JPH02117964A - 不飽和配位子を有するケイ素ナフタロシアニンおよびそれを使う光学的記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は式Ｉの新規ケイ素ナフタロシアニンに係るもの
であり。

〔式中、　Ｎｏはナフタロシアニン系の基であり、数基
はｏ、　−０１２−アルキル、０．−０□−アルコキシ
、必要によって０．−０．−アルキルで置換されている
偽−０４，−アリール、またはフェニル核が必要ならば
置換されているフエニ／Ｌ／−０，−０６−アルキルで
置換されていることができ。

Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なっていて、相互に無
関係にそれぞれ式（０）ν基（ｎはＯ乃至１である）で
あり、Ｒ３が２乃至２０個の炭素原子を有し１乃至５個
の二重結合および／または１乃至３個の三重結合を含有
する基であり、さらＫｌ乃至４個のフェニル核または１
乃至３個の飽和または不飽和同系環式す乃至７員環を含
有することができ。

場合によっては１乃至５個の酸素原子によって中断され
ている基であり１または−が次式の基であって ｏ−ｓｘ−ｏ−ｍ ■ 枦 式中で２が上述の意味を有し、Ｒ４および戸が同じかま
たは異なっていて相互に無関係にそれぞれがａ、−０Ｈ
−アルキル＋　Ｏｔ　−％ｎ−アルフキシまたは（０）
２基であり、ここでｎおよびＲ３はそれぞれ上述の意味
を有しているが、またはＲ１基がまたＯ、　−ａ、。

−アルキル基を意味している式Ｉのケイ素フタロシアニ
ン化合物と、および相体と、この新規化合物を含んでい
る放射に対して敏感な層とを含んでなる光学的記録媒体
に係るものである。

（従来技術） 高エネルギー密度放射線１例えばレーザー光により局部
的に限定された状態変化を受ける記録物質は、知られて
いる０この熱的に誘起された状態変化１例えば蒸発、流
動性の変化または退色等は。

光学的性状の変化となり１例えば吸収極大または吸光度
の変化による反射または光吸収の変化につながり、これ
がイン７オメーシ璽ンまたはデータ記録に利用されるこ
とができる。

光学的記録システムのための光源としては１例えば半導
体レーザーが適しており、これは近赤外域の光を放出す
る。固体射出レーザー、特にＡ１（）ａＡｑ−レーザー
は波長範囲が約６５０と９００　ｍｍの間にあり１本発
明の光源としては特に重要である。

従って、波長範囲が約６５０と９００ｎｍの範囲にある
放射線吸収する記録材料物質で、薄い均質な層に加工で
きる物質に、特に興味が起こっている。

米国化学協会ｆｆｐ　（Ｊ、　Ａｍ、　Ｏｈｓｍ、　Ｓ
ａｃ、　）　１０６巻。

７４ｏ４頁から７４１０頁、　１９８４年、およびヨー
ロッパ特許公開公報＃！１９１２１６号およびヨーロッ
パ特許公開公報第１９１９７０号からは、ケイ素す７タ
四シアニンが知られており、中央のケイ素原子に結びつ
いている配位子は、それぞれケイ素原子を含んでいる。

しかしながら、上記の文献で記載されている化合物は、
光学的記録材料への応用では未だ欠点を有していること
が示されている。

（発明の目的） 本発明の指命は、新規の光感受性製品を準備することで
あり、この製品は利用する半導体レーザーの波長範囲に
おいて良好な度射と高い吸収を示すものである。

これに従って、上述の詳細に示された１式のケイ素す７
タロシアニンが見出された。

この新規のケイ素ナフタロシアニンは、特徴的な方法で
、光学的記録媒体における光感受性成分として適してい
る。　。

本発明方法によるすべての化合物に表われる飽和および
不飽和基は、直鎖でも枝分れでもあることができる。

本発明方法による化合物中忙置換フェニル基がある時に
は、置換基として、ほかに特別に記載しない限り１例え
ばｏ、−ｏ、−アルキル、ｏ、−ｏ４−アルコキシまた
はハロゲン、特にフッ素、塩素または臭素が考えられる
。好適な基としての？および−並びにナフタロシアニン
系の好適な置換基は。

例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル。

ブチル、イソブチル、２級−ブチル、３級−ブチル、ペ
ンチル、インペンチル、ネオペンチル、３級−ペンチル
、ヘキシル、２−メチルペンチル。

ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、イソオクチ
ル、７ニル、イソノニル、デシル、イソデシル、４−エ
チルオクチル、ウンデシル、ドデシル、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロホ゛キシ、ブトキシ、イン
ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチル
オキシ、オクチルオキシ、２−エチルへキシルオキシ、
インオクチルオキシ、ノニルオキシ、イソ／ニルオキシ
、デシルオキシ、インデシルオキシ、４−エチルオクチ
ルオキシ、ウンデシルオキシまたはドデシルオキシであ
る。

さらに１　Ｒ４および一基は１例えばトリデシルオキシ
、３，５，５．７−チトラメチルノニルオキシ、イソト
リデシルオキシ、テトラデシルオキシ。

ペンタデシルオキシ、ヘキサデシル、ヘプタデシルオキ
シ、オクタデシルオキシ、ノナデシルオキシまたはアイ
フシルオキシである。〔上記の名称のイソオクチル、イ
ソノニル、イソデシルおよびイソトリデシルは、普通の
名称法であり、オキソ合成法に従って得られるアルコー
ルに由来している。〔参照ウルマンス　エンツィクロペ
ディーデル　テフィニツシェン　ヘミ−（Ｕｌｌｍａｎ
ｓ　Ｉｎ−ｚｙｋｌｏｐＨｄｉｅ　ｄｅｒ　ｔｅｃｈｎ
ｉｓｏｈｅｎ　Ｏｈｓｍｉｏ　）　４版、７巻、　　２
１５−２１７頁、並びに１１巻、　　４３５−４３６頁
〕ナフタロシアニン系の適当な置換基は、さらに例えハ
、ベンジル、１−または２−フェニルエチル、メチルベ
ンジル、メトキシベンジルまたはクロルベンジルである
。

必要ならば０１−０４−アルキルで置換されているＯｅ
　−Ｏｎ−アリールは、好適にはフェニルまたはビフェ
ニルであり、ここでも必要ならばＯｔ　−０４−アルキ
ルで置換されている。例えば、フェニル、４−メチルフ
ェニル、ピフェニルまたは４−メチルビフェニルである
。

Ｒ３基は１例えばビニル、アリル、１−プロペン−１−
イル、メチルアリル、エチルアリル、ペンテニル、ペン
タジェニル、ヘキサジェニル、３゜７−シメチルオクタ
ー１．６−ジエン−１−イル。

３．７−シメチルオクター１．６−シエンー２−イル、
１０−ウンデセン−１−イル、６．１０−ジメチルウン
デカ−５，９−ジエン−２−イル、３゜７．１１−）リ
ーフチルドデカ−１，６，１０−トリエン−１−イル、
３，７．１１−　）リメチルードデ力−２，６，１０−
トリエン−１−イル、９−オクタデセン−１−イル、オ
クタデカ−９，１２−ジエン−１−イル、オクタデカ−
９□　１２．１５−）ツエン−１−イル、６，１０．１
４−トリメチルペンタデカ−５，９，１３−）リエンー
２−イル、３゜７．１１．１５−テトラメチル−１−ヘ
キサデセン−３−イル１３−ペンチン−１−イル１３−
ヘキシン−１−イル、３−ノニン−１−イル、３１７−
シメチルー６−オクテンー１−イン−３−イル。

４−（２，６，６−）ジメチル−１−シクロヘキセン−
１−イル）３−ブテン−２−イルまたは１−エチニルシ
クロヘキセン−１−イルである。

好適なのは、弐ＩのＮＯが置換されていないナフタロシ
アニン系基を意味するような式■のケイ素ナフタロシア
ニンである。

更に好適なのは１式Ｉのケイ素す７タロシアニンが、そ
のＮｏ基においてＩＱｌ−ｏ１２−アルキルまたはＯ＋
　”−ａ、ｔ−アルコキシ基で置換されているナフタロ
シアニン系基を意味していることである。

更に好適なのは１式■のケイ素ナフタロシアニンにおい
て　Ｒ１および坪が相互に無関係に式（０）２１沖を意
味しており、ｎが０であって、Ｒ３が２乃至２０個の炭
素原子および１乃至３個の二重結合および／または１個
の三重結合を含む基である式Ｉのケイ素ナフタロシアニ
ンである。

さらに好適なのは、におよび戸が相互に無関係にａ、　
−ａ２Ｑ−アルキルまたは０．−０．−アルコキシを意
味している式Ｉのケイ素ナフタロシアニンである。

特に好適なのは、Ｒ４および１５が相互に無関係に”！
　”　０１２−アルキル、特にｏ、　−Ｏｎ−アルキル
を意味している式ｌのケイ素ナフタロシアニンである。

さらに特別に好適なのは　１１および斧が相互に無関係
に式（ｏ）Ｒ３基を意味しており、ここでｎがＯであり
２が３乃至２０個の炭素原子および１乃至３個の二重結
合を含む基である弐Ｉのケイ素ナフタロシアニンである
。

特に優れて好適なのは　Ｒ３がビニル、アリル。

１−プロペン−１〜イル、メチルアリル、エチルアリル
、ペンテニル、ペンタジェニル、ヘキサジェニル、３，
７−シメチルオクター１．６−ジエン−１−イル、３．
７−シメチルオクター１．６−ジエン−１−イル、　１
０−ウンデセン−１−イ柘６．１０−ジメチルウンデカ
−５，９−ジエン−２−イル、３，７，１ｌ−）リーメ
チルドデカ−１゜６．１０−）ツエン−１−イル、３，
７．１１−トリメチルドデカ−２，６，１０−）ツエン
−１−イル、９−オクタデセン−１−イル、オクタデカ
−９，１２−ジエン−１−イルまたはオクタデカ−９゜
１２．１５−）ツエン−１−イルを意味する式■のケイ
素ナフタロシアニンである。

（発明の構成） 本発明方法によるケイ素ナフタロシアニンは。

それ自身知られている方法１例えばソ連有機化学誌（Ｊ
、　Ｏｒｇ、　Ｃｌｈｅｍ、　ＵＥＪＳＲ）　（英訳版
）、７巻。

３６４−３６６頁（１９７１年）、米国化学Ｍ　（Ｊ、
　Ａｍ。

Ｏｈｅｍ、　Ｓａｃ、　）　１０６巻、　７４０４−　
’７４１０頁（１９８４年）、またはヨーロッパ特許公
開公報第１９１９７０号記載の方法に従って、得ること
ができる。

出発原料としては１例えば式ｎの対応するジイミノイソ
−インドレニンが使われる。

Ｈ 式中でプは水素１”ｌ−０１ｔｌ−アルキル１ｏｌ−０
１２−アルコキシ、必要ならばフェニル核が置換されて
いることもあるフェニル−０，−偽−アルキルであり。

ｍは１または２を意味し、さらにナフタロシアニン形成
に役立つ置換基はオルン位にあって（置換位置が１およ
び２または２および３）結合している形の式Ｈのジイミ
ノイソインドレニンである。

式■のイソインドレニンは、ここでは−船釣に式１のク
ロルシランと反応シ、 この式１では　ｚｌがＯ＋　−０２０−アルキル、上述
の基Ｒ３または塩素であり、Ｘ２が上述の基Ｗまたは塩
素を意味しており、この弐璽の化合物を不活性有機希釈
剤中で塩基の存在下に１７０乃至２５０　’Ｃの反応温
度で１式■のケイ素す７タロシアニンと反応する。

■ 弐■中で、Ｎｅ、Ｘ’およびｒは、それぞれ上述の意味
を有している。

適当な希釈剤は１例えばテトラリンまたはニトロペンゾ
ールである。

塩基としては２例えば３級アミン、すなわちトリブチル
アミン、キノリン、ピコリンまたはコリジンが考えられ
る。

少なくともでおよびｆ両方の基の１つが塩素である式■
のケイ素ナフタロシアニンを９式ＶのアルコールでＰが
上述の意味を有しているアルコールと反応することにお
いて。

Ｒ３−ＯＨ（Ｖ） ３０乃至１２０℃の温度で反応して９式１のケイ素ナフ
タロシアニンを得ることができ、このケイ素ナフタロシ
アニンにおいてはＨｌおよびπ基の１つまたはＲ１およ
び−の２つの基が共に０謬基となり。

ここでＲ３は上述の意味を有しているものである。

ｒおよびガの両基の少なくとも１つが塩素である弐Ｎの
ケイ素ナフタロシアニンは、また濃硫酸または塩基水溶
液１例えば苛性ソーダ、苛性カリまたはアンモニア水溶
液と、必要ならばピリジンの存在において、５乃至８０
°Ｃの温度で反応すると。

弐■の対応するヒドロキシ化合物になり＼ ＯＨ 式中で、Ｙはヒドロキシ、　　０１−偽。−アルキルま
たは上述の基２を意味しており、　Ｎｏは上述の意味を
有している。

ヒドロキシ化合物■を初めに式■のクロルシランと反応
することにおいて 式■中の２１および汐は同じかまたは異なっていて相互
に無関係にそれぞれａ、　−Ｏ，。−アルキル、上述の
基νまたは塩素であるクロルシランの式■を。

上記のヒドロキシ化合物■と、ピリジン中でナトリウム
ヒトリッドの存在下１５乃至１５０℃で反応し。

続いて上記の式Ｖアルコールおよび必要ならば０５−０
゜−アルカノールと、３０乃至１２０℃の温度で反応し
式１の本発明ケイ素ナフタロシアニンを得るが、これは
次式の官能基を含み ？ ０−８ｉ−０−ν が ここでシ、Ｒ４および戸は上述の意味を有している。

本発明の別の使命は、新規の光学的記録媒体を提供する
ことであり、この新規製品を含む層は均質でなければな
らず、使用される担体物質に良好な接着性を示し長期保
存期間を経ても安定でなければならない。

この光学的記録媒体は、担体と放射線（光）に対して敏
感な層を含んでおり１この放射線に敏感な層が式Ｉのケ
イ素す、フタロシアニンを含んでおり。

式中 Ｎｏはナフタロシアニン系の基であり、このナフタロシ
アニン基はａ、　＋　ｃ、、−アルキルＩＣｌ−０１２
−アルコキシ、必要ならば０．−０．−アルキルで置換
されているＯｓ　−Ｃ！＋ｔ−アリール、または必要な
らばフェニル核がｍ換されているフェニル−０，４０，
−フルキルにより置換されていることができ。

Ｒ＋および芦は、同じかまたは異なっていて相互に無関
係にそれぞれ式Ｃｏ）　Ｒ３基であり、ここでｎはＯま
たは１．Ｒ３は２乃至２０個の炭素原子を含み。

さらに１乃至５個の二重結合および／または１乃至３個
の三重結合を含み、およびさらに１乃至４個のフェニル
核または１乃至３個の飽和または不飽和同系環の５乃至
７員環を含むことができ、または必要ならば１乃至５個
の酸素原子で中断されている分子内部分を含んでおり、
さらにまたは次式の基を含み ？ ｏ−ｓｌ−ｏ−ｍ ここにおいてＰは上述の意味を有し、Ｒ４お上びＰは同
じかまたは異なっていて相互に無関係にそれぞれ０１−
偽。−アルキル１０１−０２０−アルコキシマタは基（
ｏ）　Ｒ’　であり、ここでｎおよびＶはそれぞれに上
述の意味を有し、または基ＲＩがまたＯＩ−”ｅ。−ア
ルキルを意味しているものである。

式Ｉの新規ケイ素ナフタロシアニンは、近赤外部に高い
モル吸収を示している。さらに均質で非晶質の層を形成
し、ポリマー層中の染料とも特徴的な相溶性がみられて
いる。

好適には、　Ｎｏが置換されていないナフタロシアニン
系の基を意味している式Ｉのケイ素ナフタロシアニンを
含む光学的記録媒体である。

さらに好適には、　Ｎｃがｏ、　−’ＨＨＩルキルまた
はｏ、　＋　０１１−アルコキシで置換されているナフ
タロシアニン系の基を意味している式Ｉのケイ素ナフタ
ロシアニンを含む光学的記録媒体である。

さらに好適には　ＨＩおよび坪が相互に無関係に式（０
）ｎＲ’基であり、ここでｎがＯでありＲ３が２乃至２
０個の炭素原子および１乃至３個の二重結合および／ま
たは１個の三重結合を含んでいる基であることからなる
式Ｉのケイ素ナフタロシアニンを含んでいる光学的記録
媒体である。

さらに好適には、Ｒ４およびＲ５が相互に無関係に０＋
　−Ｑｙｏ−アルキルまたは０Ｉ−Ｏｓ−アルコキシで
ある式Ｉのケイ素ナフタロシアニンを含む光学的記録媒
体である。

特に好適には、Ｒ４および戸は互に無関係にａ、　−０
１２−アルキル、特に’ａ　−０＋ｔ−アルキルである
式Ｉのケイ素ナフタロシアニンを含む光学的記録媒体で
ある。

さらに特別に好適には　Ｒ１および坪が相互に無関係に
式（０）ｎＲ３であり、ここでｎが０であり　Ｒ３が３
乃至２０個の炭素原子および１乃至３個の二重結合を含
む基であることからなる式Ｉのケイ素ナフタロシアニン
を含む光学的記録媒体である。

特に優れて好適には、Ｗがビニル、アリル、１−プロペ
ン−１−イル、メチルアリル、：ｃチルアリル１ペンテ
ニル、ペンタジェニル、ヘキサジェニル、３．７−シメ
チルオクター１．６−ジエン−１〜イル、３．７−シメ
チルオクター１．６−ジエン−２−イル、　１０−ウン
デセン−１−イル。

６、ｌＯ−ジメチルウンデカ−５，９−ジエン−２−イ
ル、３，７．１１−トリーメチルドデカ−・１゜６．１
０−）ジエン−１−イル、３．’７．１１−）リメチル
ドデ力−２，６，１０−）ジエン−１−イル１９−オク
タデセン−１−イル、オクタデカ−９，１２−ジエン−
１−イルまたはオクタデカ−９゜１２．１５−）ジエン
−１−イルであることからなる式Ｉのケイ素ナフタロシ
アニンを含む光学的記録体である。

光感受性層の別の成分としてはポリマーが必要であり、
このポリマーは式ｌの化合物と相溶性であることが必要
である。このようなポリマーは。

一般にバインダーと称されている。

好適なバインダーの例は、ぎリスチロール、ポリエステ
ル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリアミン、ポリビニルアルコール、ポリ塩
化ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、または
ヨーロッパ特許公開公報第９０２８２号またはヨーロッ
パ特許公開公報第１７１０４５号による液＆（ｌｌ！ｌ
鎖を含む重合体または共電体等である。

さらに同上フィルムは、別の適当な添加物９例えば低分
子量の液晶化合物を含むことができる。

好適には、光学的記録媒体が式Ｉのケイ素ナフタロシア
ニンのみからの光感受性層からなり１これに非晶状態の
染料が含まれているものである。

ここで“非晶”という概念は、光感受性層が異方性の領
域を示さず、熱的に変化する領域の分子部分より太きく
て約３０　ｎｍの容積範ＩＭＫあって。

それを超えては光学的に等方性であることを示している
。

一般的には、光感受性層の厚さは２０乃至４００ｎｍ　
、好適には４０乃至３００１１ｍとなっている。

本発明方法による記録媒体中に含まれている染料は、特
徴的にレーザー光を吸収し１特に比較的長波長（６５０
から９００　ｎｍまで）のレーザー光をよく吸収する。

円板状担体上の光感受性層が必要ならば反射体を有して
いる記録媒体が優れており、半導体レーザーによる筆記
および情報の再現を可能にしている。

特に好適なのは１反射体層を含まない記録媒体である。

この上うｋして組み立てられる光学的記録集積体は、高
密度の情報を、らせん型または環状の集積方法で、微細
孔または微細くぼみ（約１μｍ幅）を有していて、その
環境に対する反射の変化によって光学的に探知できるよ
うにして記録している。

良好なコントラストを示している。

染料の高い光吸収を基にして９本発明の記録媒体は、半
導体−レーザー光に対して非常に敏感である。

光学的記録媒体の構造自身は、よく知られている。

担体としては、Ｎえばガラス板またはガラス円板または
プラスチック板またはプラスチック円板。

特にポリメチルメタクリレート、ポリスチレン。

ポリスチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、〆リメチルペ
ンテンまたはポリカーボネートからの板または円板が考
えられ、必要ならば検知みぞを含むことがある。

この場合に、担体はリボン状、正方形板または長方形板
または円形板を示すことができ９例えば円形板ではレー
ザー光記録材料に通常使用されて。

よく知られている１０乃至１：５ａｌ径の円板が好適で
ある。

このほかに、記録媒体は、別の層状物１例えば保護層、
接着層または電極層を含むことができる。

担体のほかに、さらに反射層も存在することができ、従
って投射され有色層で分散した光が、吸収されない限り
１反射層で反射されて、さらにまた有色層で分散される
ようになる。

露光は、好適には透明な基質を通して行なう。

層ラミネートとしては、従って、基質−吸収層−（必要
ならば反射体層）が問題となる。

担体または光反射層は、光学的に平滑で均等な表面を有
していなければならず１この上に吸収層が確実に固定さ
れる必要がある。表面性状および接着現象に好適に影響
するために、担体および／または反射体は、熱硬化性プ
ラスチックまたは熱可塑性材料からの平滑層材料が用い
られることができる。

放射ｍ（光）ＶＣ対して敏感な層が十分な機械的安定性
を有していない場合には、それが透明な保護層で上塗り
されることができる。このためには。

一連のポリマーが使用され１例えばポリマー溶液の遠心
スプレー、ドクター塗装またはポリマー溶液中への浸漬
あるいは真空蒸着等により、特にフッ素ポリマーを処理
して保護層を形成することができる。

２個の同じかまたは異なっている記録媒体からのデータ
集積体がサンドインチ型で組み立てられる時には、−面
の保護層は省略されることができる。

この６サンドイツチ”構造体は１機械的安定性および回
転トルク安定性が大きい特徴のほかに。

記録集積能が倍加される特徴を有している。

光学的記録媒体の十分な特性を表現するためには、保護
層および／または中間層がまた断念されることもできる
。

本発明による光学的記録媒体は新規のケイ素ナフタロシ
アニンを含有しており、約６５０乃至９００ｍｍの半導
体レーザー波長で強く吸収する。このケイ素ナフタロシ
アニンは、光学的物性のある平滑な吸収層が与えられる
ように調製されることができるので、この吸収層では高
いシグナル：ノイズ比率を有する集積情報が記録投入さ
れることができる。

吸収材料の調製は、好適には溶解したまたは分散した染
料を、必要ならばバインダーの存在において遠心スプレ
ーして行なわれる。またドクター塗装または浸漬法も層
形成法として、適用できる。

例えば金属反射体層の調製では、好適に真空蒸着または
適当な金Ｊｉｌ！フィルムの担体への積層によって処理
されることができる。

溶液または分散液から吸収層を調製するためには、適当
な溶剤中で１例えばヘキサン、ヘプタン。

オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン１エチ〃シクロヘキサン、塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素、　　ブロモホルム、ｌ、］−
＋　　１−トリクロロエタン、１．ｌ。

２−トリクロロエタン、アセトン、メチルエチル−ケト
ン、シクロヘキサノン、ドルオール、アセトニトリル、
酢酸エステル、メタノール、エタノール、エーテルアル
コール例えば２−メトキシエタノール、２−エトキシエ
タノール、２−イソプロポキシエタノール、３−メトキ
シプロパツール。

３−エトキシプロパノール、３−イソプロポキシエタノ
−ルまたはこれら溶剤の混合物中で、ケイ素ナフタロシ
アニン溶液または場合によっては分散液を作製すること
であり、またはケイ素ナフタロシアニン化合物と必要な
らばバインダーの混合物の溶液または分散液を作製する
こととなり。

さらに必要ならば助剤、を加えることとなる。

次にこの染料調合は、ドクター塗装または浸漬法で行な
われるが、好適には遠心スプレー法（スピンコーティン
グ）で、予め清浄にしたまたは必要によっては前処理し
た基質（下塗り層）上に塗布されて、この層が風乾され
るかまたは硬化される。またこのフィルム層は、高温で
真空乾燥または硬化されるか、または必要によっては照
射により乾燥または硬化されることができる。

既に上述したように１式Ｉのケイ素ナフタロシアニンの
みを含む層、特にこの層がスピン−フーティングで調製
されているケイ素ナフタロシアニンを含むような光学的
記録媒体が優れている。

系統的な構成法に従えば１初めに光感受性層。

次に反射体層が積層されるが、またはこの逆が行なわれ
ることもできる。中間層または保護層あるいは反射体層
を入れることは、既に上述したように、また除かれるこ
ともできる。

好適には９反射体層のない単層システムが望ましい。

本発明による記録媒体は、記録レーザー光によってアナ
ログまたはデジタルのデータを録画されることができ、
この際にアナログデータの注入ではよく知られているよ
うにアナログモジエール継続線レーザーを使用し、デジ
タルデータの注入ではパルス変調レーザーを使用する。

−船釣には、記録注入用波長での適当なレーザーは、１
乃至２０　ｍＷの発光エネルギーを示している。記録レ
ーザー光の焦点直径は、−船釣に３００乃至２０００　
ｎｍの範囲である。普通には、パルス変調レーザーでの
照射では、パルス時間がｌＯ乃至１０００　ｎＪｉとな
る。該当する記録層によって良好に吸収される波長の光
を有するレーザー光を、記録注入に利用するのが得策で
ある。４００乃至１１０００ｎの波長が、好適である。

記録注入操作では、レーザー光が記録材料上を相対的な
動きで導かれて、記録材料に垂直に当って焦点が定めら
れる。記録材料層は、レーザー光が当った局所で局部的
に加熱され、熱変化した領域が０例えば小孔、クレータ
またははん点の形で表われる。パルス変調レーザーでの
データ録画では、この刻面領域が本質的に円形または卵
形をしており、直径が１００乃至２０００　ｎｍである
。アナログモジエール継続線レーザーでの記録注入では
。

刻面領域がそれぞれ１手な形をとることができる。

本発明による記録媒体は、特にレーザー光録画用に優れ
ている。

記録層におけるデータ録画は、記録層の担体に利用され
ている側面から１または光学的に透明な担体を通過して
かで行なわれる。後者が特に好適である。

注入録画されたデータは、読み取りレーザー光の助けを
かりて読み取られる。読み取り波長での読み取りレーザ
ーの光エネルギーは、録画を可能にする最小エネルギー
よりも下にある。−船釣には、読み取り時の光エネルギ
ーは、０．１乃至１．５ｍＷである。記録層から強く反
射する波長のレーザー光を利用するのも、特徴がある。

４００乃至１１０００ｎ　、特に６３０乃至９００　ｎ
ｍの波長が好適であ、る。

また読み取り操作では、記録材料上で相対的に動く読み
取りレーザー光が導かれて、垂直に当るようＫされて記
録層に焦点を合わせる。

読み取りレーザー光が記録層の上に当り、熱変化した領
域の例えばはん点に出合うと、記録材料から伝達される
かまたは反射される光の性状が変化して、これが適当な
検波器の助けをかりて検知されることができる。

この際に、記録層中のデータの読み取りは、担体に利用
されている層の側からかまたは光学的に明るい透明な担
体を通して行なわれるかであり。

後者の方が有利である。この際には、特に反射光をとら
えるのが好適である。

このほかに、６５０乃至９００　ｎｍの赤外波長範囲で
発光する記録録画および読み取りレーザーを利用するの
が、特に好適である。この際に、録画波長と読み取り波
長とは５同じであるかまたは唯若干相違しているのが、
別の特徴となっている。この波長の光は１通常のよく知
られている牛導体レーザーから供給される。

本発明による記録媒体は、多数の特別な長所を含んでい
る。例えば、その記録されていない記録層は特に安定で
あり、それ自身が比較的高温で高湿度下での長期間の保
存後でも、尚常にレーザー光データ記録に優れた適応性
を有している。同様なことは記録録画された記録層にも
当てはまっており、非常に長い貯蔵期間後でも全く情報
欠損が表われない。従ってまた。比較的僅少の光エネル
ギーでの記録レーザーが利用されることができる。

このほかに記録録画された記録材料は１記録されている
領域と記録されていない領域の間の光学的対照（フント
ラスト）が全く特別に高く、これまでに知られている記
録用フタロシアニン層の光学的対型（コントラスト）を
はるかに凌駕している。さらに、新規記録材料ではビッ
ト密度が明らかに１０７ビツト／−を超しており、従っ
てデータは、また記録注入後に直接読み取られることが
できる。

本発明による式Ｉのケイ素ナフタロシアニンは。

さらに別の非常に優れた応用技術的物性を示しており、
従ってまた別の応用目的、にも役立つことができる。特
に赤外１１ｉ１（工Ｒ）保護層、工Ｒ吸収フィルム、サ
ングラス−塗装、自動車風防板用の塗装。

工Ｒ−インキ、工Ｒ−読み取り線フードの印刷インキ、
液晶表示用または工Ｒ−安全システム用等に応用される
ことができる。工Ｒ−読み取り線コードとしては１例え
ば商品包装に適用されているバーコードとして理解され
るものであり、これは商品の正確な詔識忙役立っている
。

液晶表示または液晶デイスプレーでは、液晶物質からの
層の厚さを含んでいる既知の配列物が知られている。こ
の液晶含有層は、電圧をかけることＫよってその光学的
物性を局部的に変化させ。

これＫよって例えば数字１文字または画像が可視（表示
）できるようになる。

工Ｒ−安全システムとしては１本質的にレーザー光源と
それから離れて置かれている適当な検２２！！器からな
りたっているシステムが知られている。レーザー光源か
ら送られるレーザー光が検波器に当って、いわゆる光障
壁を作っている。これが中断されると、検波器と結ばれ
ている警報がなる。

電子写真の記録材料は１本質的に、暗黒状態では高い電
気抵抗を示し、露光すると導電性になる層を含んでいる
。これらの層は暗黒時には表面に静電気を帯びており、
続いて露光すると静電気の電荷が露光部分で導電消滅し
て、結局画像形成になる静電像が生成し、これがいわゆ
るトナーの助けによって可視像となることができる。

（実施例） 以下の実施例は１本発明をより詳細に説明するためのも
のである。

Ａ）合成 実施例／ 次式化合物の合成 ５ｇのジヒドロキシケイ素ナフタロシアニンが。

１５０１ピリジン、５Ｑｔ／）ルオールおよび１０ｊｌ
／）リブチルアミンからなる混合物に加えられた。次ｌ
Ｃ０，５ｇのナトリウムヒドリクドを加え、３時間８０
℃で攪拌した。冷却後に、１０ｄのメチル−ビニル−ジ
クロルシランＯＨ，（＋Ｄ％　＝ＯＨ）ＳｉＯ１２が加
えられ、−晩室温で攪拌されてから、その後で約１００
ｙｓｌの反応混合物が留去された。

７１Ｌ１２−エチルヘキサノールを加えた後で、６時１
’１ｌｉｊ約８０℃で攪拌され、その後で同一条件の下
で全揮発成分がさらに留去され、冷却され、約２００ｎ
ｉｌメタノールが加えられた。

目的生成物を吸引濾過し、メタノールで洗浄した０ 次表１および２で示されている次式化合物が、同様の方
法で得られた。これに加えて１次表には使用されたクロ
ルシラン並びに使用されたアルコールが示されている。

これら化合物の特性を識別するために１表３にこれら化
合物のＲｆ−値が与えられている。

ＯＨ。

ｓ　　　　　ｏ−５ｔ−ｏ−（ａ夷）、−０島ＣＨ＝Ｏ
Ｈ！ ＯＨ，（ＯＨ，＝ＣＨ）Ｓｉｌｌ、　　　　　　　ＨＯ
−（ＯＩ（２）、−ＯＨ。

ＯＨ。

１，４ｎ−ｏ、２４．ｏ−５ｌ−ｏ−（ｏｌ（り、−（
ａＨ＝ｏｎ−ｏＩ（２）、−ｏｕ。

０Ｈ＝Ｏ鴇 ？鴇 ｎ−（３６１（Ｂ 蒙 ＯＨ，（ＣＩ（２＝ＯＨ）ＳｉＯｌ、　　　　　　ＨＯ
−（０鳴）、−（ＯＨ＝ＯＨ−０％　）３−ＯＨ。

ＯＨ，０Ｈ３（ｎ−０６Ｈ，３）８１０１１表３−Ｒｌ
−値 １　　　　　　０．６５ ２　　　　　　０．８８　　　　　０．６３・３　　　
　　　　０．８６ ４　　　　　　　０．６７ ５　　　　　　　０、６１ ６　　　　　　０．６８ ７　　　　　　　０．７５ ８　　　　　０．６１ ９　　　　　　　０．７６ １０　　　　　　０．８８ １１　　　　　　０．８０ １２　　　　　０．６２ １３　　　　　０．７１ １４　　　　　０．３８ １５　　　　　０．３８ １６　　　　　０．７４ 上述のＲｆ−値は、マシエレイ　ラント　ナーゲル社（
Ｆｉｒｍａ　Ｍａａｈｅｒｅｙ　ｕｎｄ　Ｎａｇｅｌ　
）、　　（ポリグラム（Ｐｏｌｙｇｒａｍ　）　０．２
　ｍ　、　　Ｎ−ＨＲＵＶ　２５４　）のシリカゲル板
で見出された。その際の展開剤として。

Ａ）　）ルオール　Ｂ）ドルオール／ヘキサン（１：１
容量／容りが使用された。

塗装フィルムの製造処方 実施例／からの化合物１ｇが、　２０ｊＬ／　）ルオー
ル中で室温において一晩中攪拌され、その後でガラスフ
ィルター（Ｐ４）上で加圧濾過した。得られたｇｔが１
次にスプレーでポリメチルメタクリレート回転板（直径
１２ｃｍ）上に塗布された。この際に、同上溶液は１回
転数２０００回転／分で２５秒間スピンコーティングさ
れて１続いて３５秒間１回転数５０００回転／分で遠心
乾燥された。得られた層は均質で、ピンホールフリーで
あり高反射性となっている。

Ｂ）応用 前述の製造法による記録材料の記録注入および読み取り
のためには、慣用されている既知の測器が利用された。

これはパルス変調レーザーを示しており、その８３６　
ｎｍレーザー光が１０　ｍＷの最大エネルギーで発光し
た。

はん点検知のためには、記録層からディスクを通って反
射された光が通常の既知方法で検出された。

記録材料は、記録注入レーザーによって記録された。こ
の際に、記録注入エネルギーが変更された。読み取りの
際には１反射読み取りレーザー光のはん点によって引き
起こされるパルスの振幅が測定されて、記録注入の関数
として、どの該当はん点が初めに作られたかが記録され
た。このような方法で、上述の条件下でどの記録注入が
問題のないシグナルかが確かめられたが、これがデータ
記録の基本原則であり、その通りが得られることができ
た。これは９本発明の記録材料の高感度を確保して、　
　２．５ｍＷの記録注入エネルギー以下で可能となって
いた。

本発明記録材料は、１０週間６０℃で相対湿度９０％の
条件下で保存された。この際に、欠点となる変化は表わ
れずに１記録データは保存前後で全く欠点なしに読み取
ることができた。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）式 I ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｎｃはナフタロシアニン系の基であり、該基は
   Ｃ＿１−Ｃ＿１＿２−アルキル、Ｃ＿１−Ｃ＿１＿２−
   アルコキシ、必要によってＣ＿１−Ｃ＿４−アルキルで
   置換されているＣ＿６−Ｃ＿１＿２−アリール、または
   フェニル核が必要ならば置換されているフェニル−Ｃ＿
   １−Ｃ＿６−アルキルで置換されていることができ、 Ｒ＾１およびＲ＾２は同じかまたは異なっていて相互に
   無関係にそれぞれが（Ｏ）＿ｎＲ＾３基（ｎは０乃至１
   である）であり、Ｒ＾３は２乃至２０個の炭素原子を有
   し、１乃至５個の二重結合および／または１乃至３個の
   三重結合を含有する基であり、さらに１乃至４個のフェ
   ニル核または１乃至３個の飽和または不飽和同系環式５
   乃至７員環を含有することができ、場合によっては１乃
   至５個の酸素原子によって中断されている基であり、ま
   たはＲ＾３が次式の基であって ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中でＲ＾３が上述の意味を有し、Ｒ＾４およびＲ＾５
   が同じかまたは異なっていて相互に無関係にそれぞれが
   Ｃ＿１−Ｃ＿２＿０−アルキル、Ｃ＿１−Ｃ＿２＿０−
   アルコキシまたは（Ｏ）＿ｎＲ＾３基（ｎは０乃至１で
   ある）であり、ここでｎおよびＲ＾３はそれぞれ上述の
   意味を有しているか、またはＲ＾１基がまたＣ＿１−Ｃ
   ＿２＿０−アルキルを意味する〕のケイ素ナフタロシア
   ニン化合物。
2. （２）Ｎｃが置換していないナフタロシアニン系の基を
   意味している請求項（１）記載の式 I のケイ素ナフタ
   ロシアニン化合物。
3. （３）放射に対して敏感な層が式 I ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｎｃはナフタロシアニン系の基であり、該基は
   Ｃ＿１−Ｃ＿１＿２−アルキル、Ｃ＿１−Ｃ＿１＿２ア
   ルコキシ、必要によってＣ＿１−Ｃ＿４−アルキルで置
   換されているＣ＿６−Ｃ＿１＿２−アリール、またはフ
   ェニル核が必要ならば置換されているフェニル−Ｃ＿１
   −Ｃ＿６−アルキルで置換されていることができ、 Ｒ＾１およびＲ＾２は同じかまたは異なっていて相互に
   無関係にそれぞれが（Ｏ）＿ｎＲ＾３基（ｎは０乃至１
   である）であり、 Ｒ＾３は２乃至２０個の炭素原子を有し、１乃至５個の
   二重結合および／または１乃至３個の三重結合を含有す
   る基であり、さらに１乃至４個のフェニル核または１乃
   至３個の飽和または不飽和同系環式５乃至７員環を含有
   することができ、場合によっては１乃至５個の酸素原子
   によって中断されている基であり、またはＲ＾３が次式
   の基であって▲数式、化学式、表等があります▼ 式中でＲ＾３が上述の意味を有し、Ｒ＾４およびＲ＾５
   が同じかまたは異なっていて相互に無関係にそれぞれが
   Ｃ＿１−Ｃ＿２＿０−アルキル、Ｃ＿１−Ｃ＿２＿０−
   アルコキシまたは（Ｏ）＿ｎＲ＾３（ｎは０乃至１であ
   る）であり、ここでｎおよびＲ＾３はそれぞれ上述の意
   味を有しているか、またはＲ＾１基がまたＣ＿１−Ｃ＿
   ２＿０−アルキルを意味する〕のケイ素フタロシアニン
   を含有することを特徴とする担体および放射に対して敏
   感な層を含有する光学的記録媒体。
4. （４）式 I のケイ素ナフタロシアニンを含むが、この
   場合のＮｃが置換されていないナフタロシアニン系を意
   味している請求項（３）記載の光学的記録媒体。