JPH02125875A - ジシランを用いる化学蒸着 - Google Patents
ジシランを用いる化学蒸着Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジシランを用いて珪素、珪化タングステン、
及びポリサイドを含む材料層を形成する方法に関する。
及びポリサイドを含む材料層を形成する方法に関する。
特に化学蒸着（ＣＶ Ｄ）装置を用いる半導体業界にお
いて使用される珪素、二酸化珪素、及びその他の珪素化
合物のフィルムの製造の珪素源としては通常モノシラン
ＳｉＨ４が使用されてきた。
いて使用される珪素、二酸化珪素、及びその他の珪素化
合物のフィルムの製造の珪素源としては通常モノシラン
ＳｉＨ４が使用されてきた。
珪素フィルムの製造においては、モノシランの代替物と
してジシラン５ｌＺＨ６が研究されている。
してジシラン５ｌＺＨ６が研究されている。
近年、珪素太陽電池の開発における関心が増大してきた
ため、太陽電池に使用されるプラズマ蒸着珪素フィルム
の蒸着速度をジシランが実質的に増大させると考えられ
るという理由で商業的量のジシランが入手しうるように
なった。しかしこのことは十分には実現されていないの
で、ジシランは大気圧水素化非晶質珪素製造の原料とし
て広く研究された。
ため、太陽電池に使用されるプラズマ蒸着珪素フィルム
の蒸着速度をジシランが実質的に増大させると考えられ
るという理由で商業的量のジシランが入手しうるように
なった。しかしこのことは十分には実現されていないの
で、ジシランは大気圧水素化非晶質珪素製造の原料とし
て広く研究された。
ジシランから製造された珪素フィルムの典型的な先行技
術の用途は、太陽電池におけるような、並びに二極性及
びＣＭＯ３半導体技術に使用される珪素ウェファ−の表
面上のエピタキシャル珪素層の形成におけるような比較
的平らな表面である。
術の用途は、太陽電池におけるような、並びに二極性及
びＣＭＯ３半導体技術に使用される珪素ウェファ−の表
面上のエピタキシャル珪素層の形成におけるような比較
的平らな表面である。
モノシランは比較的低温で六沸化タングステンと反応し
て珪化タングステンを形成する。珪化タングステンは珪
化タングステンの中間層を包む珪素の上部層及び底部層
と結合していわゆるポリサイド構造を形成する。これら
の珪素、珪化タングステン、及び珪素の三層ポリサイド
ザンｊ′インチが半導体集積回路の導電要素として通常
使用される。
て珪化タングステンを形成する。珪化タングステンは珪
化タングステンの中間層を包む珪素の上部層及び底部層
と結合していわゆるポリサイド構造を形成する。これら
の珪素、珪化タングステン、及び珪素の三層ポリサイド
ザンｊ′インチが半導体集積回路の導電要素として通常
使用される。
珪化タングステンフィルムはモノシランを用いて比較的
低温で形成されうるが、鋭い曲角及び凹角の角部並びに
急勾配を有する複雑なトポロジの集積回路をフィルムが
おおわなければならない場合にはそのようなフィルムは
不十分な段被覆及び応力特性を有することが見い出され
た。
低温で形成されうるが、鋭い曲角及び凹角の角部並びに
急勾配を有する複雑なトポロジの集積回路をフィルムが
おおわなければならない場合にはそのようなフィルムは
不十分な段被覆及び応力特性を有することが見い出され
た。
本発明の目的は、改良された段被覆、−層平滑な表面及
び−層低い内部応力を有する珪素フィルムを形成するだ
めの改良方法を提供することにある。
び−層低い内部応力を有する珪素フィルムを形成するだ
めの改良方法を提供することにある。
本発明の第二の目的は、改良された段被覆、平滑性及び
−層低い内部応力を有する珪化タングステンフィルムを
形成する方法を提供することにある。
−層低い内部応力を有する珪化タングステンフィルムを
形成する方法を提供することにある。
本発明の第三の目的は、珪素、珪化タングステン、及び
珪素から形成され、しかも改良された段被覆、平滑性及
び−層低い内部応力を有する改良されたポリサイドを提
供するにある。
珪素から形成され、しかも改良された段被覆、平滑性及
び−層低い内部応力を有する改良されたポリサイドを提
供するにある。
これら及びその他の本発明の目的に従って、本発明者は
ジシランを用いて、鋭い輪郭の表面上に珪素を含む材料
の改良された層すなわちフィルムを形成する方法を発見
した。珪素を含む材料は、珪素又は珪化タングステン層
から成る群から選択される。本発明により提供された層
は改良された特性を有するため、本発明はたとえば半導
体集積回路」二に珪素又は珪化タングステンの層を形成
することに特に適切である。本発明に従って製造された
層すなわちフィルムは、珪素源としてモノシランを用い
る従来の方法により製造された層に対して改良された段
被覆、平滑性、及び低い内部応力を示す。
ジシランを用いて、鋭い輪郭の表面上に珪素を含む材料
の改良された層すなわちフィルムを形成する方法を発見
した。珪素を含む材料は、珪素又は珪化タングステン層
から成る群から選択される。本発明により提供された層
は改良された特性を有するため、本発明はたとえば半導
体集積回路」二に珪素又は珪化タングステンの層を形成
することに特に適切である。本発明に従って製造された
層すなわちフィルムは、珪素源としてモノシランを用い
る従来の方法により製造された層に対して改良された段
被覆、平滑性、及び低い内部応力を示す。
本発明に従って鋭い輪郭の表面上に形成された珪素層は
、鋭い輪郭の表面上で、好ましくは大気圧下の化学蒸着
（ＡＰＣＶＤ）系においてジシランを熱分解するごとに
より製造される。珪化タングステン層は鋭い輪郭の表面
上で、大気圧下の化学蒸着系においてジシランを六沸化
タングステンと反応させることにより形成される。
、鋭い輪郭の表面上で、好ましくは大気圧下の化学蒸着
（ＡＰＣＶＤ）系においてジシランを熱分解するごとに
より製造される。珪化タングステン層は鋭い輪郭の表面
上で、大気圧下の化学蒸着系においてジシランを六沸化
タングステンと反応させることにより形成される。
さらに本発明によれば、ジシランを熱分解してポリサイ
ドの外部層を製造することにより半導体集積回路上にタ
ングステンポリサイドが形成される。珪化タングステン
の内部層は、好ましくは大気圧下化学蒸着系においてジ
シランと六沸化タングステンを反応させることにより形
成される。層が連続的に形成される隣接したコーティン
グ室を有する加熱されたトンネル中に半導体集積回路を
通過させる。汚染を防くためには、コーティング室間に
位置するパージ及び排気領域に半導体集積回路を通過さ
せる。これらの領域は前記層の７７；染を防くために気
圧が制御されている。たとえばこの系は、半導体集積回
路がコーティング室間を移動する際に、微量の酸素が珪
素層上で酸化物を形成するのを防く。
ドの外部層を製造することにより半導体集積回路上にタ
ングステンポリサイドが形成される。珪化タングステン
の内部層は、好ましくは大気圧下化学蒸着系においてジ
シランと六沸化タングステンを反応させることにより形
成される。層が連続的に形成される隣接したコーティン
グ室を有する加熱されたトンネル中に半導体集積回路を
通過させる。汚染を防くためには、コーティング室間に
位置するパージ及び排気領域に半導体集積回路を通過さ
せる。これらの領域は前記層の７７；染を防くために気
圧が制御されている。たとえばこの系は、半導体集積回
路がコーティング室間を移動する際に、微量の酸素が珪
素層上で酸化物を形成するのを防く。
以下本発明を例示する添付図面を参照しながら、本発明
の好ましい実施例を詳細に説明する。本発明を好ましい
実施例と関連させて記載するが、本発明はそれらの実施
例に限定されるものではない。
の好ましい実施例を詳細に説明する。本発明を好ましい
実施例と関連させて記載するが、本発明はそれらの実施
例に限定されるものではない。
反対に、本発明は、特許請求の範囲により定義された本
発明の精神及び範囲に含まれる本発明に代わるもの、変
更例及び等価なものも包含する。
発明の精神及び範囲に含まれる本発明に代わるもの、変
更例及び等価なものも包含する。
第１図は、はぼ垂直の側面１５、及び１６、鋭く郭成さ
れた外角１８及び２０及び内角２２及び２４を有する鋭
い輪郭の表面の回路１４が形成されている支持体１２を
含む半導体デバイスＩＯの一部である。支持体１２及び
回路１４の上にあるのがモノシランから形成された珪素
の層２６である。珪素層が形成されると、層の厚さは位
置の関数として変化する。特に内角は珪素層２６内に凹
角部分２８及び２９を形成する。
れた外角１８及び２０及び内角２２及び２４を有する鋭
い輪郭の表面の回路１４が形成されている支持体１２を
含む半導体デバイスＩＯの一部である。支持体１２及び
回路１４の上にあるのがモノシランから形成された珪素
の層２６である。珪素層が形成されると、層の厚さは位
置の関数として変化する。特に内角は珪素層２６内に凹
角部分２８及び２９を形成する。
第２図は、珪素支持体３２上に形成されたポリサイド導
体３０の一部を示す先行技術の半導体デバイスの横断面
図である。第一の珪素層３４は、支持体３２の表面上の
回路３６をおおって支持体３２の表面上に形成される。
体３０の一部を示す先行技術の半導体デバイスの横断面
図である。第一の珪素層３４は、支持体３２の表面上の
回路３６をおおって支持体３２の表面上に形成される。
３６のような回路は、珪素層の一部３８が鋭い輪郭の表
面、この場合回路３６により製造される表面の輪郭の股
上に形成されうろことを必要とする。大気圧下の化学蒸
着（ＡＰＣＶＤ）系（以下に記載）におけるジシランの
熱分解により、原料としてモノシランを用いて製造され
た珪素層と比較して図示したように良好な膜被覆、並び
に平滑な表面及び−層低い内部応力を示す珪素層が製造
されることが見い出された。
面、この場合回路３６により製造される表面の輪郭の股
上に形成されうろことを必要とする。大気圧下の化学蒸
着（ＡＰＣＶＤ）系（以下に記載）におけるジシランの
熱分解により、原料としてモノシランを用いて製造され
た珪素層と比較して図示したように良好な膜被覆、並び
に平滑な表面及び−層低い内部応力を示す珪素層が製造
されることが見い出された。
第２図はまた、モノシラン及び六沸化タングステンから
ＡＰＣＶＤにより製造されか先行技術の珪化タングステ
ン層を示す。ＡＰＣＶＤプロセスを実施するための装置
の例については、第３図及び第４図と関連して以下で考
察する。珪化タングステン層が２つの部分４１ａ及び４
１ｂを有し、その間に大きな空隙を有することに注意さ
れたい。
ＡＰＣＶＤにより製造されか先行技術の珪化タングステ
ン層を示す。ＡＰＣＶＤプロセスを実施するための装置
の例については、第３図及び第４図と関連して以下で考
察する。珪化タングステン層が２つの部分４１ａ及び４
１ｂを有し、その間に大きな空隙を有することに注意さ
れたい。
空隙は層の凹角に生ずると思われる。この現象はモノシ
ランから製造される珪素蒸気が鋭い輪郭の表面のような
領域をおおうことができず、応力によりひきおこされた
亀裂がこのような領域を形成する傾向があるために生ず
ると思われる。
ランから製造される珪素蒸気が鋭い輪郭の表面のような
領域をおおうことができず、応力によりひきおこされた
亀裂がこのような領域を形成する傾向があるために生ず
ると思われる。
珪素の上部層４４もまたＡＰＣＶＤ系においてジシラン
から製造される。この層４４は珪化物層４１ａ及び４．
１ ｂを平滑におおう。特に、層４１ａ及び４１ｂ間の
空隙が充てんされている。
から製造される。この層４４は珪化物層４１ａ及び４．
１ ｂを平滑におおう。特に、層４１ａ及び４１ｂ間の
空隙が充てんされている。
珪素蒸気がくぼんだトポロジーを有する構造を有効に被
覆しうろことを示す。
覆しうろことを示す。
第３図は、本発明に従ってフィルム、すなわち層を形成
するコンベヤーＡＰＣＶＤ系を示す。系にはファーネス
トンネル、すなわちマツフル５４が含まれ、それには１
またはそれ以上の蒸着室５６が含まれて、その−が第３
図に示される。コンヘヤーベルト５７は、半導体ウェフ
ァ−５８又はその上に形成されている一以上の集積回路
５８を有するデバイスを、跳上げ戸５９を通過してトン
ネル５４に運ぶ。入口パージ室６１ａ及び出口パージ室
６１ｂには各々トンネル５４の内部を実質的に大気から
密封するために、跳上げ戸の外側を通過するように不活
性ガスを流す。コンヘヤーベルト５７はウェファ−を蒸
着室５６に運ぶ。蒸着室の手前には跳上げ戸６２及び蒸
着室５６内に材料を閉じ込めるためのパージ室６３ａが
ある。
するコンベヤーＡＰＣＶＤ系を示す。系にはファーネス
トンネル、すなわちマツフル５４が含まれ、それには１
またはそれ以上の蒸着室５６が含まれて、その−が第３
図に示される。コンヘヤーベルト５７は、半導体ウェフ
ァ−５８又はその上に形成されている一以上の集積回路
５８を有するデバイスを、跳上げ戸５９を通過してトン
ネル５４に運ぶ。入口パージ室６１ａ及び出口パージ室
６１ｂには各々トンネル５４の内部を実質的に大気から
密封するために、跳上げ戸の外側を通過するように不活
性ガスを流す。コンヘヤーベルト５７はウェファ−を蒸
着室５６に運ぶ。蒸着室の手前には跳上げ戸６２及び蒸
着室５６内に材料を閉じ込めるためのパージ室６３ａが
ある。
同様に、跳上げ戸を有する別のパージ室６３ｂが蒸着室
５６内に材料を閉じ込めるために蒸着室の次にある。間
接加熱系には、ウェファ−を特に蒸着反応に望ましい温
度に加熱するために典型的には６６で示されるような電
気的加熱要素が含まれる。化学物質を室５６に流入する
とウェファ−の表面に突き当たり、そこで反応して適す
るフィルムすなわち層に蒸着する。化学物質の蒸気の精
密バブルを室５６内で保持する。化学物質が連続的にバ
ブルを供給し、パージがこれらの化学物質を室５６内に
隔離して閉じ込める。反応副生成物は、室５６及びパー
ジ室からの気体の排気を精密制御することにより除去さ
れる。
５６内に材料を閉じ込めるために蒸着室の次にある。間
接加熱系には、ウェファ−を特に蒸着反応に望ましい温
度に加熱するために典型的には６６で示されるような電
気的加熱要素が含まれる。化学物質を室５６に流入する
とウェファ−の表面に突き当たり、そこで反応して適す
るフィルムすなわち層に蒸着する。化学物質の蒸気の精
密バブルを室５６内で保持する。化学物質が連続的にバ
ブルを供給し、パージがこれらの化学物質を室５６内に
隔離して閉じ込める。反応副生成物は、室５６及びパー
ジ室からの気体の排気を精密制御することにより除去さ
れる。
第４図は、本発明に従ってタングステンポリサイドを形
成するために設けられた多段コンベヤーＡＰＣＶＤ系７
０を模式的に示す。室内の、圧力や流動性の非常に小さ
な変化が被覆の形成に変化をひきおこす恐れがあるので
、この系は各コーティング室が独立していて隣接する室
が互いに干渉したり乱したりしないように設計されてい
る。この系はまた、珪素又は珪化タングステンのコーテ
ィングが酸素に汚染されることなく形成されるように、
系に及ぼす大気中の酸素の影響を妨げるように設計され
ている。珪素のウェファ−をコンベヤーベルト７４上に
供給し、系の各工程でウェファ−を適する温度に加熱す
るための、典型的には７８で示される複数個の加熱要素
が隣接して位置するファーネストンネル７６に運ぶ。入
口パージ工程８０及び出口パージ工程８２には各々トン
ネルの内部を実質的に大気から密封するために適するバ
ッフル又は跳上げ戸（図示せず）の外部を通過するよう
に不活性ガスを流す。
成するために設けられた多段コンベヤーＡＰＣＶＤ系７
０を模式的に示す。室内の、圧力や流動性の非常に小さ
な変化が被覆の形成に変化をひきおこす恐れがあるので
、この系は各コーティング室が独立していて隣接する室
が互いに干渉したり乱したりしないように設計されてい
る。この系はまた、珪素又は珪化タングステンのコーテ
ィングが酸素に汚染されることなく形成されるように、
系に及ぼす大気中の酸素の影響を妨げるように設計され
ている。珪素のウェファ−をコンベヤーベルト７４上に
供給し、系の各工程でウェファ−を適する温度に加熱す
るための、典型的には７８で示される複数個の加熱要素
が隣接して位置するファーネストンネル７６に運ぶ。入
口パージ工程８０及び出口パージ工程８２には各々トン
ネルの内部を実質的に大気から密封するために適するバ
ッフル又は跳上げ戸（図示せず）の外部を通過するよう
に不活性ガスを流す。
酸化物エツチング室８４にはウェファ−表面上に酸化物
がエツチングするように適する化学物質が流入されてい
る。この工程の後、別のパージ／単離工程８６がある。
がエツチングするように適する化学物質が流入されてい
る。この工程の後、別のパージ／単離工程８６がある。
精密に制御された温度、圧力、及び流速の化学物質の精
密バブルを室８４及び次いで確認されるその他の室内に
保持する。次の工程は珪素蒸着室８８であり、そこでウ
ェファ−は約５００℃に加熱され、ジシランが熱分解さ
れてウェファ−が室内を通過する際ウェファ−上に珪素
層が形成される。別の単離工程９０の後には珪化タング
ステン室９２があり、そこではジシラン及び六沸化タン
グステンを３６０℃に加熱されたウェファ−上で反応さ
せて室８８内で蒸着された珪素層上に珪化タングステン
層を形成する。
密バブルを室８４及び次いで確認されるその他の室内に
保持する。次の工程は珪素蒸着室８８であり、そこでウ
ェファ−は約５００℃に加熱され、ジシランが熱分解さ
れてウェファ−が室内を通過する際ウェファ−上に珪素
層が形成される。別の単離工程９０の後には珪化タング
ステン室９２があり、そこではジシラン及び六沸化タン
グステンを３６０℃に加熱されたウェファ−上で反応さ
せて室８８内で蒸着された珪素層上に珪化タングステン
層を形成する。
別の単離工程９４を通過後、ウェファ−は第二の珪素蒸
着室９６を通過し、そこでウェファ−は５００℃に加熱
され、ジシランが熱分解されて珪化タングステン層の上
に珪素層を形成する。次いでウェファ−は別の単離工程
９８を通過し、ファーネスから出る前にアニーリング室
に入る。
着室９６を通過し、そこでウェファ−は５００℃に加熱
され、ジシランが熱分解されて珪化タングステン層の上
に珪素層を形成する。次いでウェファ−は別の単離工程
９８を通過し、ファーネスから出る前にアニーリング室
に入る。
第５図は、深さ５μの溝が形成されている鋭い輪郭の二
酸化珪素層１１２上に形成された非晶室珪素の層１１０
の例を示す。珪素はジシランの熱分解により、溝により
形成された急勾配の股上に蒸着する。
酸化珪素層１１２上に形成された非晶室珪素の層１１０
の例を示す。珪素はジシランの熱分解により、溝により
形成された急勾配の股上に蒸着する。
第６図は、回路１２２が形成されている珪素支持体１２
０上に形成されたポリサイドの例である。
０上に形成されたポリサイドの例である。
第一の珪素層１２４が回路１２２の上及び支持体１２０
の珪素表面上に形成されている。支持体は、たとえば第
４図に示される室８４のような酸化物エツチング室内で
残存する酸化物が除去される。
の珪素表面上に形成されている。支持体は、たとえば第
４図に示される室８４のような酸化物エツチング室内で
残存する酸化物が除去される。
珪素層１２４はジシランの熱分解により形成され、鋭い
輪郭の回路１２２上を良好な段被覆並びに平滑面及び低
い内部応力を有するフィルムを形成する。第４図に示さ
れるようなＡＰＣＶＤ系においてジシランと六沸化タン
グステンを反応させることにより珪化タングステン層１
２６が珪素層１２４上に形成される。このジシランを用
いて製造された珪化タングステン層１２６は良好な段被
覆を示し、かつ内部応力の低い平滑面を有する。このこ
とは、応力亀裂及び不十分な膜被覆特性を示す凹角部に
おける大きな空隙を有する第２図に示されるようなモノ
シランから製造された先行技術の珪化タングステン層と
は著しく違っている。今日でも、特にＡＰＣＶＤ系で形
成された場合、モノシランから製造された層と比較して
ジシランが優れた珪素及び珪化タングステン層を製造す
る理由は精確には理解されていない。
輪郭の回路１２２上を良好な段被覆並びに平滑面及び低
い内部応力を有するフィルムを形成する。第４図に示さ
れるようなＡＰＣＶＤ系においてジシランと六沸化タン
グステンを反応させることにより珪化タングステン層１
２６が珪素層１２４上に形成される。このジシランを用
いて製造された珪化タングステン層１２６は良好な段被
覆を示し、かつ内部応力の低い平滑面を有する。このこ
とは、応力亀裂及び不十分な膜被覆特性を示す凹角部に
おける大きな空隙を有する第２図に示されるようなモノ
シランから製造された先行技術の珪化タングステン層と
は著しく違っている。今日でも、特にＡＰＣＶＤ系で形
成された場合、モノシランから製造された層と比較して
ジシランが優れた珪素及び珪化タングステン層を製造す
る理由は精確には理解されていない。
本発明の特定の実施例に関する前述の記述は説明及び記
述のために示したものである。それらは全てを記述しつ
くしたわけでもないし、本発明を開示された精確な形に
限定するつもりもない。明らかに多くの変形及び変更も
前述の教示から可能である。以上、本発明の原理及びそ
の実際的な用途を最もよく説明するために、そしてそれ
により当業者が本発明及び特殊な用途に適すると思われ
る種々の変更がなされた種々の具体例を最もよく利用で
きるように、実施例を選択し記述した。本発明の範囲は
特許請求の範囲及びそれらと等価なものにより定義され
る。
述のために示したものである。それらは全てを記述しつ
くしたわけでもないし、本発明を開示された精確な形に
限定するつもりもない。明らかに多くの変形及び変更も
前述の教示から可能である。以上、本発明の原理及びそ
の実際的な用途を最もよく説明するために、そしてそれ
により当業者が本発明及び特殊な用途に適すると思われ
る種々の変更がなされた種々の具体例を最もよく利用で
きるように、実施例を選択し記述した。本発明の範囲は
特許請求の範囲及びそれらと等価なものにより定義され
る。
本明細書の一部を形成する添付図面は本発明の詳細な説
明し、記述と共に本発明の詳細な説明するために供する
。 第１図は、モノシランから製造された珪素の層を示す先
行技術の半導体デバイスの横断面図であり・ 第２図は、本発明に従ってジシランから製造された珪素
層を有するがモノシランから製造された欠陥のある珪化
タングステン層を有する珪素−珪化タングステン−珪素
−珪素ポリサイドを示す半導体デバイスの横断面図であ
り、 第３図は、単一工程の大気圧下の化学蒸着系の模式図で
あり、 第４図は、本発明による層を製造するための大気圧下の
化学蒸着系の多段コンベヤーシステムの模式図であり、 第５図は、本発明による珪素層を示す半導体デバイスの
横断面図であり、かつ 第６図は、本発明に従ってジシランを用いて形成された
珪素層及び珪化タングステン層を有するポリサイドを示
す半導体デバイスの横断面図である。 ＡＣ，仄−
明し、記述と共に本発明の詳細な説明するために供する
。 第１図は、モノシランから製造された珪素の層を示す先
行技術の半導体デバイスの横断面図であり・ 第２図は、本発明に従ってジシランから製造された珪素
層を有するがモノシランから製造された欠陥のある珪化
タングステン層を有する珪素−珪化タングステン−珪素
−珪素ポリサイドを示す半導体デバイスの横断面図であ
り、 第３図は、単一工程の大気圧下の化学蒸着系の模式図で
あり、 第４図は、本発明による層を製造するための大気圧下の
化学蒸着系の多段コンベヤーシステムの模式図であり、 第５図は、本発明による珪素層を示す半導体デバイスの
横断面図であり、かつ 第６図は、本発明に従ってジシランを用いて形成された
珪素層及び珪化タングステン層を有するポリサイドを示
す半導体デバイスの横断面図である。 ＡＣ，仄−
Claims (7)
- （１）六沸化タングステンとジシランを反応させて珪化
タングステン層を製造する工程を含む珪化タングステン
層の形成方法。 - （２）前記反応工程が大気圧下化学蒸着系で実施される
請求項（１）記載の方法。 - （３）前記珪化タングステン層が半導体集積回路上に形
成される請求項（２）記載の方法。 - （４）第一の珪素層を形成し、 六沸化タングステンとジシランを反応させることにより
前記第一の珪素層の上に珪化タングステン層を形成し、
かつ 前記珪化タングステンの層の上に第二の珪素層を形成す
る 工程を含む半導体集積回路上にタングステンポリサイド
サンドイッチを形成する方法。 - （５）前記第一及び第二の珪素層の各々がジシランの熱
分解により形成される請求項（４）記載の方法。 - （６）前記第一及び第二の珪素層及び前記珪化タングス
テン層を大気圧において化学蒸着方法により形成する工
程を含む請求項（４）記載の方法。 - （７）前記半導体集積回路を前記層が形成されるそれぞ
れのコーティング室を有する加熱されたトンネル内に送
って通過させ、かつ 前記半導体集積回路を前記それぞれのコーティング室の
間にあり、前記層の汚染を防ぐために気圧が制御された
パージ及び排気領域に送って通過させる 工程を含む請求項（５）記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23882688A | 1988-08-31 | 1988-08-31 | |
| US238826 | 1988-08-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125875A true JPH02125875A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=22899487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226366A Pending JPH02125875A (ja) | 1988-08-31 | 1989-08-31 | ジシランを用いる化学蒸着 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125875A (ja) |
| KR (1) | KR900003970A (ja) |
| DE (1) | DE3928765A1 (ja) |
| GB (1) | GB2222416B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831815A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2000294775A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0648859B1 (en) * | 1993-10-14 | 1997-07-23 | Applied Materials, Inc. | Processes for the deposition of adherent tungsten silicide films |
| DE19742972A1 (de) * | 1997-09-29 | 1999-04-08 | Siemens Ag | Verfahren zur Ausbildung eines niederohmigen Leitbahnbereichs auf einem Halbleitersubstrat |
| CN113061877A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-07-02 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 高洁净度apcvd成膜设备及其成膜方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4128670A (en) * | 1977-11-11 | 1978-12-05 | International Business Machines Corporation | Fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance |
| US4389257A (en) * | 1981-07-30 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Fabrication method for high conductivity, void-free polysilicon-silicide integrated circuit electrodes |
| DE3572423D1 (en) * | 1984-11-02 | 1989-09-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device having a polycrystalline silicon interconnection layer and method for its manufacture |
| US4684542A (en) * | 1986-08-11 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Low pressure chemical vapor deposition of tungsten silicide |
| US4974056A (en) * | 1987-05-22 | 1990-11-27 | International Business Machines Corporation | Stacked metal silicide gate structure with barrier |
-
1989
- 1989-08-24 GB GB8919291A patent/GB2222416B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-30 DE DE3928765A patent/DE3928765A1/de not_active Withdrawn
- 1989-08-31 KR KR1019890012472A patent/KR900003970A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-08-31 JP JP1226366A patent/JPH02125875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831815A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2000294775A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2222416B (en) | 1993-03-03 |
| GB8919291D0 (en) | 1989-10-04 |
| GB2222416A (en) | 1990-03-07 |
| KR900003970A (ko) | 1990-03-27 |
| DE3928765A1 (de) | 1990-03-01 |
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