JPH02119152A - 半導体装置のボンディング方法及びそのための製造装置 - Google Patents
半導体装置のボンディング方法及びそのための製造装置Info
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- JPH02119152A JPH02119152A JP27081688A JP27081688A JPH02119152A JP H02119152 A JPH02119152 A JP H02119152A JP 27081688 A JP27081688 A JP 27081688A JP 27081688 A JP27081688 A JP 27081688A JP H02119152 A JPH02119152 A JP H02119152A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、テープ・オートメイテッド・ボンディング(
以下、TABと略する)技術を利用した半導体製造方法
及びその装置に関するものである。
以下、TABと略する)技術を利用した半導体製造方法
及びその装置に関するものである。
(従来の技−術)
従来、このような分野の技術としては、例えば、次に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第7図は従来のTAB技術を用いた半導体装置の製造工
程図、第8図は従来のアウターリードボンディング状態
を示す図である。
程図、第8図は従来のアウターリードボンディング状態
を示す図である。
半導体装置の製造工程は、第7図に示すように、■ウェ
ハ上にバンプを形成し、■スクライビングを行い、■イ
ンナーリードボンディングを行い、■アウターリードボ
ンディングを行い、■封止を行い、■最後に、リード加
工を行うようにしている。
ハ上にバンプを形成し、■スクライビングを行い、■イ
ンナーリードボンディングを行い、■アウターリードボ
ンディングを行い、■封止を行い、■最後に、リード加
工を行うようにしている。
また、第1nに示すように、金属やセラミック等で作ら
れたボンディングステージl上にリードフレーム2を載
せ、更にその上にリードフレーム2に合うように適当な
大きさに切断したフィルムキャリア3を配置し、その上
からインコネルやモリブデン等で作られたボンディング
治具4を用いて加熱・加圧することによって、リードフ
レーム2のインナーリード部とフィルムキャリア3のア
ウターリード部とを接合するようにしていた。
れたボンディングステージl上にリードフレーム2を載
せ、更にその上にリードフレーム2に合うように適当な
大きさに切断したフィルムキャリア3を配置し、その上
からインコネルやモリブデン等で作られたボンディング
治具4を用いて加熱・加圧することによって、リードフ
レーム2のインナーリード部とフィルムキャリア3のア
ウターリード部とを接合するようにしていた。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、以上に述べた方法では、アウターリードボンデ
ィング時において、ボンディング治具4が傾斜していた
り(第11図参照)、ボンディング治具4のフィルムキ
ャリア3のアウターリードと接する接合面5に凹凸があ
ったり(第12図参照)、ボンディング治具4を加熱す
ることにより、接合面5が湾曲してしまったりすること
があった(第13図及び第14図参照)、このため、全
リードを均一に加熱・加圧することができなくなったり
、リードフレーム2のインナーリード部とフィルムキャ
リア3のアウターリード部との間で良好な接合ができな
くなるという問題点があった。
ィング時において、ボンディング治具4が傾斜していた
り(第11図参照)、ボンディング治具4のフィルムキ
ャリア3のアウターリードと接する接合面5に凹凸があ
ったり(第12図参照)、ボンディング治具4を加熱す
ることにより、接合面5が湾曲してしまったりすること
があった(第13図及び第14図参照)、このため、全
リードを均一に加熱・加圧することができなくなったり
、リードフレーム2のインナーリード部とフィルムキャ
リア3のアウターリード部との間で良好な接合ができな
くなるという問題点があった。
本発明は、上記問題点を除去し、信輔性の高いフィルム
キャリアのアウターリードボンディングを行い得る半導
体チップのボンディング方法及びそのための製造装置を
提供することを目的とする。
キャリアのアウターリードボンディングを行い得る半導
体チップのボンディング方法及びそのための製造装置を
提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、半導体装置の
ボンディング方法において、前記ボンディングステージ
上に有機系材料層を形成する工程と、該有機系材料層上
に第1のリード部と第2のリード部とを載置する工程と
、加熱されたボンディング治具の押圧により、両リード
部を均一に熱圧着する工程とを施すようにしたものであ
る。
ボンディング方法において、前記ボンディングステージ
上に有機系材料層を形成する工程と、該有機系材料層上
に第1のリード部と第2のリード部とを載置する工程と
、加熱されたボンディング治具の押圧により、両リード
部を均一に熱圧着する工程とを施すようにしたものであ
る。
また、ボンディングステージ上に第1のリード部と第2
のリード部とが載置され、加熱されたボンディング治具
の押圧により、両リードを熱圧着する半導体装置のボン
ディング装置において、前記ボンディングステージ上の
前記両リードの一部分、或いは全部分が掛かるように設
けられる有機系材料層と、該有機系材料層上に載置され
る第1のリード部及び第2のリード部と、加熱されたボ
ンディング治具の押圧により前記両リード部を熱圧着す
る手段とを設けるようにしたものである。
のリード部とが載置され、加熱されたボンディング治具
の押圧により、両リードを熱圧着する半導体装置のボン
ディング装置において、前記ボンディングステージ上の
前記両リードの一部分、或いは全部分が掛かるように設
けられる有機系材料層と、該有機系材料層上に載置され
る第1のリード部及び第2のリード部と、加熱されたボ
ンディング治具の押圧により前記両リード部を熱圧着す
る手段とを設けるようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、第2図に示すように、ボンディングス
テージl上に有機系材料層6を設け、その上にリードフ
レーム2を配置し、更にその上に適当な大きさに切断し
たフィルムキャリア3を配置し、その後、ボンディング
治jj4にて加熱・加圧を行い、リードフレーム2のイ
ンナーリードとフィルムキャリア3のアウターリードと
を接合する。従って、上記有機系材料層6により、ボン
ディング治具4の傾斜や凹凸、ボンディング治具4の加
熱時におけるボンディング治具接合面5の湾曲等を吸収
することができ、全リードを均一に加熱・加圧すること
ができ、確実にして強固なボンディングを行うことがで
きる。
テージl上に有機系材料層6を設け、その上にリードフ
レーム2を配置し、更にその上に適当な大きさに切断し
たフィルムキャリア3を配置し、その後、ボンディング
治jj4にて加熱・加圧を行い、リードフレーム2のイ
ンナーリードとフィルムキャリア3のアウターリードと
を接合する。従って、上記有機系材料層6により、ボン
ディング治具4の傾斜や凹凸、ボンディング治具4の加
熱時におけるボンディング治具接合面5の湾曲等を吸収
することができ、全リードを均一に加熱・加圧すること
ができ、確実にして強固なボンディングを行うことがで
きる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す半導体装置のボンディン
グ方法を示す図、第2図はアウターリードボンディング
状態を示す図である。
グ方法を示す図、第2図はアウターリードボンディング
状態を示す図である。
まず、第1図(a)に示すように、ボンディングステー
ジ1上に有機系材料層6を形成する。
ジ1上に有機系材料層6を形成する。
次に、第1図(b)に示すように、その有機系材料層6
上にリードフレーム2を!!置する。
上にリードフレーム2を!!置する。
次に、第1図(c)に示すように、半導体チップ7がバ
ンプ8を介して接続されるフィルムキャリア3のアウタ
ーリード部とリードフレーム2のインナーリード部とを
、加熱されたボンディング治具4を用いて押圧すること
によりボンディングする。
ンプ8を介して接続されるフィルムキャリア3のアウタ
ーリード部とリードフレーム2のインナーリード部とを
、加熱されたボンディング治具4を用いて押圧すること
によりボンディングする。
つまり、第2図に示すように、ボンディングステージ1
上に有機系材料層6を設け、その上にリードフレーム2
を配置し、更にその上に適当な大きさに切断したフィル
ムキャリア3を配置し、その後、ボンディング治具4に
て加熱・加圧を行い、リードフレーム2のインナーリー
ドとフィルムキャリア3のアウターリードとを接合する
。なお、有機系材料層6を設ける範囲としては、少なく
ともボンディングステージ1上の一部、又は全部である
。
上に有機系材料層6を設け、その上にリードフレーム2
を配置し、更にその上に適当な大きさに切断したフィル
ムキャリア3を配置し、その後、ボンディング治具4に
て加熱・加圧を行い、リードフレーム2のインナーリー
ドとフィルムキャリア3のアウターリードとを接合する
。なお、有機系材料層6を設ける範囲としては、少なく
ともボンディングステージ1上の一部、又は全部である
。
このアウターリードボンディング工程において、上記有
機系材料層6がボンディング治具4の傾斜、凹凸及びボ
ンディング治具4の加熱時の接合面5の湾曲等を吸収す
ることにより、全リードを均一に加熱・加圧することが
できる。
機系材料層6がボンディング治具4の傾斜、凹凸及びボ
ンディング治具4の加熱時の接合面5の湾曲等を吸収す
ることにより、全リードを均一に加熱・加圧することが
できる。
つまり、ボンディング治具4が傾斜した場合(第3図参
照)、ボンディング治具4の接合面5に凹凸が存在した
場合(第4図参照)、ボンディング治具4が加熱時に凸
状に湾曲した場合(第5図参照)、ボンディング治具4
が加熱時に凹状に湾曲した場合(第6図参照)のそれぞ
れにおいて、有機系材料層6が吸収部材として作用し、
全リードを均一に加熱・加圧することができ、ボンディ
ングを的確に行うことができる。
照)、ボンディング治具4の接合面5に凹凸が存在した
場合(第4図参照)、ボンディング治具4が加熱時に凸
状に湾曲した場合(第5図参照)、ボンディング治具4
が加熱時に凹状に湾曲した場合(第6図参照)のそれぞ
れにおいて、有機系材料層6が吸収部材として作用し、
全リードを均一に加熱・加圧することができ、ボンディ
ングを的確に行うことができる。
また、吸収部材としての有機系材料層6は、単にボンデ
ィングステーモ 分であり、リードフレーム2に対応させてリードフレー
ム2毎に個別に張り付ける必要はな、いので、作業が容
品であり、しかも作業効率の向上を図ることができる。
ィングステーモ 分であり、リードフレーム2に対応させてリードフレー
ム2毎に個別に張り付ける必要はな、いので、作業が容
品であり、しかも作業効率の向上を図ることができる。
なお、有機系材料としては、例えばポリイミドテープを
用いる。このポリイミドテープはボンディング時の耐熱
・耐圧性に優れており、その厚さは通常25μmである
。好ましくは、そのポリイミドテープを2層、3層に重
ねて総厚50〜75μmとすると、より効果を上げるこ
とができる。
用いる。このポリイミドテープはボンディング時の耐熱
・耐圧性に優れており、その厚さは通常25μmである
。好ましくは、そのポリイミドテープを2層、3層に重
ねて総厚50〜75μmとすると、より効果を上げるこ
とができる。
第15図は本発明の他の実施例を示すアウターリードボ
ンディング状態を示す図である。
ンディング状態を示す図である。
この実施例においては、ボンディングステージ1上に有
機系材料層9を設け、その上にはみだすように、リード
フレーム10及びフィルムキャリア11が設けられてい
る。
機系材料層9を設け、その上にはみだすように、リード
フレーム10及びフィルムキャリア11が設けられてい
る。
このように構成するので、第15図に示すようなボンデ
ィング治具4の形状の場合、リードフレーム10の外端
の加圧が不足する場合でも、その部分に有機系材料層9
が設けられているので、良好な接合を得ることができる
。
ィング治具4の形状の場合、リードフレーム10の外端
の加圧が不足する場合でも、その部分に有機系材料層9
が設けられているので、良好な接合を得ることができる
。
ここで、1辺に40本のリードが配設されたサンプルに
おいて、有機系材料層を設けていない従来の場合の接合
部分の引張強度(相対強度:任意単位a、u、)のデー
タを第9図に示す。同様に、本発明を通用した場合のデ
ータを第10図に示す。
おいて、有機系材料層を設けていない従来の場合の接合
部分の引張強度(相対強度:任意単位a、u、)のデー
タを第9図に示す。同様に、本発明を通用した場合のデ
ータを第10図に示す。
第9図においては、ピンの位置が1ピン目及び40ピン
目、つまり、半導体装置の両端では引張強度が劣る。こ
れは、第13図に示すように、ボンディング治具4が凸
状に湾曲する場合が多いため、半導体装置の両端のピン
に対するボンディング治具4の押圧力が弱くなるためで
ある。
目、つまり、半導体装置の両端では引張強度が劣る。こ
れは、第13図に示すように、ボンディング治具4が凸
状に湾曲する場合が多いため、半導体装置の両端のピン
に対するボンディング治具4の押圧力が弱くなるためで
ある。
一方、第10図においては、有機系材料層の存在により
ピンの位置の全領域にわたり、均一な引張強度を有する
ことが明らかである。
ピンの位置の全領域にわたり、均一な引張強度を有する
ことが明らかである。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
(1)ボンディングステージ上に有機系材料層を設ける
ようにしたので、工程が簡略化され、作業効率の向上を
回ることができる。
ようにしたので、工程が簡略化され、作業効率の向上を
回ることができる。
(2)アウターリードボンディング工程において、ボン
ディング治具の傾斜、凹凸、湾曲等を上記有機系材料層
が吸収することになり、全リードに均一な加熱・加圧が
可能となり、信頬性の高いアラクーリードボンディング
を行うことができる。
ディング治具の傾斜、凹凸、湾曲等を上記有機系材料層
が吸収することになり、全リードに均一な加熱・加圧が
可能となり、信頬性の高いアラクーリードボンディング
を行うことができる。
(3)ボンディングステージよりも熱伝導率の低い有機
系材料層を用いることにより、断熱効果が実現でき、よ
り良好な接合を行うことができる。
系材料層を用いることにより、断熱効果が実現でき、よ
り良好な接合を行うことができる。
第1図は本発明の実施例を示す半導体装置のボンディン
グ方法を示す図、第2図は本発明のアウターリードボン
ディング状態を示す図、第3図乃至第6図は本発明のボ
ンディング治具接触状態を示す図、第7図は従来のTA
B技術を用いた半導体装置の製造工程図、第8図は従来
のアウターリードボンディング状態を示す図、第9図は
従来の半導体装置の引張強度特性図、第1θ図は本発明
による半導体装置の引張強度特性図、第11図乃至第1
4図は従来のボンディング治具接触状態を示す図、第1
5図は本発明の他の実施例を示すボンディング治具接触
状態を示す図である。 1・・・ボンデインダステージ、2.lO・・・リード
フレーム、3.If・・・フィルムキャリア、4・・・
ボンディング治具、5・・・接合面、6.9・・・有機
系材料層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守(外1名)、ネ、ギ萌
のアウターリードざン乞ンα應を示ず1第2図 図 第 図 図 第 図 従来11Q−1’導間置の引張強度糖姓閏第9図 ネ濱9呵区よる半萼利粕在、置0イ1脹罰υ梗屑吉姓匿
第10図 第11図 第12図 第13図 第14図
グ方法を示す図、第2図は本発明のアウターリードボン
ディング状態を示す図、第3図乃至第6図は本発明のボ
ンディング治具接触状態を示す図、第7図は従来のTA
B技術を用いた半導体装置の製造工程図、第8図は従来
のアウターリードボンディング状態を示す図、第9図は
従来の半導体装置の引張強度特性図、第1θ図は本発明
による半導体装置の引張強度特性図、第11図乃至第1
4図は従来のボンディング治具接触状態を示す図、第1
5図は本発明の他の実施例を示すボンディング治具接触
状態を示す図である。 1・・・ボンデインダステージ、2.lO・・・リード
フレーム、3.If・・・フィルムキャリア、4・・・
ボンディング治具、5・・・接合面、6.9・・・有機
系材料層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守(外1名)、ネ、ギ萌
のアウターリードざン乞ンα應を示ず1第2図 図 第 図 図 第 図 従来11Q−1’導間置の引張強度糖姓閏第9図 ネ濱9呵区よる半萼利粕在、置0イ1脹罰υ梗屑吉姓匿
第10図 第11図 第12図 第13図 第14図
Claims (2)
- (1) (a)ボンディングステージ上に有機系材料層を形成す
る工程と、 (b)該有機系材料層上に第1のリード部と第2のリー
ド部とを載置する工程と、 (c)加熱されたボンディング治具の押圧により、両リ
ード部を均一に熱圧着する工程とを有する半導体装置の
ボンディング方法。 - (2)ボンディングステージ上に第1のリード部と第2
のリード部とが載置され、加熱されたボンディング治具
の押圧により、両リードを熱圧着する半導体装置のボン
ディング装置において、(a)前記ボンディングステー
ジ上の前記両リードの一部分、或いは全部分が掛かるよ
うに設けられる有機系材料層と、 (b)該有機系材料層上に載置される第1のリード部及
び第2のリード部と、 (c)加熱されたボンディング治具の押圧により、前記
両リード部を熱圧着する手段とを具備する半導体チップ
のボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27081688A JPH02119152A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体装置のボンディング方法及びそのための製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27081688A JPH02119152A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体装置のボンディング方法及びそのための製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02119152A true JPH02119152A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17491419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27081688A Pending JPH02119152A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体装置のボンディング方法及びそのための製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02119152A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066566A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27081688A patent/JPH02119152A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066566A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
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