JPH0215552A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0215552A JPH0215552A JP63165308A JP16530888A JPH0215552A JP H0215552 A JPH0215552 A JP H0215552A JP 63165308 A JP63165308 A JP 63165308A JP 16530888 A JP16530888 A JP 16530888A JP H0215552 A JPH0215552 A JP H0215552A
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- JP
- Japan
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- wafer
- charge
- around
- rotating disc
- ion injecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するイオン注入装
置に関する。
置に関する。
従来、この種のイオン注入装置（エンドステーション部
分）は、回転ディスク上のウェハにイオンを注入する装
置として知られており、第２図に示すように構成されて
いる。これを同図に基づいて説明すると、同図において
、符号１で示すものは回転ディスク２上に着脱自在に設
けられたウェハ、３はこのウェハｌに対して照射される
イオンビーム、４はこのイオンビーム３の側方に設けら
れ熱電子５を発生させる熱電子源、６はこの熱電子源４
から発生する熱電子５の反射によって２次電子７を発生
させる反射板である。
分）は、回転ディスク上のウェハにイオンを注入する装
置として知られており、第２図に示すように構成されて
いる。これを同図に基づいて説明すると、同図において
、符号１で示すものは回転ディスク２上に着脱自在に設
けられたウェハ、３はこのウェハｌに対して照射される
イオンビーム、４はこのイオンビーム３の側方に設けら
れ熱電子５を発生させる熱電子源、６はこの熱電子源４
から発生する熱電子５の反射によって２次電子７を発生
させる反射板である。
このように構成されたイオン注入装置においては、反射
板６から発生する２次電子７によってウェハ１でのチャ
ージアップの中和が行われる。
板６から発生する２次電子７によってウェハ１でのチャ
ージアップの中和が行われる。
ところが、この種のイオン注入装置においては、熱電子
源４から単に熱電子５を発生させるものであるため、２
次電子７の発生量を制御することができなかった。この
結果、チャージアンプの中和を確実に行うことかできず
、チャージアップによるウェハ上での静電破壊を防止す
ることができないという問題があった。
源４から単に熱電子５を発生させるものであるため、２
次電子７の発生量を制御することができなかった。この
結果、チャージアンプの中和を確実に行うことかできず
、チャージアップによるウェハ上での静電破壊を防止す
ることができないという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、チャ
ージアップの中和を確実に行うことができ、もってチャ
ージアップによるウェハ上での静電破壊を防止すること
ができるイオン注入装置を提供するものである。
ージアップの中和を確実に行うことができ、もってチャ
ージアップによるウェハ上での静電破壊を防止すること
ができるイオン注入装置を提供するものである。
本発明に係るイオン注入装置は、回転ディスク上のウェ
ハ前方にイオン注入面の周囲にウェハおよび回転ディス
クの表面電子を励起させる電（ｎ波発生装置を設けたも
のである。
ハ前方にイオン注入面の周囲にウェハおよび回転ディス
クの表面電子を励起させる電（ｎ波発生装置を設けたも
のである。
本発明においては、イオン注入面の周囲に励起したウェ
ハおよび回転ディスクの表面電子がチャージアップ電位
によって引き込まれる。
ハおよび回転ディスクの表面電子がチャージアップ電位
によって引き込まれる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係るイオン注入装置を示す図で、同図
において第２図と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１お
よび１２で示すものは電磁波発生装置としてのアークラ
ンプで、前記イオンビーム３の両側に位置し前記ウェハ
ｌの前方に設けられている。これら両アークランプ１１
．１２は、イオン注入面Ａの周囲にウェハ１および回転
ディスク２の表面電子を励起させるように構成されてい
る。
において第２図と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１お
よび１２で示すものは電磁波発生装置としてのアークラ
ンプで、前記イオンビーム３の両側に位置し前記ウェハ
ｌの前方に設けられている。これら両アークランプ１１
．１２は、イオン注入面Ａの周囲にウェハ１および回転
ディスク２の表面電子を励起させるように構成されてい
る。
１３および１４は前記アークランプ１１の光（電磁波）
を集束してイオン注入面Ａの周囲に照射する反射鏡であ
る。なお、図中符号Ｂは電磁波である。
を集束してイオン注入面Ａの周囲に照射する反射鏡であ
る。なお、図中符号Ｂは電磁波である。
このように構成されたイオン注入装置においては、回転
ディスク２上のウェハ１にイオンビーム３が注入され、
ウェハ１のイオン注入面Ａがチャージアップを起こして
も、イオン注入面Ａの周囲にアークランプ１１．１２か
らの光（電磁波Ｂ）で励起したウェハ１および回転ディ
スク２の表面電子がチャージアンプ電位によって引き込
まれるから、ウェハｌの表面で生じるチャージアンプの
中和が確実に行われる。
ディスク２上のウェハ１にイオンビーム３が注入され、
ウェハ１のイオン注入面Ａがチャージアップを起こして
も、イオン注入面Ａの周囲にアークランプ１１．１２か
らの光（電磁波Ｂ）で励起したウェハ１および回転ディ
スク２の表面電子がチャージアンプ電位によって引き込
まれるから、ウェハｌの表面で生じるチャージアンプの
中和が確実に行われる。
なお、本実施例においては、アークランプ１１゜１２か
ら発生する光を集束する光学的手段として反射鏡１３．
１４を用いる例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、他の光学機器を組み合わせて用いても何
等差し支えない。
ら発生する光を集束する光学的手段として反射鏡１３．
１４を用いる例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、他の光学機器を組み合わせて用いても何
等差し支えない。
また、本実施例においては、電磁波発生装置としてアー
クランプ１１．１２である場合を示したが、本発明は例
えばハロゲンランプやエキシマレーザを用いてもよく、
その種類は適宜変更することが自由である。
クランプ１１．１２である場合を示したが、本発明は例
えばハロゲンランプやエキシマレーザを用いてもよく、
その種類は適宜変更することが自由である。
さらに、本実施例においては、ウェハ１および回転ディ
スク２の表面電子を励起させるために光を用いたが、本
発明はこれに限定されず、ウィイクロウエーブを用いる
こともできる。
スク２の表面電子を励起させるために光を用いたが、本
発明はこれに限定されず、ウィイクロウエーブを用いる
こともできる。
以上説明したように本発明によれば、回転ディスク上の
ウェハ前方にイオン注入面の周囲にウェハおよび回転デ
ィスクの表面電子を励起させる電磁波発生装置を設けた
ので、イオン注入時にイオン注入面の周囲に励起したウ
ェハおよび回転ディスクの表面電子がチャージアップ電
位によって引き込まれる。したがって、チャージアップ
の中和を確実に行うことができるから、チャージアップ
によるウェハ上での静電破壊を防止することができる。
ウェハ前方にイオン注入面の周囲にウェハおよび回転デ
ィスクの表面電子を励起させる電磁波発生装置を設けた
ので、イオン注入時にイオン注入面の周囲に励起したウ
ェハおよび回転ディスクの表面電子がチャージアップ電
位によって引き込まれる。したがって、チャージアップ
の中和を確実に行うことができるから、チャージアップ
によるウェハ上での静電破壊を防止することができる。
第１図は本発明に係るイオン注入装置を示す図、第２図
は従来のイオン注入装置を示す図である。 １・・・・ウェハ、２・・・・回転ディスク、１１．１
２ ・・・・アークランプ、Ａ・・・・イオン注入面
、Ｂ・・・・電磁波。
は従来のイオン注入装置を示す図である。 １・・・・ウェハ、２・・・・回転ディスク、１１．１
２ ・・・・アークランプ、Ａ・・・・イオン注入面
、Ｂ・・・・電磁波。
Claims (1)
- 回転ディスク上のウェハにイオンを注入するイオン注入
装置において、前記ウェハの前方にイオン注入面の周囲
にウェハおよび回転ディスクの表面電子を励起させる電
磁波発生装置を設けたことを特徴とするイオン注入装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165308A JPH0215552A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165308A JPH0215552A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215552A true JPH0215552A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15809869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63165308A Pending JPH0215552A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507029B1 (en) | 1998-03-25 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Sample processing apparatus and method for removing charge on sample through light irradiation |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63165308A patent/JPH0215552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507029B1 (en) | 1998-03-25 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Sample processing apparatus and method for removing charge on sample through light irradiation |
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