JPH02143583A - メモリモジュール - Google Patents
メモリモジュールInfo
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- JPH02143583A JPH02143583A JP63298609A JP29860988A JPH02143583A JP H02143583 A JPH02143583 A JP H02143583A JP 63298609 A JP63298609 A JP 63298609A JP 29860988 A JP29860988 A JP 29860988A JP H02143583 A JPH02143583 A JP H02143583A
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- Japan
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の半導体メモリ素子を一枚のプリント配
ｖＡ板の片側の表面にのみ搭載することによって成るメ
モリモジュールにおいて、特に多層構造のプリント配線
板を用いるものに関するものである。
ｖＡ板の片側の表面にのみ搭載することによって成るメ
モリモジュールにおいて、特に多層構造のプリント配線
板を用いるものに関するものである。
メモリモジュールは、主プリント配線板（マザーボード
）上の限られた空間内にできるだけ多くの部品を搭載す
る実装方式、すなわち高田度実装を実現するために開発
されたもので、−枚の小形プリント配線板（ドータボー
ド）上に複数個の半導体メモリが実装されて成るメモリ
ボードの一種である。メモリモジュールはマザーボード
に用意されたソケットに挿入することによって実装する
方式や、マザーボード上のスルーホールに直接はんだ実
装する方式などがある。いずれの実装方式においてもメ
モリモジュールに反りやゆがみといった寸法誤差があっ
てはスムーズな実装が望めないため、できるだけ高精度
な仕上がりであることが求められる。
）上の限られた空間内にできるだけ多くの部品を搭載す
る実装方式、すなわち高田度実装を実現するために開発
されたもので、−枚の小形プリント配線板（ドータボー
ド）上に複数個の半導体メモリが実装されて成るメモリ
ボードの一種である。メモリモジュールはマザーボード
に用意されたソケットに挿入することによって実装する
方式や、マザーボード上のスルーホールに直接はんだ実
装する方式などがある。いずれの実装方式においてもメ
モリモジュールに反りやゆがみといった寸法誤差があっ
てはスムーズな実装が望めないため、できるだけ高精度
な仕上がりであることが求められる。
従来のメモリモジュールは例えばＳｅｍ１ｃｏｎ Ｎｅ
ｗｓトリプルＡ（三菱電機側発行、！１ｈ１９．１９８
８年３月号）Ｐ６〜７に記載のような仕様のものがあり
、複数の半導体メモリ素子を一枚のプリント配線板の表
裏両面に搭載する両面実装と、プリント配線板の片側の
表面にのみ搭載する片面実装の２種類があるが、このう
ち片面実装のメモリモジュールは第４図に示すような断
面構造をしている０図において、１は半導体メモリ、２
は半導体メモリ１とプリント配線板を接続するためのは
んだ、５はガラス布基材エポキシ樹脂層（以下ガラスエ
ポキシ層と称する）、６ａはプリント配線板表面の信号
層、６ｂは裏面の信号層、６Ｃは信号層、６ｄは電源層
、６ｅはアース層、６ｆは信号層、７は銅めっきスルー
ホール、１０は以上を集めてなる多層プリント配線板で
ある。
ｗｓトリプルＡ（三菱電機側発行、！１ｈ１９．１９８
８年３月号）Ｐ６〜７に記載のような仕様のものがあり
、複数の半導体メモリ素子を一枚のプリント配線板の表
裏両面に搭載する両面実装と、プリント配線板の片側の
表面にのみ搭載する片面実装の２種類があるが、このう
ち片面実装のメモリモジュールは第４図に示すような断
面構造をしている０図において、１は半導体メモリ、２
は半導体メモリ１とプリント配線板を接続するためのは
んだ、５はガラス布基材エポキシ樹脂層（以下ガラスエ
ポキシ層と称する）、６ａはプリント配線板表面の信号
層、６ｂは裏面の信号層、６Ｃは信号層、６ｄは電源層
、６ｅはアース層、６ｆは信号層、７は銅めっきスルー
ホール、１０は以上を集めてなる多層プリント配線板で
ある。
このようなメモリモジュールは例えばプリント回路技術
便覧（社団法人日本プリント回路工業金線、日刊工業新
聞社刊、昭和６２年２月発行）Ｐ２Ｓ５に記載のように
、第５図ｆａ）〜（ｅ）のような工程を経て製造される
。第５図Ｔａ）は半導体メモリを搭載する多層プリント
配線板１１、第５図（ｂ）はスクリーン印刷法によって
ソルダクリーム１２が多層プリント配線板１１に印刷さ
れた状態、第５図（Ｃ）は表面実装タイプの半導体メモ
リ１を装着した状態、第５図（ｄ）は気相はんだ付は装
置１５によるはんだリフロー工程で、２ａは溶融したは
んだを示す。
便覧（社団法人日本プリント回路工業金線、日刊工業新
聞社刊、昭和６２年２月発行）Ｐ２Ｓ５に記載のように
、第５図ｆａ）〜（ｅ）のような工程を経て製造される
。第５図Ｔａ）は半導体メモリを搭載する多層プリント
配線板１１、第５図（ｂ）はスクリーン印刷法によって
ソルダクリーム１２が多層プリント配線板１１に印刷さ
れた状態、第５図（Ｃ）は表面実装タイプの半導体メモ
リ１を装着した状態、第５図（ｄ）は気相はんだ付は装
置１５によるはんだリフロー工程で、２ａは溶融したは
んだを示す。
また、第５図（ｅ）は完成したメモリモジュール２０で
２ｂは凝固したはんだである。
２ｂは凝固したはんだである。
従来のメモリモジュールは以上のような製造工程を経て
製作されており、半導体メモリ１を搭載するプリント配
線板１１は第４図に示したようにその断面の内層回路が
ほぼ対称構造であるため、第５図（ｄ＋のはんだリフロ
ー工程において熱によりプリント配線板１１が膨張した
状態ではんだ１２が溶融し、その後の冷却工程において
プリント配線板１１が十分収縮していない温度（通常は
１８０℃以上）ではんだが凝固すると、半導体メモリを
搭載した側の収縮が凝固したはんだ２ｂと半導体メモリ
１によるくさび効果によって機械的に阻止される結果、
室温まで冷却した状態では第２図（ｅｌに示すように、
メモリモジュール２０に反りが生じ、メモリモジュール
２０をマザーボードに実装する場合に装着が困難になる
という欠点があった。このような欠点は、メモリモジュ
ール２０に搭載する半導体メモリ１が大容量化するに伴
って大形化し、同時にプリント配線板１１の面積が増大
する傾向にあってますます顕著化してくる。
製作されており、半導体メモリ１を搭載するプリント配
線板１１は第４図に示したようにその断面の内層回路が
ほぼ対称構造であるため、第５図（ｄ＋のはんだリフロ
ー工程において熱によりプリント配線板１１が膨張した
状態ではんだ１２が溶融し、その後の冷却工程において
プリント配線板１１が十分収縮していない温度（通常は
１８０℃以上）ではんだが凝固すると、半導体メモリを
搭載した側の収縮が凝固したはんだ２ｂと半導体メモリ
１によるくさび効果によって機械的に阻止される結果、
室温まで冷却した状態では第２図（ｅｌに示すように、
メモリモジュール２０に反りが生じ、メモリモジュール
２０をマザーボードに実装する場合に装着が困難になる
という欠点があった。このような欠点は、メモリモジュ
ール２０に搭載する半導体メモリ１が大容量化するに伴
って大形化し、同時にプリント配線板１１の面積が増大
する傾向にあってますます顕著化してくる。
この発明はこのような従来のメモリモジュールの構造上
の欠点を除去するために成されたもので、従来の製造プ
ロセスを変更することなしに完成時に反りが生じない、
高精度なメモリモジュールを提供することを目的とする
。
の欠点を除去するために成されたもので、従来の製造プ
ロセスを変更することなしに完成時に反りが生じない、
高精度なメモリモジュールを提供することを目的とする
。
この発明に係るメモリモジュールは、多層プリント配線
板の内層回路の断面構造を、上記半導体メモリ素子を実
装した側が高密度になるよう上下方向に非対称にしたも
のである。
板の内層回路の断面構造を、上記半導体メモリ素子を実
装した側が高密度になるよう上下方向に非対称にしたも
のである。
本発明においては、メモリモジュール用多層プリント配
線板の内層板の断面構造を、半導体メモリが実装された
側が高密度になるような上下方向に非対称な構造とした
ので、はんだリフロー工程で従来の冷却工程で生じてい
た凸型の反りと逆方向の凹型の反りが生じるようになり
、その後の冷却工程において発生する反りを相殺でき、
完成時点における反りやゆがみを抑えることができる。
線板の内層板の断面構造を、半導体メモリが実装された
側が高密度になるような上下方向に非対称な構造とした
ので、はんだリフロー工程で従来の冷却工程で生じてい
た凸型の反りと逆方向の凹型の反りが生じるようになり
、その後の冷却工程において発生する反りを相殺でき、
完成時点における反りやゆがみを抑えることができる。
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるメモリモジュールの
断面構造を示す図であり、特に、プリント配線板の要部
を６層配線板を例として示したものである。また、第２
図（ａｌ〜（ｅｌは第１図のメモリモジュールの製造方
法を示す図である０両図において、ｌは半導体メモリ、
２ははんだ、２ａは溶融したはんだ、２ｂは凝固したは
んだ、５はガラスエポキシ層、６ａはプリント配線板表
面の信号層、６ｂは裏面の信号層、６ｃは信号層、６ｄ
は電源層、６ｅはアース層、６ｆは信号層、７は銅めっ
きスルーホール、１０は以上を集めて成る多層プリント
配線板、１２はソルダクリーム、１５は気相はんだ付は
装置、２０はメモリモジュールである。このような構造
において、電源層６ｄは例えば厚さ７０μｍの電解銅箔
を用いた厚い層で、それ以外の１ｉ６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｅ、６ｆは例えば厚さ３５μｍの電解ｆ１箔を用いた
層である。
断面構造を示す図であり、特に、プリント配線板の要部
を６層配線板を例として示したものである。また、第２
図（ａｌ〜（ｅｌは第１図のメモリモジュールの製造方
法を示す図である０両図において、ｌは半導体メモリ、
２ははんだ、２ａは溶融したはんだ、２ｂは凝固したは
んだ、５はガラスエポキシ層、６ａはプリント配線板表
面の信号層、６ｂは裏面の信号層、６ｃは信号層、６ｄ
は電源層、６ｅはアース層、６ｆは信号層、７は銅めっ
きスルーホール、１０は以上を集めて成る多層プリント
配線板、１２はソルダクリーム、１５は気相はんだ付は
装置、２０はメモリモジュールである。このような構造
において、電源層６ｄは例えば厚さ７０μｍの電解銅箔
を用いた厚い層で、それ以外の１ｉ６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｅ、６ｆは例えば厚さ３５μｍの電解ｆ１箔を用いた
層である。
本発明によるプリント配線板１１は内層板の中では面積
が大きい電源層６ｄに、厚い電解銅箔を使用し、半導体
メモリ１搭載側の表面近くに配置することによって、プ
リント配線板１１を非対称の断面構造としたもので、そ
の結果、次に述べるような効果を得ることができる。つ
まり本実施例では従来の第５図に示した工程のうち、特
に（ｄ）及びｔｅｌの工程が第２図に示した（ｄ）、及
び（ｅ）のような工程になる。すなわち第２図ｆａ）〜
（ｅ）に示したはんだリフロー工程において、熱により
プリント配線板が膨張した状態ではプリント配線板１１
のガラスエポキシ積層板５と内層板の非対称性に基づく
線膨張係数の違いによる反りが生じたままはんだが溶融
するため、その後の冷却工程において、はんだが凝固す
ることによる半導体メモリ搭載側のプリント配線板の収
縮が阻止されても、室温まで冷却した状態では第２図（
ｉｌｌ）に示した様に、メモリモジュール全体としての
反りが相殺されることとなり、平坦なメモリモジュール
を提供することができる。
が大きい電源層６ｄに、厚い電解銅箔を使用し、半導体
メモリ１搭載側の表面近くに配置することによって、プ
リント配線板１１を非対称の断面構造としたもので、そ
の結果、次に述べるような効果を得ることができる。つ
まり本実施例では従来の第５図に示した工程のうち、特
に（ｄ）及びｔｅｌの工程が第２図に示した（ｄ）、及
び（ｅ）のような工程になる。すなわち第２図ｆａ）〜
（ｅ）に示したはんだリフロー工程において、熱により
プリント配線板が膨張した状態ではプリント配線板１１
のガラスエポキシ積層板５と内層板の非対称性に基づく
線膨張係数の違いによる反りが生じたままはんだが溶融
するため、その後の冷却工程において、はんだが凝固す
ることによる半導体メモリ搭載側のプリント配線板の収
縮が阻止されても、室温まで冷却した状態では第２図（
ｉｌｌ）に示した様に、メモリモジュール全体としての
反りが相殺されることとなり、平坦なメモリモジュール
を提供することができる。
なお、上記実施例では内層板のうち電源Ｎ６ｄを厚くし
た例を示したが、内層板の中ではｔＢ層６ｄ同様、面積
の大きいアースＪｉ６ｅを厚くしてもよい。ただしこの
場合は電源層６ｄとアース層６ｅの位置を上記実施例と
は逆にする必要がある。
た例を示したが、内層板の中ではｔＢ層６ｄ同様、面積
の大きいアースＪｉ６ｅを厚くしてもよい。ただしこの
場合は電源層６ｄとアース層６ｅの位置を上記実施例と
は逆にする必要がある。
また上記実施例では内層板に厚い銅箔を用いた例を示し
たが、特に厚い内層板を用いなくても電源層６ｄとアー
スＮ６ｅの双方を本発明の他の実施例の第３図に示すよ
うな断面構造に配置するようにしてもよく、また、さら
には電源層６ｄとアースｊ！ｉ ６ ｅの双方に厚い銅
箔を使用したうえで第３図に示すような断面構造になる
ように配置してもよく、いずれの場合においても上記実
施例と同様な効果を奏する。
たが、特に厚い内層板を用いなくても電源層６ｄとアー
スＮ６ｅの双方を本発明の他の実施例の第３図に示すよ
うな断面構造に配置するようにしてもよく、また、さら
には電源層６ｄとアースｊ！ｉ ６ ｅの双方に厚い銅
箔を使用したうえで第３図に示すような断面構造になる
ように配置してもよく、いずれの場合においても上記実
施例と同様な効果を奏する。
以上のように本発明においては、多層プリント配線板の
内層回路の断面構造を、上下方向に非対称とし、半導体
メモリ素子を実装した上方側が高密度になるようにした
ので、はんだリフロー時に凹型の反りが生じることとな
り、従来に問題となっていた冷却時に生じる凸型の反り
に伴う寸法変化を相殺することができる。従って、反り
の無い平坦な高精度のメモリモジュールを得ることがで
き、さらにはメモリモジュールを実装する際ノ歩留りを
向上できる効果がある。
内層回路の断面構造を、上下方向に非対称とし、半導体
メモリ素子を実装した上方側が高密度になるようにした
ので、はんだリフロー時に凹型の反りが生じることとな
り、従来に問題となっていた冷却時に生じる凸型の反り
に伴う寸法変化を相殺することができる。従って、反り
の無い平坦な高精度のメモリモジュールを得ることがで
き、さらにはメモリモジュールを実装する際ノ歩留りを
向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるメモリモジュールの断
面構造を示す図、第２図（ａ）〜（ｉｌｌ１は第１図の
メモリモジュールの製造工程を示す図、第３図は本発明
の他の実施例によるメモリモジュールの断面構造を示す
図、第４図は従来のメモリモジュールの断面構造を示す
図、第５図（ａ）〜（ｅｌは第４図のメモリモジュール
の製造工程を示す図である。 図において、１は半導体メモリ、２ははんだ、２ａは溶
融したはんだ、２ｂは凝固したはんだ、５はガラスエポ
キシ層、６ａはプリント配線板表面の信号層、６ｂは裏
面の信号層、６ｃは信号層、６ｄは電源層、６ｅはアー
ス層、６ｆは信号層、７は銅めっきスルーホール、１０
は多層プリント配線板、１２はソルダクリーム、１５は
気相はんだ付は装置、２０はメモリモジュールである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面構造を示す図、第２図（ａ）〜（ｉｌｌ１は第１図の
メモリモジュールの製造工程を示す図、第３図は本発明
の他の実施例によるメモリモジュールの断面構造を示す
図、第４図は従来のメモリモジュールの断面構造を示す
図、第５図（ａ）〜（ｅｌは第４図のメモリモジュール
の製造工程を示す図である。 図において、１は半導体メモリ、２ははんだ、２ａは溶
融したはんだ、２ｂは凝固したはんだ、５はガラスエポ
キシ層、６ａはプリント配線板表面の信号層、６ｂは裏
面の信号層、６ｃは信号層、６ｄは電源層、６ｅはアー
ス層、６ｆは信号層、７は銅めっきスルーホール、１０
は多層プリント配線板、１２はソルダクリーム、１５は
気相はんだ付は装置、２０はメモリモジュールである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数の半導体メモリ素子を多層プリント配線板の
片側の表面にのみ実装してなるメモリモジュールにおい
て、 上記多層プリント配線板の内層回路の断面構造を、上記
半導体メモリ素子を実装した側が高密度になるよう上下
方向に非対称としたことを特徴とするメモリモジュール
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298609A JPH02143583A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | メモリモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298609A JPH02143583A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | メモリモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143583A true JPH02143583A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17861942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298609A Pending JPH02143583A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | メモリモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143583A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461774A (en) * | 1994-03-25 | 1995-10-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method of elastically bowing a base plate |
| EP0735807A1 (en) * | 1995-03-27 | 1996-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric-circuit board for a display apparatus |
| EP0805492A2 (de) * | 1996-04-03 | 1997-11-05 | Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder | Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat |
| JP2001217514A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Denso Corp | 多層配線基板 |
| US6291775B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flip chip bonding land waving prevention pattern |
| WO2007052422A1 (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 回路装置の製造方法および回路装置 |
| JP2007526584A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-13 | ハベル、インコーポレーテッド | データ端末装置、電力供給、およびデータ収集のための回路分離を備えるミッドスパン型パッチ・パネル |
| JP2012099692A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63298609A patent/JPH02143583A/ja active Pending
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