JPH02177474A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH02177474A JPH02177474A JP63331293A JP33129388A JPH02177474A JP H02177474 A JPH02177474 A JP H02177474A JP 63331293 A JP63331293 A JP 63331293A JP 33129388 A JP33129388 A JP 33129388A JP H02177474 A JPH02177474 A JP H02177474A
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- semiconductor substrate
- color
- image sensor
- solid
- transfer units
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Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像素子に係り、特にカラー用に最適な2
色条重撮像素子の構造に関する。
色条重撮像素子の構造に関する。
(従来技術)
従来の固体撮像素子は、光電変換機能を有する画素群を
半導体基板に規則正しく配列した光電変換部と、これら
画素群から出力される電気信号を順次時系列的に配列さ
れた形で取り出す走査機能を有する回路からなる転送部
とを含む形で構成されている。
半導体基板に規則正しく配列した光電変換部と、これら
画素群から出力される電気信号を順次時系列的に配列さ
れた形で取り出す走査機能を有する回路からなる転送部
とを含む形で構成されている。
このような固体撮像素子は、テレビ撮像装置。
ファクシミリ等°の入力装置、あるいは、その他の文字
や画像等の読取装置等に広く適用されている。
や画像等の読取装置等に広く適用されている。
第4図は単色撮像素子を用いた3板式のカラー撮像装置
10の色分解光学系の説明図であり、以下同一図を用い
て説明する。
10の色分解光学系の説明図であり、以下同一図を用い
て説明する。
第4図において、11は単色撮像素子、12は分解光学
系であり、3個のプリズム13,14゜15から構成さ
れている。上記の構成において、第1のプリズム13に
入射した光情報16は、而aにおいてR(Red)色光
成分が分離反射されて第1のプリズム13の外に取り出
される。残りの光情報16は面すまで進み、G (Gr
een)色光成分とB (Blue)色光成分とに分離
され、それぞれ第2゜第3プリズム14.15の外に取
り出される。RlG、B色光成分は更にそれぞれ単色撮
像素子11の後記する各画素に達し、光電変換され、電
気信号として取り出される。3板式のカラー撮像装置1
0においては、3色分解された光情報はどの時点を取っ
てみても常に三つ揃っており、しかも、各単色撮像素子
11の全画素はそれぞれR,G。
系であり、3個のプリズム13,14゜15から構成さ
れている。上記の構成において、第1のプリズム13に
入射した光情報16は、而aにおいてR(Red)色光
成分が分離反射されて第1のプリズム13の外に取り出
される。残りの光情報16は面すまで進み、G (Gr
een)色光成分とB (Blue)色光成分とに分離
され、それぞれ第2゜第3プリズム14.15の外に取
り出される。RlG、B色光成分は更にそれぞれ単色撮
像素子11の後記する各画素に達し、光電変換され、電
気信号として取り出される。3板式のカラー撮像装置1
0においては、3色分解された光情報はどの時点を取っ
てみても常に三つ揃っており、しかも、各単色撮像素子
11の全画素はそれぞれR,G。
B色光成分専用として使用されているため、解像度の優
れたものが得られている。
れたものが得られている。
しかしながら、この3板式の欠点は構造が複雑で大型と
なりコストも高くなるため、2色多重撮像素子を用いた
2板式カラー撮像装置や3色多重撮像素子を用いた単板
式カラー撮像装置が必要に応じて使用されている。
なりコストも高くなるため、2色多重撮像素子を用いた
2板式カラー撮像装置や3色多重撮像素子を用いた単板
式カラー撮像装置が必要に応じて使用されている。
第5図は2色多重撮像素子を用いた2板式カラー撮像装
置20の色分解光学系の説明図である。
置20の色分解光学系の説明図である。
この装置20においては、色分解光学系21は2ケのプ
リズム22.23からなり、第1のプリズム22に入射
した光情報24は面Cまで進み、R,B色光成分とG色
光成分とに分離され、それぞれ第1及び第2プリズム2
2及び23の外に取り出され、R,B色光成分は、2色
多重用素子25によって光電変換され、G色光成分は前
記三板式の単色撮像素子11によって光電変換され後記
する転送部により電気信号としてとり出される。
リズム22.23からなり、第1のプリズム22に入射
した光情報24は面Cまで進み、R,B色光成分とG色
光成分とに分離され、それぞれ第1及び第2プリズム2
2及び23の外に取り出され、R,B色光成分は、2色
多重用素子25によって光電変換され、G色光成分は前
記三板式の単色撮像素子11によって光電変換され後記
する転送部により電気信号としてとり出される。
第6図は2色多重撮像素子25の概略説明図である。同
図において、26RはR色光成分に感応する単位画素で
あり、例えば、後記するP型Stからなる半導体基板2
8に列状に配設されたMO5型ダイオード素子群からな
り、これらの素子26R郡の表面にはR色光成分用のフ
ィルタが形成された構成となっている。26Bは前記同
様、B色光成分に感応する単位画素であり、R色光成分
の画素26Hの列に対して平行な列として交互に形成さ
れ、R色光成分の画素26Rと共に2次元イメージセン
サを構成している。上記の構成において、第1のプリズ
ム22からのR,B色光成分は2色多重撮像素子25に
入射し、対応するR及びB色光成分の単位画素26R,
26Bによって光電変換され後記する転送部により電気
信号として取出される。
図において、26RはR色光成分に感応する単位画素で
あり、例えば、後記するP型Stからなる半導体基板2
8に列状に配設されたMO5型ダイオード素子群からな
り、これらの素子26R郡の表面にはR色光成分用のフ
ィルタが形成された構成となっている。26Bは前記同
様、B色光成分に感応する単位画素であり、R色光成分
の画素26Hの列に対して平行な列として交互に形成さ
れ、R色光成分の画素26Rと共に2次元イメージセン
サを構成している。上記の構成において、第1のプリズ
ム22からのR,B色光成分は2色多重撮像素子25に
入射し、対応するR及びB色光成分の単位画素26R,
26Bによって光電変換され後記する転送部により電気
信号として取出される。
第7図は3色多重撮像素子3Cの概略説明図であり、こ
の場合はR,G、B色光成分の画素26R,26G、2
6Bからなる各列がこの順序で繰返し配列され、2次元
のイメージセンサ−を構成している。各画素からなる2
次元イメージセンサから電気信号を順次取り出す方法と
して、例えば、インターライン転送(Inter−11
ne transfer。
の場合はR,G、B色光成分の画素26R,26G、2
6Bからなる各列がこの順序で繰返し配列され、2次元
のイメージセンサ−を構成している。各画素からなる2
次元イメージセンサから電気信号を順次取り出す方法と
して、例えば、インターライン転送(Inter−11
ne transfer。
ITと称す)方式、フレーム転送(frametran
sfer、 F Tと称す)方式、あるいはMOSX−
Y アドレス方式等が広く用いられている。
sfer、 F Tと称す)方式、あるいはMOSX−
Y アドレス方式等が広く用いられている。
第8図は、第6図に示す2色多重撮像素子25を用いた
IT方式を説明するための平面図であり、第9図は第8
図のA−A’ 切断線に沿った断面図である。
IT方式を説明するための平面図であり、第9図は第8
図のA−A’ 切断線に沿った断面図である。
以下、第8図及び第9図を用いて説明する。
同図において、27は転送電極であり、例えば、P型S
iからなる半導体基板28の上に5i0229層を介し
てR及びB色光成分の各画素26R及び26Bに隣接し
て形成されると共に、R及びS色光成分の画素列に平行
に設けられた垂直転送部30にそれぞれ接続されている
。31は水平転送部であり、各垂直転送部29の各々は
この水平転送部31に電気的に接続されている。R及び
B色光成分の各画素26R,26Bに入射した光情報3
2はその強度に応じて電子−正孔対を発生させるが、転
送電極27に適当な電圧を与えることによりこの電極直
下に空乏層が発生し信号電荷を集めることが出来、転送
電極27、垂直転送部30及び水平転送部31に適当な
電圧を与えることにより各画素26R及び26Bに生じ
た信号電荷を順次電荷信号として取り出すことが出来る
。
iからなる半導体基板28の上に5i0229層を介し
てR及びB色光成分の各画素26R及び26Bに隣接し
て形成されると共に、R及びS色光成分の画素列に平行
に設けられた垂直転送部30にそれぞれ接続されている
。31は水平転送部であり、各垂直転送部29の各々は
この水平転送部31に電気的に接続されている。R及び
B色光成分の各画素26R,26Bに入射した光情報3
2はその強度に応じて電子−正孔対を発生させるが、転
送電極27に適当な電圧を与えることによりこの電極直
下に空乏層が発生し信号電荷を集めることが出来、転送
電極27、垂直転送部30及び水平転送部31に適当な
電圧を与えることにより各画素26R及び26Bに生じ
た信号電荷を順次電荷信号として取り出すことが出来る
。
一般にこの様なデバイスはCCD (charged−
eoupled i+Iage device)撮像素
子とも呼ばれている。
eoupled i+Iage device)撮像素
子とも呼ばれている。
(本発明が解決しようとする課題)
上述の様に従来の2色条重撮像素子25においては、例
えば、−枚の半導体基板28にMO8型ダイオードから
なる各画素がR色光成分とB色光成分に感応する素子と
して列状に交互に形成され2次元イメージセンサを構成
しているため、単色撮像素子11に比較するとR,B色
光成分の解像度はl/2に低下すると共に位置的に異な
る所で色サンプルが行なわれることになり色偽信号が発
生する等の問題点があった。また、3色条重撮像素子2
7において、R,B、G色光成分の解像度はそれぞれ単
色撮像素子に比較すると同様な理由から更にl/3に低
下し、良質な画像が得られない等の問題点があった。
えば、−枚の半導体基板28にMO8型ダイオードから
なる各画素がR色光成分とB色光成分に感応する素子と
して列状に交互に形成され2次元イメージセンサを構成
しているため、単色撮像素子11に比較するとR,B色
光成分の解像度はl/2に低下すると共に位置的に異な
る所で色サンプルが行なわれることになり色偽信号が発
生する等の問題点があった。また、3色条重撮像素子2
7において、R,B、G色光成分の解像度はそれぞれ単
色撮像素子に比較すると同様な理由から更にl/3に低
下し、良質な画像が得られない等の問題点があった。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、入射光により信号電荷を各画素毎に発生させる光電変
換部と、この光電変換部からの信号を電気信号として順
次取り出す回路を含む転送部とを半導体基板に形成して
なる固体撮像素子において、前記光電変換部と転送部と
を前記半導体基板の表面側と裏面側に設け、表面側から
入射した異なる波長帯を有する入射光を、異なる波長帯
毎の電気信号として、前記表面側と裏面側の転送部から
取り出すことを特徴とした固体撮像素子を提供しようと
するものである。
、入射光により信号電荷を各画素毎に発生させる光電変
換部と、この光電変換部からの信号を電気信号として順
次取り出す回路を含む転送部とを半導体基板に形成して
なる固体撮像素子において、前記光電変換部と転送部と
を前記半導体基板の表面側と裏面側に設け、表面側から
入射した異なる波長帯を有する入射光を、異なる波長帯
毎の電気信号として、前記表面側と裏面側の転送部から
取り出すことを特徴とした固体撮像素子を提供しようと
するものである。
(実施例)
第1図は本発明になる固体撮像素子の第1実施例40を
示す断面図であるが、第6図、第8図及び第9図に示す
従来の2色条重撮像素子25の構成要素と同じ構成要素
には同符号を付し説明を省略する。
示す断面図であるが、第6図、第8図及び第9図に示す
従来の2色条重撮像素子25の構成要素と同じ構成要素
には同符号を付し説明を省略する。
この実施例においては、半導体基板28の表面側28a
と裏面側28bの両面に前記した単色撮像索子11がそ
れぞれ形成された構成となっている。 すなわち、半導
体基板28の表面側28aと裏面側には、各画素群26
が表面側28aと表面側で相対向する如く規則正しく配
列されていると共に、5i02層29を介して前記した
転送電極27.垂直転送部30.水平転送部からなるI
T転送方式による転送部が形成され、2次元イメージセ
ンサを形成している。
と裏面側28bの両面に前記した単色撮像索子11がそ
れぞれ形成された構成となっている。 すなわち、半導
体基板28の表面側28aと裏面側には、各画素群26
が表面側28aと表面側で相対向する如く規則正しく配
列されていると共に、5i02層29を介して前記した
転送電極27.垂直転送部30.水平転送部からなるI
T転送方式による転送部が形成され、2次元イメージセ
ンサを形成している。
41は、例えばセラミック等の絶総体からなる補強基板
であり、その上に本発明になる固体撮像素子40の要部
が設けられている。
であり、その上に本発明になる固体撮像素子40の要部
が設けられている。
第2図は本発明の詳細な説明するための説明図であり、
同図を用いて本発明の詳細な説明する。
同図を用いて本発明の詳細な説明する。
一般に半導体基板42に入射光43が入射した際半導体
基板42内で電子−正孔対44を発生させる現像、すな
わち、光電変換が行なわれることは良く知られている。
基板42内で電子−正孔対44を発生させる現像、すな
わち、光電変換が行なわれることは良く知られている。
また、入射光が半導体基板42内に侵入する深さは光の
波長に比例して深くなることも良く知られている。
波長に比例して深くなることも良く知られている。
本発明の固体撮像素子は上記原理を利用したものであり
、第1図において波長帯域の異なるR1B色光成分から
なる入射光43が半導体基板28の表面側28aから入
射した際、波長の比較的短いB色光成分は表面近くで光
電変換が行なわれるためB色光成分による信号電荷を半
導体基板28の表面側28aに形成した転送部を利用し
て電気信号として取り出すことが出来る。一方、比較的
波長の長いR色光成分は半導体基板28の裏面側28近
くで光電変換が行なわれるため、裏面側28aに形成し
た転送部を利用して同様にR色光成分による信号電荷を
裏面側28aから電気信号として取り出すことが出来る
。従って、半導体基板28の厚さtは、該当波長帯の長
波長帯域が光電変換を生じるに必要な厚さ以上とするこ
とが必要である。
、第1図において波長帯域の異なるR1B色光成分から
なる入射光43が半導体基板28の表面側28aから入
射した際、波長の比較的短いB色光成分は表面近くで光
電変換が行なわれるためB色光成分による信号電荷を半
導体基板28の表面側28aに形成した転送部を利用し
て電気信号として取り出すことが出来る。一方、比較的
波長の長いR色光成分は半導体基板28の裏面側28近
くで光電変換が行なわれるため、裏面側28aに形成し
た転送部を利用して同様にR色光成分による信号電荷を
裏面側28aから電気信号として取り出すことが出来る
。従って、半導体基板28の厚さtは、該当波長帯の長
波長帯域が光電変換を生じるに必要な厚さ以上とするこ
とが必要である。
第3図は本発明になる固体撮像素子の第2実施例50を
示す断面図であるが、第1実施例40の構成要素と同様
な構成要素には同一符号を付し説明を省略すると共に、
重複を避けるために異なる点″′を説明する・異″′点
し第2実施例5%においては、例えば、ポリシリコン、
5i02等からなる光を透過する光透過性基板51の両
面に第1−o半導体層52と第2の半導体層53とを形
成し、この半導体層52.53を利用して単色撮像素子
11を光透過性基板51の表面と裏面にそれぞれ構成し
た点である。異なる波長帯を有する入射光43が表面か
ら第1の半導体層52に入射した場合、波長の短い光は
第1の半導体層52において光電変換によって消滅する
が、波長の長い光は第1の半導体層52を通過し、光透
過性基板51に達するが、光透過性基板51は光を通す
性質を有すためこれを通過し半導体層53に達し、この
層53で光電変換を起し消滅する。半導体層52.53
の厚さtl、t2は、光の使用波長帯域に応じて適宜定
められるものである。 上記の実施例においては、光電
変換部としてMOSダイオードを用いた例で説明したが
、P−Nフォトダイオード等を用いても同様の効果を得
ることが出来る。
示す断面図であるが、第1実施例40の構成要素と同様
な構成要素には同一符号を付し説明を省略すると共に、
重複を避けるために異なる点″′を説明する・異″′点
し第2実施例5%においては、例えば、ポリシリコン、
5i02等からなる光を透過する光透過性基板51の両
面に第1−o半導体層52と第2の半導体層53とを形
成し、この半導体層52.53を利用して単色撮像素子
11を光透過性基板51の表面と裏面にそれぞれ構成し
た点である。異なる波長帯を有する入射光43が表面か
ら第1の半導体層52に入射した場合、波長の短い光は
第1の半導体層52において光電変換によって消滅する
が、波長の長い光は第1の半導体層52を通過し、光透
過性基板51に達するが、光透過性基板51は光を通す
性質を有すためこれを通過し半導体層53に達し、この
層53で光電変換を起し消滅する。半導体層52.53
の厚さtl、t2は、光の使用波長帯域に応じて適宜定
められるものである。 上記の実施例においては、光電
変換部としてMOSダイオードを用いた例で説明したが
、P−Nフォトダイオード等を用いても同様の効果を得
ることが出来る。
また、2次元イメージセンサばかりでなく、画素を一次
元に配列した一次元ラインセンサーにも応用出来るのは
言うまでもない。
元に配列した一次元ラインセンサーにも応用出来るのは
言うまでもない。
(発明の効果)
上述の様に本発明の第1実施によれば、入射光により信
号電荷を各画素毎に発生させる光電変換部と、この光電
変換部からの信号を電気信号として順次取り出す回路を
含む転送部とを半導体基板に形成してなる固体撮像素子
において、前記光電変換部と転送部とを前記半導体基板
の表面側と裏面側に設け、表面側から入射した異なる波
長帯を有する入射光を、異なる波長帯毎の電気信号とし
て、前記表面側と裏面側の転送部から取り出すように固
体撮像素子を構成したため、1つの固体素子で、異なる
2つの波長帯の光電変換が同時に可能となり、色多重に
よる解像度の低下はなく、また、同一人射光を深さ方向
で分離するため、位置の差による色偽信号の発生のない
2色条重撮像素子が得られ、小型でありながら高性能な
2板式の撮像装置の提供を可能とするものである。
号電荷を各画素毎に発生させる光電変換部と、この光電
変換部からの信号を電気信号として順次取り出す回路を
含む転送部とを半導体基板に形成してなる固体撮像素子
において、前記光電変換部と転送部とを前記半導体基板
の表面側と裏面側に設け、表面側から入射した異なる波
長帯を有する入射光を、異なる波長帯毎の電気信号とし
て、前記表面側と裏面側の転送部から取り出すように固
体撮像素子を構成したため、1つの固体素子で、異なる
2つの波長帯の光電変換が同時に可能となり、色多重に
よる解像度の低下はなく、また、同一人射光を深さ方向
で分離するため、位置の差による色偽信号の発生のない
2色条重撮像素子が得られ、小型でありながら高性能な
2板式の撮像装置の提供を可能とするものである。
また、本発明の第2実施例によれば、透過性基板の両面
に半導体層を形成し、光電変換部と転送部とをこれらの
半導体層に設けた構成としたため、全体の基板の厚さを
厚くすることが出来、強度が強く製造しやすい2色条重
撮像素子の提供を可能とするものである。
に半導体層を形成し、光電変換部と転送部とをこれらの
半導体層に設けた構成としたため、全体の基板の厚さを
厚くすることが出来、強度が強く製造しやすい2色条重
撮像素子の提供を可能とするものである。
第1図は本発明になる固体撮像素子の第1実施40を示
す断面図、第2図は、本発明になる固体撮像素子の作用
を説明するための説明図、第3図は本発明になる固体撮
像素子の第2実施例を示す断面図、第4図は単色撮像素
子を用いた3板式のカラー撮像装置の色分解光学系の説
明図、第5図は2色条重撮像素子を用いた2板式カラー
撮像装置の色分解光学系の説明図、第6図は2色条重撮
像素子の概略説明図、第7図は3色条重撮像素子の概略
説明図、第8図は第6図に示す2色条重撮像素子を用い
た!T方式を説明するための平面図、第9図は第8図の
A−A’切断線に沿った断面図である。 26・・・画素、27・・・転送電極、28.48・・
・半導体基板、29・・・5i02層、30・・・垂直
転送部、31・・・水平転送部、40.50・・・固体
撮像素子、41・・・補強基板、43・・・入射光、5
1・・・光透過性基板、52.53・・・半導体層。
す断面図、第2図は、本発明になる固体撮像素子の作用
を説明するための説明図、第3図は本発明になる固体撮
像素子の第2実施例を示す断面図、第4図は単色撮像素
子を用いた3板式のカラー撮像装置の色分解光学系の説
明図、第5図は2色条重撮像素子を用いた2板式カラー
撮像装置の色分解光学系の説明図、第6図は2色条重撮
像素子の概略説明図、第7図は3色条重撮像素子の概略
説明図、第8図は第6図に示す2色条重撮像素子を用い
た!T方式を説明するための平面図、第9図は第8図の
A−A’切断線に沿った断面図である。 26・・・画素、27・・・転送電極、28.48・・
・半導体基板、29・・・5i02層、30・・・垂直
転送部、31・・・水平転送部、40.50・・・固体
撮像素子、41・・・補強基板、43・・・入射光、5
1・・・光透過性基板、52.53・・・半導体層。
Claims (2)
- (1)入射光により信号電荷を各画素毎に発生させる光
電変換部と、この光電変換部からの信号を電気信号とし
て順次取り出す回路を含む転送部とを半導体基板に形成
してなる固体撮像素子において、前記光電変換部と転送
部とを前記半導体基板の表面側と裏面側に設け、表面側
から入射した異なる波長帯を有する入射光を、異なる波
長帯毎の電気信号として、前記表面側と裏面側の転送部
から取り出すことを特徴とした固体撮像素子。 - (2)入射光により信号電荷を各画素毎に発生させる光
電変換部と、この光電変換部からの信号を電気信号とし
て順次取り出す回路を含む転送部とを半導体基板に形成
してなる固体撮像素子において、光透過性基板の両面に
半導体層を形成し、前記光電変換部と転送部とを前記半
導体層の各層に設け、一方の半導体層側から入射した異
なる波長帯を有する入射光を異なる波長帯毎の電気信号
として、前記第1及び第2の半導体に設けられた転送か
ら取り出すことを特徴とした固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63331293A JPH02177474A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63331293A JPH02177474A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02177474A true JPH02177474A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18242068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63331293A Pending JPH02177474A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02177474A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005151077A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ |
JP2013515405A (ja) * | 2010-06-01 | 2013-05-02 | 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 | マルチスペクトル感光部材およびその製作方法 |
JP2013516078A (ja) * | 2010-06-01 | 2013-05-09 | 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 | マルチスペクトル感光部材 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63331293A patent/JPH02177474A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10008522B2 (en) | 2010-06-01 | 2018-06-26 | Boly Media Communications (Shenzen) Co., Ltd. | Multi-spectrum photosensitive device and manufacturing method thereof |
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