JPH02159063A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02159063A JPH02159063A JP63314299A JP31429988A JPH02159063A JP H02159063 A JPH02159063 A JP H02159063A JP 63314299 A JP63314299 A JP 63314299A JP 31429988 A JP31429988 A JP 31429988A JP H02159063 A JPH02159063 A JP H02159063A
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、電荷転送素子（ＣＣＤ）を用いた固体撮像装
置に係わり、特に転送電極形状の改良をはかった固体撮
像装置に関する。
置に係わり、特に転送電極形状の改良をはかった固体撮
像装置に関する。
（従来の技術）
近年、各種監視用テレビジョンや高品位テレビジョン等
のカメラとして、各種の固体撮像装置が用いられている
。これら固体撮像装置のうちで、現在インターライン転
送型ＣＣＤイメージセンサが広く使用されている。
のカメラとして、各種の固体撮像装置が用いられている
。これら固体撮像装置のうちで、現在インターライン転
送型ＣＣＤイメージセンサが広く使用されている。
インターライン転送型ＣＣＤイメージセンサの１画素構
成を第４図に示す。半導体基板１０の表面層に蓄積ダイ
オード２０．転送チャネル（ＣＣＤチャネル）３０及び
素子分離層４０（４Ｌ 、 ４０２ ）が形成され、さ
らに基板ＩＯ上にはフィールドシフトゲート５ｏ及び転
送電極６０（６０１、６０２、８０３、６０４）が形成
されている。
成を第４図に示す。半導体基板１０の表面層に蓄積ダイ
オード２０．転送チャネル（ＣＣＤチャネル）３０及び
素子分離層４０（４Ｌ 、 ４０２ ）が形成され、さ
らに基板ＩＯ上にはフィールドシフトゲート５ｏ及び転
送電極６０（６０１、６０２、８０３、６０４）が形成
されている。
光電変換により発生した信号電荷は蓄積ダイオード２０
に蓄積され、ダイオード２０に蓄積された信号電荷は、
フィールドシフトゲート５０をＯＮすることにより垂直
レジスタ部の転送チャネル内３０に読出される。そして
、転送電極６０に適当なりロックパルスを印加すること
により、信号電荷は転送チャネル３０内を上方向に転送
される。
に蓄積され、ダイオード２０に蓄積された信号電荷は、
フィールドシフトゲート５０をＯＮすることにより垂直
レジスタ部の転送チャネル内３０に読出される。そして
、転送電極６０に適当なりロックパルスを印加すること
により、信号電荷は転送チャネル３０内を上方向に転送
される。
なお、蓄積ダイオード２０と転送チャネル３０とは、フ
ィールドシフトゲート５０の下を除いて素子分離層４０
で分離されている。
ィールドシフトゲート５０の下を除いて素子分離層４０
で分離されている。
ところで、このようなインターライン転送型ＣＣＤイメ
ージセンサの画素を微細化していくと、転送チャネル３
０内を転送される信号電荷の転送効率が劣化するという
問題が生じる。この原因を、以下に説明する。
ージセンサの画素を微細化していくと、転送チャネル３
０内を転送される信号電荷の転送効率が劣化するという
問題が生じる。この原因を、以下に説明する。
第５図（ａ）は第４図の矢視Ａ−Ａ断面及びポテンシャ
ル分布を示す模式図、第５図（ｂ）は第４図の矢視Ｂ−
Ｂ断面及びポテンシャル分布を示す模式図である。Ａ−
Ａ断面では、ｐ型半導体基板ＩＯ上に設けられたｎ型の
転送チャネル３゜が、ｐ＋型素子分離層４０． 、４０
□で両側を挟まれている。Ｂ−Ｂ断面では、これとは異
なりｎ型の転送チャネル３０が、一方を素子分離層４０
゜で他方をフィールドシフトゲート５０の下の読出しチ
ャネルで挟まれている。転送チャネル幅が広い場合は、
転送チャネル３０内のポテンシャルは素子分離層４０の
影響を受は難く、図中実線で示すように略４角のポテン
シャル井戸が形成される。そして、第５図（ａ）（ｂ）
共にポテンシャルの最深部がｖＰｗで等しい。この場合
は、転送電極６０に適当な駆動パルスを印加することに
より、転送効率の良い信号電荷の転送ができる。
ル分布を示す模式図、第５図（ｂ）は第４図の矢視Ｂ−
Ｂ断面及びポテンシャル分布を示す模式図である。Ａ−
Ａ断面では、ｐ型半導体基板ＩＯ上に設けられたｎ型の
転送チャネル３゜が、ｐ＋型素子分離層４０． 、４０
□で両側を挟まれている。Ｂ−Ｂ断面では、これとは異
なりｎ型の転送チャネル３０が、一方を素子分離層４０
゜で他方をフィールドシフトゲート５０の下の読出しチ
ャネルで挟まれている。転送チャネル幅が広い場合は、
転送チャネル３０内のポテンシャルは素子分離層４０の
影響を受は難く、図中実線で示すように略４角のポテン
シャル井戸が形成される。そして、第５図（ａ）（ｂ）
共にポテンシャルの最深部がｖＰｗで等しい。この場合
は、転送電極６０に適当な駆動パルスを印加することに
より、転送効率の良い信号電荷の転送ができる。
しかし、画素を微細化して転送チャネル幅が狭くなると
、転送チャネル３０のポテンシャルが素子分離層４０の
影響を受け、図示するようにポテンシャルの最深部が変
化してくる。これを狭チャネル効果と呼ぶ。また、フィ
ールドシフトゲート５０下の読出しチャネルは、素子分
離層４０に比べて転送チャネル３０のポテンシャルに与
える影響が小さいため、第５図（ａ） （ｂ）のポテン
シャルの最深部がそれぞれＶ ＰＮ＋ Ｖ ＰＮ
となり、ΔＶＰＮの差ができてしまう。
、転送チャネル３０のポテンシャルが素子分離層４０の
影響を受け、図示するようにポテンシャルの最深部が変
化してくる。これを狭チャネル効果と呼ぶ。また、フィ
ールドシフトゲート５０下の読出しチャネルは、素子分
離層４０に比べて転送チャネル３０のポテンシャルに与
える影響が小さいため、第５図（ａ） （ｂ）のポテン
シャルの最深部がそれぞれＶ ＰＮ＋ Ｖ ＰＮ
となり、ΔＶＰＮの差ができてしまう。
第６図は、転送チャネル３０のうち両側が素子分離層４
０で挟まれた領域Ｉと、片側が素子分離層４０．他方が
フィー°ルドシフトゲート５０で挟まれた領域■を示し
ている。転送方向の矢視Ｃ−Ｃ断面を示したのが第７図
（ａ）である。転送電極６０□、６０．に等しい電圧を
印加したときの転送方向に沿ったポテンシャルは第７図
（ｂ）に示すように、領域Ｉで深く領域■で浅い分布と
なる。転送電極６０□に高レベルの電圧、転送電極６０
、に低レベルの電圧を印加し、６０３−６０□の信号電
荷転送を行うと、第７図（ｃ）に示すようにポテンシャ
ル段差ΔＶＰＮの約半分のポテンシャ／Ｌ／／＜リアが
でき、信号電荷の転送にロスが生じる。そして、この信
号電荷のロスはＣＣＤイメージセンサの画質の劣化を招
く。
０で挟まれた領域Ｉと、片側が素子分離層４０．他方が
フィー°ルドシフトゲート５０で挟まれた領域■を示し
ている。転送方向の矢視Ｃ−Ｃ断面を示したのが第７図
（ａ）である。転送電極６０□、６０．に等しい電圧を
印加したときの転送方向に沿ったポテンシャルは第７図
（ｂ）に示すように、領域Ｉで深く領域■で浅い分布と
なる。転送電極６０□に高レベルの電圧、転送電極６０
、に低レベルの電圧を印加し、６０３−６０□の信号電
荷転送を行うと、第７図（ｃ）に示すようにポテンシャ
ル段差ΔＶＰＮの約半分のポテンシャ／Ｌ／／＜リアが
でき、信号電荷の転送にロスが生じる。そして、この信
号電荷のロスはＣＣＤイメージセンサの画質の劣化を招
く。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来、画素を微細化し転送チャネル幅が狭く
なると、素子分離層の影響で転送チャネルにポテンシャ
ルバリアが発生し、これが転送効率を低下させる要因と
なり、ひいては画質の劣化を招く問題があった。
なると、素子分離層の影響で転送チャネルにポテンシャ
ルバリアが発生し、これが転送効率を低下させる要因と
なり、ひいては画質の劣化を招く問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、画素を微細化して転送チャネル幅を
狭くしても、転送チャネルにポテンシャルバリアが発生
するのを防止することができ、転送効率の向上及び画質
の向上をはかり得る固体撮像装置を提供することにある
。
的とするところは、画素を微細化して転送チャネル幅を
狭くしても、転送チャネルにポテンシャルバリアが発生
するのを防止することができ、転送効率の向上及び画質
の向上をはかり得る固体撮像装置を提供することにある
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、狭チャネル効果に起因するポテンシャ
ル段差ΔＶＰＮが隣接する転送電極にそれぞれ低レベル
、高レベルの電圧を印加したときに効果的に相殺される
ように、転送電極の一＋１而パターンを改良したことに
ある。
ル段差ΔＶＰＮが隣接する転送電極にそれぞれ低レベル
、高レベルの電圧を印加したときに効果的に相殺される
ように、転送電極の一＋１而パターンを改良したことに
ある。
即ち本発明は、半導体基板上にマトリックス状に配置さ
れ光電変換により得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイ
オードと、これらの蓄積ダイオードに隣接して縦列状に
複数本配置され該ダイオードに蓄積された信号電荷を垂
直方向に転送する垂直レジスタ部と、これらの垂直レジ
スタ部の端に接続され該レジスタ部を転送された信号電
荷を水平方向に転送する水平レジスタ部と、前記蓄積ダ
イオードと垂直レジスタ部との間に配置され該ダイオー
ドに蓄積された信号電荷を垂直レジスタ部に読出す信号
読出し部とを備えた固体撮像装置において、前記垂直レ
ジスタ部を、前記基板の表面層に形成されたＣＣＤチャ
ネルと、このＣＣＤチャネル上に形成された複数の転送
電極とから構成し、且つ該転送電極の端部の少なくとも
一部を電荷転送方向に対して斜めに配置するようにした
ものである。
れ光電変換により得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイ
オードと、これらの蓄積ダイオードに隣接して縦列状に
複数本配置され該ダイオードに蓄積された信号電荷を垂
直方向に転送する垂直レジスタ部と、これらの垂直レジ
スタ部の端に接続され該レジスタ部を転送された信号電
荷を水平方向に転送する水平レジスタ部と、前記蓄積ダ
イオードと垂直レジスタ部との間に配置され該ダイオー
ドに蓄積された信号電荷を垂直レジスタ部に読出す信号
読出し部とを備えた固体撮像装置において、前記垂直レ
ジスタ部を、前記基板の表面層に形成されたＣＣＤチャ
ネルと、このＣＣＤチャネル上に形成された複数の転送
電極とから構成し、且つ該転送電極の端部の少なくとも
一部を電荷転送方向に対して斜めに配置するようにした
ものである。
（作 用）
前記第７図（ｂ）（ｃ）から判るように、ポテンシャル
バリアが生じる理由は、ポテンシャル段差ΔｖＰＮが発
生している領域ａに比べ転送電極に電圧を印加するため
に生じるポテンシャル差が発生している領域すが狭いか
らである。従って、この領域すを広げることにより、ポ
テンシャルバリアを打消すことが可能とな−る。本発明
によれば、転送電極の端を転送方向に対して傾けている
ので、結果として領域すを広げることになり、ポテンシ
ャルバリアを打消すことができる。
バリアが生じる理由は、ポテンシャル段差ΔｖＰＮが発
生している領域ａに比べ転送電極に電圧を印加するため
に生じるポテンシャル差が発生している領域すが狭いか
らである。従って、この領域すを広げることにより、ポ
テンシャルバリアを打消すことが可能とな−る。本発明
によれば、転送電極の端を転送方向に対して傾けている
ので、結果として領域すを広げることになり、ポテンシ
ャルバリアを打消すことができる。
このため、素子分離層の影響により転送効率が低下する
のを防止することができ、画質の向上をはかることが可
能となる。
のを防止することができ、画質の向上をはかることが可
能となる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の１画
素構成を示す平面図である。図中ＩＯはｐ型半導体基板
であり、この基板ｌＯの表面層にはｎ＋型蓄積ダイオー
ド２０．ｎ型転送チャネ・ル（ＣＣＤチャネル）３０及
びｐ゛型素子分離層４０ （４０＋ 、 ４０□）が形
成されている。また、基板ＩＯ上には信号読出し部とし
て作用するフィールドシフトゲート５０が形成されてい
る。蓄積ダイオード２０はマトリックス状に配置され、
転送チャネル３０は蓄積ダイオード２０に隣接して縦列
状に配置されている。また、素子分離層４０はフィール
ドシフトゲート５０下の読出しチャネルを除いて、蓄積
ゲート２０と転送チャネル３０とを分離するように設け
られている。
素構成を示す平面図である。図中ＩＯはｐ型半導体基板
であり、この基板ｌＯの表面層にはｎ＋型蓄積ダイオー
ド２０．ｎ型転送チャネ・ル（ＣＣＤチャネル）３０及
びｐ゛型素子分離層４０ （４０＋ 、 ４０□）が形
成されている。また、基板ＩＯ上には信号読出し部とし
て作用するフィールドシフトゲート５０が形成されてい
る。蓄積ダイオード２０はマトリックス状に配置され、
転送チャネル３０は蓄積ダイオード２０に隣接して縦列
状に配置されている。また、素子分離層４０はフィール
ドシフトゲート５０下の読出しチャネルを除いて、蓄積
ゲート２０と転送チャネル３０とを分離するように設け
られている。
ここまでの構成は従来装置と同様であり、本装置が従来
装置と異なる点は転送電極７０ （７０＋ 。
装置と異なる点は転送電極７０ （７０＋ 。
７０□、 ７０３ 、７０４ ）の形状にある。即ち、
転送電極７０のうち転送電極７０２ 、７０３は、相互
に隣接する端部が電荷転送方向に対して傾くように形成
されている。つまり、第２図（ｂ）に示す如く、領域ｌ
と領域■との境界近傍における転送電極７Ｌ 、７Ｌの
境界が転送方向に対して斜めとなっており、領域Ｉと領
域■との境界付近において電荷転送方向に対して距離Ｃ
の範囲で転送電極７０□、７０．の境界が存在している
。これにより、転送電極７０□、７０．に電圧を印加し
たときのポテンシャル差の発生する領域ｄは従来のｂよ
りも長（（ｄ−ｃ＋α）なる。
転送電極７０のうち転送電極７０２ 、７０３は、相互
に隣接する端部が電荷転送方向に対して傾くように形成
されている。つまり、第２図（ｂ）に示す如く、領域ｌ
と領域■との境界近傍における転送電極７Ｌ 、７Ｌの
境界が転送方向に対して斜めとなっており、領域Ｉと領
域■との境界付近において電荷転送方向に対して距離Ｃ
の範囲で転送電極７０□、７０．の境界が存在している
。これにより、転送電極７０□、７０．に電圧を印加し
たときのポテンシャル差の発生する領域ｄは従来のｂよ
りも長（（ｄ−ｃ＋α）なる。
なお、図には示さないが、前記基板１０上には蓄積ダイ
オードに接続される画素電極、光電変換に供される光導
電膜及び透明電極等が積層され、これにより積層型の固
体撮像装置が構成されるものとなっている。また、転送
チャネル３゜及び転送電極７０からなる垂直レジ・スタ
部の端には水平レジスタ部が設けられ、垂直レジスタ部
を転送された信号電荷は水平レジスタ部を転送されて出
力されるものとなっている。
オードに接続される画素電極、光電変換に供される光導
電膜及び透明電極等が積層され、これにより積層型の固
体撮像装置が構成されるものとなっている。また、転送
チャネル３゜及び転送電極７０からなる垂直レジ・スタ
部の端には水平レジスタ部が設けられ、垂直レジスタ部
を転送された信号電荷は水平レジスタ部を転送されて出
力されるものとなっている。
このような構成であれば、転送電極７ｏ２゜７０、に同
じ電圧を印加しているときは第２図（ｂ）に示す如く、
従来と同様に素子分離層４゜の影響によるポテンシャル
段差ΔｖＰＮが発生している。転送電極７０２ 、１（
ｈにそれぞれ高レベル、低レベルの電圧を印加した場合
、第２図（Ｃ）に示す如く、ポテンシャルバリアを発生
することなく、同図（ｂ）とは逆のポテンシャル段差を
形成することができる。これは、ポテンシャル段差ΔＶ
ＰＮが発生している領域ａに比べ転送電極７０□、７０
．に電圧を印加するために生じるポテンシャル差が発生
している領域ｄが広いからである。
じ電圧を印加しているときは第２図（ｂ）に示す如く、
従来と同様に素子分離層４゜の影響によるポテンシャル
段差ΔｖＰＮが発生している。転送電極７０２ 、１（
ｈにそれぞれ高レベル、低レベルの電圧を印加した場合
、第２図（Ｃ）に示す如く、ポテンシャルバリアを発生
することなく、同図（ｂ）とは逆のポテンシャル段差を
形成することができる。これは、ポテンシャル段差ΔＶ
ＰＮが発生している領域ａに比べ転送電極７０□、７０
．に電圧を印加するために生じるポテンシャル差が発生
している領域ｄが広いからである。
なお、転送電極７ｏのうちの７０４→７０ｉ 、 ７０
２−７０．の境界では、もともと領域Ｉの方が■よりも
ポテンシャルが浅いので、従来と同じでもポテンシャル
バリアが発生することはない。但し、信号電荷の転送方
向を下方向にした場合は、転送電極７０□、７０．の代
りに、転送電極７ｏ、。
２−７０．の境界では、もともと領域Ｉの方が■よりも
ポテンシャルが浅いので、従来と同じでもポテンシャル
バリアが発生することはない。但し、信号電荷の転送方
向を下方向にした場合は、転送電極７０□、７０．の代
りに、転送電極７ｏ、。
７０、及び転送電極７０□、７０１のそれぞれの境界で
端部を転送方向に対して傾けるようにすればよい。
端部を転送方向に対して傾けるようにすればよい。
かくして本実施例によれば、転送電極７０２゜７０３の
隣接する端部を転送方向に対して斜めに形成することに
より、素子分離層４ｏの影響によるポテンシャルバリア
の発生を防止することができる。従って、画素を微細化
しても転送効率の低下を招くことがなく、このため画質
の向上をはかることが可能となる。また、従来構成を大
幅に変えることなく、転送電極の形状を変えるのみで簡
易に実現し得る等の利点がある。
隣接する端部を転送方向に対して斜めに形成することに
より、素子分離層４ｏの影響によるポテンシャルバリア
の発生を防止することができる。従って、画素を微細化
しても転送効率の低下を招くことがなく、このため画質
の向上をはかることが可能となる。また、従来構成を大
幅に変えることなく、転送電極の形状を変えるのみで簡
易に実現し得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定さ、れるものでは
ない。例えば、転送電極の端部を斜めに形成する代りに
、第３図（ａ）に示す如く、領域Ｉから領域Ｈに向かっ
て斜めの突起を出すようにしてもよい。さらに、その逆
に領域■がら領域Ｉに向かって斜めの突起を出すように
してもよい。また、素子の微細化が進むと転送電極の２
層オーバラップ構造がら単層のオーバラッブ構造のない
構造に移ることが考えられる。この場合も、第３図（ｂ
）に示す如く斜めに配列した電極構造が有効である。
ない。例えば、転送電極の端部を斜めに形成する代りに
、第３図（ａ）に示す如く、領域Ｉから領域Ｈに向かっ
て斜めの突起を出すようにしてもよい。さらに、その逆
に領域■がら領域Ｉに向かって斜めの突起を出すように
してもよい。また、素子の微細化が進むと転送電極の２
層オーバラップ構造がら単層のオーバラッブ構造のない
構造に移ることが考えられる。この場合も、第３図（ｂ
）に示す如く斜めに配列した電極構造が有効である。
また、実施例では第１図に示す構造上に画素電極、光導
電膜及び透明電極等を配置したｕ層型で説明したが、本
発明は通常のＣＣＤ型に適用することも可能である。こ
の場合、蓄積ダイオードは光電変換部を兼ねるものとす
ればよい。
電膜及び透明電極等を配置したｕ層型で説明したが、本
発明は通常のＣＣＤ型に適用することも可能である。こ
の場合、蓄積ダイオードは光電変換部を兼ねるものとす
ればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、転送電極の平面パ
ターンを改良したことにより、狭チャネル効果に起因す
るポテンシャル段差ΔｖＰ９が、隣接する転送電極にそ
れぞれ低レベル、高レベルの電圧を印加したときに効果
的に相殺される。従って、画素を微細化して転送チャネ
ル幅を狭くしても、転送チャネルにポテンシャルバリア
が発生するのを防止することができ、転送効率の向上及
び画質の向上をはかり得る。
ターンを改良したことにより、狭チャネル効果に起因す
るポテンシャル段差ΔｖＰ９が、隣接する転送電極にそ
れぞれ低レベル、高レベルの電圧を印加したときに効果
的に相殺される。従って、画素を微細化して転送チャネ
ル幅を狭くしても、転送チャネルにポテンシャルバリア
が発生するのを防止することができ、転送効率の向上及
び画質の向上をはかり得る。
第１図は本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の１画
素構成を示す平面図、第２図は上記装置の作用を説明す
るための模式図、第３図は本発明の変形例を示す平面図
、第４図乃至第７図は従来の問題点を説明するためのも
ので、第４図は固体撮像装置の１画素構成を示す平面図
、第５図はポテンシャル分布を示す模式図、第６図は領
域１．■の配列を示す平面図、第７図はポテンシャルバ
リア発生原理を示す模式図である。 １０・・・ｐ型半導体基板、２０・・・ｎ＋＋蓄積ダイ
オード、３０・・・転送チャネル（ＣＣＤチャネル）、
４０・・・ｐ＋型型子子分離層５０・・・フィールドシ
フトゲート（信号読出し部）、Ｇｏ、 ７０・・・転送
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 第 ２ 図 第 図
素構成を示す平面図、第２図は上記装置の作用を説明す
るための模式図、第３図は本発明の変形例を示す平面図
、第４図乃至第７図は従来の問題点を説明するためのも
ので、第４図は固体撮像装置の１画素構成を示す平面図
、第５図はポテンシャル分布を示す模式図、第６図は領
域１．■の配列を示す平面図、第７図はポテンシャルバ
リア発生原理を示す模式図である。 １０・・・ｐ型半導体基板、２０・・・ｎ＋＋蓄積ダイ
オード、３０・・・転送チャネル（ＣＣＤチャネル）、
４０・・・ｐ＋型型子子分離層５０・・・フィールドシ
フトゲート（信号読出し部）、Ｇｏ、 ７０・・・転送
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 第 ２ 図 第 図
Claims (4)
- （１）半導体基板上にマトリックス状に配置され光電変
換により得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと
、これらの蓄積ダイオードに隣接して縦列状に複数本配
置され該ダイオードに蓄積された信号電荷を垂直方向に
転送する垂直レジスタ部と、これらの垂直レジスタ部の
端に接続され該レジスタ部を転送された信号電荷を水平
方向に転送する水平レジスタ部と、前記蓄積ダイオード
と垂直レジスタ部との間に配置され該ダイオードに蓄積
された信号電荷を垂直レジスタ部に読出す信号読出し部
とを備えた固体撮像装置において、 前記垂直レジスタ部は、前記基板の表面層に形成された
ＣＣＤチャネルと、このＣＣＤチャネル上に形成された
複数の転送電極とからなり且つ該転送電極の端部の少な
くとも一部は電荷転送方向に対して斜めに配置されてい
ることを特徴とする固体撮像装置。 - （２）半導体基板上にマトリックス状に配置され光電変
換により得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと
、これらの蓄積ダイオードに隣接して縦列状に複数本配
置され該ダイオードに蓄積された信号電荷を垂直方向に
転送する垂直レジスタ部と、これらの垂直レジスタ部の
端に接続され該レジスタ部を転送された信号電荷を水平
方向に転送する水平レジスタ部と、前記蓄積ダイオード
と垂直レジスタ部との間に配置され該ダイオードに蓄積
された信号電荷を垂直レジスタ部に読出す信号読出し部
とを備えた固体撮像装置において、 前記垂直レジスタ部は、前記基板の表面層に形成された
ＣＣＤチャネルと、このＣＣＤチャネル上に形成された
複数の転送電極とからなり、前記ＣＣＤチャネルは、両
側が素子分離層で挟まれた第１の領域と、一方が素子分
離層で他方が信号読出し部で挟まれた第２の領域とから
なり、 前記転送電極は、前記第１及び第２の領域の境界近傍に
おける端部の少なくとも一部が、電荷転送方向に対して
斜めに形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - （３）半導体基板上にマトリックス状に配置され光電変
換により得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと
、これらの蓄積ダイオードに隣接して縦列状に複数本配
置され該ダイオードに蓄積された信号電荷を垂直方向に
転送する垂直レジスタ部と、これらの垂直レジスタ部の
端に接続され該レジスタ部を転送された信号電荷を水平
方向に転送する水平レジスタ部と、前記蓄積ダイオード
と垂直レジスタ部との間に配置され該ダイオードに蓄積
された信号電荷を垂直レジスタ部に読出す信号読出し部
とを備えた固体撮像装置において、 前記垂直レジスタ部は、前記基板の表面層に形成された
ＣＣＤチャネルと、このＣＣＤチャネル上に形成された
複数の転送電極とからなり、前記ＣＣＤチャネルは、両
側が素子分離層で挟まれた第１の領域と、一方が素子分
離層で他方が信号読出し部で挟まれた第２の領域とから
なり、 前記転送電極は、電荷転送方向に向かって ＣＣＤチャネルが第２の領域から第１の領域に変わる境
界近傍における端部の少なくとも一部が、電荷転送方向
に対して斜めに形成されていることを特徴とする固体撮
像装置。 - （４）前記ＣＣＤチャネルは前記基板と逆導電型の不純
物拡散領域であり、前記素子分離層は前記基板と同導電
型の高濃度不純物拡散領域であることを特徴とする請求
項２又は３記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314299A JPH02159063A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314299A JPH02159063A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159063A true JPH02159063A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18051687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63314299A Pending JPH02159063A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613184A1 (en) * | 1993-02-23 | 1994-08-31 | Sony Corporation | CCD type solid state imaging device |
| JP2008288373A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2012081139A1 (ja) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP63314299A patent/JPH02159063A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613184A1 (en) * | 1993-02-23 | 1994-08-31 | Sony Corporation | CCD type solid state imaging device |
| EP0915519A1 (en) * | 1993-02-23 | 1999-05-12 | Sony Corporation | CCD type solid state imaging device |
| US6069374A (en) * | 1993-02-23 | 2000-05-30 | Sony Corporation | CCD type solid state imaging device |
| JP2008288373A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP4724151B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2011-07-13 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2012081139A1 (ja) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
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