JPH02114582A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02114582A JPH02114582A JP26735788A JP26735788A JPH02114582A JP H02114582 A JPH02114582 A JP H02114582A JP 26735788 A JP26735788 A JP 26735788A JP 26735788 A JP26735788 A JP 26735788A JP H02114582 A JPH02114582 A JP H02114582A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体レーザの製造方法に関するものであ
る゛。
る゛。
(従来の技術〕
第2図(a)〜(C)は従来の半導体レーザの一例であ
るP B C−L D (P−substrat Bu
riedCresent La5er Diode)の
製造工程の一部を示したものである。
るP B C−L D (P−substrat Bu
riedCresent La5er Diode)の
製造工程の一部を示したものである。
第2図において、1はp−InP基板、2はn−InP
層、3はp−InP層、4はn−1nP層、5はp−I
nP層、6は活性層、7はn−InP層、8はn−1n
GaAsP層、10は絶縁膜、11はn電極、12はp
電極である。
層、3はp−InP層、4はn−1nP層、5はp−I
nP層、6は活性層、7はn−InP層、8はn−1n
GaAsP層、10は絶縁膜、11はn電極、12はp
電極である。
第2図(a)はp−InP基板1上にn−In2層2.
p−InP層3.n−1nP層4を順次結晶成長し、溝
内にp−InP層5.活性層6を結晶成長した後、n−
1nP層7.n−InGaAsP層8を結晶成長し、ダ
ブルチャネル・メサ形成後、全面に絶縁膜10を形成し
た状態である。
p−InP層3.n−1nP層4を順次結晶成長し、溝
内にp−InP層5.活性層6を結晶成長した後、n−
1nP層7.n−InGaAsP層8を結晶成長し、ダ
ブルチャネル・メサ形成後、全面に絶縁膜10を形成し
た状態である。
第2図(b)はメサ上部の絶縁膜10を写真製版により
所要の形状にバターニングした状態である。
所要の形状にバターニングした状態である。
第2図(C)はメサ部側にn電極11.基板1側にp電
極12を形成した状態である。
極12を形成した状態である。
次に動作について説明する。
n電極11.p電極12にそれぞれリード線を取り付け
(図示せず)、電流が一定値(しきい値)を越えると、
レーザ発振が起きる。
(図示せず)、電流が一定値(しきい値)を越えると、
レーザ発振が起きる。
通常、このレーザ光を光通信の光源に用いる場合、しき
い値近傍まで直流電流を注入し、パルス電流を重畳する
ことにより信号を発する。
い値近傍まで直流電流を注入し、パルス電流を重畳する
ことにより信号を発する。
このとき、入力パルス電流の波形に対応して、レーザ光
が出力されるが、レーザ自体の容量が大きいと、入力パ
ルスの変化にレーザ光が追従できなくなる。そこで、光
出力の入力パルスに対する応答を速くするために、レー
ザの容量を減らす必要がある。
が出力されるが、レーザ自体の容量が大きいと、入力パ
ルスの変化にレーザ光が追従できなくなる。そこで、光
出力の入力パルスに対する応答を速くするために、レー
ザの容量を減らす必要がある。
上記の従来例では、ダブルチャネル、メサ形成および絶
縁膜10の形成を行うことにより、容量の低減を図って
いる。
縁膜10の形成を行うことにより、容量の低減を図って
いる。
従来のPBC−LDは以上のように構成されているので
、第2図(b)のメサ上部の絶縁膜10の除去の際の写
真製版のときに、メサパターンの内側に、絶縁膜除去パ
ターンとなるストライブパターンを入れなければならず
、マスク合せが難かしく、狭メサ化にも限界があった。
、第2図(b)のメサ上部の絶縁膜10の除去の際の写
真製版のときに、メサパターンの内側に、絶縁膜除去パ
ターンとなるストライブパターンを入れなければならず
、マスク合せが難かしく、狭メサ化にも限界があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、セルファラインでメサ形式およびメサ上部
の絶縁膜除去が行えるとともに、従来例に比べ、より狭
いメサ化が可能となり、レーザの容量が低減化され、高
速応答が可能な半導体レーザの製造方法を得ることを目
的とする。
れたもので、セルファラインでメサ形式およびメサ上部
の絶縁膜除去が行えるとともに、従来例に比べ、より狭
いメサ化が可能となり、レーザの容量が低減化され、高
速応答が可能な半導体レーザの製造方法を得ることを目
的とする。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、レーザ構造
をなす結晶成長終了後、活性層をメサ内部に含むように
レジストパターンをマスクにしてメサ形成を行い、との
メサ上部に前記レジストパターンを残した状態で全面に
絶縁膜を形成し、その後、前記メサ上部のレジストパタ
ーンを除去し、前記メサ上部のみにオーム性接触する電
極を形成するものである。
をなす結晶成長終了後、活性層をメサ内部に含むように
レジストパターンをマスクにしてメサ形成を行い、との
メサ上部に前記レジストパターンを残した状態で全面に
絶縁膜を形成し、その後、前記メサ上部のレジストパタ
ーンを除去し、前記メサ上部のみにオーム性接触する電
極を形成するものである。
(作用)
この発明においては、メサ形成時に用いたレジストパタ
ーンを絶縁膜形成後除去することから一段と狭メサ化が
可能となる。
ーンを絶縁膜形成後除去することから一段と狭メサ化が
可能となる。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図(a)〜(C)はこの発明の一実施例を示す半導
体レーザの製造工程の主要部を示す断面図である。
体レーザの製造工程の主要部を示す断面図である。
第1図において、9はレジストであり、その他は第2図
に示した従来例と同一構成部分を示すので、その説明は
省略する。
に示した従来例と同一構成部分を示すので、その説明は
省略する。
次に製造工程について説明する。
第1図(a)のように、p−InP基板1上に所要の結
晶成長層、すなわちn−1nP層2. p−I nP層
3.n−1nP層4.p−InP層5、活性層5.n−
Inp層7.およびn−InGaAsP層8を成長した
後、全面にレジスト9を塗布し、レジスト9を所要の形
状にバターニングし、このレジストパターンをマスクに
して活性層6をメサ内部に含むようにメサエッチングす
る。
晶成長層、すなわちn−1nP層2. p−I nP層
3.n−1nP層4.p−InP層5、活性層5.n−
Inp層7.およびn−InGaAsP層8を成長した
後、全面にレジスト9を塗布し、レジスト9を所要の形
状にバターニングし、このレジストパターンをマスクに
して活性層6をメサ内部に含むようにメサエッチングす
る。
次に、マスクとして用いたレジスト9のレジストパター
ンをそのまま残し、その上から全面に絶縁膜10を形成
する0次いで、メサ上部に残しておいたレジスト9とと
もにその上部の絶縁膜10を除去した後、第1図(C)
のように、−メサ部側にn電極11.p−1nP基板1
側にp電極12を形成し、この発明の半導体レーザが形
成される。
ンをそのまま残し、その上から全面に絶縁膜10を形成
する0次いで、メサ上部に残しておいたレジスト9とと
もにその上部の絶縁膜10を除去した後、第1図(C)
のように、−メサ部側にn電極11.p−1nP基板1
側にp電極12を形成し、この発明の半導体レーザが形
成される。
この動作については、従来と同様であるので、省略する
が、この発明では、レーザの容量を減らすことにより高
速応答が可能となる。
が、この発明では、レーザの容量を減らすことにより高
速応答が可能となる。
なお、上記実施例では、InP系PBC−LDについて
述べたが、他の構造ないしは、GaAs系のレーザに用
いてもよい。
述べたが、他の構造ないしは、GaAs系のレーザに用
いてもよい。
(発明の効果)
以上説明したようにこの発明は、レーザ構造をなす結晶
成長終了後、活性層をメサ内部に含むようにレジストパ
ターンをマスクにしてメサ形成を行い、このメサ上部に
前記レジストパターンを残した状態で全面に絶縁膜を形
成し、その後、前記メサ上部のレジストパターンを除去
し、前記メサ上部のみにオーム性接触する電極を形成す
るので、メサ部の絶縁膜の除去をセルファラインで行う
ことにより工程が簡略化され、高速応答可能な半導体レ
ーザが得られる効果がある。
成長終了後、活性層をメサ内部に含むようにレジストパ
ターンをマスクにしてメサ形成を行い、このメサ上部に
前記レジストパターンを残した状態で全面に絶縁膜を形
成し、その後、前記メサ上部のレジストパターンを除去
し、前記メサ上部のみにオーム性接触する電極を形成す
るので、メサ部の絶縁膜の除去をセルファラインで行う
ことにより工程が簡略化され、高速応答可能な半導体レ
ーザが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザの工程
断面図、第2図は従来の半導体レーザの製造工程を示す
断面図である。 図において、1はp−InP基板、2はn−InP層、
3はp−InP層、4はn−InP層、5はp−InP
層、6は活性層、7はn−InP層、8はn−InGa
AsP層、9はレジスト、10は絶縁膜、11はn電極
、12はp電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第2図は従来の半導体レーザの製造工程を示す
断面図である。 図において、1はp−InP基板、2はn−InP層、
3はp−InP層、4はn−InP層、5はp−InP
層、6は活性層、7はn−InP層、8はn−InGa
AsP層、9はレジスト、10は絶縁膜、11はn電極
、12はp電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- レーザ構造をなす結晶成長終了後、活性層をメサ内部に
含むようにレジストパターンをマスクにしてメサ形成を
行い、このメサ上部に前記レジストパターンを残した状
態で全面に絶縁膜を形成し、その後、前記メサ上部のレ
ジストパターンを除去し、前記メサ上部のみにオーム性
接触する電極を形成することを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26735788A JPH02114582A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26735788A JPH02114582A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02114582A true JPH02114582A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17443696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26735788A Pending JPH02114582A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02114582A (ja) |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP26735788A patent/JPH02114582A/ja active Pending
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