を作製した。
3009に溶解し、この液にさらにシュウ酸0.8gを
溶解させた水66gを添加して加水分解、縮合を行い反
応物溶液を作製した。
この液を実施例1と同様な条件でSiウェハー上に塗布
、乾燥、焼成したところ、膜厚0.5μmの無色透明で
クラックのないシリカ系被膜が得られた。また前記溶液
を実施例1と同様な条件でアルミパターンを蒸着したS
iウェハー上に成膜したところ、無色透明でクラックの
ない酸化物被膜が得られた。
、乾燥、焼成したところ、膜厚0.5μmの無色透明で
クラックのないシリカ系被膜が得られた。また前記溶液
を実施例1と同様な条件でアルミパターンを蒸着したS
iウェハー上に成膜したところ、無色透明でクラックの
ない酸化物被膜が得られた。
実施例3
Si (OC2H5)469 g、 CH35i fO
c2Hs )359 g。
c2Hs )359 g。
(CH3)25i (OC2H5)2259. B(0
−i C3H7)3319をエチルアルコール269お
よびN、N−ジメチルホルムアミド1059の混合溶媒
中に溶解し、この溶液にさらにシュウ酸0.6gを溶解
させた水569を添加して加水分解、縮合を行い1反応
物溶液を作製した。
−i C3H7)3319をエチルアルコール269お
よびN、N−ジメチルホルムアミド1059の混合溶媒
中に溶解し、この溶液にさらにシュウ酸0.6gを溶解
させた水569を添加して加水分解、縮合を行い1反応
物溶液を作製した。
この溶液を実施例1と同様な条件でSi ウニ・・−お
よびアルミパターンを蒸着したSl ウェハー上に成膜
したところ、膜厚0.7μmの無色透明でクラックの々
い酸化物被膜が得られた。
よびアルミパターンを蒸着したSl ウェハー上に成膜
したところ、膜厚0.7μmの無色透明でクラックの々
い酸化物被膜が得られた。
実施例4
Si (OCH3)451 g 、 CHsSi (
OCH3)330 g。
OCH3)330 g。
C5HsSi (OCHs)s 229. (CH3
)zsi (OCH3)212 g、 B(i 0
03Hy)331 g、 Mg(OCaH7)zl 0
g’&ジエチレングリコールジエチルエーテル200
gに溶解し、この溶液に燐酸0.59を溶解させた水5
59を添加して加水分解、縮合を行い。
)zsi (OCH3)212 g、 B(i 0
03Hy)331 g、 Mg(OCaH7)zl 0
g’&ジエチレングリコールジエチルエーテル200
gに溶解し、この溶液に燐酸0.59を溶解させた水5
59を添加して加水分解、縮合を行い。
反応物溶液を作成した。
この溶液を実施例1と同様な条件でSi ウエノ・−お
よびアルミパターンを蒸着したSi ウエノ1−上に成
膜したところ、膜厚0.8μmの無色透明でクラックの
ない酸化物被膜が得られた。
よびアルミパターンを蒸着したSi ウエノ1−上に成
膜したところ、膜厚0.8μmの無色透明でクラックの
ない酸化物被膜が得られた。
比較例I
Si (OC2H53435gを、エチルアルコール6
49および酢酸エチル269の混合溶媒に溶解し、この
溶液にさらにシュウ酸0.5gを溶解させた水129を
添加して加水分解、縮合を行い、シラノールオリゴマー
溶液を作製した。
49および酢酸エチル269の混合溶媒に溶解し、この
溶液にさらにシュウ酸0.5gを溶解させた水129を
添加して加水分解、縮合を行い、シラノールオリゴマー
溶液を作製した。
この溶液を実施例1と同様にしてSl ウエノ・−上に
塗布したところ、約0.4μmの膜が得られたが、膜に
は多数のクラックが存在していた。
塗布したところ、約0.4μmの膜が得られたが、膜に
は多数のクラックが存在していた。
比較例2
Si (OCH3)4179 、 CHsSi (OC
H3)s 25 gおよび(CHs)2si(OCH
3)z 5 gを、N、N−ジメチルホルムアミド4
8Gおよびメタノール69の混合溶媒に溶解し、この溶
液にさらに燐酸o、sgを溶解させた水209を添加し
て加水分解、縮合を行い、シラノールオリゴマー溶液を
作製した。
H3)s 25 gおよび(CHs)2si(OCH
3)z 5 gを、N、N−ジメチルホルムアミド4
8Gおよびメタノール69の混合溶媒に溶解し、この溶
液にさらに燐酸o、sgを溶解させた水209を添加し
て加水分解、縮合を行い、シラノールオリゴマー溶液を
作製した。
この溶液を実施例1と同様にして8i ウエノ・−上に
塗布したところ、約0.7μmの膜が得られた。
塗布したところ、約0.7μmの膜が得られた。
被膜の吸収スペクトルを赤外分光光度計を用いて測定し
たところ、5i−0−8i吸収の他にSi −CH3の
強い吸収がみられ、完全KSiCh膜になっていないこ
とが確認された。またこの膜を実施例1と同様にして4
00Wで20分間酸素プラズマ処理したところ、膜中に
クラックが発生した。
たところ、5i−0−8i吸収の他にSi −CH3の
強い吸収がみられ、完全KSiCh膜になっていないこ
とが確認された。またこの膜を実施例1と同様にして4
00Wで20分間酸素プラズマ処理したところ、膜中に
クラックが発生した。
(発明の効果)
本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、熱的に安定で成膜
性に優れるため、該塗布液を用いて基体表面上に形成し
た酸化膜被膜には、1.5μm程度の厚さとしてもクラ
ックの発生がない。したがって本発明の酸化物被膜形成
用塗布液は、電子部品。
性に優れるため、該塗布液を用いて基体表面上に形成し
た酸化膜被膜には、1.5μm程度の厚さとしてもクラ
ックの発生がない。したがって本発明の酸化物被膜形成
用塗布液は、電子部品。
特に半導体の多層配線における層間段差の被膜。
磁気バブルメモリー等の素子表面の平坦化等に有効であ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)一般式RmSi(OR)_4_−_m(式中
、Rは炭素数1〜4のアルキル基またはアリール基、m
は0〜2の整数を意味する)で表されるシラン化合物と
、(B)一般式M(OR′)n(式中、Mはマグネシウ
ム、硼素、燐、ジルコニウム、イットリウム、チタンま
たはバリウムの金属原子、R′は炭素数1〜4のアルキ
ル基またはアリール基、nは金属原子Mの原子価を意味
する)で表される金属アルコキシド化合物とを、溶媒の
存在下に触媒を用いて加水分解、縮合させて得られる反
応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液。 2、請求項1記載の塗布液を、基体表面上に塗布後50
〜200℃で乾燥し、ついで400〜800℃で焼成す
る酸化物被膜の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1022041A JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-22370 | 1988-02-02 | ||
JP2237088 | 1988-02-02 | ||
JP1022041A JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH021778A true JPH021778A (ja) | 1990-01-08 |
JPH0559154B2 JPH0559154B2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=12080747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1022041A Granted JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0327311B1 (ja) |
JP (1) | JPH021778A (ja) |
DE (1) | DE68918124T2 (ja) |
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- 1989-01-31 DE DE1989618124 patent/DE68918124T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-31 JP JP1022041A patent/JPH021778A/ja active Granted
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EP0327311A2 (en) | 1989-08-09 |
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