JPH03270032A - ワイヤレスpga接合装置 - Google Patents
ワイヤレスpga接合装置Info
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- JPH03270032A JPH03270032A JP6933490A JP6933490A JPH03270032A JP H03270032 A JPH03270032 A JP H03270032A JP 6933490 A JP6933490 A JP 6933490A JP 6933490 A JP6933490 A JP 6933490A JP H03270032 A JPH03270032 A JP H03270032A
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- chip
- wireless
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- bonder
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Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バンプを有する基板にIcチップを低温度加
熱および低圧加圧にて接合できるワイヤレスPGA接合
装置に関するものである。
熱および低圧加圧にて接合できるワイヤレスPGA接合
装置に関するものである。
従来、]Cチ・7プと基板とを、基板に配したバンプを
介して接合させるワイヤレスPGA接合装置は、基板を
加熱するヒーターと、ICチップを加熱するヒーターお
よびIcチップとバンプとを押圧する加圧機を具備して
いた。
介して接合させるワイヤレスPGA接合装置は、基板を
加熱するヒーターと、ICチップを加熱するヒーターお
よびIcチップとバンプとを押圧する加圧機を具備して
いた。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来技術のワイヤレスPGA接合装
置においては、基板の加熱温度として、約500°Cを
必要とし、そのため、基板上のハンプとIcチップとの
接合後の冷却時に、基板とICチップの熱膨張収縮の差
を起因とする歪みがハンプに発生し、接合強度を低下さ
せていた。
置においては、基板の加熱温度として、約500°Cを
必要とし、そのため、基板上のハンプとIcチップとの
接合後の冷却時に、基板とICチップの熱膨張収縮の差
を起因とする歪みがハンプに発生し、接合強度を低下さ
せていた。
また一方、接合時に大きな加圧力を必要とし、その加圧
力にて、基板のひびや割れなどを発生させていた。
力にて、基板のひびや割れなどを発生させていた。
本発明のワイヤレスPGA接合装置は、上記従来術の問
題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、低温度力り熱、低圧力11圧にて基板のバンプと
ICチップとを接合できるワイヤレスPGA接合装置を
提供することにある。
題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、低温度力り熱、低圧力11圧にて基板のバンプと
ICチップとを接合できるワイヤレスPGA接合装置を
提供することにある。
本発明のワイヤレスPGA接合装置は、バンプを有する
基板を固定し加熱する基板加熱ヒーターと、ICチップ
を加熱するワイヤレスボンダーとICチップとバンプと
を接合方向へ押圧する加圧機とを具備するワイヤレスP
GA接合装置において、ワイヤレスボンダーに超音波振
動部を設けたことを特徴とするものである。
基板を固定し加熱する基板加熱ヒーターと、ICチップ
を加熱するワイヤレスボンダーとICチップとバンプと
を接合方向へ押圧する加圧機とを具備するワイヤレスP
GA接合装置において、ワイヤレスボンダーに超音波振
動部を設けたことを特徴とするものである。
本発明のワイヤレスPGA接合装置は、ワイヤレスボン
ダーにて加熱されたICチップと、基板加熱ヒーターに
て加熱された基板のバンプとを押圧して接合させる。
ダーにて加熱されたICチップと、基板加熱ヒーターに
て加熱された基板のバンプとを押圧して接合させる。
その際に、ワイヤレスボンダーに設けた超音波振動部か
ら発生した超音波エネルギーをバンプが吸収し、バンプ
自身が軟化変形すると共に、バンプとICチップの接合
面が破壊され、その結果生してくる清浄な新生面を介し
て接合する。
ら発生した超音波エネルギーをバンプが吸収し、バンプ
自身が軟化変形すると共に、バンプとICチップの接合
面が破壊され、その結果生してくる清浄な新生面を介し
て接合する。
本発明の一実施例について第1図に基づいて詳述する。
本実施例は、基板lを固定し加熱する基板加熱ヒーター
2と、その上部に配されICチップ3を吸着し加熱する
ワイヤレスボンダー4とを具備して構成されている。
2と、その上部に配されICチップ3を吸着し加熱する
ワイヤレスボンダー4とを具備して構成されている。
基板1はアルミナを主成分とするセラミックのボードに
て構成され、その上面には、ICチップ3と接合する、
更に詳しくはICチップ3の表面に設けられたポンディ
ングパッドと接合する高純度の金にてなるバンプ5が設
けられている。ICチップ3のポンディングパッドには
通常のアルミニウムが用いられている。
て構成され、その上面には、ICチップ3と接合する、
更に詳しくはICチップ3の表面に設けられたポンディ
ングパッドと接合する高純度の金にてなるバンプ5が設
けられている。ICチップ3のポンディングパッドには
通常のアルミニウムが用いられている。
ワイヤレスボンダー4には、ICチップ3を吸着するチ
ップ吸着機6と、ICチップ3を加熱するチップ加熱ヒ
ーター7と、超音波振動部8とが設けられて横取されて
いる。また、その上部にワイヤレスボンダー4を下方向
に加圧する加圧機9が設けられている。
ップ吸着機6と、ICチップ3を加熱するチップ加熱ヒ
ーター7と、超音波振動部8とが設けられて横取されて
いる。また、その上部にワイヤレスボンダー4を下方向
に加圧する加圧機9が設けられている。
このものの動作は、まず、基Filがバンプ5を上面に
して基板加熱ヒーター2に固定され、且つ加熱される。
して基板加熱ヒーター2に固定され、且つ加熱される。
一方、ICチップ3はポンディングパッドを下面にして
、ワイヤレスボンダー4に設けられたチップ吸着機6に
吸着され、チップ加熱ヒーター7にて加熱される。
、ワイヤレスボンダー4に設けられたチップ吸着機6に
吸着され、チップ加熱ヒーター7にて加熱される。
次いで、ICチップ3をワイヤレスボンダー4にて吸着
加熱された状態で加圧119にて下降させることにより
、ICチップ3と基板lとがそれぞれポンディングパッ
ドとバンプ5とを介して接触し、更に、加圧機9にて基
板lの方向へ加圧される。
加熱された状態で加圧119にて下降させることにより
、ICチップ3と基板lとがそれぞれポンディングパッ
ドとバンプ5とを介して接触し、更に、加圧機9にて基
板lの方向へ加圧される。
ここで、加圧機9によるICチップ3と基板lとを加圧
することによる接合に際して、ワイヤレスボンダー4に
設けられた超音波振動部8から発生した超音波がICチ
ップ3を経由してバンプ5へ伝わり、超音波エネルギー
として吸収されると共に、バンプ5を軟化させ変形させ
て、バンプ5とICチップ3のポンディングパッドとの
接合面を破壊する。
することによる接合に際して、ワイヤレスボンダー4に
設けられた超音波振動部8から発生した超音波がICチ
ップ3を経由してバンプ5へ伝わり、超音波エネルギー
として吸収されると共に、バンプ5を軟化させ変形させ
て、バンプ5とICチップ3のポンディングパッドとの
接合面を破壊する。
このことにより、基板lとICチップ3との接合を、従
来の基板加熱ヒーター2とチップ加熱ヒーター7および
加圧機9のみによる接合時より低温度加熱、低圧加圧に
て行うことができる。
来の基板加熱ヒーター2とチップ加熱ヒーター7および
加圧機9のみによる接合時より低温度加熱、低圧加圧に
て行うことができる。
尚、上記実施例においては、基板1にアルξすを主成分
とするセラミックのボードを用いているが、プラスチッ
ク基板のものを用いてもよい。
とするセラミックのボードを用いているが、プラスチッ
ク基板のものを用いてもよい。
本発明のワイヤレスPGA接合装置によれば、ICチッ
プと基板とを基板に配したハンプとを加熱加圧して接合
させる際に、ワイヤレスボンダーに設けた超音波振動部
から発生した超音波エネルギーをバンプが吸収し、バン
プ自身が軟化変形すると共に、バンプとICチップの接
合面が破壊され、その結果生してくる清浄な新生面を介
して接合する作用が加わわるため、従来より低温度加熱
および低圧加圧にてICチップとバンプとを接合させる
ことができる効果を奏する。
プと基板とを基板に配したハンプとを加熱加圧して接合
させる際に、ワイヤレスボンダーに設けた超音波振動部
から発生した超音波エネルギーをバンプが吸収し、バン
プ自身が軟化変形すると共に、バンプとICチップの接
合面が破壊され、その結果生してくる清浄な新生面を介
して接合する作用が加わわるため、従来より低温度加熱
および低圧加圧にてICチップとバンプとを接合させる
ことができる効果を奏する。
第1図は、本発明の一実施例の側面図である。
1− 基板、
2− 基板加熱ヒーター
3−I Cチップ、
4−ワイヤレスボンダー
5−バンプ、
チップ吸着機、
チップ加熱ヒーター
超音波振動部、
加圧機。
Claims (1)
- (1)バンプを有する基板を固定し加熱する基板加熱ヒ
ーターと、ICチップを加熱するワイヤレスボンダーと
を具備するワイヤレスPGA接合装置において、ワイヤ
レスボンダーに超音波振動部を設けたことを特徴とする
ワイヤレスPGA接合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6933490A JPH03270032A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | ワイヤレスpga接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6933490A JPH03270032A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | ワイヤレスpga接合装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270032A true JPH03270032A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13399550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6933490A Pending JPH03270032A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | ワイヤレスpga接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03270032A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786341A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Sony Corp | 熱圧着ツール及びこれを用いた熱圧着装置 |
JPH07115109A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Nec Corp | フリップチップボンディング方法及び装置 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6933490A patent/JPH03270032A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786341A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Sony Corp | 熱圧着ツール及びこれを用いた熱圧着装置 |
JPH07115109A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Nec Corp | フリップチップボンディング方法及び装置 |
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