JPH02177529A - X-ray mask and manufacture thereof - Google Patents
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線マスク及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、光露光によるパターン微細化の限界を打破るもの
として、光に比べて波長の短いＸ線を利用したＸ線リソ
グラフィが注目されている。このＸｍリソグラフィでは
、光を用いた露光法とは異なり、所定のパターンを縮小
させて転写するような技術は現在のところない。そこで
、Ｘ線源と露光対象物との間に、Ｘ線を選択的に透過す
るＸ線マスクを配置し、このマスクを通してＸ線束を一
括照射することにより露光対象物表面に転写パターンを
形成する、１：１の等倍転写方式が採用されている。
この等倍転写方式では、Ｘ線マスクのパターンの寸法精
度、位置精度がそのままデバイス精度になるため、Ｘ線
マスクのパターンにはデバイスの最小線幅の１０分の工
程度の位置精度、寸法精゛度が要求される。また、Ｘ線
源としてはＳＯＲ光（シンクロトロン放射光）が本命と
されているため、Ｘ線マスクは強力なＸ線に対してダメ
ージを受けない構造でなければならない。更に、デバイ
スの線幅が０．５−から始まって次世代の０．１ ｔｒ
ｍへ向かう状況下では、Ｘ線マスクのパターン断面のア
スペクト比が大きくなるため、種々の製造上の困難が増
大してくる。以上のように、Ｘ線露光法の実用化におい
ては、Ｘ線マスクの構造及び製造方法の開発が最も重要
な鍵となっている。
Ｘ線マスクは一般的には以下のような構造を有している
。すなわち、マスク支持体上に、軟Ｘ線に対する吸収率
が特に小さい軟Ｘ線透過性の材料からなる薄膜（メンブ
レン）を形成し、このＸ線透過性薄膜上に軟Ｘ線に対す
る吸収率が大きい材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸
収体パターン）を形成した構造を有している。前記マス
ク支持体は、Ｘ線透過性薄膜が極めて薄く機械的に弱い
ので、これを支持するために設けられる。
従来、このようなＸ線マスクは例えば第３図（ａ）〜（
１’）に示すような方法で製造されている（Ｊ、Ｖａｃ
、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、２１．４（１９８２）、
ｐ、１０１７）。
まず、第３図（ａ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法により
Ｓｉ基板３１上に内部応力５〜１５ ｄｙｎ／ ｔｓ
２のＳｉＮ膜３２を形成する。また、Ｓｉ基板３１の裏
面にも薄いＳｉＮ膜３３を形成する。前記ＳｔＮ膜３２
がＸ線透過性薄膜として用いられる。なお、Ｘ線透過性
薄膜には、Ｘ線を透過しかつアラインメント光（可視光
、赤外線）に対する透過性に優れ、強力なｘｍ照射に対
して大きな耐性を有し、更に引張り応力を有する自立支
持膜であることが要求される。その材料として、現在の
ところ、ＢＮ。
５ｉｓＳｉＣ，Ｔｉなどが報告されている。
次いで、第３図（ｂ）に示すように、裏面側のＳｉＮ膜
３３の中央部を選択的に除去した後、表面側のＳｉＮ膜
３膜上２上線吸収体としてＴａ膜膜種４形成する。Ｘ線
吸収体には、露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこ
と、内部応力が低いこと、微細加工が容易であることが
要求される。その材料として、現在のところ、Ａ ｕ
％ Ｔ ａ ｓ Ｗ ％ Ｗ Ｎなどが報告されている
。Ｘ線吸収体の内部応力については、Ｉ Ｘ １Ｇ’
ｄｙｎ／ ｃｍ ２程度の低応力であることが不可欠
であるため、Ｘ線吸収体は一般的にスパッタリング法に
より内部応力を制御して堆積される。
次いで、第３図（Ｃ）に示すように、スパッタリング法
により、Ｔ、ａ膜３４上に内部応力を制御した５ｉ０２
膜３５を形成する。更に、Ｓｔ、２膜８５上に電子ビー
ム描画用のレジスト３６を塗布した後、電子ビーム描画
法によりパターン描画を行い、レジスト３Ｂに所望のパ
ターンを形成する。このように、例えばレジスト／中間
層／ Ｔ ａという多層構造が用いられるのは、レジス
トパターンをマスクとして、断面のアスペクト比が大き
く、かつその壁面が基板に対して垂直なＸ線吸収体パタ
ーンを形成することが要求されるためである。また、電
子ビーム描画法では、電子ビームの散乱と照射電子の電
荷によって描画パターンが変形する近接効果が生じるこ
とが問題となる。特に、Ｘ線マスクでは、レジスト下に
重金属からなる厚いＸ線吸収体層が存在するため、この
近接効果が顕著となる。
したがって、近接効果の影響を少なくしてパターン線幅
精度を保証するために、多層レジストを使用したり、近
接効果補正を実施したり、更には近接効果が小さく ０
．１ ｎ線幅の微細パターン描画が可能な集束イオンビ
ーム描画法が開発されている。
次いで、第３図（ｄ）に示すように、ドライエツチング
法により、レジスト３Ｂをマスクとして５ｉｎ２膜３５
を選択エツチングする。その後、第３図（ｅ）に示すよ
うに、レジスト３Ｂ及び５ｉｎ２膜３５をマスクとして
Ｔａ膜膜種４選択エツチングする。つまり、Ｔａ膜膜種
４パターンは、Ｓ Ｌ ０２ Ｈ２Ｓのパターンを中間
マスクとしてエツチングすることにより形成される。こ
の際採用されるエツチング法には、マスク材との適当な
エツチング選択比がとれること、パターン変換差（被エ
ツチング材とマスク材との線幅の差）が小さくかつ被エ
ツチング材の壁面が垂直になること、堆積物や残渣が生
じないこと、エツチングの安定性及び再現性がよいこと
などの条件が要求される。
最後に、第３図（ｒ）に示すように、ＫＯＨなどのウェ
ットエツチング法により、裏面のＳｉＣ膜３３をマスク
としてＳｉ基板３１をエツチングする。
以上のようにしてＸ線マスクが製造される。
前述したように複雑なＸ線マスクの製造工程のうち、困
難な工程の１つとなるのが、Ｘ線吸収体の微細加工であ
る。従来、Ｘ線マスク用重金属の微細パターンのエツチ
ングについては、スパッタリング法により形成したＷに
０．２−パターンを形成した例が報告されている（Ｊ、
Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、。
２１．４（１９８２）、Ｐ、１０１７又はＪ、Ｖａｃ、
Ｓｃ１．Ｔｅｃｈｎｏｌ、。
Ｂ（５） （１９ｇ？）、９．２８３）。これらの例で
も採用されているように、現状では重金属に微細パター
ンを形成するためには、低圧において垂直イオン入射が
大きくなる反応性イオンエツチング（ＲＩ Ｅ）技術を
用いなければならない。しかしながら、低圧下では重金
属のエツチング速度は非常に小さいため、エツチングマ
スクと重金属とのエツチング選択比を大きくとることが
困難である。実際、前記報告例でのＷのエツチング形状
は垂直ではなく、パターン中央壁がサイドエツチングさ
れている。
Ｘｍ吸収体パターンがこのような形状を有していると、
Ｘ線露光による転写パターンの精度に大きな影響が生じ
、高精度のパターン転写は不可能である。
一方、前述した問題が生じる重金属のドライエツチング
工程の代わりに、予めＸ線透過性薄膜上に微細パターン
を形成しておき、メツキ法により微細パターン中に金属
を埋込む方法が提案されている。しかし、このメツキ法
では多量のゴミによってパターンに欠陥が発生しやすく
、シかもパターン形成に要する工程数が多くなるため、
実用的ではない。
更に、最も困難であるのは、低応力のＸ線吸収体を成膜
することである。前述したように、０．２−の微細パタ
ーン転写を実現するために要求されるパターン精度（パ
ターン位置、パターン寸法）は０．０２ｎ以下である。
このような精度を満足するためには、Ｉ Ｘ １（１８
ｄｙｎ／ ａｍ ２以下の低応力膜が必要である。現在
、このような低応力膜を形成するためには、重金属をス
パッタリングする際に、ガス圧力及びパワーを変化させ
るという手法がとられている。例えば第４図に示すよう
に、スパッタリング時のガス圧力に対する、スパッタリ
ングにより形成されたＷ膜の応力特性を調べた例が報告
されている（例えば、第４８回応用物理学会学術講演予
稿集１９８７秋２ 、ｐ、４５０）。
第４図かられかるように、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒ以
上にすると、Ｗ膜の応力をＩ Ｘ １０” ｄｙｎ／
ｃｓ ’程度に低応力化することが可能である。とこ
ろが、比較的高いガス圧力で形成されたＷ膜の密度は４
０％も減少し、これに伴ってＸ線・吸収係数も４０％以
上低下してしまう。すなわち、前記条件で形成された低
応力Ｗ膜をＸ線吸収体として用いた場合、実効的な膜厚
が約１ｎも必要になるということが示唆される。前述し
たように、こうした厚いＷ膜に微細パターンを形成する
ことは極めて困難である。また、低密度のＷＩＩの応力
は経時変化が大きく、微細パターンを形成するまでの中
間膜形成工程、レジスト塗布工程、ベーキング工程など
の間にも応力が変化するため、低応力をそのまま維持す
ることは不可能である。
また、第４図かられかるように、ガス圧力が１５ｍＴｏ
ｒｒ近傍でも、Ｗ＠の応力をＩ Ｘ ｔｏ’ ｄｙｎ
／ｅｌ１１２程度に低応力化することが可能である。し
かも、二の領域におけるＷ膜の密度は、バルクＷ膜の密
度に近く、また安定した結晶構造を有している。しかし
、第４図に示されているように、ガス圧力の変化に応じ
てＷ膜の応力は急激に変化するにもかかわらず、ガス圧
力条件を一定に維持することは困難であるため、実際に
Ｉ Ｘ ｔｏ’ ｄｙｎ／（！ｌ１１２以下の低応力
のＷ膜を形成することは極めて困難である。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べたように、従来のＸ線マスクでは、Ｘ線吸収体
パターンを形成するにあたり、低応力かつ高密度の重金
属膜を形成し、これを微細加工するには、以下のような
厳しい要求と問題点があった。
すなわち、成膜に関しては、
■Ｉ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ ｃｍ ”以下の低応力
を有する止金属膜を形成することが困難である。
■バルク密度に近い高密度の重金属膜を形成することが
困難である。
また、微細加工工程に関しては、
■エツチングマスク材料と重金属膜とのエツチング選択
比が小さく、微細パターン加工が極めて困難である。
■レジスト／中間層／重金属膜などの多層構造が必要で
あり、プロセスが複雑になるうえ、各層におけるパター
ン変換差が０．０２．以下になるように極めて高精度な
エツチング技術が必要である。
■中間層として絶縁膜又は金属膜を用いなければならず
、これらの膜の応力もＸＩＩ吸収体と同程度に小さくす
る必要がある。
■各層でのエツチング工程、レジストベーキング工程な
どで発生する荷電粒子・中性粒子の衝突・反応及び熱に
より、重金属膜の応力が変化しないことが必要である。
■電子ビーム描画による近接効果の影響を極力避けるた
め、及び近接効果補正を軽減するために、多層レジスト
構造が必要である。
■■〜■で述べた問題を有するドライエツチングに代わ
る方法として提案されている、メツキ法により重金属を
埋込む方法では、ゴミによるパターン欠陥の発生が非常
に多い。
本発明は前記事情を考慮してなされたものであり、ドラ
イエツチング法や電界メツキ法を用いることなく、内部
応力がＩ Ｘ １０” ｄｙｎ／ ａｍ ”以下で、
しかも極めて高精度なＸ線吸収体パターンを形成するこ
とができ、Ｘ線リソグラフィを用いた次世代超ＬＳＩデ
バイスの微細加工実現に寄与し得るｘＩｉｓマスク及び
その製造方法を提供することを目的とする。[Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an X-ray mask and a method for manufacturing the same. (Prior Art) In recent years, X-ray lithography, which uses X-rays with a shorter wavelength than light, has been attracting attention as a way to overcome the limitations of pattern miniaturization by light exposure. In this Xm lithography, unlike an exposure method using light, there is currently no technology for reducing and transferring a predetermined pattern. Therefore, an X-ray mask that selectively transmits X-rays is placed between the X-ray source and the object to be exposed, and a transfer pattern is formed on the surface of the object by irradiating the X-ray flux through this mask. , a 1:1 equal-size transfer method is adopted. In this same-size transfer method, the dimensional accuracy and positional accuracy of the X-ray mask pattern directly becomes the device accuracy. degree is required. Furthermore, since SOR light (synchrotron radiation) is the preferred X-ray source, the X-ray mask must have a structure that will not be damaged by powerful X-rays. Furthermore, the line width of the device starts from 0.5- to 0.1 tr for the next generation.
Under the situation where the direction is toward m, the aspect ratio of the cross section of the pattern of the X-ray mask increases, which increases various manufacturing difficulties. As described above, the most important key to putting X-ray exposure into practical use is the development of the structure and manufacturing method of the X-ray mask. An X-ray mask generally has the following structure. That is, a thin film (membrane) made of a material that is transparent to soft X-rays and has a particularly low absorption rate for soft X-rays is formed on the mask support, and a membrane that has a high absorption rate for soft X-rays is formed on this X-ray transparent thin film. It has a structure in which a mask pattern (X-ray absorber pattern) made of material is formed. The mask support is provided to support the X-ray transparent thin film because it is extremely thin and mechanically weak. Conventionally, such an X-ray mask has been used, for example, as shown in FIGS.
1') is manufactured by the method shown in (J, Vac
, Sci, Technol, 21.4 (1982),
p, 1017). First, as shown in FIG. 3(a), an internal stress of 5 to 15 dyn/ts is applied to the Si substrate 31 by the LPCVD method.
A second SiN film 32 is formed. Further, a thin SiN film 33 is also formed on the back surface of the Si substrate 31. The StN film 32
is used as an X-ray transparent thin film. In addition, the X-ray transparent thin film transmits X-rays, has excellent transparency to alignment light (visible light, infrared rays), has high resistance to strong XM irradiation, and has a self-supporting support with tensile stress. It is required to be a membrane. At present, BN is used as the material. 5isSiC, Ti, etc. have been reported. Next, as shown in FIG. 3(b), after selectively removing the central part of the SiN film 33 on the back side, a Ta film 4 is formed as a line absorber on the SiN film 3 on the front side. . The X-ray absorber is required to have a large X-ray absorption coefficient at the exposure wavelength, low internal stress, and easy microfabrication. At present, A u
% T a s W % W N etc. have been reported. Regarding the internal stress of the X-ray absorber, I X 1G'
Since it is essential to have a low stress on the order of dyn/cm2, X-ray absorbers are generally deposited by sputtering with controlled internal stress. Next, as shown in FIG. 3(C), 5i02 with controlled internal stress is deposited on the T, a film 34 by sputtering.
A film 35 is formed. Further, a resist 36 for electron beam drawing is applied on the St.2 film 85, and then a pattern is drawn by an electron beam drawing method to form a desired pattern on the resist 3B. In this way, for example, a multilayer structure of resist/intermediate layer/Ta is used to create an X-ray absorber pattern whose cross-sectional aspect ratio is large and whose wall surface is perpendicular to the substrate using a resist pattern as a mask. This is because it is required to form. Further, the electron beam drawing method has a problem in that a proximity effect occurs in which the drawing pattern is deformed due to the scattering of the electron beam and the charge of the irradiated electrons. In particular, in the case of an X-ray mask, since a thick X-ray absorber layer made of heavy metal exists under the resist, this proximity effect becomes significant. Therefore, in order to reduce the influence of the proximity effect and guarantee pattern line width accuracy, it is necessary to use a multilayer resist, perform proximity effect correction, and even reduce the proximity effect to 0.
．． A focused ion beam writing method that is capable of writing fine patterns with a line width of 1n has been developed. Next, as shown in FIG. 3(d), a 5in2 film 35 is etched using the resist 3B as a mask by dry etching.
Select and etch. Thereafter, as shown in FIG. 3(e), selective etching of four Ta film types is performed using the resist 3B and the 5in2 film 35 as a mask. That is, the four types of Ta film patterns are formed by etching using the S L 02 H2S pattern as an intermediate mask. The etching method adopted here requires that an appropriate etching selection ratio with the mask material be obtained, that the pattern conversion difference (difference in line width between the etched material and the mask material) is small, and that the wall surface of the etched material is vertical. The following conditions are required: no deposits or residues are formed, and etching stability and reproducibility are good. Finally, as shown in FIG. 3(r), the Si substrate 31 is etched using a wet etching method such as KOH using the SiC film 33 on the back surface as a mask. An X-ray mask is manufactured as described above. As mentioned above, one of the difficult steps in the complex manufacturing process of an X-ray mask is microfabrication of the X-ray absorber. Conventionally, regarding the etching of fine patterns of heavy metals for X-ray masks, an example has been reported in which a 0.2-pattern was formed on W formed by a sputtering method (J,
Vac, Sci, Technol. 21.4 (1982), P, 1017 or J, Vac,
Sc1. Technol. B(5) (19g?), 9.283). As employed in these examples, currently, in order to form fine patterns on heavy metals, it is necessary to use reactive ion etching (RIE) technology in which vertical ion incidence is large at low pressure. However, since the etching rate of heavy metals is very low under low pressure, it is difficult to obtain a large etching selectivity ratio between the etching mask and the heavy metals. In fact, the etched shape of W in the reported example is not vertical, but the central wall of the pattern is side-etched. When the Xm absorber pattern has such a shape,
The accuracy of the transferred pattern due to X-ray exposure is greatly affected, making highly accurate pattern transfer impossible. On the other hand, instead of the heavy metal dry etching process which causes the above-mentioned problem, a method has been proposed in which a fine pattern is formed in advance on an X-ray transparent thin film and metal is embedded in the fine pattern by a plating method. However, with this plating method, defects tend to occur in the pattern due to a large amount of dust, and the number of steps required to form the pattern increases.
Not practical. Furthermore, the most difficult thing is to form a low-stress X-ray absorber. As mentioned above, the pattern accuracy (pattern position, pattern dimension) required to realize 0.2-micro pattern transfer is 0.02n or less. In order to satisfy such accuracy, I X 1 (18
A low stress film of dyn/am 2 or less is required. Currently, in order to form such a low stress film, a method is used in which the gas pressure and power are varied when sputtering heavy metals. For example, as shown in Figure 4, an example of investigating the stress characteristics of a W film formed by sputtering with respect to the gas pressure during sputtering has been reported (for example, Proceedings of the 48th Japan Society of Applied Physics Academic Conference 1987 Autumn). 2, p. 450). As can be seen from Fig. 4, when the gas pressure is increased to 50 mTorr or more, the stress in the W film increases to I x 10” dyn/
It is possible to reduce the stress to about cs'. However, the density of the W film formed at relatively high gas pressure is 4
0%, and along with this, the X-ray absorption coefficient also decreases by more than 40%. That is, it is suggested that when a low stress W film formed under the above conditions is used as an X-ray absorber, an effective film thickness of about 1n is required. As mentioned above, it is extremely difficult to form fine patterns on such a thick W film. In addition, the stress of low-density WII changes significantly over time, and the stress also changes during the intermediate film formation process, resist coating process, baking process, etc. before forming a fine pattern, so it is important to maintain low stress as it is. is impossible. Also, as shown in Figure 4, the gas pressure is 15mTo.
Even near rr, the stress of W@ is I X to' dyn
It is possible to reduce the stress to about /el112. Moreover, the density of the W film in the second region is close to that of the bulk W film, and has a stable crystal structure. However, as shown in Figure 4, although the stress in the W film changes rapidly in response to changes in gas pressure, it is difficult to maintain a constant gas pressure condition; It is extremely difficult to form a W film with a low stress of less than I In forming a line absorber pattern, there were the following strict requirements and problems in forming a low-stress, high-density heavy metal film and microfabricating it.In other words, regarding film formation, It is difficult to form a stop metal film with a low stress of less than I x 10'dyn/cm". ■It is difficult to form a heavy metal film with a high density close to the bulk density. Also, the microfabrication process Regarding the above, ■The etching selectivity ratio between the etching mask material and the heavy metal film is small, making it extremely difficult to process fine patterns. ■A multilayer structure such as resist/intermediate layer/heavy metal film is required, which complicates the process. , extremely high-precision etching technology is required so that the pattern conversion difference in each layer is 0.02. It needs to be as small as the absorber. ■It is necessary that the stress in the heavy metal film does not change due to collisions and reactions of charged and neutral particles and heat generated during the etching process and resist baking process in each layer. ■A multilayer resist structure is necessary to avoid the influence of the proximity effect due to electron beam writing as much as possible and to reduce the proximity effect correction. ■An alternative method to dry etching which has the problems described in ■■～■ In the method of embedding heavy metals using the plating method, which has been proposed as without using, the internal stress is less than I x 10"dyn/am",
Moreover, it is an object of the present invention to provide an xIis mask and its manufacturing method that can form an extremely high-precision X-ray absorber pattern and can contribute to the realization of microfabrication of next-generation VLSI devices using X-ray lithography. .
（課題を解決するための手段）
本発明のＸ線マスクは、Ｘ線透過性薄膜上に微細なＸ線
吸収体パターンが形成されたＸ線マスクにおいて、前記
Ｘ線吸収体パターンが液体からなり、該Ｘ線吸収体パタ
ーン上に保護膜が形成されていることを特徴とするもの
である。
また、本発明のＸ線マスクの製造方法は、Ｘ線透過性薄
膜を所定のパターンに従って選択的にエツチングして溝
部を形成する工程と、該溝部に液体のＸ線吸収体を埋込
み、Ｘ線吸収体パターンを形成する工程と、該Ｘ線吸収
体パターン上に保護膜を形成する工程とを具備したこと
を特徴とするものである。
本発明において、Ｘ線透過性薄膜を構成する材料として
は、Ｘ線透過率が高く、かつ引張り応力を有する自立支
持膜が用いられ、例えばＳ ｉＣｓＢＮ、ＳｉＮなどを
挙げることができる。本発明において、Ｘ線透過性薄膜
に溝部を形成する方法としては、例えば反応性イオンエ
ツチング法を用い、パターン精度が高くなるような条件
を設定すればよい。
本発明において、液体のＸ線吸収体パターンを構成する
材料は、何らかの条件下で液体となる重金属又はその化
合物であればどのようなものでもよい。このような材料
としては、例えば水銀又は臭化水銀などの水銀化合物を
挙げることができる。
この材料は、Ｘ線透過性薄膜に対するぬれ性が良好で溝
部への埋込みが容易なものであることが望ましい。こう
した液体のＸ線吸収体パターンを形成するには、例えば
溝部が形成されたＸ線透過性薄膜上にＨｇを回転塗布し
た後、表面に残っているＨｇを不活性ガスでブローアツ
プする方法や、液体のＨｇを埋め込んだ後、基板を冷却
させてＨｇを固化させ表面に残っているＨｇをｘｌ透過
性薄膜が露出するまでプラズマエツチングする方法など
を用いることができる。また、例えば液相ＣＶＤ法（Ｓ
ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔ
ｅｒｌａｌｓ。
Ｔｏｋｙｏ、１９Ｂ？、ｐ、４５１）を用い、基板温度
を制御しなからＨｇと活性種とを反応させて、蒸気圧及
びＸ線透過性薄膜に対するぬれ性の両者を満足する水銀
化合物を生成させ、Ｘ線透過性薄膜線に形成された溝部
に埋込む方法も採用することができる。
本発明において、保護膜としては、溝部に埋め込まれた
液体のＸ線吸収体を封じ込めることができるものであれ
ばどのようなものでもよい。この保護膜は、例えば光Ｃ
ＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により形成することができ
る。
（作用）
本発明によれば、Ｘ線吸収体パターンが液体で形成され
ているため、その内部応力は極めて小さく、少なくとも
Ｉ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ ｃｍ ”以下の低応力を
容易に達成することができる。しかも、液体のＸ線吸収
体パターンでは、バルク値に匹敵する密度が期待される
。また、液体のＸ線吸収体パターンは形成方法に依存し
て密度が低下したり、応力が変化することは全くない。
一方、Ｘ線透過性薄膜として通常使用される半導体薄膜
又は絶縁膜には、反応性イオンエツチング法により極め
て容品に超微細なパターンをなす溝部を高精度に形成す
ることができる。この場合、パターン形成のためのレジ
ストへの電子線描画の際に、下地が半導体薄膜又は絶縁
膜であるため近接効果による影響が小さいことが高精度
なパターン形成を可能にする要因の１つとなっている。
したがって、内部応力がＩ Ｘ １０’ ｄｙｎ／
Ｃｌ１１’以下、かつバルク密度に近い高密度を有し、
しかも極めて高精度なＸ線吸収体パターンが形成された
Ｘ線マスクを提供することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例におけるＸ線
マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、面方位（１００）の
３インチＳｉ基板ｌＩ上にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
（Ｘ線透過性薄膜） １２を堆積した。以下、このとき
の製造条件を説明する。高周波加熱方式のＬＰＧＶＤ装
置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコーティングし
たサセプタ上に、ＳｉＭ板１板金１置した。減圧下でＳ
ｉ基板１−１を１１８０℃まで昇温し、Ｎ２で希釈した
１、５％ＨＣｇガスにより５分間Ｓｔ基板１１を気相エ
ツチングした。これにより、Ｓｉ基板ｌｌ上に存在する
自然酸化膜及び炭化水素系の汚染物を除去し、Ｓｉ基板
１１表面を清浄化した。その後、堆積ガスとしてＳ ｉ
Ｃ９４／Ｃ）Ｈ，、希釈ガスとしてＮ２を用い、Ｓｉ
Ｃの堆積を行った。基板温度ｔａｅｏ℃、Ｈ２流ｊｌｌ
ｊ！／ｇ＋ｉｎ ％Ｓ ｉ Ｃｌ 、流１ｔ３ｍｌ／−
１ｎ 、 Ｃ３Ｈ８流ｊ１１ｍｌ／ｓｉｎ （Ｓ ｉ
Ｃ１４／Ｈ２の流量比３ｘ１０−’）の条件でＳｉ基
板１１上に５ｉＣＩＩ１２がエピタキシャル成長した。
このＳＩＣ膜１２の応力を測定したところ、１５ Ｘ
１０’ ｄｙｎ／ ａｍ ２の引張り応力であった。
次に、第１図（ｂ）に示すように、Ｓ ｉ Ｃｌｉ、１
２上に膜厚数１００人のＡｌｌ１ｉ１１３及びＰ Ｍ
Ｍ Ａレジスト１４の２層構造を形成した。その後、上
層のレジス）１４を通常の電子線描画によりバターニン
グ開口し、レジストをマスクとしてＣＲｚにより下層の
１１１１３をプラズマエツチングしてパターニング開口
した。この電子線描画の際、膜厚数１００人の薄い／１
Ｍ！１３での電子線反射率が低いため、近接効果の影響
を少なくするには、通常の近接効果補正（ゴースト露光
法）で充分であった。また、膜厚数１００人の薄いＡＮ
Ｉｌｆｌ１３はＣＩ２を用いたプラズマエツチングによ
り容易にエツチングすることが可能であった。
次いで、レジスト１４を除去した後、第１図（Ｃ）に示
すように、残存したＡ１膜１３をエツチングマスクとし
て、Ｓ Ｆ ｓ ／ ０２ガスにより５ｉｃｋ！１１１
２を反応性イオンエツチングし、５ｉＣ１ｉ１２に所定
のパターンに従って深さ０．６−の溝部１５を形成した
。この溝部１５は後述するようにｘｌ吸収体パターンを
埋込むためのものである。
次いで、Ａｌｌ１ｉ１２を除去した後、第１図（ｄ）に
示すように、Ｓｉ基板１１の裏面中央部をエッチバック
した。これを反応炉内に設置し、溝部１５が形成された
５ＬＣＩＩ１２上にＨｇを回転塗布した後、表面に残っ
たＨｇをＮ２ガスによりブローアツプして、溝部１５に
膜厚◎、５−のＨｇ１ｉｌＢを埋込んだ。
これによりＸ線吸収体パターンとなるＨｇ１ｌ！１１Ｂ
の微細パターンが形成された。このＨｇ１１５１１８の
最小線幅は０．２−であり、レジスト描画からの寸法変
換差は０．０２ａ以下であった。
その後、第１図（ｅ）に示すように、溝部１５に埋込ま
れたＨｇ１ｌ！１１Ｂを封じ込めるために、光ＣＶＤ法
によりＨｇ１ｌｌｌＢ上に膜厚５００人の５ｉＣＨ１７
を堆積し、Ｘｌマスクを完成した。
このようにして製造されたＸ線、マスクでは、（Ｘ線吸
収体パターンが液体のＨｇからなっているため、その内
部応力が極めて小さく、内部応力に起因するパターン位
置ずれは全く生じない。
また、製造プロセスは極めて簡略化されている。
例えば、従来困難とされていた重金属の微細パターン加
工を行う必要はない。また、メツキ法と異なり、ゴミに
よるパターン欠陥が発生するおそれもない。更に、レジ
ストにパターンを描画するために行われる電子線描画時
には、薄いＡｌ膜からの反射電子が少ないので、近接効
果を軽減することができ、単純な近接効果補正により高
精度にパターンを描画することができる。そして、プラ
ズマエツチングにより、このパターンをそのまま５ｉＣ
ＩＩＩ１２に転写して溝部１５を形成することができる
。したがって、パターン寸法変換差の極めて小さいＨｇ
の微細パターンを容易に形成することができる。
なお、Ｈｇ膜の吸収係数は波長１０人に対して５１ＸＩ
Ｇ’／ａｎであり、Ａｕ膜の吸収係数６８Ｘ １０’
／備より２５％小さい。ただし、Ａｕ膜と同等のＸ線吸
収能を得るには、Ｈｇ膜の膜厚を２５％増加させればよ
い。例えば、前記実施例の場合、Ｘ線透過性薄膜である
５ｉＣＩＩ１２に形成する溝部１５の深さを０．７５ａ
とすればよい。５ｉＣ１１１１２にこの程度の深さの溝
部１５を形成することは何ら困難なことではない６
また、Ｈｇの熱膨張係数は０．１８２ ／１０１に刊で
あり、Ｗの熱膨張係数０．０４５ ／ｌｏ−’に一’と
比較して２桁程度大きく、熱膨張によるマスク内部での
応力の発生が考えられるが、実際のマスク保持環境での
温度変化は０．１℃以下に制御されているため、熱膨張
の影響はほとんど受けない。
実際に、前記実施例で得られたＸ線マスクを用い、基板
上に形成された膜厚１辱のＰＭＭＡレジストをＳＯＲ光
により露光・現像した結果、０．２−のラインアンドス
ペースが形成された。
実施例２
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例におけるＸ線
マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。なお、
第１図と同一部分には同一符号を付して説明を簡略化す
る。
この実施例２において、実施例１と異なる工程は、Ｓｉ
Ｃ膜に設けられた溝部にＨｇ膜を選択的に埋込む工程で
ある。すなわち、第２図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
ｌｌ上にＳｉＣ膜１２を堆積した後、５ｉＣ１ｉ１２に
所定のパターンに従って深さ０．８−の溝部１５を形成
した。次に、第２図（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１１
の裏面中央部をエッチバックした。これを反応炉内に設
置し、反応炉内にＨｇ蒸気を導入し、Ｓｉ基板１１及び
５ＬＣＩＩ１２＜７３温度を制御しながら、溝部１５が
形成されたＳｉＣ膜１膜上２上ｇ１ｌｌＢをその表面が
平坦になる厚さまで堆積した。次いで、第２図（Ｃ）に
示すように、Ｂｒ２ガスによるプラズマエツチングによ
りＨｇ膜１６をＨｇ２Ｂｒ２として昇華させることによ
りエツチングし、５ｉＣＨ１２の表面を露出させて、溝
部１Ｂに選択的にＨｇ膜１６を埋込んだ。その後、第２
図（ｄ）に示すように、溝部１５に埋込まれたＨｇ１ｌ
ｉｔｅを封じ込めるために、Ｈｇ膜１６上に膜厚５００
人のＳｉＣ膜！７を堆積し、Ｘ線マスクを完成した。
このような工程を用いても、溝部１５にＨｇを埋込み、
Ｘ線吸収体となるＨｇ１ＭＨｅの微細パターンを精度よ
く形成することが可能である。したがって、実施例１と
同様の効果を得ることができる。
なお、本発明は前述した実施例に限定されるものではな
く、種々の変形例を適用することができる。
例えば、前記実施例では、液体のＸ線吸収体パターンを
構成する材料としてＨｇを用いたが、これに限らず、臭
化水銀などの水銀化合物の他、何らかの条件下で液体と
なる重金属又はその化合物であればどのようなものでも
よい。また、前記実施例では液体のＸ線吸収体パターン
を形成するために、溝部が形成されたＸ線透過性薄膜上
にＨｇを回転塗布した後、表面に残っているＨｇを不活
性ガスでブローアツプする方法、又はＨｇ蒸気を導入し
てＨｇ膜の堆積を行い表面に残っているＨ ｇ ｔ−Ｘ
線透過性薄膜が露出するまでプラズマエツチングする方
法を用いたが、これに限らず例えば液相ＣＶＤ法を用い
、Ｂｇと活性種とを反応させて、蒸気圧及びＸ線透過性
薄膜に対するぬれ性の両者を満足する水銀化合物を生成
させ、Ｘ線透過性薄膜線に形成された溝部に埋込む方法
も採用することができる。
また、前記実施例では、Ｘ線透過性薄膜を構成する材料
としてＳｉＣを用いたが、これに限らず、Ｘ線透過率が
高く、かつ引張り応力を有する自立支持膜であればよ＜
、ＢＮ％ＳｉＮなどを用いることができる。前記実施例
ではＸ線透過性薄膜のエツチングマスクとしてＰＭＭＡ
／ｌ！を用いたが、耐エツチング性に富むＣＭＳ又はＮ
ＰＲなどのレジスト単層を用いることもできる。
更に、各部の膜厚などの条件は、仕様に応じて適宜変更
可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、Ｘ線吸収体パター
ンが液体からなっているため、その内部応力は極めて少
なく、かつバルク密度に匹敵する高密度を有する。また
、Ｘ線透過性薄膜に所定のパターンに従って超微細な溝
部を高精度に形成した後、この溝部に液体のＸ線吸収体
を埋込むことによりＸ線吸収体パターンが形成される。
したがって、極めて高精度なＸ！Ｉ吸収体パターンを有
するＸ線マスクを提供することができ、Ｘ線リソグラフ
ィを用いた次世代超ＬＳＩデバイスの微細加工の実現に
寄与することができ、その有用性は極めて大きい。(Means for Solving the Problems) The X-ray mask of the present invention has a fine X-ray absorber pattern formed on an X-ray transparent thin film, in which the X-ray absorber pattern is made of liquid. , a protective film is formed on the X-ray absorber pattern. Furthermore, the method for manufacturing an X-ray mask of the present invention includes a step of selectively etching an X-ray transparent thin film according to a predetermined pattern to form a groove, and embedding a liquid X-ray absorber in the groove. This method is characterized by comprising a step of forming an absorber pattern and a step of forming a protective film on the X-ray absorber pattern. In the present invention, as a material constituting the X-ray transparent thin film, a self-supporting film having high X-ray transmittance and tensile stress is used, and examples thereof include SiCsBN and SiN. In the present invention, as a method for forming grooves in the X-ray transparent thin film, for example, reactive ion etching may be used, and conditions may be set so as to increase pattern accuracy. In the present invention, the material constituting the liquid X-ray absorber pattern may be any heavy metal or compound thereof that becomes liquid under certain conditions. Such materials may include, for example, mercury or mercury compounds such as mercury bromide. It is desirable that this material has good wettability to the X-ray transparent thin film and can be easily embedded in the groove. In order to form such a liquid X-ray absorber pattern, for example, after spin-coating Hg on an X-ray transparent thin film in which grooves are formed, the remaining Hg on the surface is blown up with an inert gas. A method may be used in which after embedding liquid Hg, the substrate is cooled to solidify the Hg, and the remaining Hg on the surface is plasma etched until the xl permeable thin film is exposed. In addition, for example, liquid phase CVD method (S
olid 5tateDevices and Mat
errals. Tokyo, 19B? , p. 451), Hg and active species are reacted while controlling the substrate temperature to produce a mercury compound that satisfies both vapor pressure and wettability to an X-ray transparent thin film. A method of embedding it in a groove formed in a transparent thin film line can also be adopted. In the present invention, any protective film may be used as long as it can contain the liquid X-ray absorber embedded in the groove. This protective film is, for example,
It can be formed by a VD method or a plasma CVD method. (Function) According to the present invention, since the X-ray absorber pattern is formed of a liquid, its internal stress is extremely small, and it is possible to easily achieve a low stress of at least I x 10'dyn/cm'' or less. In addition, a liquid X-ray absorber pattern is expected to have a density comparable to the bulk value.Also, the density of a liquid X-ray absorber pattern decreases or the stress changes depending on the method of formation. On the other hand, in semiconductor thin films or insulating films that are commonly used as X-ray transparent thin films, it is possible to form grooves in extremely fine patterns on the package with high precision using reactive ion etching. In this case, one of the factors that enables highly accurate pattern formation is that when electron beam drawing is performed on the resist for pattern formation, the influence of the proximity effect is small because the base is a semiconductor thin film or insulating film. Therefore, the internal stress is I x 10' dyn/
Cl11' or less and has a high density close to the bulk density,
Furthermore, it is possible to provide an X-ray mask in which an extremely highly accurate X-ray absorber pattern is formed. (Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. Embodiment 1 FIGS. 1(a) to 1(e) are cross-sectional views showing a method of manufacturing an X-ray mask according to an embodiment of the present invention in order of steps. First, as shown in FIG. 1(a), a SiC film (X-ray transparent thin film) 12 was deposited by LPCVD on a 3-inch Si substrate II with a (100) surface orientation. The manufacturing conditions at this time will be explained below. Using a high-frequency heating type LPGVD device, one SiM plate and one metal plate were placed on a susceptor whose graphite surface was coated with SiC. S under reduced pressure
The i-substrate 1-1 was heated to 1180° C., and the St substrate 11 was vapor-phase etched for 5 minutes using 1.5% HCg gas diluted with N2. As a result, the native oxide film and hydrocarbon contaminants present on the Si substrate 11 were removed, and the surface of the Si substrate 11 was cleaned. Then, Si as the deposition gas
C94/C)H, using N2 as diluent gas, Si
C was deposited. Substrate temperature taeo℃, H2 flow jll
j! /g+in %S i Cl, flow 1t3ml/-
1n, C3H8 flow j11ml/sin (S i
5iCII12 was epitaxially grown on the Si substrate 11 under conditions of a C14/H2 flow rate ratio of 3x10-'). When the stress of this SIC film 12 was measured, it was found to be 15
The tensile stress was 10' dyn/am2. Next, as shown in FIG. 1(b), S i Cli,1
2 with a film thickness of several hundred people All1i113 and P M
A two-layer structure of MA resist 14 was formed. Thereafter, the upper layer resist 14 was patterned and opened by ordinary electron beam lithography, and the lower layer 11113 was plasma etched using CRz using the resist as a mask to form a pattern opening. During this electron beam drawing, the film thickness is several hundred people/1
M! Since the electron beam reflectance at No. 13 was low, normal proximity effect correction (ghost exposure method) was sufficient to reduce the influence of the proximity effect. In addition, thin AN with a film thickness of several hundred
Ilfl13 could be easily etched by plasma etching using CI2. Next, after removing the resist 14, as shown in FIG. 1(C), using the remaining A1 film 13 as an etching mask, it is etched with SFs/02 gas for 5 ick! 111
2 was subjected to reactive ion etching to form a groove portion 15 with a depth of 0.6 − in accordance with a predetermined pattern in 5iC1i12. This groove portion 15 is for embedding an XL absorber pattern as described later. Next, after removing All1i12, the central part of the back surface of the Si substrate 11 was etched back, as shown in FIG. 1(d). This was installed in a reactor, and Hg was spin-coated on the 5LCII 12 in which the groove 15 was formed, and then the Hg remaining on the surface was blown up with N2 gas to form a film of Hg1ilB with a thickness of ◎ and 5- in the groove 15. Embedded. This results in an X-ray absorber pattern of Hg1l! 11B
A fine pattern was formed. The minimum line width of this Hg115118 was 0.2-, and the dimensional conversion difference from resist drawing was 0.02a or less. Thereafter, as shown in FIG. 1(e), Hg1l! is embedded in the groove 15! In order to confine 11B, 5iCH17 was deposited on Hg1ll1B with a film thickness of 500 using the photoCVD method.
was deposited to complete the Xl mask. In the X-ray mask manufactured in this way, (because the X-ray absorber pattern is made of liquid Hg, its internal stress is extremely small, and no pattern position shift occurs due to internal stress. , the manufacturing process is extremely simplified. For example, there is no need to perform fine pattern processing of heavy metals, which was considered difficult in the past. Also, unlike the plating method, there is no risk of pattern defects caused by dust. Furthermore, During electron beam lithography, which is performed to draw patterns on resist, there are few reflected electrons from the thin Al film, so the proximity effect can be reduced, and patterns can be drawn with high precision by simple proximity effect correction. Then, by plasma etching, this pattern can be directly printed on 5iC.
The groove portion 15 can be formed by transferring it to III 12. Therefore, Hg with extremely small pattern dimension conversion difference
A fine pattern can be easily formed. The absorption coefficient of the Hg film is 51XI for a wavelength of 10 people.
G'/an, and the absorption coefficient of the Au film is 68X 10'
/ 25% smaller than Bei. However, in order to obtain the same X-ray absorption ability as the Au film, it is sufficient to increase the thickness of the Hg film by 25%. For example, in the case of the above embodiment, the depth of the groove 15 formed in 5iCII12, which is an X-ray transparent thin film, is 0.75a.
And it is sufficient. It is not difficult at all to form grooves 15 of this depth in 5iC11112.6 Also, the coefficient of thermal expansion of Hg is 0.182/101, and the coefficient of thermal expansion of W is 0.045/lo. -' is about two orders of magnitude larger than 1', and stress may be generated inside the mask due to thermal expansion, but the temperature change in the actual mask holding environment is controlled to 0.1°C or less. , hardly affected by thermal expansion. In fact, using the X-ray mask obtained in the above example, a PMMA resist with a thickness of 1 mm formed on a substrate was exposed and developed with SOR light, and as a result, lines and spaces of 0.2- were formed. Ta. Embodiment 2 FIGS. 2(a) to 2(d) are cross-sectional views showing a method of manufacturing an X-ray mask according to an embodiment of the present invention in order of steps. In addition,
The same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals to simplify the explanation. In this Example 2, the process different from Example 1 is that Si
This is a step of selectively embedding the Hg film into the groove provided in the C film. That is, as shown in FIG. 2(a), after a SiC film 12 was deposited on a Si substrate 11, a groove 15 with a depth of 0.8- was formed in 5iC1i12 according to a predetermined pattern. Next, as shown in FIG. 2(b), the Si substrate 11
The center part of the back side was etched back. This was placed in a reactor, Hg vapor was introduced into the reactor, and while controlling the temperature of the Si substrate 11 and 5LCII12 It was deposited to a thickness that made it flat. Next, as shown in FIG. 2C, the Hg film 16 is etched by sublimating it as Hg2Br2 by plasma etching using Br2 gas, exposing the surface of the 5iCH12, and selectively forming the Hg film 16 in the groove 1B. Embedded. Then the second
As shown in Figure (d), Hg1l embedded in the groove 15
A film thickness of 500 mm is applied on the Hg film 16 to confine the
Human SiC film! 7 was deposited to complete an X-ray mask. Even if such a process is used, Hg is buried in the groove 15,
It is possible to accurately form a fine pattern of Hg1MHe that serves as an X-ray absorber. Therefore, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Note that the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be applied. For example, in the above embodiments, Hg was used as the material constituting the liquid X-ray absorber pattern, but the material is not limited to this, and in addition to mercury compounds such as mercury bromide, heavy metals that become liquid under some conditions or their Any compound may be used. In addition, in the above example, in order to form a liquid X-ray absorber pattern, Hg was spin-coated on the X-ray transparent thin film in which the grooves were formed, and then the Hg remaining on the surface was blown up with an inert gas. or by introducing Hg vapor to deposit an Hg film and remove the remaining Hg t-X on the surface.
Although we used a method of plasma etching until the X-ray transparent thin film was exposed, the present invention is not limited to this method.For example, a liquid phase CVD method is used to react Bg with active species to increase the vapor pressure and the wettability of the X-ray transparent thin film. It is also possible to adopt a method in which a mercury compound that satisfies both of these conditions is generated and embedded in a groove formed in an X-ray transparent thin film wire. Further, in the above embodiment, SiC was used as the material constituting the X-ray transparent thin film, but the material is not limited to this, and any self-supporting film having high X-ray transmittance and tensile stress may be used.
, BN%SiN, etc. can be used. In the above embodiment, PMMA was used as the etching mask for the X-ray transparent thin film.
/l! was used, but CMS or N, which has high etching resistance,
A single layer of resist such as PR can also be used. Further, conditions such as film thickness of each part can be changed as appropriate according to specifications. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. [Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, since the X-ray absorber pattern is made of liquid, its internal stress is extremely small and it has a high density comparable to the bulk density. Furthermore, after forming ultra-fine grooves with high precision in an X-ray transparent thin film according to a predetermined pattern, an X-ray absorber pattern is formed by embedding a liquid X-ray absorber in the grooves. Therefore, extremely accurate X! It is possible to provide an X-ray mask having an I-absorber pattern, which can contribute to the realization of microfabrication of next-generation VLSI devices using X-ray lithography, and its usefulness is extremely large.
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例１におけるＸ線
マスクの製造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は本発明の実施例２におけるＸ線マスクの製造
方法を工程順に示す断面図、第３図は従来のＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す断面図、第４図は従来の方法
に従いＷ膜をスパッタリング法により形成する際のガス
圧力に対するＷ膜の応力特性を示す図である。
１１・・・Ｓｔ基板、１２・・・ＳｉＣ膜（Ｘ線透過性
薄膜）、１３・・・ＡＩ膜、１４・・・ＰＭＭＡレジス
ト、１５・・・溝部、ｌト・・Ｈｇ膜（Ｘ線吸収体）、
１７・・・ＳｉＣ膜（保護膜）。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第１図FIGS. 1(a) to (e) are cross-sectional views showing the method for manufacturing an X-ray mask according to Example 1 of the present invention in the order of steps, and FIG. 2(a)
-(d) are cross-sectional views showing the method for manufacturing an X-ray mask in the order of steps in Example 2 of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view showing the method for manufacturing a conventional X-ray mask in order of steps, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing the stress characteristics of a W film with respect to gas pressure when the W film is formed by sputtering according to the method. 11... St substrate, 12... SiC film (X-ray transparent thin film), 13... AI film, 14... PMMA resist, 15... Groove, l... Hg film (X-ray transparent thin film) Absorber),
17...SiC film (protective film). Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1
Claims (3)
形成されたＸ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体パター
ンが液体からなり、該Ｘ線吸収体パターン上に保護膜が
形成されていることを特徴とするＸ線マスク。(1) In an X-ray mask in which a fine X-ray absorber pattern is formed on an X-ray transparent thin film, the X-ray absorber pattern is made of liquid, and a protective film is formed on the X-ray absorber pattern. An X-ray mask characterized by:
又は水銀化合物であることを特徴とする請求項（１）記
載のＸ線マスク。(2) The X-ray mask according to claim (1), wherein the material constituting the liquid X-ray absorber pattern is mercury or a mercury compound.
にエッチングして溝部を形成する工程と、該溝部に液体
のＸ線吸収体を埋込み、Ｘ線吸収体パターンを形成する
工程と、該Ｘ線吸収体パターン上に保護膜を形成する工
程とを具備したことを特徴とするＸ線マスクの製造方法
。(3) forming a groove by selectively etching the X-ray transparent thin film according to a predetermined pattern; embedding a liquid X-ray absorber in the groove to form an X-ray absorber pattern; 1. A method for manufacturing an X-ray mask, comprising the step of forming a protective film on an X-ray absorber pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333579A JPH02177529A (en) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | X-ray mask and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333579A JPH02177529A (en) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | X-ray mask and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177529A true JPH02177529A (en) | 1990-07-10 |
Family
ID=18267623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63333579A Pending JPH02177529A (en) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | X-ray mask and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177529A (en) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63333579A patent/JPH02177529A/en active Pending
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