JPH02113520A - Apparatus for applying chemical solution - Google Patents
Apparatus for applying chemical solutionInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体素子の製造に用いる半導体ウェハの表
面にホトレジスト等の薬液を均一に塗布する薬液塗布装
置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a chemical liquid coating apparatus that uniformly applies a chemical liquid such as photoresist to the surface of a semiconductor wafer used for manufacturing semiconductor devices.
〈従来の技術〉
従来の薬液塗布装置を第３図及び第４図を参照しつつ説
明する。なお、以下の説明において、半導体ウェハに塗
布される薬液はホトレジストとする。<Prior Art> A conventional chemical coating device will be described with reference to FIGS. 3 and 4. In the following description, it is assumed that the chemical solution applied to the semiconductor wafer is photoresist.
半導体ウェハにホトレジストを塗布する薬液塗布装置は
、スピン式、デイツプ式、ローラ式或いはスプレー式等
に大別することができる。Chemical coating apparatuses for applying photoresist onto semiconductor wafers can be broadly classified into spin type, dip type, roller type, spray type, and the like.
デイツプ式の薬液塗布装置は、タンクに貯溜された塗布
すべきホトレジストに半導体ウェハを浸漬した後、エア
ーナイフ等で余分のホトレジストを半導体ウェハの表面
から除去するものである。A dip-type chemical coating device immerses a semiconductor wafer in photoresist to be coated stored in a tank, and then removes excess photoresist from the surface of the semiconductor wafer using an air knife or the like.
ローラ式の薬液塗布装置は、２木のローラを平行に対峙
させ、このローラの間に半導体ウェハを挟んで半導体ウ
ェハを送りながらホトレジストを塗布するものである。A roller-type chemical coating device has two rollers facing each other in parallel, and applies photoresist while feeding the semiconductor wafer with the semiconductor wafer sandwiched between the rollers.
また、スプレー式の薬液塗布装置は、霧状のホトレジス
トを半導体ウェハの表面に吹きつけてホトレジストを塗
布するものである。Furthermore, a spray-type chemical coating device sprays atomized photoresist onto the surface of a semiconductor wafer to coat the surface of the semiconductor wafer.
これらの薬液塗布装置は生産性、仕上がりの精度等に若
干の問題があるので、現在ではスピン式の薬液塗布装置
が主流になっている。Since these chemical liquid applicators have some problems in productivity, finish accuracy, etc., spin-type chemical liquid applicators are currently the mainstream.
スピン式の薬液塗布装置は、第３図に示すように半導体
ウェハ５０を真空吸着するウェハチャック１０と、この
ウェハチャック１０を取り囲むカップ２０と、上方から
ホトレジスト６０を滴下する薬液滴下ノズル３０と、カ
ップ２０内部に上から下方向に空気を流通させる換気部
（図示省略）とを備えている。As shown in FIG. 3, the spin-type chemical liquid coating device includes a wafer chuck 10 that vacuum-chucks a semiconductor wafer 50, a cup 20 that surrounds the wafer chuck 10, and a chemical liquid dropping nozzle 30 that drops photoresist 60 from above. The cup 20 includes a ventilation section (not shown) that allows air to circulate from above to below.
ウェハチャック１０の裏面の中心からは、回転軸１１が
カップ２０を貫通して延設されている。この回転軸１１
は図示しないモータの出力軸に連結されており、このモ
ータがウェハチャックｌＯを回転させるのである。カッ
プ２０の上方には薬液滴下ノズル３０が臨んだ開口２１
が、下方には排気口２２がそれぞれ設けられている。前
記換気部によって開口２１から排気口２２に向かって空
気が流通されるのである。A rotating shaft 11 extends from the center of the back surface of the wafer chuck 10, passing through the cup 20. This rotating shaft 11
is connected to the output shaft of a motor (not shown), and this motor rotates the wafer chuck IO. Above the cup 20 is an opening 21 from which a chemical solution dripping nozzle 30 faces.
However, exhaust ports 22 are provided at the bottom. Air is circulated from the opening 21 toward the exhaust port 22 by the ventilation section.
開口２１に臨んだ薬液滴下ノズル３０からは、所定量の
ホトレジスト６０が半導体ウェハ５０に滴下される。A predetermined amount of photoresist 60 is dropped onto the semiconductor wafer 50 from the chemical solution dropping nozzle 30 facing the opening 21 .
次に、上述した従来のスピン式の薬液塗布装置の作用に
ついて説明する。Next, the operation of the above-mentioned conventional spin-type chemical coating device will be explained.
半導体ウェハ５０をウェハチャック１０で真空吸着し、
当該半導体ウェハ５０に薬液滴下ノズル３０から所定量
のホトレジスト６０を滴下し、当該ウェハチャック１０
を回転させる。すると、ホトレジスト６０は、遠心力に
よって半導体ウェハ５０の表面に均一に塗布される。こ
の後、ウェハチャック１０をより高速で回転させること
によって余分なホトレジス）６１を半導体ウェハ５０の
表面から除去する。この余分なホトレジスト６１は、前
記空気の流れによって排気口２２から外部に出される。A semiconductor wafer 50 is vacuum-adsorbed by a wafer chuck 10,
A predetermined amount of photoresist 60 is dropped onto the semiconductor wafer 50 from the chemical drop nozzle 30, and the wafer chuck 10 is
Rotate. Then, the photoresist 60 is uniformly applied to the surface of the semiconductor wafer 50 by centrifugal force. Thereafter, the excess photoresist (61) is removed from the surface of the semiconductor wafer 50 by rotating the wafer chuck 10 at a higher speed. This excess photoresist 61 is discharged to the outside from the exhaust port 22 by the air flow.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来のスピン式の薬液塗布装置
には以下のような問題点がある。<Problems to be Solved by the Invention> However, the above-described conventional spin-type chemical liquid coating apparatus has the following problems.
すなわち、半導体ウェハ５０が高速で回転したことによ
り飛び出した余分なホトレジスト６１のすべてが排気口
２２から外部に出るわけではなく、一部はカップ２０の
内周面２３に堆積する。この堆積したホトレジスト６２
に余分なホトレジスト６１が飛び敗ると、その衝撃によ
って堆積したホトレジスト６２が飛び散って半導体ウェ
ハ５０の表面に付着する。That is, not all of the extra photoresist 61 that has flown out due to the high speed rotation of the semiconductor wafer 50 exits from the exhaust port 22, but some of it is deposited on the inner circumferential surface 23 of the cup 20. This deposited photoresist 62
When the excess photoresist 61 flies off, the deposited photoresist 62 scatters due to the impact and adheres to the surface of the semiconductor wafer 50.
これを解消するためには、カップ２０の定期的な分解清
掃作業が必要になる。In order to solve this problem, it is necessary to periodically disassemble and clean the cup 20.
この問題点は、空気の流通量を増加させることによって
解消することができる。すなわち、空気の流通量を増加
させると、半導体ウェハ５０から飛び散る余分なホトレ
ジスト６１は、カップ２０内部を流通する空気の力によ
ってカップ２０の内周面２３にまで到達することができ
ず、すべて排気口２２から外部に出る。しかしながら、
カップ２０内部を流通する空気を増加させると、滴下さ
れているホトレジスト６０中に含まれる揮発性有機溶剤
が気化してホトレジスト６０の粘度が高まるので、半導
体ウェハ５０の表面に均一に塗布することができない。This problem can be solved by increasing the amount of air flowing. That is, when the flow rate of air is increased, the excess photoresist 61 scattered from the semiconductor wafer 50 cannot reach the inner circumferential surface 23 of the cup 20 due to the force of the air flowing inside the cup 20, and all of it is exhausted. It exits from the mouth 22. however,
When the amount of air flowing inside the cup 20 is increased, the volatile organic solvent contained in the photoresist 60 being dropped is vaporized and the viscosity of the photoresist 60 increases, making it possible to uniformly coat the surface of the semiconductor wafer 50. Can not.
従って、空気の流通量を増加させる方法を採用すること
は難しい。Therefore, it is difficult to adopt a method of increasing the amount of air flowing.
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、カップ内
部の空気の流通量を増加させることなく、半導体ウェハ
の表面にホトレジストを均一に塗布することができる薬
液塗布装置を提供することを目的としている。The present invention was devised in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a chemical coating device that can uniformly coat photoresist on the surface of a semiconductor wafer without increasing the amount of air flowing inside the cup. It is said that
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る薬液塗布装置は、半導体ウェハを固定して
回転するウェハチャックと、このウェハチャックの周囲
に設けられたカップと、前記半導体ウェハに薬液を滴下
する薬液滴下ノズルとを備えた薬液塗布装置であって、
前記ウェハチャックは半導体ウェハを真空吸着するチャ
ック部と、このチャック部の周面より外方に向かって延
設された飛沫部とを有しており、前記飛沫部の上方には
飛沫部に前記薬液を溶解させる溶剤を滴下する溶剤滴下
ノズルが設けられており、飛沫部に滴下された溶剤はカ
ップの内周面に撥ね飛ばされるように構成されている。<Means for Solving the Problems> A chemical liquid coating apparatus according to the present invention includes a wafer chuck that rotates while fixing a semiconductor wafer, a cup provided around the wafer chuck, and a chemical liquid coating device that drips a chemical liquid onto the semiconductor wafer. A chemical liquid applicator equipped with a chemical liquid dripping nozzle,
The wafer chuck has a chuck part that vacuum-chucks the semiconductor wafer, and a splash part extending outward from the circumferential surface of the chuck part. A solvent dripping nozzle is provided for dripping a solvent for dissolving the chemical solution, and the solvent dripped into the splash portion is splashed onto the inner circumferential surface of the cup.
く作用〉
まず、半導体ウェハをウェハチャックに真空吸着によっ
て固定する。この半導体ウェハに所定量のホトレジスト
を滴下し、ウェハチャックを回転させる。すると、滴下
されたホトレジストは遠心力によって半導体ウェハの表
面に塗布される。Function> First, a semiconductor wafer is fixed to a wafer chuck by vacuum suction. A predetermined amount of photoresist is dropped onto this semiconductor wafer, and the wafer chuck is rotated. Then, the dropped photoresist is applied to the surface of the semiconductor wafer by centrifugal force.
次に、ウェハチャックをより高速で回転させ、余分なホ
トレジストを半導体ウェハの表面から除去する。The wafer chuck is then rotated at a higher speed to remove excess photoresist from the surface of the semiconductor wafer.
所定枚数の半導体ウェハにホトレジストを塗布したなら
ば、カップの内周面には余分なホトレジストが堆積し、
堆積したホトレジストに半導体ウェハの表面から飛び散
った余分なホトレジストがあたると、その衝撃でカップ
の内周面から剥離したホトレジストが半導体ウェハの表
面に再付着するので、カップの内周面に堆積したホトレ
ジストを除去する作業を行う。すなわち、ウェハチャッ
クを高速で回転させつつ、飛沫部に溶剤を滴下するので
ある。飛沫部に滴下された溶剤は、カップの内周面に１
發ね飛ばされて、堆積したホトレジストを溶解させる。After applying photoresist to a predetermined number of semiconductor wafers, excess photoresist will accumulate on the inner circumferential surface of the cup.
When the excess photoresist scattered from the surface of the semiconductor wafer hits the deposited photoresist, the photoresist that has peeled off from the inner circumferential surface of the cup due to the impact re-attaches to the surface of the semiconductor wafer, so that the photoresist deposited on the inner circumferential surface of the cup is removed. Perform work to remove. That is, while rotating the wafer chuck at high speed, the solvent is dripped onto the splash area. The solvent dropped into the splash area will be applied to the inner circumferential surface of the cup.
The photoresist is blown off and the deposited photoresist is dissolved.
この堆積したホトレジストの除去作業が完了したならば
、半導体ウェハにホトレジストを塗布する作業を再開す
る。After the removal of the deposited photoresist is completed, the process of applying photoresist to the semiconductor wafer is resumed.
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。<Example> Hereinafter, an example according to the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明に係る薬液塗布装置の概略的断面図、第
２図は薬液塗布装置のウェハチャックの一実施例を示す
斜視図である。なお、従来のものと路間−の部品等には
同一の符号を付して説明を行う。FIG. 1 is a schematic sectional view of a chemical coating device according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of a wafer chuck of the chemical coating device. In addition, the same reference numerals are given to the conventional parts and the parts between the tracks, etc. in the explanation.
本発明に係る薬液塗布装置は、半導体ウェハ５０を固定
して回転するウェハチャック１０と、このウェハチャッ
クｌＯの周囲に設けられたカップ２０と、前記半導体ウ
ェハ５０にホトレジスト６０を滴下する薬液滴下ノズル
３０とを備えた薬液塗布装置であって、前記ウェハチャ
ック１０は半導体ウェハ５０を真空吸着するチャック部
１２と、このチャック部１２の周面より外方に向かって
延設された飛沫部１３とを有しており、前記飛沫部１３
の上方には飛沫部１３に前記ホトレジスト６０を溶解さ
せる溶剤７０を滴下する溶剤滴下ノズル４０が設けられ
ており、飛沫部１３に滴下された溶剤７０はカップ２０
の内周面２３に撥ね飛ばされるように構成されている。The chemical coating device according to the present invention includes a wafer chuck 10 that rotates while fixing a semiconductor wafer 50, a cup 20 provided around the wafer chuck 1O, and a chemical liquid dropping nozzle that drips photoresist 60 onto the semiconductor wafer 50. 30, the wafer chuck 10 includes a chuck part 12 for vacuum-chucking the semiconductor wafer 50, and a splash part 13 extending outward from the circumferential surface of the chuck part 12. The splash part 13
A solvent dripping nozzle 40 that drips a solvent 70 for dissolving the photoresist 60 into the splash portion 13 is provided above, and the solvent 70 dripped into the splash portion 13 is transferred to the cup 20.
It is configured to be repelled by the inner circumferential surface 23 of.
ウェハチャック１０は、中心に真空ポンプ（図示省略）
に連通した開口１２１が開設されたチャック部１２と、
このチャック部１２の周面から外方に向かって延設され
た飛沫部１３とが一体に形成されたものである。チャッ
ク部１２は、半導体ウェハ５０を真空吸着して固定する
部分であって、チャック部１２の開口１２１からは溝１
２１８が二重円状に形成されている。このチャック部１
２から外方に延設される飛沫部１３には、例えば第２図
に図示するような略のこぎり状の凸凹１３１が設けられ
ている。このように形成されたウェハチャック１０の裏
面中央からは、モータ （図示省略）に連結される回転
軸１１が延出されている。このモータによってウェハチ
ャック１０が回転させられるのである。The wafer chuck 10 has a vacuum pump (not shown) in the center.
a chuck portion 12 having an opening 121 communicating with the chuck portion 12;
A splash part 13 extending outward from the circumferential surface of this chuck part 12 is integrally formed. The chuck part 12 is a part that fixes the semiconductor wafer 50 by vacuum suction, and the groove 1 is opened from the opening 121 of the chuck part 12.
218 is formed in a double circular shape. This chuck part 1
The splash portion 13 extending outward from the spray portion 2 is provided with approximately saw-shaped projections and depressions 131 as shown in FIG. 2, for example. A rotating shaft 11 connected to a motor (not shown) extends from the center of the back surface of the wafer chuck 10 formed in this manner. The wafer chuck 10 is rotated by this motor.
カップ２０は、ウェハチャック１０を取り囲むものであ
って、上方には開口２１が、下方には排気口２２が開設
されている。さらに、当該カップ２０の排気口２２の近
傍には、前記回転軸１１が貫通する貫通孔２４が開設さ
れている。このカップ２０は、排気口２２が最も低い位
置になるように設定されている。The cup 20 surrounds the wafer chuck 10 and has an opening 21 at the top and an exhaust port 22 at the bottom. Furthermore, a through hole 24 through which the rotating shaft 11 passes is provided near the exhaust port 22 of the cup 20. This cup 20 is set so that the exhaust port 22 is at the lowest position.
薬液滴下ノズル３０は、ウェハチャック１０に真空吸着
された半導体ウェハ５０に所定量のホトレジスト６０を
滴下するものであって、前記カップ２０の開口２１に臨
むように設けられている。この薬液滴下ノズル３０は、
ホトレジスト６０が半導体ウェハ５０の中心点から若干
ずれた位置に滴下するように設定されている。すなわち
、半導体ウェハ５０の中心にホトレジスト６０を滴下す
るならば、このホトレジスト６０に加わる遠心力が小さ
くなるので、半導体ウェハ５０の表面に均一に塗布する
ことが難しくなり、半導体ウェハ５０の縁部に滴下する
ならば、それより内側の部分に塗布することができない
ので、半導体ウェハ５０の中心点から若干ずれた点に滴
下するのである。The chemical solution dropping nozzle 30 drops a predetermined amount of photoresist 60 onto the semiconductor wafer 50 vacuum-adsorbed on the wafer chuck 10, and is provided so as to face the opening 21 of the cup 20. This chemical liquid dripping nozzle 30 is
The photoresist 60 is set to be dropped at a position slightly shifted from the center point of the semiconductor wafer 50. That is, if the photoresist 60 is dropped onto the center of the semiconductor wafer 50, the centrifugal force applied to the photoresist 60 will be small, making it difficult to apply the photoresist uniformly to the surface of the semiconductor wafer 50, and the edge of the semiconductor wafer 50. If it is dropped, it cannot be applied to the inner part, so it is dropped at a point slightly shifted from the center point of the semiconductor wafer 50.
溶剤滴下ノズル４０は、ホトレジスト６０を溶解するこ
とができる有機溶剤、例えばアセトン等の溶剤７０を飛
沫部１３に滴下するものである。この溶剤滴下ノズル４
０は、薬液滴下ノズル３０と同様にカップ２０の開口２
１に臨んでおり、かつ飛沫部１３に溶剤７０が滴下され
るような位置に設けられている。なお、溶剤７０はアセ
トンに限らず、ホトレジスト６０の特性に応じて適宜変
更するものとする。The solvent dropping nozzle 40 drops an organic solvent capable of dissolving the photoresist 60, such as a solvent 70 such as acetone, onto the splash portion 13. This solvent dripping nozzle 4
0 is the opening 2 of the cup 20, similar to the chemical liquid dripping nozzle 30.
1, and is provided at a position such that the solvent 70 is dripped onto the splash portion 13. Note that the solvent 70 is not limited to acetone, and may be changed as appropriate depending on the characteristics of the photoresist 60.
次に、本発明に係る薬液塗布装置の作用について説明す
る。Next, the operation of the chemical coating device according to the present invention will be explained.
まず、半導体ウェハ５０をウェハチャック１０に真空吸
着によって固定する（第１図では一点鎖線で示している
）。この半導体ウェハ５０に所定量のホト［／シスト６
０を滴下し、ウェハチャック１０を回転させる。すると
、滴下されたホトレジスト６０は、遠心力によって半導
体ウェハ５０の表面に塗布される。First, the semiconductor wafer 50 is fixed to the wafer chuck 10 by vacuum suction (indicated by a chain line in FIG. 1). A predetermined amount of photo[/cyst 6] is applied to this semiconductor wafer 50.
0 is dropped and the wafer chuck 10 is rotated. Then, the dropped photoresist 60 is applied to the surface of the semiconductor wafer 50 by centrifugal force.
次に、ウェハチャック１０をより高速で回転させ、余分
なホトレジスト６１を半導体ウェハ５０の表面から除去
する。これで、ホトレジスト６０が半導体ウェハ５０の
表面に適宜の厚さで均一に塗布される。Next, the wafer chuck 10 is rotated at a higher speed to remove excess photoresist 61 from the surface of the semiconductor wafer 50. The photoresist 60 is now uniformly applied to the surface of the semiconductor wafer 50 to an appropriate thickness.
なお、この時、カップ２０内部には、所定量の空気が流
通されているものとする。Note that at this time, it is assumed that a predetermined amount of air is flowing inside the cup 20.
所定枚数の半導体ウェハ５０にホトレジスト６０を塗布
したならば、カップ２０の内周面２３には余分なホトレ
ジスト６１が堆積し、堆積したホトレジスト６２に半導
体ウェハ５０の表面から飛び敗った余分なホトレジスト
６１があたり、その衝撃でカップ２０の内周面２３から
剥離したホトレジスト６３が半導体ウェハ５０の表面に
再付着するので、堆積したホトレジスト６２を除去する
作業を行う。すなわち、ウェハチャック１０を高速で回
転させつつ、飛沫部１３に溶剤７０を滴下するのである
。飛沫部１３に滴下された溶剤７０は、凸凹１３１によ
ってカップ２０の内周面２３に撥ね飛ばされて、堆積し
たホトレジスト６２を溶解し、排気口２２を介して外部
に排出される。After a predetermined number of semiconductor wafers 50 are coated with photoresist 60, excess photoresist 61 is deposited on the inner circumferential surface 23 of cup 20, and excess photoresist 62 that has fallen off the surface of semiconductor wafer 50 is deposited on the deposited photoresist 62. 61, and the photoresist 63 peeled off from the inner circumferential surface 23 of the cup 20 due to the impact re-attaches to the surface of the semiconductor wafer 50, so that the deposited photoresist 62 is removed. That is, the solvent 70 is dripped onto the splash portion 13 while rotating the wafer chuck 10 at high speed. The solvent 70 dropped onto the splash portion 13 is splashed onto the inner circumferential surface 23 of the cup 20 by the unevenness 131, dissolves the deposited photoresist 62, and is discharged to the outside through the exhaust port 22.
この堆積したホトレジスト６２の除去作業が完了したな
らば、半導体ウェハ５０にホトレジスト６０を塗布する
作業を再開する。After the removal of the deposited photoresist 62 is completed, the process of coating the semiconductor wafer 50 with the photoresist 60 is resumed.
なお、上述した実施例では、ウェハチャック１０の飛沫
部１３の形状を第２図に示すような略のこぎり状の凸凹
１３１として説明したが、本発明はこれに限定されるこ
とはない。カップ２０の内周面２３に均等に溶剤７０を
Ｉ發ね飛ばすことができる形状、例えば、波状の凸凹で
あってもよいことは勿論である。In the above-described embodiment, the shape of the splash portion 13 of the wafer chuck 10 is described as a roughly saw-shaped unevenness 131 as shown in FIG. 2, but the present invention is not limited to this. It goes without saying that the shape may be a shape that allows the solvent 70 to be sprayed evenly onto the inner circumferential surface 23 of the cup 20, for example, a wave-like uneven shape.
また、塗布する薬液としてはホトレジストをもってその
代表としたが、本発明はこれに限定されることはない。Further, although photoresist is used as a representative example of the chemical solution to be applied, the present invention is not limited thereto.
〈発明の効果〉
本発明に係る薬液塗布装置は、半導体ウェハを固定して
回転するウェハチャックと、このウェハチャックの周囲
に設けられたカップと、前記半導体ウェハに薬液を滴下
する薬液滴下ノズルとを備えた薬液塗布装置であって、
前記ウェハチャックは半導体ウェハを真空吸着するチャ
ック部と、このチャック部の周面より外方に向かって延
設された飛沫部とを有しており、前記飛沫部の上方には
飛沫部に前記薬液を溶解させる溶剤を滴下する溶剤滴下
ノズルが設けられており、飛沫部に滴下された溶剤はカ
ップの内周面に撥ね飛ばされるように構成されている。<Effects of the Invention> The chemical liquid coating device according to the present invention includes a wafer chuck that rotates while fixing a semiconductor wafer, a cup provided around the wafer chuck, and a chemical liquid dropping nozzle that drips a chemical liquid onto the semiconductor wafer. A chemical liquid applicator comprising:
The wafer chuck has a chuck part that vacuum-chucks the semiconductor wafer, and a splash part extending outward from the circumferential surface of the chuck part. A solvent dripping nozzle is provided for dripping a solvent for dissolving the chemical solution, and the solvent dripped into the splash portion is splashed onto the inner circumferential surface of the cup.
従って、この薬液塗布装置は以下のような効果を奏する
。Therefore, this chemical liquid applicator has the following effects.
すなわち、従来のようにカップの内周面に堆積したホト
レジストを除去するために、カップの分解清掃作業を行
う必要がないので、生産性の向上を図ることができる。That is, it is not necessary to disassemble and clean the cup in order to remove the photoresist deposited on the inner circumferential surface of the cup, as is the case in the past, so productivity can be improved.
また、カップの内周面に堆積したホトレジストが定期的
に除去されるので、堆積したホトレジストによる半導体
ウェハの表面へのはねかえりもなくすことができる。Furthermore, since the photoresist deposited on the inner peripheral surface of the cup is removed periodically, it is possible to prevent the deposited photoresist from splashing onto the surface of the semiconductor wafer.
第１図は本発明に係る薬液塗布装置の概略的断面図、第
２図は薬液塗布装置のウェハチャックの一実施例を示す
斜視図、第３図は従来の薬液塗布装置の概略的断面図、
第４図は従来の薬液塗布装置の問題点を示す説明図であ
る。
１０・・・ウェハチャック、１２・・・チャック部、１
３・・・飛沫部、２０・・・カップ、２３・・・ （カ
ップの）内周面、３０・・・薬液滴下ノズル、４０・・
・溶剤滴下ノズル、５０・・・半導体ウェハ、６０・・
・ホトレジスト、７０・・・溶剤。FIG. 1 is a schematic sectional view of a chemical coating device according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of a wafer chuck of the chemical coating device, and FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional chemical coating device. ,
FIG. 4 is an explanatory diagram showing problems with the conventional chemical coating device. 10... Wafer chuck, 12... Chuck part, 1
3... Splashing part, 20... Cup, 23... Inner peripheral surface (of the cup), 30... Chemical solution dripping nozzle, 40...
・Solvent dripping nozzle, 50...Semiconductor wafer, 60...
- Photoresist, 70...Solvent.
Claims (1)
と、このウェハチャックの周囲に設けられたカップと、
前記半導体ウェハに薬液を滴下する薬液滴下ノズルとを
備えた薬液塗布装置において、前記ウェハチャックは半
導体ウェハを真空吸着するチャック部と、このチャック
部の周面より外方に向かって延設された飛沫部とを有し
ており、前記飛沫部の上方には飛沫部に前記薬液を溶解
させる溶剤を滴下する溶剤滴下ノズルが設けられており
、飛沫部に滴下された溶剤はカップの内周面に撥ね飛ば
されることを特徴とする薬液塗布装置。(1) A wafer chuck that rotates while fixing a semiconductor wafer, and a cup provided around the wafer chuck,
In the chemical liquid coating device that includes a chemical liquid dropping nozzle that drips a chemical liquid onto the semiconductor wafer, the wafer chuck includes a chuck part that vacuum-chucks the semiconductor wafer, and a chuck part that extends outward from the circumferential surface of the chuck part. A spraying part is provided above the spraying part, and a solvent dripping nozzle is provided above the spraying part to drop a solvent for dissolving the chemical into the spraying part, and the solvent dripped into the spraying part is applied to the inner circumferential surface of the cup. A chemical liquid applicator characterized by being splashed by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26692488A JPH02113520A (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Apparatus for applying chemical solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26692488A JPH02113520A (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Apparatus for applying chemical solution |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113520A true JPH02113520A (en) | 1990-04-25 |
Family
ID=17437572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26692488A Pending JPH02113520A (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Apparatus for applying chemical solution |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113520A (en) |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP26692488A patent/JPH02113520A/en active Pending
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