JPH02151092A - 集積型半導体レーザ装置 - Google Patents
集積型半導体レーザ装置Info
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- JPH02151092A JPH02151092A JP30527388A JP30527388A JPH02151092A JP H02151092 A JPH02151092 A JP H02151092A JP 30527388 A JP30527388 A JP 30527388A JP 30527388 A JP30527388 A JP 30527388A JP H02151092 A JPH02151092 A JP H02151092A
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- JP
- Japan
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- laser
- type
- laser device
- inp
- semiinsulative
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、集積型半導体レーザ装置に関し、特に素子
間干渉による異状発振モードが無く、高い効率で多重発
光できる集積型半導体レーザ装置に関するものである。
間干渉による異状発振モードが無く、高い効率で多重発
光できる集積型半導体レーザ装置に関するものである。
第3図は例えば、K、岸野らがI EEE ジャーナ
ル オブ クオンタム エレクトロニクス(■EEB
Journal of Quantum f!1ect
ronics、 vol、 QB−16、No2 p、
160(1980))に示している半導体レーザ装置を
示す図であり、第2図はこのレーザ装置を単純に同一基
板上にアレイ化した集積型半導体レーザ装置を示す図で
ある。これら図において、1はP型電極、2は表面保護
膜、33はP型1nGaAsPコンタクト層、3はP型
InPクラフト層、5はアンドープInGaAsP活性
領域、6はn型1nPクラッド層、7はn型1nP基板
、8はn型電掻である。
ル オブ クオンタム エレクトロニクス(■EEB
Journal of Quantum f!1ect
ronics、 vol、 QB−16、No2 p、
160(1980))に示している半導体レーザ装置を
示す図であり、第2図はこのレーザ装置を単純に同一基
板上にアレイ化した集積型半導体レーザ装置を示す図で
ある。これら図において、1はP型電極、2は表面保護
膜、33はP型1nGaAsPコンタクト層、3はP型
InPクラフト層、5はアンドープInGaAsP活性
領域、6はn型1nPクラッド層、7はn型1nP基板
、8はn型電掻である。
次に動作について説明する。
この構造の半導体レーザ装置に於いて、電流はP電極1
より注入されP型I nGaAsPコンタクト層33、
P型1nP層3を流れ、Ir1GjlAsP活性領域5
でレーザ発振する。このレーザ発振は隣接するすべての
活性領域で起こる。
より注入されP型I nGaAsPコンタクト層33、
P型1nP層3を流れ、Ir1GjlAsP活性領域5
でレーザ発振する。このレーザ発振は隣接するすべての
活性領域で起こる。
従来の集積型半導体レーザ装置は以上のように構成され
ているので、注入された電流は1個のレーザ素子を発振
させるだけではな(P型1nPIi3を通りすべての活
性層に流れ込んでしまう、このため、各レーザ間で干渉
を起し、発振モードが不安定で低しきい値電流、高い効
率が得られないといった問題点があった。
ているので、注入された電流は1個のレーザ素子を発振
させるだけではな(P型1nPIi3を通りすべての活
性層に流れ込んでしまう、このため、各レーザ間で干渉
を起し、発振モードが不安定で低しきい値電流、高い効
率が得られないといった問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するため一ザ装置
を得ることを目的とする。
を得ることを目的とする。
−ザ素子間にMOCVD法により埋め込み形成した、F
eがドーピングされた半絶縁性のInP電流ブロック層
を設けたものである。
eがドーピングされた半絶縁性のInP電流ブロック層
を設けたものである。
この発明においては、FeをドーピングしたInPによ
り成る電流ブロック層を各レーザ素子間にMOCVD法
により埋め込み形成したから、各レーザ素子の各々の電
極より注入された電流がとなりのレーザ素子に流れ込む
ことはなく、各素子間の電気的干渉を抑制でき、異常発
振等のモード不安定性がなくなり、高効率および発振電
流の低減化が実現できる。
り成る電流ブロック層を各レーザ素子間にMOCVD法
により埋め込み形成したから、各レーザ素子の各々の電
極より注入された電流がとなりのレーザ素子に流れ込む
ことはなく、各素子間の電気的干渉を抑制でき、異常発
振等のモード不安定性がなくなり、高効率および発振電
流の低減化が実現できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による集積型半導体レーザ装
置を示す断面図であり、図において、1は例えばAu/
Zn等のP型電極、2は例えばS10、等の表面保護膜
、3はP型InPクラッド層、4は半絶縁性1nP電流
ブロツク層、5はアンドープInGaAsP活性層域、
6はn型InPクラッド層、7はn型1nP基板、8は
例えばA u / S n等のn型電極である。
置を示す断面図であり、図において、1は例えばAu/
Zn等のP型電極、2は例えばS10、等の表面保護膜
、3はP型InPクラッド層、4は半絶縁性1nP電流
ブロツク層、5はアンドープInGaAsP活性層域、
6はn型InPクラッド層、7はn型1nP基板、8は
例えばA u / S n等のn型電極である。
次に製造方法について説明する。
まず、n型InP基板7上にマスクを形成し穴あけをし
た後、例えばMCl−H,O(4: 1)等のエツチン
グ液で溝を掘り、第4図(alに示すようにメサ形状を
持つ基板を作製する。この後、該基板上に液相エピタキ
シャル成長(L P E)法により第4図(b)に示す
ようにn型InPクラッド層6、アンドープInGaA
sP活性層5を成長させる0次に、第4図(C)に示す
ようにメサ上段の!nGaAsP活性層部分のみをst
ow等の絶縁膜9でマスクし、引き続き有機金属気相成
長(MOCVD)法により第4図(d)に示すようにメ
サ底部を埋め込むようにFeをドープしたInPn連層
形成する。このInPn連層後に電流ブロック層として
作用する。この後、第4図(e)に示すようにメサ上部
にあるSin、マスク9を除去し、!nP層4の頂上部
をSiO!等の絶縁膜10でマスクし、再びMOCVD
法により第4図(f)に示すように活性領域5を埋め込
むようにP型1nPJi3を形成する。最後に、3上に
A u / Z n等のn型電極1とS 五〇 z等の
表面保護膜2とInP基板7の裏面にA u / S
n等でn型電極を付着させて第1図に示す本装置が完成
する。
た後、例えばMCl−H,O(4: 1)等のエツチン
グ液で溝を掘り、第4図(alに示すようにメサ形状を
持つ基板を作製する。この後、該基板上に液相エピタキ
シャル成長(L P E)法により第4図(b)に示す
ようにn型InPクラッド層6、アンドープInGaA
sP活性層5を成長させる0次に、第4図(C)に示す
ようにメサ上段の!nGaAsP活性層部分のみをst
ow等の絶縁膜9でマスクし、引き続き有機金属気相成
長(MOCVD)法により第4図(d)に示すようにメ
サ底部を埋め込むようにFeをドープしたInPn連層
形成する。このInPn連層後に電流ブロック層として
作用する。この後、第4図(e)に示すようにメサ上部
にあるSin、マスク9を除去し、!nP層4の頂上部
をSiO!等の絶縁膜10でマスクし、再びMOCVD
法により第4図(f)に示すように活性領域5を埋め込
むようにP型1nPJi3を形成する。最後に、3上に
A u / Z n等のn型電極1とS 五〇 z等の
表面保護膜2とInP基板7の裏面にA u / S
n等でn型電極を付着させて第1図に示す本装置が完成
する。
次に動作について説明する。
各レーザ素子のn型電極1より注入された電流はその直
下のP型1nPクラフト13を通り、活性領域5でレー
ザ発振を起こす、この現象は基板上に形成されたすべて
のレーザ素子で起こる。しかし、各素子間はFeのドー
プされた半絶縁性のInPn連層電気的に分離されてい
る為、n型電極1より注入された電流が隣りの活性領域
に流れ込み、互いの干渉によって異常な発振モードが発
生することはなくなる。
下のP型1nPクラフト13を通り、活性領域5でレー
ザ発振を起こす、この現象は基板上に形成されたすべて
のレーザ素子で起こる。しかし、各素子間はFeのドー
プされた半絶縁性のInPn連層電気的に分離されてい
る為、n型電極1より注入された電流が隣りの活性領域
に流れ込み、互いの干渉によって異常な発振モードが発
生することはなくなる。
また本実施例では各レーザ素子を独立に駆動することが
できるため、1個の集積レーザ装置で多数本の光フアイ
バー中に光信号をそれぞれ独立に送り込むことができ装
−の小型化に大きな効果を奏する。
できるため、1個の集積レーザ装置で多数本の光フアイ
バー中に光信号をそれぞれ独立に送り込むことができ装
−の小型化に大きな効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、同一基板上に、これ
に設けられた複数のメサの該各々のメサ上に各々の活性
領域を有するレーザ素子が集積された集積型半導体レー
ザ装置において、各レーザ素子間にMOCVD法により
埋め込み形成した半絶縁性の電流ブロック層を設けた構
成としたから、素子間の干渉がなくなり異常な発振モー
ドが発生せず、高い効率の集積レーザ装置が得られる効
果がある。また、集積された各レーザ素子の各々は独立
して駆動可能となり、多重線路用の光源として非常にコ
ンパクトなものが得られる効果がある。
に設けられた複数のメサの該各々のメサ上に各々の活性
領域を有するレーザ素子が集積された集積型半導体レー
ザ装置において、各レーザ素子間にMOCVD法により
埋め込み形成した半絶縁性の電流ブロック層を設けた構
成としたから、素子間の干渉がなくなり異常な発振モー
ドが発生せず、高い効率の集積レーザ装置が得られる効
果がある。また、集積された各レーザ素子の各々は独立
して駆動可能となり、多重線路用の光源として非常にコ
ンパクトなものが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による集積型半導体レーザ
装置を示す横断面図、第2図は従来の集積型半導体レー
ザ装置を示す横断面図、第3図は第2図に示す装置のも
ととなる単体の半導体レーザ装置の横断面図、第4図は
第1図の実施例装置の製造工程を示す図である。 1・・・P型電極、2・・・表面保護膜、3・・・P型
InPクラッド層、4・・・半絶縁性1nP電流ブロツ
ク層、5・・・アンドープInGaAsP活性領域、6
はn型InPクラフト層、7・・・n型InP基板、8
・・・n型電極、33・・・P型I nGaAs Pコ
ンタクト層。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置を示す横断面図、第2図は従来の集積型半導体レー
ザ装置を示す横断面図、第3図は第2図に示す装置のも
ととなる単体の半導体レーザ装置の横断面図、第4図は
第1図の実施例装置の製造工程を示す図である。 1・・・P型電極、2・・・表面保護膜、3・・・P型
InPクラッド層、4・・・半絶縁性1nP電流ブロツ
ク層、5・・・アンドープInGaAsP活性領域、6
はn型InPクラフト層、7・・・n型InP基板、8
・・・n型電極、33・・・P型I nGaAs Pコ
ンタクト層。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)共振器方向に形成された複数のメサを有する半導
体基板と、 上記複数のメサ頂上部に順次形成された第1クラッド層
及び活性領域と、 上記活性領域上にMOCVD法により形成された第2ク
ラッド層と、 上記複数のメサ間にMOCVD法により形成された半絶
縁性の素子分離層とを備えたことを特徴とする集積型半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30527388A JPH02151092A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 集積型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30527388A JPH02151092A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 集積型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02151092A true JPH02151092A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17943116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30527388A Pending JPH02151092A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 集積型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02151092A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077753A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30527388A patent/JPH02151092A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077753A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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