JPH02125686A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、たとえば半導体レーザ装置などの半導体装
置の製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device such as a semiconductor laser device.
半導体装置の結晶成長の方法には従来、液相成長法が用
いられてきたが、近年では有機金属化学気相成長（Ｍ
ＯＣＶ Ｄ ； Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法や
分子線成長（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｓ＋ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ）法が精密な膜厚制御を実現する方法として活発
に採用されている。特に最近ではこれらの方法を用いて
２段階以上の結晶成長を行わせることによって、より高
性能の半導体装置を製造する試みが精力的に研究開発さ
れ、一部では実用化の段階にも至っている。Liquid phase growth has traditionally been used to grow crystals in semiconductor devices, but in recent years metal-organic chemical vapor deposition (M
OCV D; Metal Organic Che
mical vapor deposition) method and molecular beam growth (Molecular Beas+ Epit
The axy) method has been actively adopted as a method for realizing precise film thickness control. Particularly recently, attempts to manufacture higher-performance semiconductor devices by performing two or more stages of crystal growth using these methods have been actively researched and developed, and some have even reached the stage of practical application. .
以下においては、各種の情報処理や情報伝送・計測の光
源として近年急速に需要が高まっているＡ Ｉ ＧａＡ
ｓ系の半導体レーザ装置を例に採って従来の技術を概説
する。In the following, we will discuss AI GaA, which has been rapidly increasing in demand in recent years as a light source for various information processing, information transmission, and measurement.
The conventional technology will be outlined using an s-based semiconductor laser device as an example.
半導体レーザ装置では、発振効率の向上などの観点から
、注入電流の拡がりを抑制して電流が注入される活性領
域を制限する必要があり、前記活性領域をストライプ状
に制限したストライブ構造のものが従来より用いられて
いる。前記ストライプ構造には種々のものが提案されて
おり、それらの中で結晶の内部に電流狭窄のためのスト
ライブを設けた内部ストライブ構造の半導体レーザ装置
では、活性領域の極近傍で電流狭窄を行うので電流の拡
がりを充分に抑えることができ、したがって低閾値電流
を実現することが可能である。In semiconductor laser devices, from the viewpoint of improving oscillation efficiency, it is necessary to suppress the spread of the injected current and limit the active region into which the current is injected, and a stripe structure in which the active region is restricted in the form of a stripe is used. has traditionally been used. Various types of striped structures have been proposed. Among them, a semiconductor laser device with an internal stripe structure in which a stripe for current confinement is provided inside the crystal has a structure in which the current constriction occurs very close to the active region. Since this is performed, it is possible to sufficiently suppress the spread of current, and therefore it is possible to realize a low threshold current.
第３図には、上述のような内部ストライブ構造を有する
半導体レーザ装置の構造が示されている。FIG. 3 shows the structure of a semiconductor laser device having an internal stripe structure as described above.
この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１表面に順
に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−Ａｊ！、Ｇａｐ−
ｙＡｓクラッド７１３、ＡｌｘＧａｐ−＊Ａｓ活性層４
、ｐ−１／！、Ｇａｐ−、Ａｓクラッド層５、ｎ−Ｇａ
Ａｓ電流ブロッキング層６、ｐ−Ａ ｌ 、Ｇａ１−ｙ
Ａｓクラッド層７、およびｐ−ＧａＡｓキャップ層８が
積層されて構成されている。９．１０は、オーミック電
極である。This semiconductor laser device includes an n-GaAs buffer layer 2, an n-Aj! , Gap-
yAs cladding 713, AlxGap-*As active layer 4
, p-1/! , Gap-, As cladding layer 5, n-Ga
As current blocking layer 6, p-A l , Ga1-y
An As clad layer 7 and a p-GaAs cap layer 8 are laminated. 9.10 is an ohmic electrode.
第４図はこの半導体レーザ装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。先ず第４図（１）のようにｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１表面に順に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
−Ａｆｆｉ、Ｇａ、−、Ａｓクラッド層３、Ａ Ｉ！
１ｌＧａ ｌ −１１Ａｓ活性層４ 、ｐ−Ａ ｌ ｙ
Ｇａｌ−ｙＡｓクラッド層５、およびｎ−ＧａＡｓｆｉ
流ブロンキノブロンキング１１５６た後、第４図（２）
に示すようにｎ−ＧａＡｓ電流フ電流フキロンキングＮ
６ライプ状に化学エツチングして、第４図の紙面に垂直
な方向に延びるストライブ部１１を形成して、このスト
ライブ部１１でｐ−Ａ ｌ ｙＧａ＋□Ａｓクランド層
５を露出させる。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing this semiconductor laser device. First, as shown in Figure 4 (1), n-Ga
On the surface of the As substrate 1, n-GaAs buffer layers 2 and n
-Affi, Ga, -, As cladding layer 3, A I!
1lGal-11As active layer 4, p-Aly
Gal-yAs cladding layer 5 and n-GaAsfi
Figure 4 (2) after Nagaburonkinobronking 1156
As shown in
Chemical etching is performed in a 6-ripe shape to form a stripe portion 11 extending in a direction perpendicular to the paper plane of FIG. 4, and the p-AlyGa+□As ground layer 5 is exposed at this stripe portion 11.
化学エツチング後、水洗および乾燥を行い、この後に■
−■化合物半導体であるｐ−Ａ ｌ 、Ｇａ、−、Ａｓ
クラ・ンド層７、およびｐ−ＧａＡｓキャンプ層８を成
長させ、最後にオーミンク電極９．ｌＯを形成する。After chemical etching, wash with water and dry, then
- ■ Compound semiconductor p-A l , Ga, -, As
A crystalline conductive layer 7 and a p-GaAs camp layer 8 are grown, and finally an ohmink electrode 9. Form IO.
このようにして作製された半導体レーザ装置では、スト
ライブ部１１以外の部分では、ｐ、＾ｆ 、Ｇａ ｌ
−、Ａｓクランド層７、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング
層６、ｐ−Ａ １ 、Ｇａ、、Ａｓクラッド層５の順で
ｐ−ｎ−ｐ接合が形成されているため電流がほとんど流
れず、ストライブ部１１直、下の領域のみに効率良く電
流が注入され、このようにして活性領域がストライブ部
１１近傍に制限されて、闇値電流を低くして動作させる
ことが可能となる。In the semiconductor laser device manufactured in this way, p, ^f, Gal
-, As cladding layer 7, n-GaAs current blocking layer 6, p-A 1 , Ga, , As cladding layer 5 form a p-n-p junction in this order, so almost no current flows and the strip Current is efficiently injected only into the area directly below the stripe portion 11, and in this way the active region is restricted to the vicinity of the stripe portion 11, making it possible to operate with a low dark value current.
上述のような半導体レーザ装置の製造段階においては、
第４図（２）に示されるように、化学エツチングによっ
てストライブ部１１を形成した直後にはｐ−ＡｌｙＧａ
＋−ｙ＾ＳクラッドＮ５が露出している。At the manufacturing stage of the semiconductor laser device as described above,
As shown in FIG. 4(2), immediately after forming the stripe portion 11 by chemical etching, p-AlyGa
+-y^S cladding N5 is exposed.
しかしながらこのｐ−Ａ Ｐ 、Ｇａｐ−Ｊｓクラッド
層５におけるＡ２の組成比は通常０．３以上であり、こ
のようなＡ ｊ！ ＧａＡｓは化学的に非常に活性であ
るため、このストライブ部１１から露出するｐ−Ａ ｌ
ｙＧａ＋−ｙＡｓクラッド層５表面には、ｐ−Ａ１
ｙＧａ＋−ｙＡｓクラッド層７の形成前に大気中の酸素
との反応により酸化膜が形成されてしまう、このためＩ
ＩＩ−ＩＶ族化合物半導体であるｐ−Ａｌ２．Ｇａｐ−
、ＡｓクラッドＮ７ではその結晶性が著しく悪化し、さ
らにｐ−Ａ ｌ 、Ｇａ、、Ａｓクラッド層５とｐ−＾
ｌ 、Ｇａ 、 −、ｌｌｓクラッド層７との界面に高
抵抗層が形成されることになり、半導体レーザ装置の直
列抵抗が著しく大きくなるという問題があった。However, the composition ratio of A2 in this p-AP, Gap-Js cladding layer 5 is usually 0.3 or more, and such A j! Since GaAs is chemically very active, the p-A l exposed from this stripe portion 11
On the surface of the yGa+-yAs cladding layer 5, p-A1
Before the formation of the yGa+-yAs cladding layer 7, an oxide film is formed due to the reaction with oxygen in the atmosphere.
p-Al2. which is a II-IV group compound semiconductor. Gap-
, As cladding layer N7 has significantly deteriorated crystallinity, and p-A l , Ga, , As cladding layer 5 and p-^
A high-resistance layer is formed at the interface with the l,Ga,-,lls cladding layer 7, resulting in a problem that the series resistance of the semiconductor laser device becomes significantly large.
この発明の目的は、結晶性が改善されるとともに、直列
抵抗が低減される半導体装置の製造方法を提供すること
である。An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which crystallinity is improved and series resistance is reduced.
この発明は、工程中で少なくとも一度ＡＰを、組成の一
部に含む半導体層が大気中に露出され、この半導体層表
面に■−■族化合物半導体の結晶を成長させる工程を含
む半導体装置の製造方法に係るもので、請求項（＋１の
半導体装置の製造方法は、前記■−Ｖ族化合物半導体の
結晶を成長させる工程の前に、前記大気中に露出された
半導体層表面をフッ化水素を組成として含む水溶液に浸
漬する工程を含むことを特徴としている。The present invention provides manufacturing of a semiconductor device including a step in which a semiconductor layer containing AP as a part of the composition is exposed to the atmosphere at least once during the process, and a crystal of a ■-■ group compound semiconductor is grown on the surface of this semiconductor layer. This relates to a method for manufacturing a semiconductor device according to claim (+1), in which the surface of the semiconductor layer exposed to the atmosphere is exposed to hydrogen fluoride before the step of growing the crystal of the -V group compound semiconductor. It is characterized by including a step of immersing it in an aqueous solution containing the composition.
また請求項（２）の半導体装置の製造方法は、前記半導
体層表面をフン化水素を組成として含む水溶液に浸漬す
る工程に引き続き、前記半導体層表面の４分以内の水洗
を行うことを特徴とする。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim (2) is characterized in that, following the step of immersing the surface of the semiconductor layer in an aqueous solution containing hydrogen fluoride as a composition, the surface of the semiconductor layer is washed with water for up to 4 minutes. do.
さらにまた請求項（３）の半導体装置の製造方法は、前
記半導体層表面の４分以内の水洗に引き続いて、前記半
導体表面に７５０℃以上の高温処理を施すことを特徴と
する。Furthermore, the method for manufacturing a semiconductor device according to claim (3) is characterized in that, subsequent to washing the surface of the semiconductor layer with water for 4 minutes or less, the surface of the semiconductor layer is subjected to high temperature treatment at 750° C. or higher.
請求項（＋１の半導体装置の製造方法によれば、大気中
に露出された半導体層表面は、フッ化水素を組成として
含む水？８′ａに浸漬され、これによって前記半導体層
表面に形成された酸化膜が除去される。したがってこの
酸化膜が除去された半導体層表面には、ＩＩＩＶ族化合
物半導体の結晶をその結晶性を良好にして成長させるこ
とができる。さらに高抵抗値を有する酸化膜を除去する
ことによって、この半導体装置ではその直列抵抗が格段
に低減される。According to the method for manufacturing a semiconductor device according to claim (+1), the surface of the semiconductor layer exposed to the atmosphere is immersed in water containing hydrogen fluoride as a composition, thereby forming a Therefore, on the surface of the semiconductor layer from which this oxide film has been removed, crystals of group III compound semiconductors can be grown with good crystallinity. Furthermore, an oxide film having a high resistance value can be grown. By removing , the series resistance of this semiconductor device is significantly reduced.
請求項（２）の半導体装置の製造方法によれば、前記フ
ッ化水素を組成として含む水溶液に浸漬された後の前記
半導体層表面には、４分以内の水洗が施される。水洗時
間を４分以内にすることによって、新たな酸化膜がほと
んど形成されることなく水）８液を置換できる。According to the method for manufacturing a semiconductor device according to claim (2), the surface of the semiconductor layer after being immersed in the aqueous solution containing hydrogen fluoride as a composition is washed with water for 4 minutes or less. By keeping the water washing time to within 4 minutes, the water solution can be replaced with almost no new oxide film being formed.
請求項（３）の半導体装置の製造方法によれば、前記４
分以内の水洗が施された後の前記半導体層表面に、７５
０℃以上の高温処理が施され、これによって前記水洗以
降に形成された穫めて薄い酸化膜をも除去することがで
きる。According to the method for manufacturing a semiconductor device according to claim (3), the four
After washing with water for up to 75 minutes, the surface of the semiconductor layer is washed with water for 75 minutes or less.
A high-temperature treatment of 0° C. or higher is performed, thereby making it possible to remove even the thin oxide film formed after the water washing.
この発明の一実施例を、前述の第３図に示された半導体
レーザ装置に適用する場合を例に採って説明する。ｎ−
ＧａＡｓ基板１ （ｎ ＝ ２ Ｘ １０ ”ｃｍ−’
）上に０．５ ｔｔ ｍのｎ−ＧａＡｓバッフｙＪＩＷ
２（ｎ ＝ ４ Ｘ １０ ”ｃａ＋−３） 、１．０
ｐ ｍのｎ−Ａ ｅ ｏ、 ６Ｇａｏ、 ｓＡｓクラ
ンド層３ （ｎ＝ＩＸ１０”ｃｒ”）、０．０８μｍの
アンドープＡ ｌ ｏ、 ＋ｚＧａｏ、 ＄ｌ＾Ｓ活性
Ｎ４．０．２ ｐ ｍのｐＡ ｌ ６．５Ｇａａ、 ｓ
Ａｓクランド層５（ｐ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ｃｉ＋−
″）０、８ ｐ ｍのｎ−ＧａＡｓ電流ブロンキング層
６ （ｎ＝５Ｘ １０ ”ｃｒ’）を頃にＭＯＣＶＤ法
によって成長させたあと、化学エツチングによって輻４
．θμｍのストライプ部１１を形成して
ｐ−Ａ ｌ ｏ、 ５Ｇａｅ、５Ａｓクランド層５を露
出させる。この後、この露出したｐ−Ａ Ｉ。、 ５Ｇ
ａ６． ｓＡｓクラッド層５層面表面１表に示す前処理
を施した上で、０．８μｍのｐ−Ａ ｌ ｏ、 ５Ｇａ
ｏ、 ｓへＳクラ・ンド層７ （ｐ＝ｌＸ１０１８ｃ
ｉ＋−’）および１． Ｏｔｔ ｍのｐ−ＧａＡｓキャ
ンプ層８ （ｐ＝２ｘ １０”ｃ＋ｍ−’）を形成して
、この半導体レーザ装置の直列抵抗を測定した。ただし
第１表において、「エンチング」は前記露出したｐＡ
ｌ ｏ、 ５Ｇａａ、 ５Ａｓクラッド層５表面をフッ
化水素を含む水７８１夜に浸漬することを意味する。ま
た「水洗」は前記エツチング後の基板表面の水洗である
。An embodiment of the present invention will be described by taking as an example the case where it is applied to the semiconductor laser device shown in FIG. 3 mentioned above. n-
GaAs substrate 1 (n = 2 x 10 "cm-'
) on top of 0.5 tt m n-GaAs buffer yJIW
2 (n = 4 x 10”ca+-3), 1.0
pm n-A eo, 6Gao, sAs ground layer 3 (n=IX10"cr"), 0.08 μm undoped A lo, +zGao, $l^S active N4.0.2 pm pA l 6.5Gaa, s
As ground layer 5 (p = I
0.8 pm n-GaAs current bronking layer 6 (n=5
．． A stripe portion 11 of θ μm is formed to expose the p-A lo, 5Gae, 5As ground layer 5. After this, this exposed p-A I. , 5G
a6. sAs cladding layer 5 layer surface 1 After performing the pretreatment shown in Table 1, 0.8 μm p-A lo, 5Ga
o, s to S class layer 7 (p=lX1018c
i+-') and 1. A p-GaAs camp layer 8 (p=2x10"c+m-') of Ott m was formed and the series resistance of this semiconductor laser device was measured. However, in Table 1, "etching" refers to the exposed pA
This means that the surface of the 5Gaa, 5As cladding layer 5 is immersed in water containing hydrogen fluoride. Further, "washing with water" refers to washing the surface of the substrate with water after the etching.
第 １ 表
この第１表に示されるように、ｎ−ＧａＡｓ電流プロン
キング層６にストライブ部１
１を形成すること
によって一時大気中に露出する
ｐ−Ａ １ ｏ、５Ｇａｏ、 ｓＡｓ
クランド層５表面に、フーン化水素を含む水溶液による
エツチングを施し、この表面の水洗を３分間以内として
、さらにこの水洗後の表面に８００℃以上の高温処理を
施した場合に、前記直列抵抗が最小となることが判る。Table 1 As shown in Table 1, the p-A1o, 5Gao, sAs ground layer 5 is temporarily exposed to the atmosphere by forming the stripe portion 11 in the n-GaAs current pronging layer 6. The series resistance is minimized when the surface is etched with an aqueous solution containing hydrogen fluoride, the surface is washed with water for less than 3 minutes, and the surface after washing is subjected to a high temperature treatment of 800°C or higher. I understand that.
第１図には前記水洗時間を変化させて８００℃以上の高
温処理を施して前記直列抵抗を測定した結果が、第２図
にはエツチングの後の水洗時間を３分以内として前記高
温処理の際の基板温度を変化させて前記直列抵抗を測定
した結果が示されている。この第１図および第２図から
、前記水洗時間は長くとも約４分以内とすることが望ま
しく、また前記高温処理の際の温度は低くとも７５０
’Ｃ程度とすることが望ましいことが理解される。Figure 1 shows the results of measuring the series resistance after performing high-temperature treatment at 800°C or higher while varying the water-washing time, and Figure 2 shows the results of measuring the series resistance after changing the water-washing time and performing the high-temperature treatment at a temperature of 3 minutes or less. The results of measuring the series resistance while changing the actual substrate temperature are shown. From FIG. 1 and FIG. 2, it is desirable that the water washing time is at most about 4 minutes or less, and the temperature during the high temperature treatment is at least 750°C.
It is understood that it is desirable to set the temperature to about 'C.
ｐ−Ａ ｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓクラッド層５層
面表面トライブ部１１から露出する部分は大気に触れる
ので、この露出する表面には大気中の酸素との反応によ
ッて酸化膜が極めて形成されやすいけれども、この酸化
膜は前述のエツチングによって除去される。Since the exposed portion of the p-Alo, 5Gao, sAs cladding layer 5 surface from the surface tribe portion 11 comes into contact with the atmosphere, an oxide film is extremely formed on this exposed surface due to reaction with oxygen in the atmosphere. Although easy, this oxide film can be removed by the etching described above.
さらに、このエンチング後の水洗時間を約４分以内とす
ることによって新たな酸化膜を形成させることなく水溶
液を置換することができ、さらにまたこの水洗の後に７
５０℃程度以上の高温処理によって、水洗以陵に形成さ
れた掻めて薄い酸化膜を除去することができる。このよ
うにして、この実施例によれば、ｐ−Ａ ｊ！ ｏ、
５Ｇａｏ、 ｓＡｓクラッド層５の露出する表面に酸化
膜が形成された状態で、ｐＡ Ｑ 、、 ５Ｇａｏ、
ｓＡｓクランド層７が積層されることが防がれるので、
このｐ−Ａ Ｎ。、 ５Ｇａｏ、 ５Ａｓクラッド層７
をその結晶性を良好にして成長させることができ、また
前記酸化膜が形成されないことにより、前述したように
半導体レーザ装置の直列抵抗が格段に低減されるように
なる。Furthermore, by setting the water washing time after this etching to within about 4 minutes, the aqueous solution can be replaced without forming a new oxide film.
By high temperature treatment at about 50° C. or higher, a very thin oxide film formed on the surface of the surface after washing with water can be removed. Thus, according to this example, p-A j! o,
5Gao, with an oxide film formed on the exposed surface of the sAs cladding layer 5, pA Q , 5Gao,
Since the sAs gland layer 7 is prevented from being laminated,
This p-A N. , 5Gao, 5As cladding layer 7
can be grown with good crystallinity, and since the oxide film is not formed, the series resistance of the semiconductor laser device can be significantly reduced as described above.
前述の実路例では半導体レーザ装置を例に採って説明し
たが、この発明は、工程中で少なくとも一度Ａｊ２を組
成の一部に含む半導体層が大気中に露出され、この半導
体層表面に■−Ｖ族化合物半導体の結晶を成長させるよ
うにして製造される半導体装置に対して広〈実施するこ
とができるものである。In the above-mentioned practical example, a semiconductor laser device was used as an example. However, in the present invention, a semiconductor layer containing Aj2 as a part of its composition is exposed to the atmosphere at least once during the process, and the surface of this semiconductor layer is exposed to This method can be widely applied to semiconductor devices manufactured by growing crystals of -V group compound semiconductors.
この発明の半導体装置の製造方法によれば、Ａ！を組成
の一部に含む半導体層の大気中への露出により、この露
出した表面に形成される酸化膜が除去されるので、前記
半導体層表面に形成される［１ｌ−ｒＶ族化合物半導体
結晶は、良好な結晶性を有することができ、また高抵抗
値を有する前記酸化膜が除去される結果として、半導体
装置の直列抵抗が格段に低減されるようになる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, A! By exposing the semiconductor layer containing part of the composition to the atmosphere, the oxide film formed on the exposed surface is removed. As a result of removing the oxide film, which can have good crystallinity and a high resistance value, the series resistance of the semiconductor device can be significantly reduced.
第１図は半導体レーザ装置の直列抵抗と水洗時間との関
係を示すグラフ、第２図は高温処理の際の基板温度と前
記直列抵抗との関係を示すグラフ、第３図は半導体レー
ザ装置の構造を示す断面図、第４回は第３図に示された
半導体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図で
ある。
５．７−ｐ−ＡＮ、Ｇａ＋−、Ａｓクラッド層、６−ｎ
ＧａＡｓ電２ｔブロッキング層、１１・・・ストライブ
部大汽時間
（曾）
第
図
高温迭理ｎ際の番扱：且襄（℃）→
第
図
第
閣FIG. 1 is a graph showing the relationship between the series resistance of a semiconductor laser device and water washing time, FIG. 2 is a graph showing the relationship between the series resistance and the substrate temperature during high temperature processing, and FIG. The fourth cross-sectional view showing the structure is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the semiconductor laser device shown in FIG. 3. 5.7-p-AN, Ga+-, As cladding layer, 6-n
GaAs electric 2t blocking layer, 11...Strive section time (s) Fig. High-temperature operation n-period handling: 且襄(℃) → Fig.
Claims (3)
半導体層が大気中に露出され、この半導体層表面にIII
−Ｖ族化合物半導体の結晶を成長させる工程を含む半導
体装置の製造方法において、前記III−Ｖ族化合物半導
体の結晶を成長させる工程の前に、前記大気中に露出さ
れた半導体層表面をフッ化水素を組成として含む水溶液
に浸漬する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。(1) At least once during the process, a semiconductor layer containing Al as a part of its composition is exposed to the atmosphere, and the surface of this semiconductor layer is
- In a method for manufacturing a semiconductor device including a step of growing a crystal of a group V compound semiconductor, the surface of the semiconductor layer exposed to the atmosphere is fluorinated before the step of growing a crystal of a group III-V compound semiconductor. 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of immersing it in an aqueous solution containing hydrogen as a composition.
水溶液に浸漬する工程に引き続き、前記半導体層表面の
４分以内の水洗を行うことを特徴とする請求項（１）記
載の半導体装置の製造方法。(2) The semiconductor device according to claim (1), characterized in that, subsequent to the step of immersing the surface of the semiconductor layer in an aqueous solution containing hydrogen fluoride as a composition, the surface of the semiconductor layer is washed with water for within 4 minutes. Production method.
、前記半導体表面に７５０℃以上の高温処理を施すこと
を特徴とする請求項（２）記載の半導体装置の製造方法
。(3) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim (2), characterized in that, subsequent to washing the surface of the semiconductor layer with water for 4 minutes or less, the surface of the semiconductor layer is subjected to high temperature treatment at 750° C. or higher.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27991488A JPH02125686A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27991488A JPH02125686A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125686A true JPH02125686A (en) | 1990-05-14 |
Family
ID=17617670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27991488A Pending JPH02125686A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125686A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295835A (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108591A (en) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor laser |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27991488A patent/JPH02125686A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108591A (en) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295835A (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same |
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