JPH02138755A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02138755A JPH02138755A JP63292612A JP29261288A JPH02138755A JP H02138755 A JPH02138755 A JP H02138755A JP 63292612 A JP63292612 A JP 63292612A JP 29261288 A JP29261288 A JP 29261288A JP H02138755 A JPH02138755 A JP H02138755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- fine particles
- chips
- adhesive tape
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
粘着テープ上の半導体チップをピックアップし所定のト
レー等に移送する際の半導体装置の製造方法に関し、 半導体チップ切断時に発生し該半導体チップ表面に付着
する微粒子を確実に除去することを目的とし、 粘着テープ上に半導体ウェハを接着した後該半導体ウェ
ハを複数の半導体チップに分割し、所定の半導体チップ
を該粘着テープから剥がしてピックアップし移送した後
、該粘着テープ上に接着されている半導体チップ表面に
不活性ガスブローを吹き付け、該不活性ガスブローの吹
き付けられた半導体チップを該粘着テープから剥離移送
して構成する。
レー等に移送する際の半導体装置の製造方法に関し、 半導体チップ切断時に発生し該半導体チップ表面に付着
する微粒子を確実に除去することを目的とし、 粘着テープ上に半導体ウェハを接着した後該半導体ウェ
ハを複数の半導体チップに分割し、所定の半導体チップ
を該粘着テープから剥がしてピックアップし移送した後
、該粘着テープ上に接着されている半導体チップ表面に
不活性ガスブローを吹き付け、該不活性ガスブローの吹
き付けられた半導体チップを該粘着テープから剥離移送
して構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は粘着テープ上の切断された半導体チップをピッ
クアップして所定のトレーに移送する際の半導体装置の
製造方法に係り、特に半導体チップ切断時に発生し該半
導体チップ表面に付着する微粒子を確実に除去して半導
体装置としての特性と生産性の向上を図った半導体装置
の製造方法に関する。
クアップして所定のトレーに移送する際の半導体装置の
製造方法に係り、特に半導体チップ切断時に発生し該半
導体チップ表面に付着する微粒子を確実に除去して半導
体装置としての特性と生産性の向上を図った半導体装置
の製造方法に関する。
〔従来の技術１
第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概念
図である。
図である。
図で、（イ）は図示されない治具上にセットした厚さ３
０〜４０μｍ程度の粘着テープ１に、所要サイズの半導
体ウェハ２がパターン非形成面で貼り付けられた状態を
表わしている。
０〜４０μｍ程度の粘着テープ１に、所要サイズの半導
体ウェハ２がパターン非形成面で貼り付けられた状態を
表わしている。
ここでロークリカッタ等を使用し、図（ロ）に示す如く
上記半導体ウェハ２をパターンに沿って縦横に切断して
所定サイズのチップ３を形成するが、この切断方法には
該ウェハ２表面からの切断深さをウェハ２の厚さＨの一
部とするハーフカット法と核ウェハ２の厚さＨに粘着テ
ープ１の厚さの一部ｈ（約２０μｍ程度）を加えた寸法
とするフルカット法がある。
上記半導体ウェハ２をパターンに沿って縦横に切断して
所定サイズのチップ３を形成するが、この切断方法には
該ウェハ２表面からの切断深さをウェハ２の厚さＨの一
部とするハーフカット法と核ウェハ２の厚さＨに粘着テ
ープ１の厚さの一部ｈ（約２０μｍ程度）を加えた寸法
とするフルカット法がある。
図（ロ）は例として上記後者のフルカット法による場合
を示したものであるが、何れの場合にもチップ３の粘着
テープ１との接合面側の切断エッヂ部分に例えば数〜１
０μｍオーダの微細な背面カケを生じ、静電気を帯びた
微粒子が発生する。
を示したものであるが、何れの場合にもチップ３の粘着
テープ１との接合面側の切断エッヂ部分に例えば数〜１
０μｍオーダの微細な背面カケを生じ、静電気を帯びた
微粒子が発生する。
図（ロ）のチップ部分を拡大した図（ハ）に示す３ａ、
３ｂは上記の背面カケによる微粒子を表わしたものであ
るが、これらの微粒子３ａ、３ｂ等は静電気を帯びてい
るため周囲の各チップ表面に吸引され易い状態にあり、
一部の微粒子は飛散して近傍のチップ表面に付着する。
３ｂは上記の背面カケによる微粒子を表わしたものであ
るが、これらの微粒子３ａ、３ｂ等は静電気を帯びてい
るため周囲の各チップ表面に吸引され易い状態にあり、
一部の微粒子は飛散して近傍のチップ表面に付着する。
次いで例えば粘着チー１１のチップ３に対応する領域を
図（ハ）に示す如く円筒状の吸着ステージ４の吸着面４
ａに装着する。
図（ハ）に示す如く円筒状の吸着ステージ４の吸着面４
ａに装着する。
この吸着ステージ４の周壁内部の全周囲には、図示され
ない真空ポンプに連なる吸引溝４ｂが開口部を端面に現
出して上記吸着面４ａを構成するように形成されており
、また該吸着ステージ４の内径部分には図示されない例
えばプランジャのような駆動装置によって該内径部で円
滑に上下動し且つ上記吸着面４ａ側端面の該チップ３の
領域内に一列一ヒにない３個以上複数個のビン５ａを立
てた押上治具５が装着されている。なお図では該ビン５
ａを三角形の各頂点位置に配置した３個の場合について
表わしている。
ない真空ポンプに連なる吸引溝４ｂが開口部を端面に現
出して上記吸着面４ａを構成するように形成されており
、また該吸着ステージ４の内径部分には図示されない例
えばプランジャのような駆動装置によって該内径部で円
滑に上下動し且つ上記吸着面４ａ側端面の該チップ３の
領域内に一列一ヒにない３個以上複数個のビン５ａを立
てた押上治具５が装着されている。なお図では該ビン５
ａを三角形の各頂点位置に配置した３個の場合について
表わしている。
ここで上記チップ３の周囲にある各隣接チップを該吸着
ステージ４の吸着面４ａで吸着した後、押上治具５のみ
を矢印ａ方向に上昇させて該粘着テープ１を突き破る上
記ビン５ａでチップ３を該テープ１から剥離させながら
押し上げる。
ステージ４の吸着面４ａで吸着した後、押上治具５のみ
を矢印ａ方向に上昇させて該粘着テープ１を突き破る上
記ビン５ａでチップ３を該テープ１から剥離させながら
押し上げる。
この際静電気を帯びた前述の微粒子３ａ、３ｂの残部は
、該チップ３の該粘着テープ１からの剥離と共に浮動状
態となって該チップ３や隣接するチップ例えば３°や３
″の表面その他の部分に吸引付着する。
、該チップ３の該粘着テープ１からの剥離と共に浮動状
態となって該チップ３や隣接するチップ例えば３°や３
″の表面その他の部分に吸引付着する。
一部ビン５ａで押し上げられた上記のチップ３は、該チ
ップ３の上方対応位置に配設された図（ニ）に示す如き
図示されない排気系で矢印す方向に排気されるピックア
ップ治具６に真空吸着され、他の所定位置に設置したト
レーまで該チップ３を移送するようにしている。
ップ３の上方対応位置に配設された図（ニ）に示す如き
図示されない排気系で矢印す方向に排気されるピックア
ップ治具６に真空吸着され、他の所定位置に設置したト
レーまで該チップ３を移送するようにしている。
この場合、該ピックアップ治具６ではチップ表面に付着
した微粒子を除去することができないため、各チップの
トレーへの移送はかかる微粒子が表面その他各面に付着
した状態で行われる。
した微粒子を除去することができないため、各チップの
トレーへの移送はかかる微粒子が表面その他各面に付着
した状態で行われる。
従来かかる微粒子は極めて小さいことからチップとして
の特性に及ぼす影響が少ないが、チップとしての集積度
の向上によってこれら微粒子が無視できなくなり、爾後
の工程でチップとしての特性を低下させる要因となって
きている。
の特性に及ぼす影響が少ないが、チップとしての集積度
の向上によってこれら微粒子が無視できなくなり、爾後
の工程でチップとしての特性を低下させる要因となって
きている。
従来の構成になる半導体装置の製造方法では、半導体ウ
ェハをチップ状に形成する段階で発生し且つ該チップ上
に付着する微粒子を該チップをトレー等に移送する段階
で除去することができないため、半導体チップとしての
特性を低下させると言う問題があった。
ェハをチップ状に形成する段階で発生し且つ該チップ上
に付着する微粒子を該チップをトレー等に移送する段階
で除去することができないため、半導体チップとしての
特性を低下させると言う問題があった。
〔課題を解決するための手段］
上記問題点は、粘着テープ上に半導体ウェハを接着した
後該半導体ウェハを複数の半導体チップに分割し、所定
の半導体チップを該粘着テープから剥がしてピックアッ
プし移送した後、該粘着テープ上に接着されている半導
体チップ表面に不活性ガスブローを吹き付け、該不活性
ガスブローの吹き付けられた半導体チップを該粘着テー
プから剥がして移送する半導体装置の製造方法によって
解決される。
後該半導体ウェハを複数の半導体チップに分割し、所定
の半導体チップを該粘着テープから剥がしてピックアッ
プし移送した後、該粘着テープ上に接着されている半導
体チップ表面に不活性ガスブローを吹き付け、該不活性
ガスブローの吹き付けられた半導体チップを該粘着テー
プから剥がして移送する半導体装置の製造方法によって
解決される。
本発明では、ピックアップ治具が複数の半導体チップを
順にチャックする間に、後でチャックするチップ表面に
不活性ガスブローを吹き付けることによってチップ表面
に付着している微粒子を吹き飛ばすようにしている。
順にチャックする間に、後でチャックするチップ表面に
不活性ガスブローを吹き付けることによってチップ表面
に付着している微粒子を吹き飛ばすようにしている。
従って、チップ上の微粒子が完全に除去されることから
ピックアップ治具は表面に微粒子のないチップをチャッ
クすることになり、爾後の工程でも半導体チップとして
の特性を低下させることがない作業を実現させることが
できる。
ピックアップ治具は表面に微粒子のないチップをチャッ
クすることになり、爾後の工程でも半導体チップとして
の特性を低下させることがない作業を実現させることが
できる。
〔実施例］
第１図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
図であり、（八）は微粒子がチップ表面に付着した状態
を、また（Ｂ）は該チップがピックアンプ治具にチャッ
クされた状態をそれぞれ表わしている。
図であり、（八）は微粒子がチップ表面に付着した状態
を、また（Ｂ）は該チップがピックアンプ治具にチャッ
クされた状態をそれぞれ表わしている。
第２図（イ）のように粘着テープ１にウェハ２を接着し
、第２図（ロ）のように例えばロークリカッタで該半導
体ウェハ２を切断して複数の半導体チップに分割した後
、第２図（ハ）のように吸着ステージ４の吸着面４ａ上
に吸引させ、第２図（ニ）のように粘着テープ１に貼り
付けられた半導体チップ３をピックアップした後ピック
アップ位置を隣の半導体チップ３°に移動させた後の状
態が第１図（Ａ）である。
、第２図（ロ）のように例えばロークリカッタで該半導
体ウェハ２を切断して複数の半導体チップに分割した後
、第２図（ハ）のように吸着ステージ４の吸着面４ａ上
に吸引させ、第２図（ニ）のように粘着テープ１に貼り
付けられた半導体チップ３をピックアップした後ピック
アップ位置を隣の半導体チップ３°に移動させた後の状
態が第１図（Ａ）である。
半導体チップ３“の表面上には、例えば破線で示す３０
の部分にあった半導体チップ３をピンクアンプしたとき
に飛散した微粒子３ａが静電気を帯びた状態で付着して
いる。
の部分にあった半導体チップ３をピンクアンプしたとき
に飛散した微粒子３ａが静電気を帯びた状態で付着して
いる。
次に本実施例では、静電気を喪失させて微粒子３ａの除
去をより良好に行うために不活性ガスブローに更にイオ
ンガスブローを加えて吹き付けるようにしている。
去をより良好に行うために不活性ガスブローに更にイオ
ンガスブローを加えて吹き付けるようにしている。
１０は一般に市販されているイオンガス発生器をまた１
１は例えば窒素ガス射出器を表わしており、いずれもチ
ップ３“の表面近傍で該チップ３°の表面に向かう方向
に設置しているものである。
１は例えば窒素ガス射出器を表わしており、いずれもチ
ップ３“の表面近傍で該チップ３°の表面に向かう方向
に設置しているものである。
イオンガス発生器１０からイオンブロー１０ａをチップ
３′の表面に吹きつけ、微粒子３ａからイオン化して帯
びている静電気を喪失させてチップ３゜に対する吸引力
をなくす。
３′の表面に吹きつけ、微粒子３ａからイオン化して帯
びている静電気を喪失させてチップ３゜に対する吸引力
をなくす。
同時に窒素ガス射出器１１から射出する窒素ガスブロー
１１ａを吹き付けて矢印Ｃのように該微粒子３ａを吹き
飛ばして該チップ３′上に存在する微粒子を全て除去す
る。なお窒素ガスブロー１１ａは化学的に安定した不活
性ガスであるため、該ガスを吹き付けることによってチ
ップとしての特性に影響を及ぼすことがない。
１１ａを吹き付けて矢印Ｃのように該微粒子３ａを吹き
飛ばして該チップ３′上に存在する微粒子を全て除去す
る。なお窒素ガスブロー１１ａは化学的に安定した不活
性ガスであるため、該ガスを吹き付けることによってチ
ップとしての特性に影響を及ぼすことがない。
実験結果によれば、窒素ガスプロー１１ａの圧力を３〜
５ Ｋｇ／ｃ＋ｆｌ 程度にして、この窒素ガスブロ
ーと同時にイオンガス発生器１０からイオンブロー１０
ａを射出させて吹き付けると、微粒子が完全に吹き飛ば
されて除去できることを確認している。
５ Ｋｇ／ｃ＋ｆｌ 程度にして、この窒素ガスブロ
ーと同時にイオンガス発生器１０からイオンブロー１０
ａを射出させて吹き付けると、微粒子が完全に吹き飛ば
されて除去できることを確認している。
次に吸着ステージ４０押上治具５を第２図（ニ）の場合
と同様に上昇させ、複数のピン５ａで該チップ３′を押
上げてピックアップ治具６にチャックさせて図（Ｂ）に
示す状態とする。
と同様に上昇させ、複数のピン５ａで該チップ３′を押
上げてピックアップ治具６にチャックさせて図（Ｂ）に
示す状態とする。
従って該ピックアップ治具６には微粒子付着のないチッ
プのみがチャックされることから、トレーに移送された
後の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させる
ことがない作業の実現が可能となる。
プのみがチャックされることから、トレーに移送された
後の諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させる
ことがない作業の実現が可能となる。
〔発明の効果］
上述の如く本発明により、微粒子付着のない半導体チッ
プを所定のトレーに移送することが可能となり、爾後の
諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させること
がない半導体装置の製造方法を提供することができる。
プを所定のトレーに移送することが可能となり、爾後の
諸工程でも半導体チップとしての特性を低下させること
がない半導体装置の製造方法を提供することができる。
第１図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
図、 第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概念
図、 である図において、 １は粘着テープ ３，３°は半導体チップ、３ａは微
粒子、 ４は吸着ステージ、 ４ａは吸着面、 ５は押上治具、 ５ａはピン、 ６はピックアップ治具、 １０はイオンガス発生器、 １１は窒素ガス射出器、 をそれぞれ表わす。 沈ツト５どワ￥占）Ｅイχ戸φトとＫｃ）ｌスＦＷ−二
ツフー粍とｔヂンリコＥ言〜≧仁グ弓ズ布−ろコ上で≦
ε〉ｅ貴 ２ 乙 （リ １） （Ａ） ２Ｊ壬貴ヒＣ）手習些イ４Ｘスイへ５」６づ１堅−ブＬ
うｉ旦左づ列に’ｔ！ｕするＪくト；そ６つ第 ２１０
（子の２）
図、 第２図は従来の半導体装置の製造方法例を説明する概念
図、 である図において、 １は粘着テープ ３，３°は半導体チップ、３ａは微
粒子、 ４は吸着ステージ、 ４ａは吸着面、 ５は押上治具、 ５ａはピン、 ６はピックアップ治具、 １０はイオンガス発生器、 １１は窒素ガス射出器、 をそれぞれ表わす。 沈ツト５どワ￥占）Ｅイχ戸φトとＫｃ）ｌスＦＷ−二
ツフー粍とｔヂンリコＥ言〜≧仁グ弓ズ布−ろコ上で≦
ε〉ｅ貴 ２ 乙 （リ １） （Ａ） ２Ｊ壬貴ヒＣ）手習些イ４Ｘスイへ５」６づ１堅−ブＬ
うｉ旦左づ列に’ｔ！ｕするＪくト；そ６つ第 ２１０
（子の２）
Claims (1)
- 粘着テープ上に半導体ウェハを接着した後該半導体ウェ
ハを複数の半導体チップに分割し、所定の半導体チップ
を該粘着テープから剥がしてピックアップし移送した後
、該粘着テープ上に接着されている半導体チップ表面に
不活性ガスブローを吹き付け、該不活性ガスブローの吹
き付けられた半導体チップを該粘着テープから剥がして
移送することを特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292612A JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292612A JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138755A true JPH02138755A (ja) | 1990-05-28 |
| JP2530013B2 JP2530013B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17784051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63292612A Expired - Fee Related JP2530013B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530013B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278750A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | テープ剥離装置 |
| JP2007115979A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Shinkawa Ltd | ボンディング装置及びボンディング方法 |
| JP2008053260A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nidec Tosok Corp | ピックアップ装置 |
| JP2008135455A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Ngk Insulators Ltd | チップ移載装置 |
| JP2012015231A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ貼着方法 |
| JP2012064702A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ及び半導体製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319251B (zh) * | 2014-10-29 | 2018-02-06 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片拾取装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178172A (ja) * | 1974-12-20 | 1976-07-07 | Ibm |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63292612A patent/JP2530013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178172A (ja) * | 1974-12-20 | 1976-07-07 | Ibm |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278750A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | テープ剥離装置 |
| JP4666469B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | テープ剥離装置 |
| JP2007115979A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Shinkawa Ltd | ボンディング装置及びボンディング方法 |
| JP4530966B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2010-08-25 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
| JP2008053260A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nidec Tosok Corp | ピックアップ装置 |
| JP2008135455A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Ngk Insulators Ltd | チップ移載装置 |
| JP2012015231A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ貼着方法 |
| JP2012064702A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ及び半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2530013B2 (ja) | 1996-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102623402B (zh) | 半导体集成电路装置的制造方法 | |
| US7498239B2 (en) | Wafer processing method | |
| US7465142B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
| CN101335191B (zh) | 半导体集成电路装置的制造方法 | |
| JP4791772B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| TW201628075A (zh) | 保持裝置 | |
| JPH02138755A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000243814A (ja) | ウエハ保持方法及び装置 | |
| KR20060123462A (ko) | 웨이퍼의 전사방법 | |
| JP2004140227A (ja) | 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法 | |
| JPH07240355A (ja) | 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置 | |
| TWI241584B (en) | Manufacturing device of optical recording medium | |
| JPH04188840A (ja) | ダイボンディング方法 | |
| JPS61156749A (ja) | ウエハ−ス平板型裏面真空チヤツク | |
| JPH0376139A (ja) | 半導体素子突上げ方法 | |
| JPH03239346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08124892A (ja) | 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 | |
| JP3003630B2 (ja) | コレット装置及びチップ取扱方法 | |
| JPH0697211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08293538A (ja) | ピックアップ方法および装置 | |
| JPH04225261A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3317814B2 (ja) | サンドブラスト装置 | |
| JPH05114643A (ja) | 半導体ウエハのウエハシート保持方法 | |
| JPS5848914A (ja) | ウエハピンセツト | |
| JPH10335270A (ja) | ペレットのピックアップ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |