JPH02167862A - ＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス焼結体の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス焼結体の製造方法Info
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- JPH02167862A JPH02167862A JP63323918A JP32391888A JPH02167862A JP H02167862 A JPH02167862 A JP H02167862A JP 63323918 A JP63323918 A JP 63323918A JP 32391888 A JP32391888 A JP 32391888A JP H02167862 A JPH02167862 A JP H02167862A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007656 fracture toughness test Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000011410 subtraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＳｉＣウィスカーにより強化したＳｉ３Ｎ４
セラミックス焼結体の製造方法に関する。
セラミックス焼結体の製造方法に関する。
従来の技術とその問題点
Ｓｉ３Ｎ４は、ＡＪ２２０３、ＺｒＯ２、ＳｉＣ。
サイアロンなどとともに、代表的な構造用ファインセラ
ミックス（以下ＦＣという）の素材である。
ミックス（以下ＦＣという）の素材である。
特にＳｉ３Ｎ４で作られた構造用ＦＣは、高温にいたる
まで比較的強度が高く、さらに耐熱衝撃性、靭性、断熱
性（低熱伝導性）、耐摩耗性、耐蝕性などにも優れてい
るという優れた機能を有している。また、Ｓｉ３Ｎ４材
料は、他のＦＣに比して、強度に対する信頼性が高いの
で、エンジン部材を中心とする耐熱性構造材料としての
応用研究が活発に進められている。
まで比較的強度が高く、さらに耐熱衝撃性、靭性、断熱
性（低熱伝導性）、耐摩耗性、耐蝕性などにも優れてい
るという優れた機能を有している。また、Ｓｉ３Ｎ４材
料は、他のＦＣに比して、強度に対する信頼性が高いの
で、エンジン部材を中心とする耐熱性構造材料としての
応用研究が活発に進められている。
しかしながら、この様なＳｉ３Ｎ４も、現実には未だ実
用化の段階には至っていない。その主な理山は、現在使
用されている金属材料に比して、その脆弱性の故に、強
度に対する信頼性が低いと点にある。すなわち、ＦＣの
強度の信頼性の尺度としてのワイブル係数（ｍ）が、約
１０〜１５というレベルにあり、エンジン部材として必
要と考えられているｍ〉２０〜３０というレベルには、
遠く及ばないからである。また、Ｓｉ３Ｎ４は、高温、
特に１０００℃以上では強度の低下が著しいという点も
、実用化への障害となっている。
用化の段階には至っていない。その主な理山は、現在使
用されている金属材料に比して、その脆弱性の故に、強
度に対する信頼性が低いと点にある。すなわち、ＦＣの
強度の信頼性の尺度としてのワイブル係数（ｍ）が、約
１０〜１５というレベルにあり、エンジン部材として必
要と考えられているｍ〉２０〜３０というレベルには、
遠く及ばないからである。また、Ｓｉ３Ｎ４は、高温、
特に１０００℃以上では強度の低下が著しいという点も
、実用化への障害となっている。
最近、強度の信頼性が高く、且つ高温までも高強度を維
持し得るＳｉ３Ｎ４材料を得るために、Ｓｉ３Ｎ４を母
材とし、これを繊維により強化する試みがなされている
。その中でも、Ｓｉ３Ｎ４にＳｉＣウィスカーを混合す
る方法が注目されており、例えば、Ｓｉ３Ｎ４粉末とＳ
ｉＣウィスカーとを機楓的若しくは物理的に混合した後
、成形および焼結（ホットプレス）するという大工滅法
が知られている（例えば、“工業材料”、第３１巻、第
５号、ｐｐ８５〜９０参照）。この方法で得られた材料
のｍ ＜Ｍは、約２４程度であり、また高温での強度劣
化もＳｉ３Ｎ４単独の場合よりも少なく、さらに破壊エ
ネルギーの向上も認められるので、エンジン部材として
の実用化により一歩近付いたものといえる。しかしなが
ら、この機械的乃至物理的混合法による場合には、均一
な混合は行ない得す、従って、焼結体の性能はさらに一
層の改善が必要である。
持し得るＳｉ３Ｎ４材料を得るために、Ｓｉ３Ｎ４を母
材とし、これを繊維により強化する試みがなされている
。その中でも、Ｓｉ３Ｎ４にＳｉＣウィスカーを混合す
る方法が注目されており、例えば、Ｓｉ３Ｎ４粉末とＳ
ｉＣウィスカーとを機楓的若しくは物理的に混合した後
、成形および焼結（ホットプレス）するという大工滅法
が知られている（例えば、“工業材料”、第３１巻、第
５号、ｐｐ８５〜９０参照）。この方法で得られた材料
のｍ ＜Ｍは、約２４程度であり、また高温での強度劣
化もＳｉ３Ｎ４単独の場合よりも少なく、さらに破壊エ
ネルギーの向上も認められるので、エンジン部材として
の実用化により一歩近付いたものといえる。しかしなが
ら、この機械的乃至物理的混合法による場合には、均一
な混合は行ない得す、従って、焼結体の性能はさらに一
層の改善が必要である。
問題点を解決するための手段
本発門者は、２成分以上からなるセラミックス焼結体を
製造するに際し、各成分を均一に分散させ、もって従来
行なわれている原料粉末の機械的混合法によって均一化
を図った焼結体に比べて、強度等の物性に優れたセラミ
ックス焼結体を得るべく、種々研究を重ねてきた。その
結果、一定の気孔率を有するセラミックス仮焼体に、異
なる成分のセラミックス原料の溶液又は泥漿を含浸し、
乾燥し、焼結する場合には、その目的を達成し得ること
を見出した。
製造するに際し、各成分を均一に分散させ、もって従来
行なわれている原料粉末の機械的混合法によって均一化
を図った焼結体に比べて、強度等の物性に優れたセラミ
ックス焼結体を得るべく、種々研究を重ねてきた。その
結果、一定の気孔率を有するセラミックス仮焼体に、異
なる成分のセラミックス原料の溶液又は泥漿を含浸し、
乾燥し、焼結する場合には、その目的を達成し得ること
を見出した。
即ち、本発明は、下記の方法を提供するものである：
「気孔率が３０％〜７０容量％のＳｉ３Ｎ４仮焼体に、
焼結後にＳｉＣウィスカーを形成する無機物の少なくと
も１秤を含む溶液又は泥漿を含浸し、乾燥した後、上記
仮焼体の焼成温度よりも高い温度にて焼結することを特
徴とするＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス
焼結体の製造方法」一般に、セラミックス成形体は、熱
を加えていくとお互いの粒子がくっつきあい、粒成長を
起こして焼結していくことが知られている。この焼結の
過程には、気孔を多く含みかつ気孔が均一分布した焼結
の初期段階が存在する。即ち、この段階では、仮焼状態
のセラミックススケルトンが得られる。このセラミック
ススケルトンの形成に際しては、原料粒子の粒度及び粒
度分布並びに焼成温度によって、気孔の大きさ及び気孔
率をコントロールすることが可能である。従って、所定
の大きさの気孔及び気孔率を持ったセラミックススケル
トンの気孔部に、セラミックススケルトンとは異なるセ
ラミックス成分を存在せしめ、しかる後にスケルトンの
焼結が完納する温度迄加熱すれば、２成分が均一に分散
した焼結体が得られることとなる。
焼結後にＳｉＣウィスカーを形成する無機物の少なくと
も１秤を含む溶液又は泥漿を含浸し、乾燥した後、上記
仮焼体の焼成温度よりも高い温度にて焼結することを特
徴とするＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス
焼結体の製造方法」一般に、セラミックス成形体は、熱
を加えていくとお互いの粒子がくっつきあい、粒成長を
起こして焼結していくことが知られている。この焼結の
過程には、気孔を多く含みかつ気孔が均一分布した焼結
の初期段階が存在する。即ち、この段階では、仮焼状態
のセラミックススケルトンが得られる。このセラミック
ススケルトンの形成に際しては、原料粒子の粒度及び粒
度分布並びに焼成温度によって、気孔の大きさ及び気孔
率をコントロールすることが可能である。従って、所定
の大きさの気孔及び気孔率を持ったセラミックススケル
トンの気孔部に、セラミックススケルトンとは異なるセ
ラミックス成分を存在せしめ、しかる後にスケルトンの
焼結が完納する温度迄加熱すれば、２成分が均一に分散
した焼結体が得られることとなる。
本発明方法を実施するに際しては、先ずＳｉ３Ｎ４原料
を粉砕および整粒し、所定の粒度となるよう調整する。
を粉砕および整粒し、所定の粒度となるよう調整する。
後で形成されるセラミックス仮焼体の気孔の径を出来る
だけ小さくし、バラツキを小さくするためには、この粉
砕及び整粒された粒子が出来る限り小さく、かつバラツ
キの少ないものであることが望ましい。この粉砕及び整
粒された粉体に、必要ならば、ポリビニルアルコールや
ワックス等の公知のバインダーを加え、さらに、Ｙ２０
３ 、Ａ 、Ｑ２０３ 、Ｍｇ Ｏなどの公知の焼結剤
を加え、成形する。成形圧力は、特に限定されないが、
最終焼結体として緻密なものを得る必要があるならば、
５００ ｋｇｆ／ｅＪ以上とすることが望ましい。その
後、必要ならば、成形体の乾燥及び脱脂を経た後、仮焼
成する。仮焼成温度は、得られた仮焼体の気孔率が、３
０〜７０容量％となる温度とすることが必要である。気
孔率が３０容量％未満では焼結が進みすぎているため気
孔量が少なすぎ、かつ気孔径が大きく成長しているため
、後の工程である無機質を含む溶液又は泥漿を含浸して
も、スケルトン内に均一に含浸出来ない。
だけ小さくし、バラツキを小さくするためには、この粉
砕及び整粒された粒子が出来る限り小さく、かつバラツ
キの少ないものであることが望ましい。この粉砕及び整
粒された粉体に、必要ならば、ポリビニルアルコールや
ワックス等の公知のバインダーを加え、さらに、Ｙ２０
３ 、Ａ 、Ｑ２０３ 、Ｍｇ Ｏなどの公知の焼結剤
を加え、成形する。成形圧力は、特に限定されないが、
最終焼結体として緻密なものを得る必要があるならば、
５００ ｋｇｆ／ｅＪ以上とすることが望ましい。その
後、必要ならば、成形体の乾燥及び脱脂を経た後、仮焼
成する。仮焼成温度は、得られた仮焼体の気孔率が、３
０〜７０容量％となる温度とすることが必要である。気
孔率が３０容量％未満では焼結が進みすぎているため気
孔量が少なすぎ、かつ気孔径が大きく成長しているため
、後の工程である無機質を含む溶液又は泥漿を含浸して
も、スケルトン内に均一に含浸出来ない。
一方、気孔量が７０容量％を上回る場合には、得られた
Ｆ２ Ｄ”Ａ体の強度がほとんど零に近い状態となり、
その後の含浸工程等のハンドリングが実質上不可能とな
るために、本発明方法を適用出来ない。
Ｆ２ Ｄ”Ａ体の強度がほとんど零に近い状態となり、
その後の含浸工程等のハンドリングが実質上不可能とな
るために、本発明方法を適用出来ない。
次いでこの気孔率３０〜７０容量％の
Ｓｉ３Ｎ４仮焼体に、焼結後にＳｉＣウィスカーを形成
する無機物質の溶液または泥漿（例えば、シリコーンオ
イル、ポリカルボキシシラン溶液、エチルシリケートと
フェノールレジンなどの各種カーボン源との混合液、こ
れらのｌ昆合物など）を３浸する。含浸は宿性に従って
行なえば良く、必要ならば、仮焼体内の空気を除去する
ために、旦減圧した後、加圧する方法も採用出来る。含
浸時の圧力は、特に限定されず、含浸材が十分に仮焼体
内に浸入し得る圧力であれば良い。含浸材が所定量より
も多くなる場合には、仮焼体の気孔量が少なくなるよう
に焼成条件をコントロールしなおす必要がある。又、逆
に含浸材が所定量よりも少ない場合には、気孔量が多く
なるように仮焼体成形時の焼成条件を設定し直すか、或
いは含浸させた仮焼体を一旦乾燥後仮焼体の焼成温度よ
りも低い温度にて再仮焼し、得られた再仮焼体に再度前
記と同様にして含浸を行なうという繰り返し含浸方法が
とられる。
する無機物質の溶液または泥漿（例えば、シリコーンオ
イル、ポリカルボキシシラン溶液、エチルシリケートと
フェノールレジンなどの各種カーボン源との混合液、こ
れらのｌ昆合物など）を３浸する。含浸は宿性に従って
行なえば良く、必要ならば、仮焼体内の空気を除去する
ために、旦減圧した後、加圧する方法も採用出来る。含
浸時の圧力は、特に限定されず、含浸材が十分に仮焼体
内に浸入し得る圧力であれば良い。含浸材が所定量より
も多くなる場合には、仮焼体の気孔量が少なくなるよう
に焼成条件をコントロールしなおす必要がある。又、逆
に含浸材が所定量よりも少ない場合には、気孔量が多く
なるように仮焼体成形時の焼成条件を設定し直すか、或
いは含浸させた仮焼体を一旦乾燥後仮焼体の焼成温度よ
りも低い温度にて再仮焼し、得られた再仮焼体に再度前
記と同様にして含浸を行なうという繰り返し含浸方法が
とられる。
かくして得られたＳｉＣウィスカー形成成分含浸後の仮
焼体を乾燥後、ＳｉＣウィスカーが形成され且つ焼結が
完了する温度まで焼成すると、仮焼体部分と含浸材とが
収縮し、ＳｉＣウィスカーが均一に分散したＳｉ３Ｎ４
焼結体が得られる。
焼体を乾燥後、ＳｉＣウィスカーが形成され且つ焼結が
完了する温度まで焼成すると、仮焼体部分と含浸材とが
収縮し、ＳｉＣウィスカーが均一に分散したＳｉ３Ｎ４
焼結体が得られる。
発明の効果
本発明によれば、ＳｉＣウィスカーが均一に分散したＳ
ｉ３Ｎ４焼粘体が簡単且つ確実に得られる。得られたＳ
ｉ３Ｎ４焼粘体は、強度のバラツキが少なく、破壊靭性
が高いという信頼性の高い材料である。
ｉ３Ｎ４焼粘体が簡単且つ確実に得られる。得られたＳ
ｉ３Ｎ４焼粘体は、強度のバラツキが少なく、破壊靭性
が高いという信頼性の高い材料である。
実施例
以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一屑明確にする。なお、実施列および比較例
ともに同様の製造操作を３回行ない、３挿の試料につい
て試験を行なった。
ころをより一屑明確にする。なお、実施列および比較例
ともに同様の製造操作を３回行ない、３挿の試料につい
て試験を行なった。
実施例１
一次粒子の平均粒径が０．５１ｔｍのＳｉ３Ｎ４粉末１
００重量部に焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末５重量部およ
びＡ、Ｑ２０３粉末３重量部を加え、さらにバインダー
としてポリビニルアルコール１５市倣部を加えた後、１
０００ ｋｇｆ／ｃＪの圧力で成形した。
００重量部に焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末５重量部およ
びＡ、Ｑ２０３粉末３重量部を加え、さらにバインダー
としてポリビニルアルコール１５市倣部を加えた後、１
０００ ｋｇｆ／ｃＪの圧力で成形した。
得られた成形体を１０５℃で２４時間乾燥後、電気炉に
て仮焼成した。仮焼成は、窒素雰囲気中１３００℃で３
時間行ない、得られた５ｊ３Ｎａ仮焼体の気孔率は所定
量の５０容量％であった。
て仮焼成した。仮焼成は、窒素雰囲気中１３００℃で３
時間行ない、得られた５ｊ３Ｎａ仮焼体の気孔率は所定
量の５０容量％であった。
凶みにこの時の気孔径は、最大気孔径が約０．９μｍで
平均０．５μｍというバラツキの小さい且つ微細な気孔
であった。
平均０．５μｍというバラツキの小さい且つ微細な気孔
であった。
このＳｉ３Ｎ４仮焼体に含浸タンクψ５ｋｇｆ／ｃ［ｉ
？の圧力下にシリコーンオイル（Ｓｉ ２３重量％、
Ｃ３０重量％）を含浸した。含浸量は、Ｓｉ３Ｎ４仮焼
体に対して所定量の４５重量％であった。含浸後、仮焼
体を一旦１０５℃で２４時間乾燥し、電気炉で窒素雰囲
気中１８００℃で３時間焼結させた。
？の圧力下にシリコーンオイル（Ｓｉ ２３重量％、
Ｃ３０重量％）を含浸した。含浸量は、Ｓｉ３Ｎ４仮焼
体に対して所定量の４５重量％であった。含浸後、仮焼
体を一旦１０５℃で２４時間乾燥し、電気炉で窒素雰囲
気中１８００℃で３時間焼結させた。
得られた焼結体中に形成されたＳｉＣ含有量は、目標の
１０重量％に対して９．５重量％であった。
１０重量％に対して９．５重量％であった。
また、得られた焼結体を切断し、その断面を顕微鏡によ
り観察したところ、Ｓｉ３Ｎ、間に直径的０．５〜１．
２μｍ程度のＳｉＣウィスカーが生成していることが確
認された。
り観察したところ、Ｓｉ３Ｎ、間に直径的０．５〜１．
２μｍ程度のＳｉＣウィスカーが生成していることが確
認された。
さらに、得られた焼結体の均一分散度を知る尺度として
、西げ試験を行ない、ウィスカーによる強化の程度を知
る尺度として、破壊靭性試験を行なった。萌げ試験試料
は、３種の焼結体から３關Ｘ ４ ｍｍ Ｘ ４０ ｍ
ｍの大きさのものをそれぞれ１０ケ採取し、スパン３０
ｍｍにて３点法にてテストした。
、西げ試験を行ない、ウィスカーによる強化の程度を知
る尺度として、破壊靭性試験を行なった。萌げ試験試料
は、３種の焼結体から３關Ｘ ４ ｍｍ Ｘ ４０ ｍ
ｍの大きさのものをそれぞれ１０ケ採取し、スパン３０
ｍｍにて３点法にてテストした。
また、破壊靭性試験試料は、３種の焼結体から２ｏ＋＋
ａＸ ３０ｍｍＸ ５０ＩＩ１ｍの大きさのものをそれ
ぞれ１ケ採取し、スパン２０ｍｏ＋にて４点法にてテス
トした。
ａＸ ３０ｍｍＸ ５０ＩＩ１ｍの大きさのものをそれ
ぞれ１ケ採取し、スパン２０ｍｏ＋にて４点法にてテス
トした。
これらの結果を第１表に示す。
比較例１
一次粒子の平均粒径が０．０５μｍの
Ｓｉ３Ｎ４粉末１００重量部に焼結助剤としてＹ２Ｏ３
粉末５重量部およびＡＪ２２０３粉末３重量部を加え、
さらにバインダーとしてポリビニルアルコール１５重量
部を加えた後、１００１００Ｏ／ｃＪの圧力で成形した
。
粉末５重量部およびＡＪ２２０３粉末３重量部を加え、
さらにバインダーとしてポリビニルアルコール１５重量
部を加えた後、１００１００Ｏ／ｃＪの圧力で成形した
。
得られた成形体を１０５℃で２４時間乾燥後、電気炉に
て窒素雰囲気中１８００℃で３時間焼成して、５Ｌ３Ｎ
４焼結体を得た。
て窒素雰囲気中１８００℃で３時間焼成して、５Ｌ３Ｎ
４焼結体を得た。
得られた焼結体の曲げ強度と破壊靭性値を第１表に合わ
せて示す。
せて示す。
比較例２
一次粒子の平均粒径が０．５μｍのＳｉ３Ｎ。
粉末１００重量部に焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末５重量
部およびＡｊ？２０３粉末３重量部を加え、さらにＳｉ
Ｃウィスカー（平均直径的０．９μｍ１長さ約２０μｍ
）１２重量部とバインダーとしてポリビニルアルコール
１５重量部を加えた後、ボールミルにて４８時間混合し
た。次いで、得られた混合物を１０００ ｋｇｆ／ｃＪ
の圧力で成形した。
部およびＡｊ？２０３粉末３重量部を加え、さらにＳｉ
Ｃウィスカー（平均直径的０．９μｍ１長さ約２０μｍ
）１２重量部とバインダーとしてポリビニルアルコール
１５重量部を加えた後、ボールミルにて４８時間混合し
た。次いで、得られた混合物を１０００ ｋｇｆ／ｃＪ
の圧力で成形した。
得られた成形体を１０５℃で２４時間乾燥後、電気炉に
て窒素雰囲気Φ１８００℃で３時間焼成して、５Ｌ３Ｎ
４焼結体を得た。
て窒素雰囲気Φ１８００℃で３時間焼成して、５Ｌ３Ｎ
４焼結体を得た。
得られた焼結体の助げ強度と破壊靭性値を第１表に合わ
せて示す。
せて示す。
第１表に示す結果から明らかな様に、本発明方法による
焼結体は、従来法による焼結体に比して、強度のバラツ
キも小さく、破壊靭性の向］二が認められる。特に、本
発明方法による焼結体と大王減法に相当する比較例２の
方法による焼結体とを比較すれば、焼結体を形成する組
織が実質的に同一であり且つ焼結条件が同一であるにも
かかわらず、ＳｉＣウィスカーの均一分散による本発明
の顕著な効果が明確である。
焼結体は、従来法による焼結体に比して、強度のバラツ
キも小さく、破壊靭性の向］二が認められる。特に、本
発明方法による焼結体と大王減法に相当する比較例２の
方法による焼結体とを比較すれば、焼結体を形成する組
織が実質的に同一であり且つ焼結条件が同一であるにも
かかわらず、ＳｉＣウィスカーの均一分散による本発明
の顕著な効果が明確である。
従って、本発明による焼結体は、高温用構造材料として
画めて白゛用である。
画めて白゛用である。
（以 上）
Claims (1)
- ［１］気孔率が３０％〜７０容量％のＳｉ＿３Ｎ＿４仮
焼体に、焼結後にＳｉＣウィスカーを形成する無機物の
少なくとも１種を含む溶液又は泥漿を含浸し、乾燥した
後、上記仮焼体の焼成温度よりも高い温度にて焼結する
ことを特徴とするＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ＿３Ｎ＿４
セラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323918A JP2691293B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323918A JP2691293B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167862A true JPH02167862A (ja) | 1990-06-28 |
| JP2691293B2 JP2691293B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18160076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63323918A Expired - Lifetime JP2691293B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | ＳｉＣウィスカー強化Ｓｉ３Ｎ４セラミックス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691293B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63323918A patent/JP2691293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2691293B2 (ja) | 1997-12-17 |
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