JPH02131239A - 水性剥離剤組成物 - Google Patents
水性剥離剤組成物Info
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- JPH02131239A JPH02131239A JP63286261A JP28626188A JPH02131239A JP H02131239 A JPH02131239 A JP H02131239A JP 63286261 A JP63286261 A JP 63286261A JP 28626188 A JP28626188 A JP 28626188A JP H02131239 A JPH02131239 A JP H02131239A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
皮栗上皇肌里分立
本発明は、半導体や集積回路等の製造において、無機質
又は有機質の基体に塗布されたポジ型フォトレジストを
基体から剥離するための剥離剤組成物に関する。
又は有機質の基体に塗布されたポジ型フォトレジストを
基体から剥離するための剥離剤組成物に関する。
従来二技専
半導体や集積回路は、無機質基体上にフォトレジストを
塗布し、これを露光させ、現像し、ベークし、次いで、
これにエッチングや選択的拡散等の所要の微細加工を施
して、バターニングを行なった後、上記フォトレジスト
膜を基体から剥離除去することによって製造されている
。また、液晶の製造には、ポリイミド等の有機質基体も
用いられている。
塗布し、これを露光させ、現像し、ベークし、次いで、
これにエッチングや選択的拡散等の所要の微細加工を施
して、バターニングを行なった後、上記フォトレジスト
膜を基体から剥離除去することによって製造されている
。また、液晶の製造には、ポリイミド等の有機質基体も
用いられている。
一般に、フォトレジストには、露光によって可溶化する
ボジ型と、露光によって不溶化するネガ型とがあり、ポ
ジ型としては、例えば、代表的にはフェノール・ホルム
アルデヒド樹脂と光増惑剤とからなるフォトレジストが
知られており、ネガ型としては、樹脂成分としてボリケ
イ皮酸ビニルや環化ゴムを含有するフォトレジストが知
られている。
ボジ型と、露光によって不溶化するネガ型とがあり、ポ
ジ型としては、例えば、代表的にはフェノール・ホルム
アルデヒド樹脂と光増惑剤とからなるフォトレジストが
知られており、ネガ型としては、樹脂成分としてボリケ
イ皮酸ビニルや環化ゴムを含有するフォトレジストが知
られている。
このようにポジ型及びネガ型に応じて、基体上にフォト
レジスト膜を形成し、微細加工を施した後にこのフォト
レジスト膜を剥離除去するための剥離剤組成物は、従来
、一般にフェノール又はその誘導体と塩素系有機溶剤を
含有している。このような剥離剤組成物は、フォトレジ
スト膜の剥離性にすぐれるのみならず、金属からなる基
体に対して実質的に腐食性がないために、従来、広く使
用されている。しかし、かかる剥離剤組成物は、フェノ
ール系化合物や塩素系有機溶剤を含有するために毒性が
指摘されており、また、その廃液処理にも問題を有する
。
レジスト膜を形成し、微細加工を施した後にこのフォト
レジスト膜を剥離除去するための剥離剤組成物は、従来
、一般にフェノール又はその誘導体と塩素系有機溶剤を
含有している。このような剥離剤組成物は、フォトレジ
スト膜の剥離性にすぐれるのみならず、金属からなる基
体に対して実質的に腐食性がないために、従来、広く使
用されている。しかし、かかる剥離剤組成物は、フェノ
ール系化合物や塩素系有機溶剤を含有するために毒性が
指摘されており、また、その廃液処理にも問題を有する
。
が ′ しようとする 占
本発明は、従来のポジ型フォトレジストの剥離剤組成物
における上記した問題を解決するためになされたもので
あって、フェノール系化合物や塩素系有機溶剤を含有せ
ず、作業性及び安全性にすぐれるのみならず、ポリイミ
ドのような有機質基体に対しても腐食性を有しないポジ
型フォトレジスト膜の剥離剤組成物を提供することを目
的とする。
における上記した問題を解決するためになされたもので
あって、フェノール系化合物や塩素系有機溶剤を含有せ
ず、作業性及び安全性にすぐれるのみならず、ポリイミ
ドのような有機質基体に対しても腐食性を有しないポジ
型フォトレジスト膜の剥離剤組成物を提供することを目
的とする。
５題声を”決するための手
本発明による基体上に塗布されたポジ型フォトレジスト
膜を剥離するための剥離剤組成物は、（ａｌ 一般式 Ｒ’ＣＯＮＲ”Ｒ’ （式中、Ｒｌ， Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素、
メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピロリドン及び１
．３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から
選ばれる少なくとも１種のアミド２〜５０重量％、 及び （ｂ） 一般式 ＨＯ− （ＣＪａＯ） ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテル９８〜５
０重量％ とからなることを特徴とする。
膜を剥離するための剥離剤組成物は、（ａｌ 一般式 Ｒ’ＣＯＮＲ”Ｒ’ （式中、Ｒｌ， Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素、
メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピロリドン及び１
．３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から
選ばれる少なくとも１種のアミド２〜５０重量％、 及び （ｂ） 一般式 ＨＯ− （ＣＪａＯ） ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテル９８〜５
０重量％ とからなることを特徴とする。
本発明において、基体は、無機質、有機質いずれであっ
てもよく、無機質基体には、例えば、二酸化ケイ素、サ
ファイア、ケイ素被膜を有するケイ素、窒化ケイ素、ガ
リウムーヒ素（ヒ化ガリウム）、銅、ガラス、酸化クロ
ム、ニッケル、クロム、アルミニウム、インジウム、チ
タン酸化膜等の導電性被膜を有する基板を含む。また、
有機質基体の代表例として、例えば、ポリイミド樹脂膜
を挙げることができる。
てもよく、無機質基体には、例えば、二酸化ケイ素、サ
ファイア、ケイ素被膜を有するケイ素、窒化ケイ素、ガ
リウムーヒ素（ヒ化ガリウム）、銅、ガラス、酸化クロ
ム、ニッケル、クロム、アルミニウム、インジウム、チ
タン酸化膜等の導電性被膜を有する基板を含む。また、
有機質基体の代表例として、例えば、ポリイミド樹脂膜
を挙げることができる。
本発明による剥離剤組成物は、一般式
Ｒ’ＣＯＮＲ”Ｒ３
（式中、Ｒｌ， Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素、
メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピロリドン及び１
．３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から
選ばれる少なくとも１種のアミドを２〜５０重量％、好
ましくは５〜３０重量％の範囲にて含む。
メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピロリドン及び１
．３−ジメチル−２−イミダゾリジノンよりなる群から
選ばれる少なくとも１種のアミドを２〜５０重量％、好
ましくは５〜３０重量％の範囲にて含む。
前記一般弐で表わされる鎖状アミドとしては、例えば、
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ア
セトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−
メチルプロビオンアミド等を挙げることができる。
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ア
セトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−
メチルプロビオンアミド等を挙げることができる。
更に、本発明による剥離剤組成物は、一般式ＨＯ− （
ＣｔＨｎＯ） ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテルを９８〜
５０重景％、好ましくは９５〜７０重量％の範囲にて含
む。
ＣｔＨｎＯ） ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテルを９８〜
５０重景％、好ましくは９５〜７０重量％の範囲にて含
む。
前記一般式で表わされるグリコールモノアルキルエーテ
ルとしては、例えば、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル等を好ましい具体例として挙
げることができる。これらのなかでも、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルが特に好ましく用いられる。
ルとしては、例えば、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル等を好ましい具体例として挙
げることができる。これらのなかでも、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルが特に好ましく用いられる。
特に好ましい本発明による剥離剤組成物は、前記アミド
１０〜２０重景％とジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル９０〜８０重量％とからなる。
１０〜２０重景％とジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル９０〜８０重量％とからなる。
更に、本発明による剥離剤組成物は、水性とすることも
できる。かかる剥離剤組成物は、前述したアミド２〜５
０重量％とグリコールモノアルキルエーテル９８〜５０
重量％とからなる混合物ｌＯＯ重量部と水５０〜２００
重量部、好ましくは７５〜１５０重量部とからなること
を特徴とする。
できる。かかる剥離剤組成物は、前述したアミド２〜５
０重量％とグリコールモノアルキルエーテル９８〜５０
重量％とからなる混合物ｌＯＯ重量部と水５０〜２００
重量部、好ましくは７５〜１５０重量部とからなること
を特徴とする。
かかる水性剥離剤組成物は、不燃性であって、作業性及
び安全性にすぐれるのみならず、金属基板に対して腐食
性をもたない。
び安全性にすぐれるのみならず、金属基板に対して腐食
性をもたない。
また、本発明によれば、前記アミドとして、ＮＮ−ジメ
チルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを
用いた剥離剤組成物は、有機溶剤型であっても、水性で
あっても、ポリイミドに対して腐食性を有しない。
チルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを
用いた剥離剤組成物は、有機溶剤型であっても、水性で
あっても、ポリイミドに対して腐食性を有しない。
本発明による剥離剤組成物は、２０〜９０℃の範囲の温
度で用いることができるが、常温で用いても、フォトレ
ジスト膜の剥離性に著しくすぐれる。例えば、剥離すべ
きフォトレジスト膜を有する基体を本発明による剥離剤
組成物中に常温にて浸漬した後、水にてリンスし、乾燥
することによって、フォトレジスト膜が除去された基体
を得ることができる。
度で用いることができるが、常温で用いても、フォトレ
ジスト膜の剥離性に著しくすぐれる。例えば、剥離すべ
きフォトレジスト膜を有する基体を本発明による剥離剤
組成物中に常温にて浸漬した後、水にてリンスし、乾燥
することによって、フォトレジスト膜が除去された基体
を得ることができる。
本発明による剥離剤組成物は、特にポジ型フォトレジス
ト膜の剥離に好適であり、かかるボジ型フォトレジスト
としては、例えば、重合体成分としてフェノール・ホル
ムアルデヒド樹脂を含有するフォトレジストを挙げるこ
とができる。
ト膜の剥離に好適であり、かかるボジ型フォトレジスト
としては、例えば、重合体成分としてフェノール・ホル
ムアルデヒド樹脂を含有するフォトレジストを挙げるこ
とができる。
允凱二四里
本発明による剥離剤組成物は、以上のように、アミドと
グリコールモノアルキルエーテルを所定量含有する有機
溶剤型組成物又は水性組成物であつて、塩素系溶剤やフ
ェノール類を含む従来の剥離剤組成物と異なり、毒性が
すくない。水性剥離剤組成物は、不燃性であって、作業
性及び安全性にすぐれるのみならず、金属基板を腐食し
ない。
グリコールモノアルキルエーテルを所定量含有する有機
溶剤型組成物又は水性組成物であつて、塩素系溶剤やフ
ェノール類を含む従来の剥離剤組成物と異なり、毒性が
すくない。水性剥離剤組成物は、不燃性であって、作業
性及び安全性にすぐれるのみならず、金属基板を腐食し
ない。
また、ポリイミド基体に対する腐食作用もない。
更に、本発明による剥離剤組成物は、フォトレジスト膜
の剥離処理後のリンス工程において、芳香族炭化水素や
ハロゲン系溶剤を用いる必要がなく、水洗によって基体
から容易に組成物を除去することができるので、この点
からも、作業性及び安全性にすぐれ、更に、廃液処理も
容易である。
の剥離処理後のリンス工程において、芳香族炭化水素や
ハロゲン系溶剤を用いる必要がなく、水洗によって基体
から容易に組成物を除去することができるので、この点
からも、作業性及び安全性にすぐれ、更に、廃液処理も
容易である。
去旌開
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例１
シリコンウエハー上に密着性付与剤を塗布した後、市販
のポジ型フォトレジストをスピンコーターにて厚さ１．
５μｍに塗布し、１００℃の温度で２分間ホットプレー
ト上でプレベークし、更に、１２０〜２００℃の温度で
ボストベークして、フォトレジスト膜を形成した。
のポジ型フォトレジストをスピンコーターにて厚さ１．
５μｍに塗布し、１００℃の温度で２分間ホットプレー
ト上でプレベークし、更に、１２０〜２００℃の温度で
ボストベークして、フォトレジスト膜を形成した。
このフォトレジスト膜を第１表に示す組成を有する剥離
剤組成物中にそれぞれ第１表に示す所定温度にて浸漬し
た後、純水で洗浄し、赤外線ランプ下で乾燥した．ウエ
ハー表面を単色光下に顕微鏡にて基体上の残存フォトレ
ジスト膜の有無を観察することにより、フォトレジスト
膜の剥離速度を求めた．結果を第２表に示す。
剤組成物中にそれぞれ第１表に示す所定温度にて浸漬し
た後、純水で洗浄し、赤外線ランプ下で乾燥した．ウエ
ハー表面を単色光下に顕微鏡にて基体上の残存フォトレ
ジスト膜の有無を観察することにより、フォトレジスト
膜の剥離速度を求めた．結果を第２表に示す。
実施例２
第３表に示す組成を有する剥離剤組成物を含む浴中にガ
ラス板上にニッケルを蒸着した基体を６０℃にて２１時
間浸漬した後、取出した。浴中に溶出したニッケル量を
原子吸光法にて測定し、基体の腐食速度を求めた。結果
を第３表に示す。
ラス板上にニッケルを蒸着した基体を６０℃にて２１時
間浸漬した後、取出した。浴中に溶出したニッケル量を
原子吸光法にて測定し、基体の腐食速度を求めた。結果
を第３表に示す。
同様に、ガラス板上にアルミニウムを蒸着した基体も、
上記と同じ浴に１５時間浸漬して、腐食性を調べた。結
果を第３表に示す。
上記と同じ浴に１５時間浸漬して、腐食性を調べた。結
果を第３表に示す。
実施例３
ガラス板上にポリイミド樹脂（東レ■製）を２３０℃で
６０分間ベータして焼付けた。これを第３表に示す組成
を有する剥離剤組成物を含む浴中に所定温度にて３０分
間浸漬した後、ポリイミド樹脂の膨潤又は溶解の有無を
観察した。アミドとしてジメチルホルムアミド又はジメ
チルアセトアミドを用いる剥離剤組成物によれば、８０
℃においても、ポリイミド樹脂は膨潤溶解しない。
６０分間ベータして焼付けた。これを第３表に示す組成
を有する剥離剤組成物を含む浴中に所定温度にて３０分
間浸漬した後、ポリイミド樹脂の膨潤又は溶解の有無を
観察した。アミドとしてジメチルホルムアミド又はジメ
チルアセトアミドを用いる剥離剤組成物によれば、８０
℃においても、ポリイミド樹脂は膨潤溶解しない。
特許出願人 ナガセ電子化学株式会社
代理人 弁理士 牧 野 逸 郎
Claims (2)
- （１）基体上に塗布されたフォトレジスト膜を剥離する
ための剥離剤組成物であつて、 （ａ）一般式 Ｒ＾１ＣＯＮＲ＾２Ｒ＾３ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３はそれぞれ独立に水
素、メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピ ロリドン及び１，３−ジメチル−２−イミ ダゾリジノンよりなる群から選ばれる少 なくとも１種のアミド２〜５０重量％、 及び （ｂ）一般式 ＨＯ−（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）＿ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテル９８〜５
０重量％ とからなることを特徴とする剥離剤組成物。 - （２）基体上に塗布されたフォトレジスト膜を剥離する
ための剥離剤組成物であつて、 （ａ）一般式 Ｒ＾１ＣＯＮＲ＾２Ｒ＾３ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３はそれぞれ独立に水
素、メチル基又はエチル基を示す。） で表わされる鎖状アミド、Ｎ−メチルピ ロリドン及び１，３−ジメチル−２−イミ ダゾリジノンよりなる群から選ばれる少 なくとも１種のアミド２〜５０重量％、 及び （ｂ）一般式 ＨＯ−（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）＿ｐ−Ｒ （式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｐは１
、２又は３の整数を示す。） で表わされるグリコールモノアルキルエーテル９８〜５
０重量％ とからなる混合物１００重量部と、 （ｃ）水５０〜２００重量部 とからなることを特徴とする剥離剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286261A JP2759462B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 水性剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286261A JP2759462B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 水性剥離剤組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02131239A true JPH02131239A (ja) | 1990-05-21 |
| JP2759462B2 JP2759462B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17702076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63286261A Expired - Fee Related JP2759462B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 水性剥離剤組成物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2759462B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-11-11 JP JP63286261A patent/JP2759462B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |