JPH02133579A - Production of conductive material and conductive material produced therefrom - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
級！上皇机礼分歴
本発明は、導電性物質の製造方法および該方法により製
造された導電性物質に関するものである。[Detailed description of the invention] Class! TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a conductive material and a conductive material produced by the method.
詳しくは、基板上？こ有機金属化合物とキャリアーとか
らなる固体あるいは準固体層のフィルムを形成した後、
紫外線をマスクを介して露光することにより基板上に常
圧下で金属を付着させ、その後、上記キャリアー及び未
反応の金属有機化合物を除去し、ついで、基板及びそれ
に付着した金属を金属イオンを含存する無電解メッキ液
に浸け、該基板表面上に導電層（パターン）を形成する
導電性物質の製造方法、および該方法により製造された
導電性金属塗膜物に関する乙のである。For more details, on the board? After forming a film of a solid or semi-solid layer consisting of this organometallic compound and a carrier,
A metal is deposited on the substrate under normal pressure by exposure to ultraviolet rays through a mask, then the carrier and unreacted metal-organic compound are removed, and then the substrate and the metal attached thereto are made to contain metal ions. The present invention relates to a method for producing a conductive material that is immersed in an electroless plating solution to form a conductive layer (pattern) on the surface of the substrate, and a conductive metal coating produced by the method.
従来の技術
一ト記した導電性物質の製造方法に関連する従来技術と
して、例えば、米国特許第３，７５８．３０４号、第３
，７７２，０５６号、第３，７７２．０７８号、第３，
９０４，７８３号、第３，９９３，８０２号及び第３，
９９４．７２７号が開示されている。Prior art related to the method of manufacturing a conductive material mentioned above, for example, U.S. Pat.
, No. 772,056, No. 3,772.078, No. 3,
No. 904,783, No. 3,993,802 and No. 3,
No. 994.727 is disclosed.
さらに、この種の製造技術に関しては、下記の文献に記
載されている。Further, this type of manufacturing technology is described in the following documents:
■１−レジストレスイメージングに於１する最近の進歩
」 デイ−・シー・フリッシュおよびティージェイ・サ
ーノウスキー杆、ビーシーケー テクノロジーディヴイ
ジョン、コルモーゲン・ コーポレーション発行 ３１
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レクトロケミカルソサイエティーエレクトロケミカル・
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ｏｒ ａ ５ｉｌｖｅｒ ５ａｌｔ ｏｆＯｒ
ｇａｎｉｃ Ａｃ１ｄ 、−ｉｎ ｔｈｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ： ＥＬＥＣＴＲ
ＯＣＩＩＥｋｌｌＣＡＬＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ
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of' Forming a Pr1nted
C1rcuitbyPhotolysis
or a 5ilver 5alt ofOr
ganic Ac1d,-in the
Journal of the Electroc
chemical 5ociety: ELECTR
OCIIEkllCALSCIENCE AND
TECHNOLOGY, VQ1, l2E
No. 1, published in Jan
uary 1974. pp67-69. ) Furthermore, European published patent 260516 (3/3
/+ 988 Nefti, Niss, Cole, Jr. and H. R. Philip) ζ discloses a method for photo-selective metal deposition for use in the manufacture of electronic components such as printed circuit boards and semiconductor components. There is.
−Ｆ記した方法では、気体状態にある揮発性パラジウム
ジケトンキレート化合物にレーザーあるいは赤外線を照
射している。気体状態のこれらの化合物は、光を透過す
る石英窓を備えた密閉容器中に入れられ、約１トール（
Ｔｏｒｒ）の内圧で１ｊつ加熱状聾で、！ノーザー光を
用いて照射される。光照射を受ＩＦた気体状ａ種金属キ
レート化合物は分解し、活体上にバラジウノ、金属の薄
層を形成する。In the method described in -F, a volatile palladium diketone chelate compound in a gaseous state is irradiated with laser or infrared rays. These compounds in the gaseous state are placed in a closed container with a light-transparent quartz window and heated to approximately 1 Torr (
Torr) internal pressure causes a heated deafness,! Illuminated using noser light. The gaseous A-type metal chelate compound subjected to light irradiation decomposes and forms a thin metal layer on the active body.
容器中に残っている揮発性有機金属キレート化合物は気
体として除去される。次に、パラジウムが付着した基体
は、銅のような金属イオンを含汀する無電解メッキ液で
処理し、基体上に薄い導電性銅層を形成している。The volatile organometallic chelate compound remaining in the container is removed as a gas. The palladium-deposited substrate is then treated with an electroless plating solution containing metal ions such as copper to form a thin conductive copper layer on the substrate.
発明が解決しようとする課題
上記コール等の発明による揮発性パラジウム有機化合物
を光照射する方法は、下記のように、多くの欠点を持っ
ている。即ち、
揮発性パラジウム有機化合物は、光照射時に気体状態に
しておく必要があり、よって、石英窓を備えた真空容器
を必要とする。しかしながら、真空容器を使用した場合
には、該容器サイズに起因する制約を受け、この制限は
当該方法を利用する際の決定的な制限となる。さらに、
真空容器内で所望の金属被覆層を製造する有効な連続プ
ロセスを得ることが非常に難しい。Problems to be Solved by the Invention The method of irradiating a volatile palladium organic compound with light according to the invention of Cole et al. has many drawbacks as described below. That is, the volatile palladium organic compound needs to be in a gaseous state when irradiated with light, and therefore requires a vacuum container equipped with a quartz window. However, when a vacuum container is used, there are restrictions due to the size of the container, and this restriction becomes a decisive limitation when using the method. moreover,
It is very difficult to obtain an effective continuous process for producing the desired metallization layers in a vacuum vessel.
上記した従来の問題より、導電性物質の製造方法として
、より低コストの連続製造方法が望まれ、本発明は上記
要望を達成するものである。Due to the above-mentioned conventional problems, a lower cost continuous manufacturing method is desired as a method for manufacturing a conductive substance, and the present invention achieves the above-mentioned desire.
課題を解決するための手段
本発明は、基体上に導電性金属層を備えた導電性物質を
製造する方法に関するものであって、（ａ）基体上の
（ｉ）次式に示す１．３−ジケトネートキレート化合物
等の有機金属化合物と、
（ここでＲ＋ 、 Ｒ＊ 、 Ｒ、は水素、フェニル、
トリフロロメチルあるいは炭素数が１〜２０個のアルキ
ル基から任意に選ばれたもの。Ｍは、ｎ＝１の時は金あ
るいは銀、ｎ＝２の時は銅あるいはパラジウム、ｎ＝３
の時は金あるいはパラジウム、ｎ−４の時はパラジウム
となるように選ばれた金属である。）（ｉｉ）透明ある
いは半透明なキャリアーとからなる固体あるいはゲル様
のフィルムに、２００ｎｍ〜４５０ｎｍ付近の紫外光を
１〜５００秒程度照射し、常圧下で基体上に金属を付着
させ、ついで、
（ｂ）必要ならば未反応の１．３−ジケトネートキレー
ト化合物等の有機金属化合物及び、固体あるいはゲル様
のキャリアーを、常圧下で溶剤を用いて除去し、ついで
、
（Ｃ）上記（ａ）工程で形成され、（ｂ）工程で基体上
に残された金属上に無電解メッキにより銅、ニッケル、
コバルト、金、銀あるいはこれらの内の二つ以上からな
る導電性金属を形成することを特徴とするものである。Means for Solving the Problems The present invention relates to a method for producing a conductive material having a conductive metal layer on a substrate, the method comprising: (a) a conductive metal layer on a substrate; - an organometallic compound such as a diketonate chelate compound, (where R+, R*, R are hydrogen, phenyl,
Any one selected from trifluoromethyl or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. M is gold or silver when n=1, copper or palladium when n=2, and M is gold or silver when n=1, copper or palladium when n=3
The metal selected is gold or palladium when , and palladium when n-4. ) (ii) A solid or gel-like film consisting of a transparent or translucent carrier is irradiated with ultraviolet light of around 200 nm to 450 nm for about 1 to 500 seconds to adhere the metal onto the substrate under normal pressure, and then, (b) If necessary, unreacted organometallic compounds such as 1,3-diketonate chelate compounds and solid or gel-like carriers are removed using a solvent under normal pressure, and then (C) the above ( Copper, nickel,
It is characterized by forming a conductive metal consisting of cobalt, gold, silver, or two or more of these.
上記した「キャリアー」とは、Ｇ機金属化合物を保持す
る固体物質である。好ましくは、ポリメチルメタクリレ
ート及びその共重合体、ポリアクリレート、ポリビニル
アセテート、ポリビニルクロライド、エポキシ化合物、
ポリイミド、ポリサルホン、ポリエステル、ポリアミド
、ノボラック、ポリビニルフェノール等である。The above-mentioned "carrier" is a solid substance that holds the G metal compound. Preferably, polymethyl methacrylate and copolymers thereof, polyacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, epoxy compounds,
These include polyimide, polysulfone, polyester, polyamide, novolac, polyvinylphenol, etc.
上記「１．３−ジケトネートキレート化合物」あるいは
「有機金属化合物」とは、本発明に有用な有機金属化合
物で、好ましくは、上記（ａ）で示された式の化合物。The above-mentioned "1,3-diketonate chelate compound" or "organometallic compound" is an organometallic compound useful in the present invention, preferably a compound having the formula shown in (a) above.
例えば、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウム
ドデシルアセチルアセトナート、銅（トリフルオロ−ア
セチルアセトナート）、パラジウムパーフロロアセチル
アセトナート、銀アセデルアセトナート、金アセチルア
セトナート、銅アセチルアセトナート及びそのアルキレ
ート及びフッ素化誘導体等である。For example, palladium acetylacetonate, palladium dodecyl acetylacetonate, copper (trifluoro-acetylacetonate), palladium perfluoroacetylacetonate, silver acetylacetonate, gold acetylacetonate, copper acetylacetonate and its alkylates. These include fluorinated derivatives.
上記「基体」は、触媒金属の支持体であり、好ましくは
、非導電性材料からなる。例えば、エポキシ化合物、ポ
リイミド、ポリサルホン、金属及び半導体産業で一般に
用いられている情層印刷配線板材料等である。The above-mentioned "substrate" is a support for the catalytic metal, and is preferably made of a non-conductive material. Examples include epoxy compounds, polyimides, polysulfones, and printed wiring board materials commonly used in the metal and semiconductor industries.
尚、上記した「必要ならば」の意味は、本方法において
、特定の工程を実施しても、しなくてもよい意味であり
、特に、（ｂ）の工程において、ある場合には、基体上
の付着金属の密着強度を増すためにキャリアーを除去し
ない方が良い場合もあり、よって、該（ｂ）の工程を実
物しない。Note that the above-mentioned "if necessary" means that in this method, a specific step may or may not be performed, and in particular, in step (b), in some cases, the substrate may be In some cases, it is better not to remove the carrier in order to increase the adhesion strength of the deposited metal on top, and therefore, the step (b) is not actually carried out.
また、「部分的」あるいは「ある程度Ｊとは、工程処理
に於いて完結さけない不完全な意味であって、上記（ｂ
）の工程において、キャリアーを部分的に除去して、あ
る程度のキャリアーを残すと、基体に対する金属の密着
強度が向上する。In addition, "partial" or "to some extent J" refers to an incomplete meaning that cannot be completed in the process, and the above (b)
), when the carrier is partially removed and a certain amount of carrier remains, the adhesion strength of the metal to the substrate is improved.
さらに、本発明は、導電性物質の製造方法として、絶縁
性基板上に感光層を形成し、紫外光を照射して、上記基
板上にメッキ核を形成し、該感光層から未露光の感光物
質を除去し、無電解メッキを行なうことにより、基板上
に導電層を選択的に形成する工程において、
上記基体上の感光層は、固体で透明あるいは半透明な結
合材中のアセチルアセトン、エヂルアセヂルアセトン及
びトリフロロアセチルアセトンから成る群より任意に選
ばれた一つの配位子と銀、ニッケル、銅及びパラジウム
イオンから成る群より任意に選ばれた金属イオンとの組
合せから選ばれたβ−ジケトンキレート（１，３−ジケ
トンキレート）から成る固体あるいはゲル様のフィルム
からなり、該感光層に、常圧及び常温から４５°Ｃ程度
で金属錯体が分解するのに有効な露光エネルギー川の紫
外線を照射ｊ−で、β−ジケトンキレートを金属核に還
元し、後の無電解メッキのためのメッキ核と１５、常圧
及び常温から４５℃程度で未露光のβ−ジケトンキレー
ト及び露光により遊離した配位Ｐを除去（７、基板上の
上記メッキ核を利用（２て無電解メッキを行なうことを
特徴とするものである。Furthermore, the present invention provides a method for producing a conductive material, in which a photosensitive layer is formed on an insulating substrate, irradiated with ultraviolet light to form a plating nucleus on the substrate, and an unexposed photosensitive layer is removed from the photosensitive layer. In the process of selectively forming a conductive layer on a substrate by removing a substance and performing electroless plating, the photosensitive layer on the substrate is formed of acetylacetone, ethylacetone, etc. in a solid, transparent or translucent binder. β- selected from a combination of one ligand arbitrarily selected from the group consisting of acedylacetone and trifluoroacetylacetone and a metal ion arbitrarily selected from the group consisting of silver, nickel, copper and palladium ions. It consists of a solid or gel-like film made of diketone chelate (1,3-diketone chelate), and the photosensitive layer is exposed to ultraviolet rays with an exposure energy effective for decomposing the metal complex at normal pressure and room temperature to about 45°C. The β-diketone chelate is reduced to a metal nucleus by irradiation, and the plating nucleus for later electroless plating is removed. This method is characterized by removing the coordinated P (7), utilizing the plating nuclei on the substrate (2) performing electroless plating.
友寞鮮
以下に、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１Ａ図から第１Ｄ図は、本発明に係わる導層性物質の
製造１程を示す乙ので、図中、１０は層構造物、１１は
基体、１２は０゛機金属化合物、Ｉ３はキャリアー層、
Ｉ４は紫外光、１５．１７は金属、１６はキャリアー、
１８はマスクである。1A to 1D show step 1 of manufacturing the conductive material according to the present invention. In the figures, 10 is a layered structure, 11 is a substrate, 12 is a metal compound, and I3 is a carrier. layer,
I4 is ultraviolet light, 15.17 is metal, 16 is carrier,
18 is a mask.
第１Ａ図は、基体１１上に有機金属化合物１２とキャリ
アー１６とからなるゲル様のフィルムＩ３を保持してい
る層構造物ＩＯを示している。FIG. 1A shows a layer structure IO carrying on a substrate 11 a gel-like film I3 consisting of an organometallic compound 12 and a carrier 16. FIG.
上記基体１１は付着金属を保持するのに適当な材料であ
れば１１ｉＩでもよい。通常、基体ＩＩは誘電体材料で
形成している。好ましくは、！種類以りのセラミック、
ソリコン（ウゴハー）、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリ
イミド等から形成している。The substrate 11 may be 11iI as long as it is a suitable material for holding deposited metal. Substrate II is usually formed from a dielectric material. Preferably,! More types of ceramics,
It is made of Soricon (Ugohar), alumina, epoxy resin, polyimide, etc.
−を−記基体１１には、固体あるいはゲル様のキャリア
ー１６中にｆＪ機金金属合物１２を分散した混合体から
なるフィルム１３を薄く塗布している。The substrate 11 is thinly coated with a film 13 made of a mixture of fJ metal alloys 12 dispersed in a solid or gel-like carrier 16.
」−記キャリア−１６が透明あるいは゛１′、透明であ
ることは照射光がａ機金属化合物１２に到達４゛るため
に８装なことである。The reason why the carrier 16 is transparent is that the irradiated light reaches the metal compound 12 for 8 times.
キャリアー１６は、前記したものか好適に用いられ、例
えば、エポキシ樹脂及びポリメチルメククリＬ・−トが
好ましい。The carrier 16 is preferably one of those mentioned above, and for example, epoxy resin and polymethylmethacrylate are preferred.
第１［（図は、本発明に係わる製造方法の（ａ）工程を
示し、層構造物１０に対して、光源からの紫外光（電磁
波相４を、マスク１８を介ｊ７て基体１１に向けて、常
圧下で照射している。この紫外光の照射により、マスク
Ｉ８の開口部１８ａに対向、１”る部分の基体ｚ−ｈの
キャリアー層１３では、５腎中のａ機金属化合物１２が
分解し、金属１５としで基体１１の表面に付着される。The figure shows step (a) of the manufacturing method according to the present invention, in which ultraviolet light (electromagnetic wave phase 4) from a light source is directed to the substrate 11 through the mask 18 to the layered structure 10. This ultraviolet light irradiation causes the carrier layer 13 of the substrate zh in the portion 1" opposite the opening 18a of the mask I8 to be exposed to the a-organic metal compound 12 in the 5 kidneys. is decomposed and attached to the surface of the substrate 11 as a metal 15.
一方、マスク１８の巡断部１８ｂ七λす向して、紫外光
の照射を受けなかったキャリアー層１３の部分てはｒｊ
機金金属合物Ｉ２からの金属付着は生じない。−１；記
紫外尤の波長は、２００＋＋ｍ〜４５０ニｍ（ナノメー
タ）何重なで、３００ニｍ〜３５０ｎｉで好ましく、特
に、３３ ［） ｎｎ＋が最ら好ましい。On the other hand, the portion of the carrier layer 13 that was not irradiated with ultraviolet light, facing the circular section 18b7λ of the mask 18, was rj
No metal deposition from the machine metal compound I2 occurs. -1; The wavelength of the ultraviolet light is preferably 200++ m to 450 nm (nanometers), preferably 300 nm to 350 nm, and most preferably 33[) nn+.
に記基体１１への照射は、特別の冷却装置を用いない常
温下で、加熱してもよい。その際の温度は、通常、常温
から１００℃程度で、好ましくは２０℃〜４５℃程度が
良い。又、本製造方法では、全工程処理は常圧下で実施
されろ。The substrate 11 may be irradiated with heat at room temperature without using a special cooling device. The temperature at that time is usually from normal temperature to about 100°C, preferably about 20°C to 45°C. In addition, in this manufacturing method, all process treatments are carried out under normal pressure.
ついで、通常、常圧下で溶媒によりキャリアー１６を溶
解して除去し、第１Ｃ図に示すように、キャリアー１６
及び未反応の有機金属化合物を除去する。好ましい溶媒
としては、例えば、ヘキサン、Ｊ、−チル、エチルアセ
テート、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロ
フラン、アセテート、メヂルエチルケトン、シフ［２ヘ
キサノン、水、アルカリ、酸水溶液あるいはこれらの、
見合溶液である。Next, the carrier 16 is usually dissolved and removed using a solvent under normal pressure, and as shown in FIG. 1C, the carrier 16 is removed.
and removing unreacted organometallic compounds. Preferred solvents include, for example, hexane, J-thyl, ethyl acetate, dichloromethane, chloroform, tetrahydrofuran, acetate, methyl ethyl ketone, Schiff[2-hexanone, water, alkali, acid aqueous solution, or these.
It is a matching solution.
尚、キャリアー１６は、上記のように、必要なみば除去
４−るが、基体１１に対する付着金属Ｉ５、Ｄ密着強度
を向−１ニさせるために、すべてのキトリアー１６を全
て残（７ておく場合もある。また、部のキャリアー１６
を付着金属の密着強度向上のノニめに残しておいても良
い。As mentioned above, the carrier 16 is removed if necessary, but in order to increase the adhesion strength of the metals I5 and D to the base 11, all of the carrier 16 is left (7). In some cases, carrier 16 of the division
You may leave it behind to improve the adhesion strength of the attached metal.
次ｊ：、Ｊ−記第１Ｃ図に示した金属１５を付着した基
体ＩＩを、常圧下で無電解メッキ液に浸漬さ仕る。無電
解メッキ金属の密着強度を向上させるに、米国特許ＮＯ
，３，７２３，０３８に開示されているような付加的な
表面処理を施すことにより達成できる。Next: The substrate II shown in FIG. 1C, on which the metal 15 is attached, is immersed in an electroless plating solution under normal pressure. US Patent No. 1 for improving the adhesion strength of electroless plated metals
, 3,723,038.
上記無電解メッキ溶液に含まれる金属イオンとしては、
銅、ニッケル、銀、コバルト等があり、特に、銅が好ま
しい。The metal ions contained in the electroless plating solution are as follows:
Examples include copper, nickel, silver, and cobalt, with copper being particularly preferred.
上記無電解メッキにより、第１ Ｉ）図に示す、付着金
属１５が触媒となって、付着金属１５の表面に、別の金
属１７、好ましくは銅が付ｎされる。By the electroless plating, the deposited metal 15 acts as a catalyst, and another metal 17, preferably copper, is deposited on the surface of the deposited metal 15, as shown in FIG. 1I).
上記した処理工程は、全て常圧下（約７６０開Ｈｇ）で
実施されるため、第１Ｄ図に示す導電性金属を付着した
基体を、連続的に作る製造ラインを設けることが容易で
ある。実用上、このような常圧（大気）下の連続製造ラ
インが望まれているので、本製造方法は好適に利用され
る。Since all of the above-mentioned processing steps are carried out under normal pressure (approximately 760 mmHg), it is easy to provide a production line that continuously produces the substrate to which the conductive metal shown in FIG. 1D is attached. Practically speaking, such a continuous production line under normal pressure (atmosphere) is desired, so this production method is suitably used.
第２Ａ図から第２Ｃ図は、本発明の他の実施例を示すも
のである。Figures 2A to 2C show other embodiments of the invention.
本実施例では、第２Ａ図に示すように、層構造物２０は
３層からなり、基体２５、ポリマー層２４および有機金
属化合物２３を含むキャリアー層２２とからなる。In this example, as shown in FIG. 2A, the layered structure 20 consists of three layers: a substrate 25, a polymer layer 24, and a carrier layer 22 containing an organometallic compound 23.
前記実施例の第１Ｂ図に示す（ａ）工程と同様に、上記
層構造物２０のキャリアー層２２の上方に、パターンが
描かれているマスク２１を配置する。Similar to the step (a) shown in FIG. 1B of the above embodiment, a mask 21 on which a pattern is drawn is placed above the carrier layer 22 of the layered structure 20.
紫外光２６をマスク２Ｉの上方より照射し、マスク２１
の開口１ｉ２１ａを通して、開口部２１ａと対向するキ
ャリアーＪｉＪ２２の部分に紫外光を照射する。該照射
により、第２Ｂ図に示すように、分解した有機金属化合
物２３から生成する金属２７がマスク２Ｉのパターン通
りに層２４の表面に付着する。ついで、前記実施例と同
様に、未反応キャリアー層２３を、溶媒で除去する。The ultraviolet light 26 is irradiated from above the mask 2I, and the mask 21
Ultraviolet light is irradiated through the opening 1i21a to the portion of the carrier JiJ22 facing the opening 21a. As a result of the irradiation, metal 27 generated from the decomposed organometallic compound 23 adheres to the surface of the layer 24 in accordance with the pattern of the mask 2I, as shown in FIG. 2B. Then, as in the previous example, the unreacted carrier layer 23 is removed with a solvent.
ついで、上記層構造物２０を、無電解メッキ溶液（銅）
に浸漬し、先に付着した金属２７の表面に金属２８（通
常は、銅）を付着し、第２Ｃ図に示す導電性金属を付着
した基体を形成する。Next, the layered structure 20 is coated with an electroless plating solution (copper).
A metal 28 (usually copper) is deposited on the surface of the previously deposited metal 27 to form a conductive metal-deposited substrate as shown in FIG. 2C.
銅有機金属化合物（１，３−ジケトナートキレート）を
用いる場合には、増感物質（活性剤）、例えば、ベンゾ
フェノンおよび／あるいはベンゾハイトロールを添加し
て、紫外光の照射に必要な時間を減らすことができる。When using a copper organometallic compound (1,3-diketonate chelate), a sensitizer (activator), such as benzophenone and/or benzohytrol, is added and the time required for irradiation with ultraviolet light is adjusted. can be reduced.
上記した工程で形成され、最終的にメッキされた導電性
物質は、装飾的なグラフィックアートにも好適に利用で
き、かつ、印刷の分野で製版にも利用できる。The conductive material formed in the above-described process and finally plated can be suitably used for decorative graphic art, and can also be used for plate making in the field of printing.
尚、本発明において、キャリアーとして用いる好適なエ
ポキシキャリアーには、Ｅ Ｐ ＯＮ ８２８（商標
）とＡ＋ｉｎｅ Ｃｕｒｉｎｇ Ａｇｅｎｔ Ａ（商
標）の混合物があり、いずれもシェル（オイル）ケミカ
ルカンパニー（テキサス州ヒユーストン）から入手可能
である。In the present invention, suitable epoxy carriers for use as carriers include a mixture of E P ON 828 (trademark) and A+ine Curing Agent A (trademark), both available from Shell (Oil) Chemical Company (Heuston, Texas). available.
また、紫外光の照射には、２００Ｂｍ〜４５０Ｂｍ付近
の放射強度を有する紫外露光用高圧水銀ランプが好適に
用いられ、これはウシオ電機（東京）から入手可能であ
る。通常、上記ランプと基体とは、４〜１０インチ離し
て光照射を行なうことが好ましい。Further, a high-pressure mercury lamp for ultraviolet exposure having a radiation intensity of around 200 Bm to 450 Bm is suitably used for irradiation with ultraviolet light, and is available from Ushio Inc. (Tokyo). Generally, it is preferable that the lamp and the substrate be irradiated with light at a distance of 4 to 10 inches.
上記した本発明に用いられる材料、化学物質、試薬等は
、化学薬品販売会社、例えば、アルドリッチケミカルカ
ンパニー（ウィスコンシン州 ミルウォーキー）から入
手することができる。また、ディレクトリーパブリッシ
ュインコーポレーション（サウスカロライナ州 コロン
ビア）から毎年発行されているケミカルソース ニー・
ニス・ニーに掲載されている他の販売会社からむ人手出
来る。The materials, chemicals, reagents, etc. used in the present invention described above can be obtained from chemical sales companies such as Aldrich Chemical Company (Milwaukee, Wis.). In addition, the Chemical Source Ni.
You can get help from other sales companies listed on Nis Ni.
尚、化学物質は通常再精製を行なわずに使用される。Note that chemical substances are usually used without repurification.
以下に実験例を列記する。これら実験例では最小の露光
時間で最良の銅メッキを施すために、異なるガラス而、
パラジウム、アセチルアセトネート、溶液、現像液、無
電解メッキ浴を使用して実施している。また、以下の実
験例では赤外線（ＩＲ）フィルターを用いずに行った。Experimental examples are listed below. In these experimental examples, different glass materials were used to achieve the best copper plating with the minimum exposure time.
It is carried out using palladium, acetylacetonate, solutions, developers, and electroless plating baths. Furthermore, the following experimental examples were conducted without using an infrared (IR) filter.
また、無電解メッキ溶液として銅、銀、コバルトあるい
はニッケル溶液として市販されているものを用いた。無
電解メッキ浴については、米国特許第２，９７６．１８
１号及び第３，０９５，３０９号あるいは、メタル フ
ィニッシング（１９５４年１１月号、６８０７６ページ
）において、およびメタル フィニッシング ハンドブ
ック（メサニエルポール編、メタル・アンド・プラスチ
ックス・パブリケーション・インコーポレーション。In addition, a commercially available copper, silver, cobalt or nickel solution was used as the electroless plating solution. For electroless plating baths, U.S. Patent No. 2,976.18
No. 1 and No. 3,095,309, or in Metal Finishing (November 1954 issue, page 68076), and in the Metal Finishing Handbook, edited by Methaniel Paul, Metals and Plastics Publications, Inc.
１９７２刊）において、ベンナー（Ｂ ｅｎｎｅｒ）に
よって開示されており、これら公知技術を参考として用
いることが出来る。1972) by Benner, and these known techniques can be used as reference.
適当な金属イオンメッキ溶液（例えば銅）として次の組
成のらのを準備した。A suitable metal ion plating solution (for example, copper) was prepared with the following composition.
硝酸銅 １５ｇ／＆重炭酸ソーダ
ｌＯｇ／（！ロッシェル塩
３０ｇ／（！水酸化ナトリウム ２０ｇ／ρホ
ルムアルデヒド（３７％） Ｉ ００ ｍ（１／（１（
溶液のｐＨ１１，５）
無電解メッキは、好ま（２くは１５℃〜３０℃の室温で
行ない、さらに好ましくは２０℃〜２５℃で行なった。Copper nitrate 15g/& bicarbonate of soda
lOg/(! Rochelle salt
30g/(! Sodium hydroxide 20g/ρ formaldehyde (37%) I 00 m(1/(1(
Solution pH 11.5) Electroless plating was preferably carried out at a room temperature of 15°C to 30°C, more preferably 20°C to 25°C.
（実験例１）
（キャリアーを用いない場合）
パラジウム アセデルアセトナート（１００ｘｙ）とク
ロロポルム（５０ｄ）を混合した。研磨ガラススライド
ｋにこの溶液をデイツプコートし、紫外光を３０分間照
射した。次に低速銅無電解メッキ浴に浸漬した。露光部
は早速く銅で覆われたが、厚ＩＩＩ銅を得るために２分
間以上無電解メッキ浴に浸した場合、未露光部が黒色層
で覆われ、コントラストが悪かった。(Experimental Example 1) (When no carrier is used) Palladium acedelacetonate (100xy) and chloroporm (50d) were mixed. This solution was dip-coated onto a polished glass slide k and irradiated with ultraviolet light for 30 minutes. It was then immersed in a slow copper electroless plating bath. The exposed areas were quickly covered with copper, but when immersed in an electroless plating bath for more than 2 minutes to obtain thick III copper, the unexposed areas were covered with a black layer and the contrast was poor.
（実験例２−１）
（ポリメチルメタクリレートからなるキャリアーを用い
た場合）
パラジウム アセデルアセトナ−）（１００＋＋ｉ／）
、ポリメチルメタクリレート（１００ＪＩＳＦ）及びり
Ｖ１０ホルム（５０ｍジ）を混合した。該溶液を実験例
１と同様に、研摩ガラススライド上に塗布し、紫外光を
３０分照射した後、低速銅無電解メッキ浴に浸漬した。(Experimental Example 2-1) (When using a carrier made of polymethyl methacrylate) Palladium acedelacetonate) (100++i/)
, polymethyl methacrylate (100JISF) and liV10 form (50m di) were mixed. The solution was applied on a polished glass slide in the same manner as in Experimental Example 1, and after being irradiated with ultraviolet light for 30 minutes, the slide was immersed in a low-speed copper electroless plating bath.
上記キャリアーを含む溶液を用いた場合、無電解メッキ
後に得られた銅Ｑイメージ（結像）は良く、コントラス
トも良好であった。When a solution containing the above carrier was used, the copper Q image (imaging) obtained after electroless plating was good and the contrast was also good.
（実験例２−２）
に記実験例２−１と同じ溶液（パラジウムアセデルアセ
トナート（１００ｍｇ）、ポリメチルメタクリレート（
１００ａ＋ｇ）およびクロロホルム（５０ｄ）の混合溶
ｅｉ、）を用いてエポキシ板に塗布し、ワイヤーメノシ
コからなるマスクを介して露光し、同（ｐの実験を行−
）だ。マスクで覆われていない露光部のみに、無電解メ
ッキ後に、非常にシャープな銅のイメージが形成された
。(Experimental Example 2-2) The same solution as in Experimental Example 2-1 (palladium acedelacetonate (100 mg), polymethyl methacrylate (
A mixed solution of 100a + g) and chloroform (50d) was applied to an epoxy board, exposed through a mask made of wire mint, and an experiment of the same (p) was performed.
)is. A very sharp copper image was formed after electroless plating only in the exposed areas not covered by the mask.
この実験は紫外光（３５０ｎｍ）の照射時間を３０分間
、２０分間、１０分間に相違させて行なった。This experiment was conducted by changing the irradiation time of ultraviolet light (350 nm) to 30 minutes, 20 minutes, and 10 minutes.
−１−記照射時間を相違さけた３つのエポキシ板りの銅
のイメージではどれら良いものであった。-1- Which of the three epoxy plates with different irradiation times were good images of copper.
（実験例３）
（紫外光の照射時間を変えた場合）
ポリメチルメタクリレート（１００ｒ９）、パラジウム
アセデルアセトナート（１００ｉｙ）とクロロホルム５
０ｍσ）を混合した。研磨面をａするスライドガラス上
に該溶液をデイツプコートし、最適露光時間を見つける
ために、１分〜５分の範囲で紫外光による露光時間を変
化させた。(Experimental example 3) (Changing the irradiation time of ultraviolet light) Polymethyl methacrylate (100r9), palladium acedelacetonate (100iy) and chloroform 5
0 mσ) was mixed. The solution was dip-coated onto a glass slide with a polished surface, and the exposure time to ultraviolet light was varied in the range of 1 minute to 5 minutes in order to find the optimum exposure time.
紫外光の照射時間を１分及び２分として露光１７たもの
では、銅は非常に淡いイメージを示した。When exposed to ultraviolet light for 1 minute and 2 minutes, copper showed a very pale image.
３分あるいは３分以上露光したものは、上記と比較して
良いコントラストを持ったイメージを示した。Images exposed for 3 minutes or more than 3 minutes showed images with better contrast compared to the above.
（実験例４）
（キャリアーを除去するためにヘキサン、／クロロホル
ムからなる溶媒を用いた場合）
上記実験例３と同様な、ポリメチルメタクリレート（１
００ｉ９）、パラジウムアセデルアセトナート（１（Ｈ
）ｍＷ）とクロロホルム５０靜）を混合した溶液を、研
磨面を有するスライドガラス」二にデイツプコートした
後、紫外光で露光した。該露光プレートを、ヘキサンと
クロロホルムを８０：２０（Ｖ／ν）で混合した現像液
で、３０秒間処理した後、無電解メッキを行った。(Experimental Example 4) (When using a solvent consisting of hexane/chloroform to remove the carrier) Polymethyl methacrylate (1
00i9), palladium acedelacetonate (1(H
) mW) and chloroform (50 mW) were dip coated onto a slide glass having a polished surface, and then exposed to ultraviolet light. The exposure plate was treated for 30 seconds with a developer containing hexane and chloroform mixed at a ratio of 80:20 (V/v), and then electroless plating was performed.
得られた銅のイメージは実験例３より良好であっノ１；
。The obtained copper image was better than Experimental Example 3.
.
（実験例５）
（表面を粗化したガラス基板を用いた場合）ポリメチル
メタクリレート（１００ｙ）、パラジウムアセチルアセ
トナート（１００ｙ）と クロ〔ｌホルム（５０１１１
７２）を混合した。(Experimental Example 5) (When using a glass substrate with a roughened surface) Polymethyl methacrylate (100y), palladium acetylacetonate (100y) and chloroform (50111)
72) was mixed.
上記実験例２乃至実験例４で得られた銅のイメージは良
好であったが、ガラスに対する銅の密着は弱かった。そ
こで基体として、粗面ガラスプレ−トを用い、ヘキサン
／クロロホルム（８０：２０ｖ／ｖ）の溶媒を用いて処
理した後、無電解メッキを行った。Although the images of copper obtained in Experimental Examples 2 to 4 were good, the adhesion of copper to glass was weak. Therefore, a rough glass plate was used as a substrate, and after treatment with a solvent of hexane/chloroform (80:20 v/v), electroless plating was performed.
この場合、ガラスプレートに対する銅の密着は粗面化し
ていないガラスプレートに対するより良好であった。ク
ロロホルムのみを現像液とした実験も行った。In this case, the adhesion of the copper to the glass plate was better than to the non-roughened glass plate. Experiments were also conducted using only chloroform as the developer.
（実験例６）
（表面を粗化したガラス基板を用いた場合）表面粗化ガ
ラスプレートを用い、ポリマーが完全に除去される以外
は上記実験例１と同様の実験を行った。(Experimental Example 6) (When using a glass substrate with a roughened surface) An experiment similar to the above Experimental Example 1 was conducted using a glass plate with a roughened surface, except that the polymer was completely removed.
粗化ガラスプレートに、パラジウムアセチルアセトナー
ト（１００ｍｇ）とクロロホルム（５０ｍρ）の混合を
デイツプコートし、紫外光を用いてパターン露光を行い
、パラジウム金属を析出させた。A roughened glass plate was dip-coated with a mixture of palladium acetylacetonate (100 mg) and chloroform (50 mρ), and pattern exposure was performed using ultraviolet light to precipitate palladium metal.
クロロホルムで未露光部を現像除去した後、無電解メッ
キを行った。ガラスプレート上のパラジウム金属上に銅
層が明確ｌこ形成された。After developing and removing the unexposed areas with chloroform, electroless plating was performed. A copper layer was clearly formed on the palladium metal on the glass plate.
（実験例７−１）
（パラジウムキレートとポリメチルメタクリレートを用
いた場合）
パラジウムアセデルアセトナート（１００Ｂ）をクロロ
ホルム（５０ｍｆｆ）中にポリメチルメタクリレート（
＋００Ｉ１ｇ）と共に混合した溶液を形成し、該溶液を
ガラスプレート（２インチ×６インチ）に常温常圧でデ
イツプコートした。(Experimental Example 7-1) (When using palladium chelate and polymethyl methacrylate) Palladium acedelacetonate (100B) was placed in chloroform (50 mff) and polymethyl methacrylate (
+00I1g) to form a mixed solution, and the solution was dip coated onto a glass plate (2 inches x 6 inches) at room temperature and pressure.
上記塗布基板にマスクを介して常圧下で、かつ、２５℃
の温度下で、５分間紫外光を、キャリアー／パラジウム
アセチルアセトナート上に照射した。Apply the coating to the above-mentioned substrate through a mask under normal pressure and at 25°C.
UV light was irradiated onto the carrier/palladium acetylacetonate for 5 minutes at a temperature of .
その結果、ガラスプレート上に活性パラジウムが析出し
た。パラジウムの厚さは５０オングストロームであった
。未露光部を除去するために、ヘキサン／クロロポルム
（８０：２０ ｖ／ｖ）の現像液を用いて、１５分間現
像した。現像後、無電解銅メッキ浴で５分間処理すると
、パラジウム金属上に明確に銅パターンが析出した。As a result, activated palladium was deposited on the glass plate. The palladium thickness was 50 angstroms. To remove the unexposed areas, it was developed for 15 minutes using a hexane/chloroporm (80:20 v/v) developer. After development, treatment in an electroless copper plating bath for 5 minutes clearly deposited a copper pattern on the palladium metal.
（実験例７−２）
ポリメチルメタクリレ−ＸＯＯｎｇの変わりに、アミン
硬化型エポキシ樹脂１００ｏを用いた以外は、上記実験
例？−１と同様の実験を行った。(Experimental Example 7-2) The same as the above experimental example, except that amine-curing epoxy resin 100o was used instead of polymethyl methacrylate-XOOng. An experiment similar to -1 was conducted.
その結果、良好な銅パターンが得られた。As a result, a good copper pattern was obtained.
（実験例７−３）
パラジウムアセチルアセトナートの変わりに同一当量の
銅アセチルアセトナートを用いた以外は、Ｌ紀実験例７
−１と同様の実験を行った。(Experimental Example 7-3) L Period Experimental Example 7 except that the same equivalent of copper acetylacetonate was used instead of palladium acetylacetonate.
An experiment similar to -1 was conducted.
その結果、良好な銅パターンが得られた。As a result, a good copper pattern was obtained.
（実験例８）
（銅（■）アセデルアセトナート及び増感剤を用いた場
合）
以下に示す３種の溶液を用意した。(Experimental Example 8) (When using copper (■) acedelacetonate and sensitizer) Three types of solutions shown below were prepared.
ベンゾフェノンのような活性剤を用いて、銅（ｎ）アセ
チルアセトナートでイメージ（結像）を得られるかどう
か上記３溶液を用いて実験を行った。Experiments were conducted using the above three solutions to see if images could be obtained with copper(n) acetylacetonate using an activator such as benzophenone.
（実験例８−１）
上記溶液８（ａ）を用いた場合、粗化ガラススライドは
１時間の露光し、低速鋼メッキを行った。(Experimental Example 8-1) When the above solution 8(a) was used, the roughened glass slide was exposed to light for 1 hour and low-speed steel plating was performed.
その結果、非常にわずかな銅のイメージを形成した。５
０分間及び３０分間の露光ではさらに淡いイメージが得
られた。As a result, a very slight copper image was formed. 5
Even fainter images were obtained with exposures of 0 minutes and 30 minutes.
（実験例８−２）
上記銀Ｉ＆８ （ｂ）を用いて、低速及び高速メッキ浴
を行った。低速浴ではわずかなイメージが形成され、高
速浴では黒色を呈した。(Experimental Example 8-2) Low-speed and high-speed plating baths were conducted using the above silver I&8 (b). A slight image formed in the slow bath and a black color in the fast bath.
（実験例８−３）
上記溶液８（ｃ）では低速浴を用いて行ったところ、８
（ａ）及び８（ｂ）の溶液を用いた場合と、同様のイメ
ージが形成された。しかし背景にも銅の析出が見られた
。(Experimental Example 8-3) When the above solution 8(c) was carried out using a slow bath, 8
Similar images were formed using solutions (a) and 8(b). However, copper precipitation was also observed in the background.
尚、上記した実施例は、本発明の実施例の一部を示した
のに過ぎず、本発明が開示した要旨の範囲内で、常圧下
で導電性材料を製造する方法として、当業考にとって容
易な種々の変更などを包含するものである。It should be noted that the above-mentioned embodiments are merely a part of the embodiments of the present invention, and within the scope of the gist disclosed by the present invention, methods for producing conductive materials under normal pressure can be considered as those skilled in the art. This includes various changes that are easy to make.
第１八図乃至第１Ｄ図は本発明に係わる工程を示す概略
断面図であって、第１Ａ図はキャリアー中の未反応の有
機金属化合物と基板の断面を示す断面図、第１Ｂ図はキ
ャリアー中の有機金属化合物に対する光照射の効果を示
す断面図、第１Ｃ図はキャリアーを除去した後に付着し
ている金属を示す断面図、第１１）図は無電解メッキに
よりさらｌＪ付ｎざ仕た金属を示す断面図、第２Ａ図乃
至第２Ｃ図は導電性金属層がパターン形成される工程を
示す概略断面図であって、第２Ａ図はキャリアーを塗布
した括体にパターンマスクを介して光照射して特定のパ
ターンを１４ した金属を付着形成したところを示す断
面図、第２１３図はキャリアーを除去した後の状態を示
４゛断面図、第２Ｃ図は無電解メッキ処理後の状態を示
４−断面図である。
０．２０・・層構造物、
夏、２５・・基体、
２．２３・・有機金属化合物、
３．２２・・キャリアー層、
４．２６・・紫外光、
６・・キャリアー
５．１７．２７．２８・・金属、
８．２１・・マスク。
手続補正書18 to 1D are schematic cross-sectional views showing steps related to the present invention, FIG. 1A is a cross-sectional view showing a cross section of an unreacted organometallic compound in a carrier and a substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing a cross section of an unreacted organometallic compound in a carrier and a substrate. Figure 1C is a cross-sectional view showing the effect of light irradiation on the organometallic compound inside. Figure 1C is a cross-sectional view showing the metal attached after the carrier has been removed. Figure 11) is a cross-sectional view showing the metal attached after removing the carrier. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing the process of patterning a conductive metal layer, and FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing a process in which a conductive metal layer is patterned. 213 is a sectional view showing the state after the carrier has been removed, and FIG. 2C is the state after electroless plating. FIG. 4 is a sectional view. 0.20...layer structure, summer, 25...substrate, 2.23...organometallic compound, 3.22...carrier layer, 4.26...ultraviolet light, 6...carrier 5.17.27 .28...Metal, 8.21...Mask. Procedural amendment
Claims (21)
、フェニル、トリフロロメチルあるいは炭素数が１〜２
０個のアルキル基の中から選ばれたもので、Ｍはｎ＝１
の時は金あるいは銀、ｎ＝２の時は銅あるいはパラジウ
ム、ｎ＝３の時は金あるいはパラジウム、ｎ＝４の時は
パラジウムとなるように選ばれた金属である。） （ｉｉ）透明あるいは半透明な固体あるいはゲル様のキ
ャリアーと から成る固体あるいはゲル様のフィルムに、２００ｎｍ
〜４５０ｎｍ付近の紫外光を、１〜５００秒間程度マス
クを介して照射し、常圧下で基体上に金属を付着させ、
ついで、 （ｂ）未反応の有機金属化合物及び固体あるいはゲル様
のキャリアーを常圧下で溶剤を用いて除去し、ついで、 （ｃ）上記基体上に残された付着金属上に、無電解メッ
キにより、銅、ニッケル、コバルト、金、銀あるいはこ
れらの内の二つ以上からなる導電性金属を付着して、 基体上に導電性を有する金属層を付着することを特徴と
する導電性物質の製造方法。1. (a) On the substrate (i) Organometallic compound shown in the following formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (The above R_1, R_2 and R_3 are each independently hydrogen, phenyl, trifluoromethyl or carbon is 1~2
selected from 0 alkyl groups, M is n=1
The metal selected is gold or silver when n=2, copper or palladium when n=3, gold or palladium when n=4, and palladium when n=4. ) (ii) a solid or gel-like film consisting of a transparent or translucent solid or gel-like carrier;
Ultraviolet light around ~450 nm is irradiated through a mask for about 1 to 500 seconds to deposit metal on the substrate under normal pressure,
Then, (b) unreacted organometallic compound and solid or gel-like carrier are removed using a solvent under normal pressure, and (c) the deposited metal remaining on the substrate is electroless plated. , copper, nickel, cobalt, gold, silver, or a conductive metal consisting of two or more of these, and a conductive metal layer is deposited on a substrate. Method.
ｎｍ〜３３０ｎｍ付近であることを特徴とする請求項１
記載の製造方法。2. In the step (a) above, the wavelength of the ultraviolet light is 310
Claim 1 characterized in that the wavelength is around 330 nm to 330 nm.
Manufacturing method described.
秒程度であることを特徴とする請求項２記載の製造方法
。3. In the step (a) above, the irradiation time is 1 to 200
3. The manufacturing method according to claim 2, wherein the manufacturing time is about seconds.
５個であるアルキル基で、上記Ｒ＿２が水素であること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。4. The above R_1 and R_3 each independently have a carbon number of 1 to
2. The manufacturing method according to claim 1, wherein R_2 is hydrogen in the five alkyl groups.
を特徴とする請求項４記載の製造方法。5. 5. The manufacturing method according to claim 4, wherein each of R_1 and R_3 is a methyl group.
徴とする請求項５記載の製造方法。6. 6. The manufacturing method according to claim 5, wherein when n=2, M is palladium.
リアーを混合した後に、該混合溶液を塗布して基体の表
面に薄いフィルムを形成することを特徴とする請求項１
記載の製造方法。7. 1. In the step (a), after mixing the organometallic compound and the carrier, the mixed solution is applied to form a thin film on the surface of the substrate.
Manufacturing method described.
炭素数１０〜２０個であるアルキル基である有機金属化
合物が、基体上にキャリアー無しで薄層として形成され
たことを特徴とする請求項１記載の製造方法。8. 2. The organometallic compound in which R_1 and R_2 are each a methyl group and R_3 is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms is formed as a thin layer on a substrate without a carrier. manufacturing method.
を特徴とする請求項７記載の製造方法。9. 8. The manufacturing method according to claim 7, wherein the metal of the organometallic compound is palladium.
とを特徴とする請求項８記載の製造方法。10. 9. The manufacturing method according to claim 8, wherein the metal of the organometallic compound is palladium.
物及びキャリアーを、常圧で、常温から４５℃程度で、
溶剤により除去することを特徴とする請求項１の製造方
法。13. In the step (b) above, the unreacted organometallic compound and carrier are heated at normal pressure and room temperature to about 45°C,
2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the removal is performed using a solvent.
て、上記基板上にメッキ核を形成し、該感光層から未露
光の感光物質を除去し、無電解メッキを行なうことによ
り、基板上に導電層を選択的に形成する工程において、 上記基体上の感光層は、固体で透明あるいは半透明な結
合材中のアセチルアセトン、エチルアセチルアセトン及
びトリフロロアセチルアセトンから成る群より任意に選
ばれた一つの配位子と銀、ニッケル、銅及びパラジウム
イオンから成る群より任意に選ばれた金属イオンとの組
合せから選ばれたβ−ジケトンキレート（１，３−ジケ
トンキレート）を含む固体あるいはゲル様のフィルムか
らなり、該感光層に、常圧及び常温から４５℃程度で金
属錯体が分解するのに有効な露光エネルギー量の紫外線
を照射して、β−ジケトンキレートを金属核に還元し、
後の無電解メッキのためのメッキ核とし、常圧及び常温
から４５℃程度で未露光のβ−ジケトンキレート及び露
光により遊離した配位子を除去し、基板上の上記メッキ
核を利用して無電解メッキを行なうことを特徴とする導
電性物質の製造方法。14. By forming a photosensitive layer on an insulating substrate, irradiating it with ultraviolet light to form plating nuclei on the substrate, removing unexposed photosensitive material from the photosensitive layer, and performing electroless plating, In the step of selectively forming a conductive layer thereon, the photosensitive layer on the substrate is formed of one selected from the group consisting of acetylacetone, ethylacetylacetone and trifluoroacetylacetone in a solid transparent or translucent binder. A solid or gel-like substance containing a β-diketone chelate (1,3-diketone chelate) selected from a combination of two ligands and a metal ion arbitrarily selected from the group consisting of silver, nickel, copper and palladium ions. irradiating the photosensitive layer with an amount of exposure energy effective for decomposing the metal complex at normal pressure and room temperature of about 45° C. to reduce the β-diketone chelate to a metal nucleus;
As plating nuclei for later electroless plating, unexposed β-diketone chelate and ligands liberated by exposure are removed at normal pressure and room temperature to about 45°C, and the above plating nuclei on the substrate are used. A method for producing a conductive substance, characterized by performing electroless plating.
物質から成ることを特徴とする請求項１４記載の製造方
法。15. 15. The manufacturing method according to claim 14, wherein the photosensitive layer is made of a transparent or translucent carrier material.
ルメタクリレート及びフェノール樹脂から成る群より選
ばれたことを特徴とする請求項１５記載の製造方法。16. 16. The method of claim 15, wherein the carrier material is selected from the group consisting of epoxy resins, polymethyl methacrylates and phenolic resins.
ト金属がパラジウムであることを特徴とする請求項１６
の製造方法。17. Claim 16, wherein the β-diketone is acetylacetone and the chelate metal is palladium.
manufacturing method.
ことを特徴とする請求項１７記載の製造方法。18. 18. The manufacturing method according to claim 17, wherein the carrier substance is removed using a mixed solvent.
が銅であることを特徴とする請求項１８記載の製造方法
。19. 19. The manufacturing method according to claim 18, wherein the metal electrolessly plated on the deposited palladium is copper.
を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。20. 2. The manufacturing method according to claim 1, wherein M is copper and the carrier contains an ultraviolet active organic compound.
有機化合物を含むことを特徴とする請求項１４記載の製
造方法。21. 15. The method according to claim 14, wherein the chelate metal is copper and the carrier contains an ultraviolet active organic compound.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US24578688A | 1988-09-16 | 1988-09-16 | |
| US245,786 | 1994-05-19 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP24039489A Pending JPH02133579A (en) | 1988-09-16 | 1989-09-16 | Production of conductive material and conductive material produced therefrom |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133579A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19518512A1 (en) * | 1995-03-06 | 1996-09-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Palladium-containing precursor material and method for producing metallic microstructures on dielectric substrates with a palladium-containing precursor material |
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1989
- 1989-09-16 JP JP24039489A patent/JPH02133579A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19518512A1 (en) * | 1995-03-06 | 1996-09-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Palladium-containing precursor material and method for producing metallic microstructures on dielectric substrates with a palladium-containing precursor material |
| DE19518512C2 (en) * | 1995-03-06 | 2001-11-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Palladium-containing precursor material and method for producing metallic microstructures on dielectric substrates with a palladium-containing precursor material |
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