JPH02165618A - Apparatus for manufacture of semiconductor device - Google Patents
Apparatus for manufacture of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH02165618A JPH02165618A JP32167488A JP32167488A JPH02165618A JP H02165618 A JPH02165618 A JP H02165618A JP 32167488 A JP32167488 A JP 32167488A JP 32167488 A JP32167488 A JP 32167488A JP H02165618 A JPH02165618 A JP H02165618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- supply
- nozzle
- developer
- check valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子の製造装置に関し、特にレジス
ト塗布装置ならびに現像装置のノズル部の機構に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and particularly to a mechanism of a nozzle portion of a resist coating apparatus and a developing apparatus.
第２図は従来のレジスト塗布装置または現像装置の原理
図であり、第３図はそのレジストまたは現像液滴下用ノ
ズル部の断面図である。第２図及び第３図において、１
はノズル、１３はノズル流路、１４はＮ意供給ノズル、
１５はレジストまたは現像液のビン、１６はふた、１７
はレジストまたは現像液、１８はノズル１の固定アーム
、工９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸である。FIG. 2 is a principle diagram of a conventional resist coating device or developing device, and FIG. 3 is a sectional view of a nozzle portion for dropping a resist or developing solution. In Figures 2 and 3, 1
13 is a nozzle, 14 is a nitrogen supply nozzle,
15 is a resist or developer bottle, 16 is a lid, 17
18 is a fixed arm of the nozzle 1, 9 is a wafer, and 20 is a wafer suction rotation shaft.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
第２図のＮｚ供給ノズル１４でレジストまたは現像液の
ビン１５を加圧すると、ビン１５はふた１６で密封され
ているので、レジストまたは現像液１７が押圧され、ノ
ズル１に供給される。固定アーム１８に固定された上記
ノズル１を通ったレジストまたは現像液１７はウェハ１
９上に滴下される。このとき、ウェハ１９はつ、エバ吸
引回転輪２０によって吸引されている。When the resist or developer bottle 15 is pressurized by the Nz supply nozzle 14 in FIG. The resist or developer 17 that has passed through the nozzle 1 fixed to the fixed arm 18 is applied to the wafer 1.
9. At this time, the wafer 19 is being sucked by the evaporator suction rotary wheel 20.
次に、ノズル１からのレジストまたは現像液の滴下を停
止するには、第２図のＮ、供給ノズル１４内のＮ２を減
圧すればよいが、このとき、第３図のノズル１の先端部
では、ノズル流１１１３内のレジストまたは現像液は外
気と接触したままである。Next, in order to stop dripping of the resist or developer from the nozzle 1, it is sufficient to reduce the pressure of N in FIG. 2 and N2 in the supply nozzle 14. In this case, the resist or developer in the nozzle stream 1113 remains in contact with the outside air.
従来のレジスト塗布装置ならびに現像装置は上述のよう
なノズルを採用しているので、溶媒の蒸発によってノズ
ル内のレジストもしくは現像液の組成が変化したり、固
形物ができてノズル流路がつまるなどの問題点があった
。またゲル化した固形物を含むレジストを塗布して微細
パターンを転写すると、レジスト膜厚の不均一性が原因
となって寸法ばらつきが激しくなるという問題があった
。Conventional resist coating equipment and development equipment employ the above-mentioned nozzles, so the composition of the resist or developer inside the nozzle may change due to evaporation of the solvent, or solid matter may form and clog the nozzle flow path. There was a problem. Further, when a fine pattern is transferred by applying a resist containing gelled solid matter, there is a problem in that dimensional variations become severe due to non-uniformity of the resist film thickness.
この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、ノズル流路に停留したレジス
トもしくは現像液の組成変動を抑えることのできる半導
体素子の製造装置を得ることを目的とする。This invention was made in order to solve the problems of the conventional ones as described above, and aims to provide a semiconductor device manufacturing apparatus that can suppress compositional fluctuations of the resist or developer that remains in the nozzle flow path. purpose.
この発明に係る半導体素子の製造装置は、レジスト塗布
装置もしくは現像装置のノズル部において、レジストま
たは現像液滴下停止時は閉じている逆止弁を備えた第１
の供給部と、該逆止弁より先端、に残留したレジストま
たは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を供給す
る第２の供給部とを備えるようにしたものである。The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention includes a first check valve in a nozzle portion of a resist coating device or a developing device that is closed when dropping of resist or developer solution is stopped.
and a second supply section that supplies N and a cleaning solution for cleaning and drying the resist or developer remaining at the distal end of the check valve.
この発明に係る半導体素子の製造装置は、レジスト塗布
装置もしくは現像装置のノズル部において、逆止弁を備
えた第１の供給部と、該逆止弁より先端に残留したレジ
ストまたは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を
供給する第２の供給部とを備えるようにしたので、待機
中のレジストまたは現像液を外気から遮断でき、その組
成を一定に保つことができる。In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, in the nozzle portion of the resist coating device or the developing device, the first supply portion includes a check valve, and the resist or developer remaining at the tip of the check valve is cleaned. Since the resist and developer are provided with a second supply section that supplies a cleaning solution for drying and N, the resist or developer on standby can be isolated from the outside air, and the composition thereof can be kept constant.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置の
ノズル部を示す図である６本実施例では、ノズル１はレ
ジスト供給部２と洗浄液及びＮ２供給部８とに分かれて
いる。逆止弁３とふた４はレジストが加圧されていない
時、すなわちレジストの滴下が停止している時にレジス
ト供給部２内のレジストと外気とを遮断するためのもの
である。FIG. 1 is a diagram showing a nozzle section of a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, a nozzle 1 is divided into a resist supply section 2 and a cleaning liquid and N2 supply section 8. The check valve 3 and the lid 4 are used to shut off the resist in the resist supply section 2 and the outside air when the resist is not pressurized, that is, when the dripping of the resist is stopped.
上記ふた４はレジストを加圧しない時のレジスト圧に勝
るようにバネ５により逆止弁３に押しつけられる。ふた
４の円柱棒の内部を中空にし、そこにノズル１に固定し
たガイド棒６を設ける。レジストを塗布するとき、レジ
ストはレジスト供給部２から放出部７を通ってウェハ上
に放出される。The lid 4 is pressed against the check valve 3 by a spring 5 so as to overcome the resist pressure when the resist is not pressurized. The inside of the cylindrical rod of the lid 4 is made hollow, and a guide rod 6 fixed to the nozzle 1 is provided therein. When applying resist, the resist is discharged from the resist supply section 2 through the discharge section 7 onto the wafer.
レジストを塗布しないとき、放出部７内でレジストが乾
燥し固形化するのを防ぐため、洗浄及び乾燥を行う、そ
の洗浄及び乾燥用として、洗浄液及びＮ、供給部８、逆
止弁９、ふた１ｏ１バネ１１、ガイド棒１２を設ける。When the resist is not applied, cleaning and drying is performed in order to prevent the resist from drying and solidifying in the discharge section 7. For the cleaning and drying, a cleaning solution and N, a supply section 8, a check valve 9, and a lid are provided. A 1o1 spring 11 and a guide rod 12 are provided.
、：、（７）９，１０，１１．１２は上記３，４，５．
６と同じような働きをする。, :, (7) 9, 10, 11.12 are the above 3, 4, 5.
It works in the same way as 6.
次に作用効果について説明する０以上の説明からもわか
るように、レジストを放出させる場合は、レジスト供給
部２のレジストを加圧するとレジストはふた４を押して
放出部７を満たし、ノズルの先端部より外へ放出される
。レジストの放出を停止させる場合は、レジスト供給部
２のレジストへの加圧を停止する。するとバネ５による
力でふた４は逆止弁３に押しあてられ、レジストを外気
から遮断する。放出部７に残留しているレジストは外気
に触れると乾燥して固形化してしまうので、これを洗い
流すため、洗浄液及びＮｚ供給部８に洗浄液を供給しな
がら加圧する。洗浄液はふた１０を押して放出部７を満
たし、そこに残留しているレジストとともに外へ放出さ
れる。その後電磁パルプ２１により洗浄液の供給をＮｔ
の供給に切り換え、洗浄液が乾燥するまでＮオを流す、
Ｎｔ供給を停止すると、バネ１１により逆止弁９にふた
１０が押しつけられる。Next, as can be seen from the explanations above 0 that explain the action and effect, when the resist is discharged, when the resist in the resist supply section 2 is pressurized, the resist pushes the lid 4 and fills the discharge section 7, and the tip of the nozzle released to the outside. When discharging the resist is to be stopped, the pressurization of the resist by the resist supply unit 2 is stopped. Then, the lid 4 is pressed against the check valve 3 by the force of the spring 5, and the resist is isolated from the outside air. The resist remaining in the discharge section 7 dries and solidifies when exposed to the outside air, so in order to wash it away, pressure is applied while supplying the cleaning liquid to the Nz supply section 8 . The cleaning liquid presses the lid 10 to fill the discharge section 7 and is discharged to the outside together with the resist remaining there. After that, the cleaning liquid is supplied by the electromagnetic pulp 21.
Switch to the supply of NO, and flow NO until the cleaning solution dries.
When the Nt supply is stopped, the lid 10 is pressed against the check valve 9 by the spring 11.
このように本実施例では、ウエハヘレジストを塗布しな
い時は、逆止弁３とフタ４によりレジストと外気を遮断
し、放出部７内に残留しているレジストを供給部２より
供給される洗浄液により洗い流し、電磁パルプにより洗
浄液の供給をＮ８の供給に切り換えて洗浄液を乾燥させ
るようにしたので、外気との接触により組成が変化し固
形化したレジストでノズル先端が詰まったり、そのよう
なレジストがウェハ上に塗布されたりすることがない、
またウェハ上には常に一定の組成のレジストが均一な膜
厚で塗布されるので、レジストパターンの寸法制御性が
向上する。しかも本装置は簡単な機構で構成されている
ため安価である。In this embodiment, when the resist is not applied to the wafer, the check valve 3 and the lid 4 shut off the resist from the outside air, and the resist remaining in the discharge section 7 is supplied from the supply section 2. Since the cleaning solution is rinsed away using electromagnetic pulp and the cleaning solution supply is switched to N8 supply to dry the cleaning solution, the nozzle tip may become clogged with resist whose composition changes and solidifies due to contact with outside air. is not deposited on the wafer,
Further, since a resist having a constant composition is always coated with a uniform thickness on the wafer, the dimensional controllability of the resist pattern is improved. Furthermore, this device is constructed with a simple mechanism and is therefore inexpensive.
なお、上記実施例ではレジストを供給する場合のみを示
したが、現像液を供給する場合であっても勿論よく、こ
の装置を用いて同様のプロセスで同様の効果を得ること
ができる。In the above embodiment, only the case where a resist is supplied is shown, but it is of course possible to supply a developer, and the same effect can be obtained by the same process using this apparatus.
以上のように、この発明に係る半導体素子の製造装置に
よれば、ノズル内に待機中のレジストまたは現像液を外
気から遮断し、ノズル先端部に残留したレジストまたは
現像液を洗浄し乾燥するようにしたので、レジストもし
くは現像液の成分の（経時）変化を抑えることができ、
その結果レジストパターンの寸法制御性が向上するとい
う効果がある。As described above, according to the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, the resist or developer waiting in the nozzle is shielded from the outside air, and the resist or developer remaining at the tip of the nozzle is washed and dried. This makes it possible to suppress changes (over time) in the components of the resist or developer.
As a result, there is an effect that the dimensional controllability of the resist pattern is improved.
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置ま
たは現像装置のノズル部を示す図、第２図は従来のレジ
スト塗布装置または現像装置の原理図、第３図は第２図
の装置のノズル部の断面図である。
図において、１はノズル、２はレジスト供給部、３．９
は逆止弁、４．１０はふた、５，１１はバネ、６，１２
はガイド棒、７は放出部、８は洗浄液及びＮｔ供給部、
１３はノズル流路、１４はＮ。
供給ノズル、１５はレジストもしくは現像液のビン、１
６はふた、１７はレジストもしくは現像液、１８はノズ
ル固定アーム、１９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸
である。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
１図
第２図
第３図
１９：り’ｘ／／
２０： ）ｘ／ｌ＃ｓ’／ＢｌＮｙ
ＩＡFIG. 1 is a diagram showing the nozzle part of a resist coating device or developing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a principle diagram of a conventional resist coating device or developing device, and FIG. It is a sectional view of a nozzle part. In the figure, 1 is a nozzle, 2 is a resist supply unit, 3.9
is a check valve, 4.10 is a lid, 5, 11 is a spring, 6, 12
is a guide rod, 7 is a discharge part, 8 is a cleaning liquid and Nt supply part,
13 is a nozzle flow path, and 14 is N. Supply nozzle, 15, resist or developer bottle, 1
6 is a lid, 17 is a resist or developer, 18 is a nozzle fixing arm, 19 is a wafer, and 20 is a wafer suction rotation shaft. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Figure 1 Figure 2 Figure 3 19: ri'x// 20: )x/l#s'/BlNy IA
Claims (1)
のレジスト塗布装置または現像装置のノズル部において
、 上記レジストまたは現像液を供給する第１の供給部と、 上記第１の供給部内に設けられ、上記レジストまたは現
像液を塗布しない時には上記レジストまたは現像液を外
気から遮断する逆止弁と、 上記逆止弁より先端の上記第１の供給部内に残留した上
記レジストまたは現像液を洗浄し、乾燥させる洗浄液及
びＮ＿２を供給する第２の供給部と、上記洗浄液とＮ＿
２の供給を切り換える電磁パルプとを備えたことを特徴
とする半導体素子の製造装置。(1) In a nozzle portion of a resist coating device or a developing device for applying resist or developer onto a wafer, a first supply portion that supplies the resist or developer; and a first supply portion provided within the first supply portion; , a check valve that shuts off the resist or developer from the outside air when the resist or developer is not applied; and cleaning the resist or developer remaining in the first supply section at the tip of the check valve; a second supply unit that supplies the cleaning liquid to be dried and N_2;
1. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: an electromagnetic pulp for switching the supply of a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32167488A JPH02165618A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Apparatus for manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32167488A JPH02165618A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Apparatus for manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165618A true JPH02165618A (en) | 1990-06-26 |
Family
ID=18135150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32167488A Pending JPH02165618A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Apparatus for manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165618A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456327U (en) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 | ||
| JP2001293397A (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Rotary substrate treatment apparatus |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32167488A patent/JPH02165618A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456327U (en) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 | ||
| JP2001293397A (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Rotary substrate treatment apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02165618A (en) | Apparatus for manufacture of semiconductor device | |
| JP3642752B2 (en) | Spraying method using supply system | |
| CN112748646A (en) | Thick film photoresist developing process | |
| KR101234216B1 (en) | Slit coater | |
| JPH09289161A (en) | Treatment liquid coater | |
| JPS6253591B2 (en) | ||
| JPH0780386A (en) | Cleaning method of coating head and coating head cleaning device | |
| JP2507966B2 (en) | Coating device | |
| KR20120060374A (en) | Wafer track machine and method of applying photo resist using the same | |
| JP3183980B2 (en) | Organic material coating equipment | |
| JPH0639330A (en) | Chemical liquid coating device | |
| JP2537611B2 (en) | Coating material coating equipment | |
| JPH10113597A (en) | Nozzle cleaning device, nozzle cleaning and chemical liquid application device with nozzle cleaning device | |
| JPS6360529B2 (en) | ||
| KR0136822Y1 (en) | A developer nozzle | |
| JP3290773B2 (en) | Processing device and processing method | |
| JP2619282B2 (en) | Resist processing apparatus and resist processing method | |
| JPH0132357Y2 (en) | ||
| JPH1079334A (en) | Apparatus for removing applied film on semiconductor substrate | |
| KR0121510Y1 (en) | Coating soluting removing device with a blubble-remover | |
| JPH01283930A (en) | Wafer chuck | |
| JP2001205162A (en) | Cleaning device and cleaning method for coating nozzle | |
| JPH01164036A (en) | Developing apparatus | |
| KR100545217B1 (en) | Apparatus and Method for developing wafer | |
| JPS62136265A (en) | Apparatus for applying treatment liquid |