JPH02177312A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH02177312A
JPH02177312A JP63328825A JP32882588A JPH02177312A JP H02177312 A JPH02177312 A JP H02177312A JP 63328825 A JP63328825 A JP 63328825A JP 32882588 A JP32882588 A JP 32882588A JP H02177312 A JPH02177312 A JP H02177312A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
simulation
mode
simulation mode
semiconductor manufacturing
command
Prior art date
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Pending
Application number
JP63328825A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Kuroki
黒木 洋一
Makoto Endo
誠 遠藤
Makoto Yoshida
真 吉田
Takasumi Yui
敬清 由井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP63328825A priority Critical patent/JPH02177312A/ja
Publication of JPH02177312A publication Critical patent/JPH02177312A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ca茶業上利用分野] 本発明は、半導体の製造装置、特にウェハの焼付装置等
に関するもので°ある。
[従来の技術] 第2図は、従来の半導体製造装置の概略構成を示す。同
図において、1はキーボードとCRTよりなる操作用タ
ーミナル、2は制御用ラック、3は制御用ラック2内に
構成されたCPU、、4はCPU3の外部記憶用ハード
ディスク装置、5は照明装置、6は回路パターンの描か
れたレチクル、7はレチクル6を載置するレチクルステ
ージ(XYステージ)、8は投影レンズ、9はウェハ、
10はウェハ9を載置してZおよびθ方向に駆動可能な
りエバステージ、11.12は投影レンズ8とウェハ9
との距離を検出するフォーカス検圧[構、13はウェハ
ステージ10を駆動するモータ、15は照明装置5の光
源となるレーザである。
上記構成において半導体製造装置は、操作用ターミナル
1からのオペレータの指示に基づき、あらかじめハード
ディスク装置4に記憶されているパラメータに従って動
作する。そして、レチクル6上に描かれた回路パターン
を投影レンズ8を介してウェハ9上にステップアンドリ
ピートによって転写していく、各転写にあたっては、転
写する前にフォーカス検出機構11.12による検出結
果に基づき、ウェハステージ10を2方向に駆動してフ
ォーカス合わせを行なう、また、不図示のアライメント
検出装置によってレチクル6とウェハ9との相対位置の
ずれ量を検出し、レチクル6またはウェハ9を駆動して
、レチクル6とウェハ9との相対位置合せを行なう。
[発明が解決しようとする課題] ところでこの種の装置では、一般に装置の操作によって
、またはハードディスク装置に記憶させたパラメータの
設定を変更することによって、より複雑な焼付動作や特
殊な動作を行なわせることができるようになっている0
例えば、装置の状態を維持またはチエツクするための動
作、あるいは光源であるレーザのガス交換または波長の
モニタ管理等の装置のメンテナンスのための動作等であ
る。
したがって、このよう゛な装置の種々の動作を行なわせ
るため、装置を操作する人、例えば通常のオペレータ、
メンテナンス担当者あるいはメーカサイドのサービスマ
ンなとは、その職務に応じて装置の複雑かつ高度な知識
が要求され、さらにその職務毎に高度な操作トレーニン
グが必要とされる。
この操作トレーニングは、特殊なシミュレーション装置
は用いずに実際の半導体製造装置を用いて行なわれるの
が一般的である。なぜならば、そのようなシミュレーシ
ョン装置を用いるとすれば、半導体製造装置を使う側お
よび装置を供給する側の双方にとってコストアップとな
り、また実際の装置の各部の動きを観察したり、計測デ
ータや操作によって実際に焼きつけたクエへ等がトレニ
ングに必要な場合もあるからである。
しかし、近年、この種の装置はますます高度化複雑化し
ており、一つ操作を誤ればまたはパラメータの設定を誤
れば、装置にとって好ましくない状態に陥る可能性があ
る0例えば、調整されたXYステージのパラメータを誤
って変更すればXYステージの精度の低下を引き起こす
おそれがあるし、レーザのコントロールパラメータの設
定またはコマンドを誤るとレーザを危険な状態にしてし
まう可能性もある。
さらに、レーザのガス交換のような操作はガス交換自体
に時間がかかり、また実際の装置はまだガス交換が不要
であっても操作トレーニングのためにガス交換を行なう
のでは、ガスのコストがむだになる。すなわち、実際の
装置を用いて操作トレーニングを行なっていたのでは、
時間およびコストの面で効率が悪いといった問題点があ
った。
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、装置を
危険な状態に陥らせることなく、また時間およびコスト
の面での無駄を無くして操作トレーニングを行なうこと
ができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段および作用]上記の目的を
達成するため、本発明は、半導体製造装置において「シ
ミュレーションモード」という装置の動作モードを゛設
定する手段をもうけ、このシミュレーションモードに設
定されている時には、オペレータの操作に対応する装置
の所定の動作を行なわずその動作をいわゆるシミュレー
トすることとしている。このようなシミュレーションは
実際に装置を動かすために設定されているパラメータと
同じものを用いるものとし、実際に装置が指示通りに動
いたらどうなるかのシミュレーションも含めて行なうも
のである。そして、シミュレーションの結果は装置を制
御するために装置の状態を記憶するメモリ(エラーの発
生の記憶も含む)に記憶される。
これにより、オペレータまたはサービスマン等のトレー
ニングを行なう場合に、実際に装置を動作させる部分を
必要最少限とし、トレーニング中の誤操作による装置の
トラブルを抑え、オペレータの危険度、トレーニング時
間および装置のランニングコスト等を必要最少限とする
ことが可能となる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体製造装置の動
作手順を表わすフローチャートである。
本実施例は、第2図に示したような従来より用し)られ
ている半導体製造装置に対して本発明を適用したもので
ある。
第1図を参照して、まず装置をパワーオンして立ち上げ
た後、ステップS1で「シミュレーションモード」であ
るか否かを設定する。該モードの設定は操作ターミナル
1(第2図)を介して装置をスタートする前に行なうこ
とができる。ここで「シミュレーションモード」に設定
されるとCPU3はメモリ上のフラグFを1(オン)と
する。
シミュレーションモードでないときはフラグFを0(オ
フ)とする。
次に、ステップS2でオペレータが入力したコマンドま
たは操作を判別し、そのコマンドまたは操作に応じた処
理に移る1例えば入力されたコマンドがレーザのガス交
換命令でありた場合には、シーケンスはステップS”3
へと進む、そして、ステップS4でフラグFを調ベシミ
ュレーションモードであるか否かを判別する。シミュレ
ーションそ一ドに設定されていたとき(フラグFが1)
はステップS5へ進み、実際にレーザのガス交換動作は
行なわずに、前後の操作、装置の状態および関連パラメ
ータを含めた操作の適否を判定し、その結果を操作ター
ミナル1に表示する。このとき、オペレータにより行な
われた操作が誤っていて(またはパラメータの設定が適
切でなく)、もし実際にその動作を行なフたらとのよう
な状態になるかを類推できるものについては、その類推
結果も合わせて操作ターミナル1上に表示する。
次に、ステップS6では、操作が誤っていた場合に正し
くはどのような操作なすべきか、または袋層に設定しで
あるパラメータのうちどのパラメータとどのパラメータ
をチエツクすべきか等のアドバイスを、やはり操作ター
ミナル1上に表示する。
次に、ステップS7でその操作によって実際に装置が動
作したように装置の内部状態を示す不図示のメモリ上の
各フラグを変更する。もし、オペレータが誤った操作を
行なった場合は、装置はエラー発生状態を告知する。た
だし、装置を実際に動作させている訳ではないので、ハ
ードウェア的にはエラーとなっていない、このようにエ
ラー発生状態となった場合には、実際の操作と同じエラ
ーの回復操作を行なわなければ装置の状態は回復できな
い。
一方、もし「シミュレーションモード」でないとき(フ
ラグFが0)はステップS8に進み、実際にレーザのガ
ス交換の動作を行なう0人力されたコマンドまたは一連
の操作がたとえ誤っていても装置に害のないものであり
かつオペレータにとっても危険のないものであれば、装
置はそのままそのコマンドに対する処理を行なう。例え
ば、入力されたコマンドが投影レンズとクエへとのフォ
ーカスの計測コマンドであった場合には、ステップS2
からステップS9へと進み、装置はそのまま実際のフォ
ーカス計測動作を行ない計測結果を操作ターミナル上に
表示“する。
「シミュレーションモード」に設定されていない場合(
フラグFがO)には、装置はすべての操作に対して通常
通りの処理を実行する。
[他の実施例] 上記実施例はレーザのガス交換の場合を例にとり説明し
たが、「シミュレーションモード」設定時に実際には動
作を行なわす「行なった」ことにしてシミュレーション
する機能はこれに限ったことではない、また、装置の調
整状態に関するパラメータ、例えばXYステージの各種
補正値などについては、「シミュレーションモード」設
定時に、実際の値が入っているメモリとは別のメモリを
用いて装置の動作シミュレーションを行なうこともでき
る。これはサービスマンのトレーニングのときなどに有
効である。
さらに、「シミュレーションモード」の設定を複数段階
に分け、各段階に応じて(例えば、−酸オペレータ用、
サービスマン用というように)、実際に装置を動作させ
る機能またはシミュレーションとする機能を変更するこ
ととすれば、トレーニング効果と装置の安全確保という
面での最適のトレードオフを選ぶことが可能となる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、「シミュレーシ
ョンモード」であるか否かの動作モードを設定し、装置
が操作されたときその操作内容または入力コマンドと同
モードの設定状態により、実際の動作を行なうかシミュ
レーションとするかを判別し、シミュレーションする場
合は現在の装置状態や関連パラメータの内容を含めてチ
エツクして動作のシミュレーションを行ない、さらにそ
のシミュレーション結果や操作パラメータ設定等に関す
るアドバイスを表示し、前記シミュレーション結果を実
際に装置が動作したと想定して装置を制御するための内
部状態を記憶するメモリに反映させるようにしているの
で、装置およびオペレータの双方の安全を確保しつつ、
むだな動作時間の待ちを取り除き、不要なコストも発生
せずに、実際の装置を使ってのオペレータやサービスマ
ン等のトレーニングを実現゛することが可能となる。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の一実施例に係る半導体製造装置の動
作を示すフローチャート、 第2図は、従来例でありかつ本発明の適用対象例でもあ
る半導体製造装置の概略構成図である。 :操作ターミナル、 :制御ラック、 コCPU。 :ディスク装置、 :照明装置、 ニレチクル、 ニレチクルステージ、 8:投影レンズ、 9:ウェハ、 10:ウェハステージ、 11.12:フォーカス検出機構。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)通常動作モードまたはシミュレーションモードを
    設定するモード設定手段と、上記シミュレーションモー
    ド時には装置の所定の動作を行なわず該動作をシミュレ
    ートする手段とを具備することを特徴とする半導体製造
    装置。
  2. (2)通常の動作モードと複数の異なるシミュレーショ
    ンモードとが選択可能な請求項1に記載の半導体製造装
    置。
  3. (3)前記シミュレーションモード時にそのシミュレー
    ション結果を表示する手段と、そのシミュレーション結
    果を装置を制御するために通常用いる装置の各部の状態
    を記憶するメモリに反映させる手段とを具備する請求項
    1または2に記載の半導体製造装置。
  4. (4)前記シミュレーション結果と操作に誤りがあった
    場合のアドバイスとを表示する手段を具備する請求項1
    、2または3に記載の半導体製造装置。
JP63328825A 1988-12-28 1988-12-28 半導体製造装置 Pending JPH02177312A (ja)

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JP63328825A JPH02177312A (ja) 1988-12-28 1988-12-28 半導体製造装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133199A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Canon Inc 情報処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリ、プログラム
KR20190038996A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 캐논 가부시끼가이샤 리소그래피 시스템, 제어 프로그램을 갱신하는 방법, 프로그램 및 물품 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133199A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Canon Inc 情報処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリ、プログラム
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