JPH02133579A

JPH02133579A - 導電性物質の製造方法および該方法により製造された導電性物質

Info

Publication number: JPH02133579A
Application number: JP24039489A
Authority: JP
Inventors: Shii Naran Sabuhatsushiyu; サブハッシュ・シー・ナラン; Heteiarakutsuchi Kantei; カンティ・ヘティアラクッチ
Original assignee: Nissha Printing Co Ltd
Current assignee: Nissha Printing Co Ltd
Priority date: 1988-09-16
Filing date: 1989-09-16
Publication date: 1990-05-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】級！上皇机礼分歴本発明は、導電性物質の製造方法および該方法により製
造された導電性物質に関するものである。

詳しくは、基板上？こ有機金属化合物とキャリアーとか
らなる固体あるいは準固体層のフィルムを形成した後、
紫外線をマスクを介して露光することにより基板上に常
圧下で金属を付着させ、その後、上記キャリアー及び未
反応の金属有機化合物を除去し、ついで、基板及びそれ
に付着した金属を金属イオンを含存する無電解メッキ液
に浸け、該基板表面上に導電層（パターン）を形成する
導電性物質の製造方法、および該方法により製造された
導電性金属塗膜物に関する乙のである。

従来の技術一ト記した導電性物質の製造方法に関連する従来技術と
して、例えば、米国特許第３，７５８．３０４号、第３
，７７２，０５６号、第３，７７２．０７８号、第３，
９０４，７８３号、第３，９９３，８０２号及び第３，
９９４．７２７号が開示されている。

さらに、この種の製造技術に関しては、下記の文献に記
載されている。

■１−レジストレスイメージングに於１する最近の進歩
」　デイ−・シー・フリッシュおよびティージェイ・サ
ーノウスキー杆、ビーシーケー　テクノロジーディヴイ
ジョン、コルモーゲン・　コーポレーション発行　３１
、ンークリファヴエニコ、グレンコーヴ、ニューヨーク
、ニューヨーク、１１５４２　　（Ｄ、　　Ｃ，Ｆｒ１
ｓｃｈ　　ａｎｄ　Ｔ、　　Ｊ。５ａｒｎｏｖｓｋｉ　
ｉｎ　”Ｒｅｃｅｒ＋ｔ　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｒ
ｅｓｉｓｔｌｅｓｓＩｒｎａｇ：ｎｇ、　　　ｐｕｂｌ
ｉｓｈｅｄ　　ｂｙ　　ｔｈｅ　　ＰＣＫＴｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ　　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　　ＯｒＫｏｌｌｍｏｒ
ｇｅｎＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　　ａｔ　　３１　　Ｓ
ｅａ　　Ｃ１１ｆｆ　Ａｖｅｎｕｅ。

Ｇｌｅｎ　　Ｃｏｖｅ、　　Ｎｅｗ　　Ｙｏｒｋ、　　
Ｎｅｗ　　Ｙｏｒｋ■「ポリマーポスト中で錯形成した
金属塩をレーザーで還元する方法」　アー・アラアバツ
ク著ジャーナル・オブ・ザ・エレクトロケミカルソサイ
エティー、ソリッドステートサイエンスアニ７ドテク、
ノロジー、１３２，６．１３３７−１３４０　１９８５
年６月発行　（Ａ　、　Ａ　ｕｅｒｂａｃｈｄｉｓｃｕ
ｓｓｅｓ　　’Ａ　　Ｍｅｔｈｏｄ　　ｆｏｒ　　Ｒｅ
ｄｕｃｉｎｇＭｅｔａｌ　　５ａｌｔｓ　　Ｃｏａ＋ｐ
ｌｅｘｅｄ　　ｉｎ　　ａ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ）（ｏｓ
ｔ　　ｗｉｔｈ　　ａ　　Ｌａ５ｅｒ　　ｉｎ　　ｔｈ
ｅ　　Ｊｏｕｒｎａ！ｏｆｔｈｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ＋　　ＳＯ１，ＩＤ
５ＴＡＴＥ　５ＣＩＥＮＣＥ　ＡＮＤ　ＴＥＣＩＩＮＯ
ＬＯＧＹ、　Ｖｏ１，　　Ｉ　３２　。

Ｎｏ、６、ｐａｇｅｓ　　ｌ　３３７−１３４０、ｐｕ
ｂｌｉｓｈｅｄｉｎ　Ｊｕｎｅ、　　ｌ　９８５．　）
■「ｆＴ機酸銀塩の光分解によって印刷回路を形成する
方法」　エッチ・タベイ等著ジャーナル・オブ・ザ・エ
レクトロケミカルソサイエティーエレクトロケミカル・
サイエンス・アンド・テクノロジー、１２１，１．６７
−６９　１９７４年１月発行　（Ｈ，Ｔａｂｅｉ、　　
ｅｔ　　ａ１，　ｄｉｓｃｕｓｓ　　ａＭｃｔｈｏｄ　
　ｏｆ’　　Ｆｏｒｍｉｎｇ　　ａ　　Ｐｒ１ｎｔｅｄ
　　Ｃ１ｒｃｕｉｔｂｙ　　Ｐｈｏｔｏｌｙｓｉｓ　　
ｏｒ　　ａ　　５ｉｌｖｅｒ　　５ａｌｔ　　ｏｆＯｒ
ｇａｎｉｃ　　　Ａｃ１ｄ　、−ｉｎ　　　ｔｈｅ　　
Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　　ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ：　　ＥＬＥＣＴＲ
ＯＣＩＩＥｋｌｌＣＡＬＳＣＩＥＮＣＥ　　ＡＮＤ　　
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ、　ＶＱ１，　　ｌ　２　Ｅ　　
Ｎｏ、１、　　ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ　　ｉｎ　　Ｊａｎ
ｕａｒｙ　　１９７４．　　ｐｐ６７−６９．）さらにまた、ヨーロッパ公開特許２６０５１６（３／３
／＋　９８８　ニーフチ・ニス・コール・ジュニア及び
エッチ・アール・フィリップ）ζこおいて、印刷回路板
、半導体部品等の電子部品の製造にａ用な光選択的な金
属付着の方法が開示している。

−Ｆ記した方法では、気体状態にある揮発性パラジウム
ジケトンキレート化合物にレーザーあるいは赤外線を照
射している。気体状態のこれらの化合物は、光を透過す
る石英窓を備えた密閉容器中に入れられ、約１トール（
Ｔｏｒｒ）の内圧で１ｊつ加熱状聾で、！ノーザー光を
用いて照射される。光照射を受ＩＦた気体状ａ種金属キ
レート化合物は分解し、活体上にバラジウノ、金属の薄
層を形成する。

容器中に残っている揮発性有機金属キレート化合物は気
体として除去される。次に、パラジウムが付着した基体
は、銅のような金属イオンを含汀する無電解メッキ液で
処理し、基体上に薄い導電性銅層を形成している。

発明が解決しようとする課題上記コール等の発明による揮発性パラジウム有機化合物
を光照射する方法は、下記のように、多くの欠点を持っ
ている。即ち、揮発性パラジウム有機化合物は、光照射時に気体状態に
しておく必要があり、よって、石英窓を備えた真空容器
を必要とする。しかしながら、真空容器を使用した場合
には、該容器サイズに起因する制約を受け、この制限は
当該方法を利用する際の決定的な制限となる。さらに、
真空容器内で所望の金属被覆層を製造する有効な連続プ
ロセスを得ることが非常に難しい。

上記した従来の問題より、導電性物質の製造方法として
、より低コストの連続製造方法が望まれ、本発明は上記
要望を達成するものである。

課題を解決するための手段本発明は、基体上に導電性金属層を備えた導電性物質を
製造する方法に関するものであって、（ａ）基体上の（ｉ）次式に示す１．３−ジケトネートキレート化合物
等の有機金属化合物と、（ここでＲ＋　、　Ｒ＊　、　Ｒ、は水素、フェニル、
トリフロロメチルあるいは炭素数が１〜２０個のアルキ
ル基から任意に選ばれたもの。Ｍは、ｎ＝１の時は金あ
るいは銀、ｎ＝２の時は銅あるいはパラジウム、ｎ＝３
の時は金あるいはパラジウム、ｎ−４の時はパラジウム
となるように選ばれた金属である。）（ｉｉ）透明ある
いは半透明なキャリアーとからなる固体あるいはゲル様
のフィルムに、２００ｎｍ〜４５０ｎｍ付近の紫外光を
１〜５００秒程度照射し、常圧下で基体上に金属を付着
させ、ついで、（ｂ）必要ならば未反応の１．３−ジケトネートキレー
ト化合物等の有機金属化合物及び、固体あるいはゲル様
のキャリアーを、常圧下で溶剤を用いて除去し、ついで
、（Ｃ）上記（ａ）工程で形成され、（ｂ）工程で基体上
に残された金属上に無電解メッキにより銅、ニッケル、
コバルト、金、銀あるいはこれらの内の二つ以上からな
る導電性金属を形成することを特徴とするものである。

上記した「キャリアー」とは、Ｇ機金属化合物を保持す
る固体物質である。好ましくは、ポリメチルメタクリレ
ート及びその共重合体、ポリアクリレート、ポリビニル
アセテート、ポリビニルクロライド、エポキシ化合物、
ポリイミド、ポリサルホン、ポリエステル、ポリアミド
、ノボラック、ポリビニルフェノール等である。

上記「１．３−ジケトネートキレート化合物」あるいは
「有機金属化合物」とは、本発明に有用な有機金属化合
物で、好ましくは、上記（ａ）で示された式の化合物。

例えば、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウム
ドデシルアセチルアセトナート、銅（トリフルオロ−ア
セチルアセトナート）、パラジウムパーフロロアセチル
アセトナート、銀アセデルアセトナート、金アセチルア
セトナート、銅アセチルアセトナート及びそのアルキレ
ート及びフッ素化誘導体等である。

上記「基体」は、触媒金属の支持体であり、好ましくは
、非導電性材料からなる。例えば、エポキシ化合物、ポ
リイミド、ポリサルホン、金属及び半導体産業で一般に
用いられている情層印刷配線板材料等である。

尚、上記した「必要ならば」の意味は、本方法において
、特定の工程を実施しても、しなくてもよい意味であり
、特に、（ｂ）の工程において、ある場合には、基体上
の付着金属の密着強度を増すためにキャリアーを除去し
ない方が良い場合もあり、よって、該（ｂ）の工程を実
物しない。

また、「部分的」あるいは「ある程度Ｊとは、工程処理
に於いて完結さけない不完全な意味であって、上記（ｂ
）の工程において、キャリアーを部分的に除去して、あ
る程度のキャリアーを残すと、基体に対する金属の密着
強度が向上する。

さらに、本発明は、導電性物質の製造方法として、絶縁
性基板上に感光層を形成し、紫外光を照射して、上記基
板上にメッキ核を形成し、該感光層から未露光の感光物
質を除去し、無電解メッキを行なうことにより、基板上
に導電層を選択的に形成する工程において、上記基体上の感光層は、固体で透明あるいは半透明な結
合材中のアセチルアセトン、エヂルアセヂルアセトン及
びトリフロロアセチルアセトンから成る群より任意に選
ばれた一つの配位子と銀、ニッケル、銅及びパラジウム
イオンから成る群より任意に選ばれた金属イオンとの組
合せから選ばれたβ−ジケトンキレート（１，３−ジケ
トンキレート）から成る固体あるいはゲル様のフィルム
からなり、該感光層に、常圧及び常温から４５°Ｃ程度
で金属錯体が分解するのに有効な露光エネルギー川の紫
外線を照射ｊ−で、β−ジケトンキレートを金属核に還
元し、後の無電解メッキのためのメッキ核と１５、常圧
及び常温から４５℃程度で未露光のβ−ジケトンキレー
ト及び露光により遊離した配位Ｐを除去（７、基板上の
上記メッキ核を利用（２て無電解メッキを行なうことを
特徴とするものである。

友寞鮮以下に、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。

第１Ａ図から第１Ｄ図は、本発明に係わる導層性物質の
製造１程を示す乙ので、図中、１０は層構造物、１１は
基体、１２は０゛機金属化合物、Ｉ３はキャリアー層、
Ｉ４は紫外光、１５．１７は金属、１６はキャリアー、
１８はマスクである。

第１Ａ図は、基体１１上に有機金属化合物１２とキャリ
アー１６とからなるゲル様のフィルムＩ３を保持してい
る層構造物ＩＯを示している。

上記基体１１は付着金属を保持するのに適当な材料であ
れば１１ｉＩでもよい。通常、基体ＩＩは誘電体材料で
形成している。好ましくは、！種類以りのセラミック、
ソリコン（ウゴハー）、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリ
イミド等から形成している。

−を−記基体１１には、固体あるいはゲル様のキャリア
ー１６中にｆＪ機金金属合物１２を分散した混合体から
なるフィルム１３を薄く塗布している。

」−記キャリア−１６が透明あるいは゛１′、透明であ
ることは照射光がａ機金属化合物１２に到達４゛るため
に８装なことである。

キャリアー１６は、前記したものか好適に用いられ、例
えば、エポキシ樹脂及びポリメチルメククリＬ・−トが
好ましい。

第１［（図は、本発明に係わる製造方法の（ａ）工程を
示し、層構造物１０に対して、光源からの紫外光（電磁
波相４を、マスク１８を介ｊ７て基体１１に向けて、常
圧下で照射している。この紫外光の照射により、マスク
Ｉ８の開口部１８ａに対向、１”る部分の基体ｚ−ｈの
キャリアー層１３では、５腎中のａ機金属化合物１２が
分解し、金属１５としで基体１１の表面に付着される。

一方、マスク１８の巡断部１８ｂ七λす向して、紫外光
の照射を受けなかったキャリアー層１３の部分てはｒｊ
機金金属合物Ｉ２からの金属付着は生じない。−１；記
紫外尤の波長は、２００＋＋ｍ〜４５０ニｍ（ナノメー
タ）何重なで、３００ニｍ〜３５０ｎｉで好ましく、特
に、３３　［）　ｎｎ＋が最ら好ましい。

に記基体１１への照射は、特別の冷却装置を用いない常
温下で、加熱してもよい。その際の温度は、通常、常温
から１００℃程度で、好ましくは２０℃〜４５℃程度が
良い。又、本製造方法では、全工程処理は常圧下で実施
されろ。

ついで、通常、常圧下で溶媒によりキャリアー１６を溶
解して除去し、第１Ｃ図に示すように、キャリアー１６
及び未反応の有機金属化合物を除去する。好ましい溶媒
としては、例えば、ヘキサン、Ｊ、−チル、エチルアセ
テート、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロ
フラン、アセテート、メヂルエチルケトン、シフ［２ヘ
キサノン、水、アルカリ、酸水溶液あるいはこれらの、
見合溶液である。

尚、キャリアー１６は、上記のように、必要なみば除去
４−るが、基体１１に対する付着金属Ｉ５、Ｄ密着強度
を向−１ニさせるために、すべてのキトリアー１６を全
て残（７ておく場合もある。また、部のキャリアー１６
を付着金属の密着強度向上のノニめに残しておいても良
い。

次ｊ：、Ｊ−記第１Ｃ図に示した金属１５を付着した基
体ＩＩを、常圧下で無電解メッキ液に浸漬さ仕る。無電
解メッキ金属の密着強度を向上させるに、米国特許ＮＯ
，３，７２３，０３８に開示されているような付加的な
表面処理を施すことにより達成できる。

上記無電解メッキ溶液に含まれる金属イオンとしては、
銅、ニッケル、銀、コバルト等があり、特に、銅が好ま
しい。

上記無電解メッキにより、第１　Ｉ）図に示す、付着金
属１５が触媒となって、付着金属１５の表面に、別の金
属１７、好ましくは銅が付ｎされる。

上記した処理工程は、全て常圧下（約７６０開Ｈｇ）で
実施されるため、第１Ｄ図に示す導電性金属を付着した
基体を、連続的に作る製造ラインを設けることが容易で
ある。実用上、このような常圧（大気）下の連続製造ラ
インが望まれているので、本製造方法は好適に利用され
る。

第２Ａ図から第２Ｃ図は、本発明の他の実施例を示すも
のである。

本実施例では、第２Ａ図に示すように、層構造物２０は
３層からなり、基体２５、ポリマー層２４および有機金
属化合物２３を含むキャリアー層２２とからなる。

前記実施例の第１Ｂ図に示す（ａ）工程と同様に、上記
層構造物２０のキャリアー層２２の上方に、パターンが
描かれているマスク２１を配置する。

紫外光２６をマスク２Ｉの上方より照射し、マスク２１
の開口１ｉ２１ａを通して、開口部２１ａと対向するキ
ャリアーＪｉＪ２２の部分に紫外光を照射する。該照射
により、第２Ｂ図に示すように、分解した有機金属化合
物２３から生成する金属２７がマスク２Ｉのパターン通
りに層２４の表面に付着する。ついで、前記実施例と同
様に、未反応キャリアー層２３を、溶媒で除去する。

ついで、上記層構造物２０を、無電解メッキ溶液（銅）
に浸漬し、先に付着した金属２７の表面に金属２８（通
常は、銅）を付着し、第２Ｃ図に示す導電性金属を付着
した基体を形成する。

銅有機金属化合物（１，３−ジケトナートキレート）を
用いる場合には、増感物質（活性剤）、例えば、ベンゾ
フェノンおよび／あるいはベンゾハイトロールを添加し
て、紫外光の照射に必要な時間を減らすことができる。

上記した工程で形成され、最終的にメッキされた導電性
物質は、装飾的なグラフィックアートにも好適に利用で
き、かつ、印刷の分野で製版にも利用できる。

尚、本発明において、キャリアーとして用いる好適なエ
ポキシキャリアーには、Ｅ　Ｐ　ＯＮ　　８２８（商標
）とＡ＋ｉｎｅ　Ｃｕｒｉｎｇ　Ａｇｅｎｔ　　Ａ（商
標）の混合物があり、いずれもシェル（オイル）ケミカ
ルカンパニー（テキサス州ヒユーストン）から入手可能
である。

また、紫外光の照射には、２００Ｂｍ〜４５０Ｂｍ付近
の放射強度を有する紫外露光用高圧水銀ランプが好適に
用いられ、これはウシオ電機（東京）から入手可能であ
る。通常、上記ランプと基体とは、４〜１０インチ離し
て光照射を行なうことが好ましい。

上記した本発明に用いられる材料、化学物質、試薬等は
、化学薬品販売会社、例えば、アルドリッチケミカルカ
ンパニー（ウィスコンシン州　ミルウォーキー）から入
手することができる。また、ディレクトリーパブリッシ
ュインコーポレーション（サウスカロライナ州　コロン
ビア）から毎年発行されているケミカルソース　ニー・
ニス・ニーに掲載されている他の販売会社からむ人手出
来る。

尚、化学物質は通常再精製を行なわずに使用される。

以下に実験例を列記する。これら実験例では最小の露光
時間で最良の銅メッキを施すために、異なるガラス而、
パラジウム、アセチルアセトネート、溶液、現像液、無
電解メッキ浴を使用して実施している。また、以下の実
験例では赤外線（ＩＲ）フィルターを用いずに行った。

また、無電解メッキ溶液として銅、銀、コバルトあるい
はニッケル溶液として市販されているものを用いた。無
電解メッキ浴については、米国特許第２，９７６．１８
１号及び第３，０９５，３０９号あるいは、メタル　フ
ィニッシング（１９５４年１１月号、６８０７６ページ
）において、およびメタル　フィニッシング　ハンドブ
ック（メサニエルポール編、メタル・アンド・プラスチ
ックス・パブリケーション・インコーポレーション。

１９７２刊）において、ベンナー（Ｂ　ｅｎｎｅｒ）に
よって開示されており、これら公知技術を参考として用
いることが出来る。

適当な金属イオンメッキ溶液（例えば銅）として次の組
成のらのを準備した。

硝酸銅　　　　　　　　　　１５ｇ／＆重炭酸ソーダ　
　　　　　　ｌＯｇ／（！ロッシェル塩　　　　　　　
３０ｇ／（！水酸化ナトリウム　　　　　２０ｇ／ρホ
ルムアルデヒド（３７％）　Ｉ　００　ｍ（１／（１（
溶液のｐＨ１１，５）無電解メッキは、好ま（２くは１５℃〜３０℃の室温で
行ない、さらに好ましくは２０℃〜２５℃で行なった。

（実験例１）（キャリアーを用いない場合）パラジウム　アセデルアセトナート（１００ｘｙ）とク
ロロポルム（５０ｄ）を混合した。研磨ガラススライド
ｋにこの溶液をデイツプコートし、紫外光を３０分間照
射した。次に低速銅無電解メッキ浴に浸漬した。露光部
は早速く銅で覆われたが、厚ＩＩＩ銅を得るために２分
間以上無電解メッキ浴に浸した場合、未露光部が黒色層
で覆われ、コントラストが悪かった。

（実験例２−１）（ポリメチルメタクリレートからなるキャリアーを用い
た場合）パラジウム　アセデルアセトナ−）（１００＋＋ｉ／）
、ポリメチルメタクリレート（１００ＪＩＳＦ）及びり
Ｖ１０ホルム（５０ｍジ）を混合した。該溶液を実験例
１と同様に、研摩ガラススライド上に塗布し、紫外光を
３０分照射した後、低速銅無電解メッキ浴に浸漬した。

上記キャリアーを含む溶液を用いた場合、無電解メッキ
後に得られた銅Ｑイメージ（結像）は良く、コントラス
トも良好であった。

（実験例２−２）に記実験例２−１と同じ溶液（パラジウムアセデルアセ
トナート（１００ｍｇ）、ポリメチルメタクリレート（
１００ａ＋ｇ）およびクロロホルム（５０ｄ）の混合溶
ｅｉ、）を用いてエポキシ板に塗布し、ワイヤーメノシ
コからなるマスクを介して露光し、同（ｐの実験を行−
）だ。マスクで覆われていない露光部のみに、無電解メ
ッキ後に、非常にシャープな銅のイメージが形成された
。

この実験は紫外光（３５０ｎｍ）の照射時間を３０分間
、２０分間、１０分間に相違させて行なった。

−１−記照射時間を相違さけた３つのエポキシ板りの銅
のイメージではどれら良いものであった。

（実験例３）（紫外光の照射時間を変えた場合）ポリメチルメタクリレート（１００ｒ９）、パラジウム
アセデルアセトナート（１００ｉｙ）とクロロホルム５
０ｍσ）を混合した。研磨面をａするスライドガラス上
に該溶液をデイツプコートし、最適露光時間を見つける
ために、１分〜５分の範囲で紫外光による露光時間を変
化させた。

紫外光の照射時間を１分及び２分として露光１７たもの
では、銅は非常に淡いイメージを示した。

３分あるいは３分以上露光したものは、上記と比較して
良いコントラストを持ったイメージを示した。

（実験例４）（キャリアーを除去するためにヘキサン、／クロロホル
ムからなる溶媒を用いた場合）上記実験例３と同様な、ポリメチルメタクリレート（１
００ｉ９）、パラジウムアセデルアセトナート（１（Ｈ
）ｍＷ）とクロロホルム５０靜）を混合した溶液を、研
磨面を有するスライドガラス」二にデイツプコートした
後、紫外光で露光した。該露光プレートを、ヘキサンと
クロロホルムを８０：２０（Ｖ／ν）で混合した現像液
で、３０秒間処理した後、無電解メッキを行った。

得られた銅のイメージは実験例３より良好であっノ１；
。

（実験例５）（表面を粗化したガラス基板を用いた場合）ポリメチル
メタクリレート（１００ｙ）、パラジウムアセチルアセ
トナート（１００ｙ）と　クロ〔ｌホルム（５０１１１
７２）を混合した。

上記実験例２乃至実験例４で得られた銅のイメージは良
好であったが、ガラスに対する銅の密着は弱かった。そ
こで基体として、粗面ガラスプレ−トを用い、ヘキサン
／クロロホルム（８０：２０ｖ／ｖ）の溶媒を用いて処
理した後、無電解メッキを行った。

この場合、ガラスプレートに対する銅の密着は粗面化し
ていないガラスプレートに対するより良好であった。ク
ロロホルムのみを現像液とした実験も行った。

（実験例６）（表面を粗化したガラス基板を用いた場合）表面粗化ガ
ラスプレートを用い、ポリマーが完全に除去される以外
は上記実験例１と同様の実験を行った。

粗化ガラスプレートに、パラジウムアセチルアセトナー
ト（１００ｍｇ）とクロロホルム（５０ｍρ）の混合を
デイツプコートし、紫外光を用いてパターン露光を行い
、パラジウム金属を析出させた。

クロロホルムで未露光部を現像除去した後、無電解メッ
キを行った。ガラスプレート上のパラジウム金属上に銅
層が明確ｌこ形成された。

（実験例７−１）（パラジウムキレートとポリメチルメタクリレートを用
いた場合）パラジウムアセデルアセトナート（１００Ｂ）をクロロ
ホルム（５０ｍｆｆ）中にポリメチルメタクリレート（
＋００Ｉ１ｇ）と共に混合した溶液を形成し、該溶液を
ガラスプレート（２インチ×６インチ）に常温常圧でデ
イツプコートした。

上記塗布基板にマスクを介して常圧下で、かつ、２５℃
の温度下で、５分間紫外光を、キャリアー／パラジウム
アセチルアセトナート上に照射した。

その結果、ガラスプレート上に活性パラジウムが析出し
た。パラジウムの厚さは５０オングストロームであった
。未露光部を除去するために、ヘキサン／クロロポルム
（８０：２０　ｖ／ｖ）の現像液を用いて、１５分間現
像した。現像後、無電解銅メッキ浴で５分間処理すると
、パラジウム金属上に明確に銅パターンが析出した。

（実験例７−２）ポリメチルメタクリレ−ＸＯＯｎｇの変わりに、アミン
硬化型エポキシ樹脂１００ｏを用いた以外は、上記実験
例？−１と同様の実験を行った。

その結果、良好な銅パターンが得られた。

（実験例７−３）パラジウムアセチルアセトナートの変わりに同一当量の
銅アセチルアセトナートを用いた以外は、Ｌ紀実験例７
−１と同様の実験を行った。

その結果、良好な銅パターンが得られた。

（実験例８）（銅（■）アセデルアセトナート及び増感剤を用いた場
合）以下に示す３種の溶液を用意した。

ベンゾフェノンのような活性剤を用いて、銅（ｎ）アセ
チルアセトナートでイメージ（結像）を得られるかどう
か上記３溶液を用いて実験を行った。

（実験例８−１）上記溶液８（ａ）を用いた場合、粗化ガラススライドは
１時間の露光し、低速鋼メッキを行った。

その結果、非常にわずかな銅のイメージを形成した。５
０分間及び３０分間の露光ではさらに淡いイメージが得
られた。

（実験例８−２）上記銀Ｉ＆８　（ｂ）を用いて、低速及び高速メッキ浴
を行った。低速浴ではわずかなイメージが形成され、高
速浴では黒色を呈した。

（実験例８−３）上記溶液８（ｃ）では低速浴を用いて行ったところ、８
（ａ）及び８（ｂ）の溶液を用いた場合と、同様のイメ
ージが形成された。しかし背景にも銅の析出が見られた
。

尚、上記した実施例は、本発明の実施例の一部を示した
のに過ぎず、本発明が開示した要旨の範囲内で、常圧下
で導電性材料を製造する方法として、当業考にとって容
易な種々の変更などを包含するものである。

【図面の簡単な説明】

第１八図乃至第１Ｄ図は本発明に係わる工程を示す概略
断面図であって、第１Ａ図はキャリアー中の未反応の有
機金属化合物と基板の断面を示す断面図、第１Ｂ図はキ
ャリアー中の有機金属化合物に対する光照射の効果を示
す断面図、第１Ｃ図はキャリアーを除去した後に付着し
ている金属を示す断面図、第１１）図は無電解メッキに
よりさらｌＪ付ｎざ仕た金属を示す断面図、第２Ａ図乃
至第２Ｃ図は導電性金属層がパターン形成される工程を
示す概略断面図であって、第２Ａ図はキャリアーを塗布
した括体にパターンマスクを介して光照射して特定のパ
ターンを１４　した金属を付着形成したところを示す断
面図、第２１３図はキャリアーを除去した後の状態を示
４゛断面図、第２Ｃ図は無電解メッキ処理後の状態を示
４−断面図である。０．２０・・層構造物、夏、２５・・基体、２．２３・・有機金属化合物、３．２２・・キャリアー層、４．２６・・紫外光、６・・キャリアー５．１７．２７．２８・・金属、８．２１・・マスク。手続補正書

Claims

【特許請求の範囲】

１．（ａ）基体上の（ｉ）次式に示す有機金属化合物と ▲数式、化学式、表等があります▼ （上記Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、各々独立して水素
、フェニル、トリフロロメチルあるいは炭素数が１〜２
０個のアルキル基の中から選ばれたもので、Ｍはｎ＝１
の時は金あるいは銀、ｎ＝２の時は銅あるいはパラジウ
ム、ｎ＝３の時は金あるいはパラジウム、ｎ＝４の時は
パラジウムとなるように選ばれた金属である。）（ｉｉ）透明あるいは半透明な固体あるいはゲル様のキ
ャリアーとから成る固体あるいはゲル様のフィルムに、２００ｎｍ
〜４５０ｎｍ付近の紫外光を、１〜５００秒間程度マス
クを介して照射し、常圧下で基体上に金属を付着させ、
ついで、（ｂ）未反応の有機金属化合物及び固体あるいはゲル様
のキャリアーを常圧下で溶剤を用いて除去し、ついで、（ｃ）上記基体上に残された付着金属上に、無電解メッ
キにより、銅、ニッケル、コバルト、金、銀あるいはこ
れらの内の二つ以上からなる導電性金属を付着して、基体上に導電性を有する金属層を付着することを特徴と
する導電性物質の製造方法。
２．上記（ａ）の工程において、紫外光の波長が３１０
ｎｍ〜３３０ｎｍ付近であることを特徴とする請求項１
記載の製造方法。
３．上記（ａ）の工程において、照射時間が１〜２００
秒程度であることを特徴とする請求項２記載の製造方法
。
４．上記Ｒ＿１及びＲ＿３が、各々独立して炭素数１〜
５個であるアルキル基で、上記Ｒ＿２が水素であること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。
５．上記Ｒ＿１及びＲ＿３が、各々メチル基であること
を特徴とする請求項４記載の製造方法。
６．上記ｎ＝２の時に、Ｍがパラジウムであることを特
徴とする請求項５記載の製造方法。
７．上記（ａ）の工程において、有機金属化合物とキャ
リアーを混合した後に、該混合溶液を塗布して基体の表
面に薄いフィルムを形成することを特徴とする請求項１
記載の製造方法。
８．上記Ｒ＿１及びＲ＿２が各々メチル基で、Ｒ＿３が
炭素数１０〜２０個であるアルキル基である有機金属化
合物が、基体上にキャリアー無しで薄層として形成され
たことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
９．上記有機金属化合物の金属がパラジウムであること
を特徴とする請求項７記載の製造方法。
１０．上記有機金属化合物の金属がパラジウムであるこ
とを特徴とする請求項８記載の製造方法。
１１．請求項１記載の方法で製造される導電性物質。
１２．請求項７記載の方法で製造される導電性物質。
１３．上記（ｂ）の工程において、未反応有機金属化合
物及びキャリアーを、常圧で、常温から４５℃程度で、
溶剤により除去することを特徴とする請求項１の製造方
法。
１４．絶縁性基板上に感光層を形成し、紫外光を照射し
て、上記基板上にメッキ核を形成し、該感光層から未露
光の感光物質を除去し、無電解メッキを行なうことによ
り、基板上に導電層を選択的に形成する工程において、上記基体上の感光層は、固体で透明あるいは半透明な結
合材中のアセチルアセトン、エチルアセチルアセトン及
びトリフロロアセチルアセトンから成る群より任意に選
ばれた一つの配位子と銀、ニッケル、銅及びパラジウム
イオンから成る群より任意に選ばれた金属イオンとの組
合せから選ばれたβ−ジケトンキレート（１，３−ジケ
トンキレート）を含む固体あるいはゲル様のフィルムか
らなり、該感光層に、常圧及び常温から４５℃程度で金
属錯体が分解するのに有効な露光エネルギー量の紫外線
を照射して、β−ジケトンキレートを金属核に還元し、
後の無電解メッキのためのメッキ核とし、常圧及び常温
から４５℃程度で未露光のβ−ジケトンキレート及び露
光により遊離した配位子を除去し、基板上の上記メッキ
核を利用して無電解メッキを行なうことを特徴とする導
電性物質の製造方法。
１５．上記感光層が、透明あるいは半透明なキャリアー
物質から成ることを特徴とする請求項１４記載の製造方
法。
１６．上記キャリアー物質が、エポキシ樹脂，ポリメチ
ルメタクリレート及びフェノール樹脂から成る群より選
ばれたことを特徴とする請求項１５記載の製造方法。
１７．上記β−ジケトンがアセチルアセトンで、キレー
ト金属がパラジウムであることを特徴とする請求項１６
の製造方法。
１８．上記キャリアー物質を混合溶媒を用いて除去する
ことを特徴とする請求項１７記載の製造方法。
１９．上記付着パラジウム上に無電解メッキされる金属
が銅であることを特徴とする請求項１８記載の製造方法
。
２０．上記Ｍが銅で、キャリアーが紫外活性有機化合物
を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
２１．上記キレート金属が銅で、キャリアーが紫外活性
有機化合物を含むことを特徴とする請求項１４記載の製
造方法。