JPH02113488A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPH02113488A JPH02113488A JP63266216A JP26621688A JPH02113488A JP H02113488 A JPH02113488 A JP H02113488A JP 63266216 A JP63266216 A JP 63266216A JP 26621688 A JP26621688 A JP 26621688A JP H02113488 A JPH02113488 A JP H02113488A
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- Japan
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- memory device
- bubble memory
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 46
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
バブルメモリデバイス内に格納された全ての情報を瞬時
に消去するイレーズ回路を備えた磁気バブルメモリ装置
に関し、 イレーズ機能を使用した後、直ちに磁気バブルメモリ装
置を使用できるようにすることを目的とし、 バブルメモリデバイス内に格納された全ての情報を瞬時
に消去するイレーズ機能を有する磁気バブルメモリ装置
であって、ホストシステム側からバブルメモリ制御系に
対して、イレーズ機能を実行させるイレーズ命令が与え
られたとき、前記バブルメモリデバイス内に書き込まれ
た不良ループデータを該バブルメモリデバイスの外部に
一時的に退避させて蓄積する一時退避・蓄積手段と、前
記不良ループデータを前記一時退避・蓄積手段に保存し
た後、前記バブルメモリデバイス内に格納された全ての
情報を瞬時に消去するイレーズ手段と、前記バブルメモ
リデバイス内の全ての情報が消去された後、前記一時退
避・蓄積手段に保存された不良ループデータを該バブル
メモリデバイス内に再度書き込む書き込み手段とを具備
し、前記イレーズ機能が実行された後直ちに使用できる
ように構成する。
に消去するイレーズ回路を備えた磁気バブルメモリ装置
に関し、 イレーズ機能を使用した後、直ちに磁気バブルメモリ装
置を使用できるようにすることを目的とし、 バブルメモリデバイス内に格納された全ての情報を瞬時
に消去するイレーズ機能を有する磁気バブルメモリ装置
であって、ホストシステム側からバブルメモリ制御系に
対して、イレーズ機能を実行させるイレーズ命令が与え
られたとき、前記バブルメモリデバイス内に書き込まれ
た不良ループデータを該バブルメモリデバイスの外部に
一時的に退避させて蓄積する一時退避・蓄積手段と、前
記不良ループデータを前記一時退避・蓄積手段に保存し
た後、前記バブルメモリデバイス内に格納された全ての
情報を瞬時に消去するイレーズ手段と、前記バブルメモ
リデバイス内の全ての情報が消去された後、前記一時退
避・蓄積手段に保存された不良ループデータを該バブル
メモリデバイス内に再度書き込む書き込み手段とを具備
し、前記イレーズ機能が実行された後直ちに使用できる
ように構成する。
本発明は磁気バブルメモリ装置に関し、特に、バブルメ
モリデバイス内に格納された全ての情報を瞬時に消去す
るイレーズ回路を備えた磁気バブルメモリ装置に関する
。
モリデバイス内に格納された全ての情報を瞬時に消去す
るイレーズ回路を備えた磁気バブルメモリ装置に関する
。
従来、イレーズ回路を備えた磁気バブルメモリ装置にお
いて、メモリ内部のデータ破壊に対する保守のためにイ
レーズ処理が行われていた。しかし、最近では、情報の
機密保護を厳密に行うために、バブルメモリデバイス内
に格納された全ての情報を瞬時に消去するイレーズ機能
を使用することがあり、このようなイレーズ機能の使用
後においても直ちに磁気バブルメモリ装置を使用できる
ようにすることが要望されている。
いて、メモリ内部のデータ破壊に対する保守のためにイ
レーズ処理が行われていた。しかし、最近では、情報の
機密保護を厳密に行うために、バブルメモリデバイス内
に格納された全ての情報を瞬時に消去するイレーズ機能
を使用することがあり、このようなイレーズ機能の使用
後においても直ちに磁気バブルメモリ装置を使用できる
ようにすることが要望されている。
従来、磁気バブルメモリ装置は、イレーズ機能を使用し
てバブルメモリデバイス内に格納された全ての情報を瞬
時に消去すると、バブルメモリ内部に書き込まれた不良
ループデータも一緒に消去されてしまうことになってい
た。ところで、不良ループデータは、バブルメモリデバ
イス内における不良ループに関するデータであり、この
不良ループデータに従ってバブルメモリデバイスに対す
る書き込みおよび読み出し処理を制御するようになされ
ている。また、この不良ループデータが、個々のバブル
メモリデバイスにより異なるため、そのような不良ルー
プデータをホストシステム側に記憶保持させておくこと
は困難である。従って、−旦、不良ループデータが消去
されてしまうと、磁気バブルメモリ装置を使用すること
ができなかった。
てバブルメモリデバイス内に格納された全ての情報を瞬
時に消去すると、バブルメモリ内部に書き込まれた不良
ループデータも一緒に消去されてしまうことになってい
た。ところで、不良ループデータは、バブルメモリデバ
イス内における不良ループに関するデータであり、この
不良ループデータに従ってバブルメモリデバイスに対す
る書き込みおよび読み出し処理を制御するようになされ
ている。また、この不良ループデータが、個々のバブル
メモリデバイスにより異なるため、そのような不良ルー
プデータをホストシステム側に記憶保持させておくこと
は困難である。従って、−旦、不良ループデータが消去
されてしまうと、磁気バブルメモリ装置を使用すること
ができなかった。
上述したように、従来の磁気バブルメモリ装置は、イレ
ーズ機能を使用してバブルメモリデバイス内に格納され
た全ての情報を瞬時に消去すると、ホストシステム側か
ら不良ループデータを入力して、バブルメモリデバイス
内に再度不良ループデータを書き込むまで磁気バブルメ
モリ装置を使用することができなかった。
ーズ機能を使用してバブルメモリデバイス内に格納され
た全ての情報を瞬時に消去すると、ホストシステム側か
ら不良ループデータを入力して、バブルメモリデバイス
内に再度不良ループデータを書き込むまで磁気バブルメ
モリ装置を使用することができなかった。
すなわち、イレーズ処理が実行された後、磁気バブルメ
モリ装置を正常に使用するためには、まず、外部からホ
ストシステムに対して不良ループデータを与え、次いで
、ホストシステム側から磁気バブルメモリ装置へ不良ル
ープデータを送って、該不良ループデータをバブルメモ
リデバイスへ書き込まなければならず、多大な時間と手
間を要することになっていた。
モリ装置を正常に使用するためには、まず、外部からホ
ストシステムに対して不良ループデータを与え、次いで
、ホストシステム側から磁気バブルメモリ装置へ不良ル
ープデータを送って、該不良ループデータをバブルメモ
リデバイスへ書き込まなければならず、多大な時間と手
間を要することになっていた。
本発明は、上述した従来の磁気バブルメモリ装置が有す
る課題に鑑み、イレーズ機能を使用した後直ちに磁気バ
ブルメモリ装置を使用できるようにすることを目的とす
る。
る課題に鑑み、イレーズ機能を使用した後直ちに磁気バ
ブルメモリ装置を使用できるようにすることを目的とす
る。
第１図は本発明に係る磁気バブルメモリ装置の原理を示
すブロック図である。
すブロック図である。
本発明によれば、バブルメモリデバイス３内に格納され
た全ての情報を瞬時に消去するイレーズ機能を有する磁
気バブルメモリ装置であって、ホストシステム１側から
バブルメモリ制御系２に対して、イレーズ機能を実行さ
せるイレーズ命令が与えられたとき、前記バブルメモリ
デバイス３内に書き込まれた不良ループデータを該バブ
ルメモリデバイス３の外部に一時的に退避させて蓄積す
る一時退避・蓄積手段２１と、前記不良ループデータを
前記一時退避・蓄積手段２１に保存した後、前記バブル
メモリデバイス３内に格納された全ての情報を瞬時に消
去するイレーズ手段２２と、前記バブルメモリデバイス
３内の全ての情報が消去された後、前記一時退避・蓄積
手段２１に保存された不良ループデータを該バブルメモ
リデバイス３内に再度書き込む書き込み手段２３とを具
備し、前記イレーズ機能が実行された後直ちに使用でき
るようにしたことを特徴とする磁気バブルメモリ装置が
提供される。
た全ての情報を瞬時に消去するイレーズ機能を有する磁
気バブルメモリ装置であって、ホストシステム１側から
バブルメモリ制御系２に対して、イレーズ機能を実行さ
せるイレーズ命令が与えられたとき、前記バブルメモリ
デバイス３内に書き込まれた不良ループデータを該バブ
ルメモリデバイス３の外部に一時的に退避させて蓄積す
る一時退避・蓄積手段２１と、前記不良ループデータを
前記一時退避・蓄積手段２１に保存した後、前記バブル
メモリデバイス３内に格納された全ての情報を瞬時に消
去するイレーズ手段２２と、前記バブルメモリデバイス
３内の全ての情報が消去された後、前記一時退避・蓄積
手段２１に保存された不良ループデータを該バブルメモ
リデバイス３内に再度書き込む書き込み手段２３とを具
備し、前記イレーズ機能が実行された後直ちに使用でき
るようにしたことを特徴とする磁気バブルメモリ装置が
提供される。
上述した構成を有する本発明の磁気バブルメモリ装置に
よれば、ホストシステム１側からバブルメモリ制御系２
に対して、イレーズ命令が与えられた場合、バブルメモ
リデバイス３内に書き込まれた不良ループデータが一時
退避・蓄積手段２１に一時的に退避して保持され、その
後、イレーズ手段２２によりバブルメモリデバイス３内
に格納された情報が消去される。そして、バブルメモリ
デバイス３内の全ての情報が消去された後、古き込み手
段２３により一時退避・蓄積手段２１に保存された不良
ループデータがバブルメモリデバイス３内に再度書き込
まれる。
よれば、ホストシステム１側からバブルメモリ制御系２
に対して、イレーズ命令が与えられた場合、バブルメモ
リデバイス３内に書き込まれた不良ループデータが一時
退避・蓄積手段２１に一時的に退避して保持され、その
後、イレーズ手段２２によりバブルメモリデバイス３内
に格納された情報が消去される。そして、バブルメモリ
デバイス３内の全ての情報が消去された後、古き込み手
段２３により一時退避・蓄積手段２１に保存された不良
ループデータがバブルメモリデバイス３内に再度書き込
まれる。
すなわち、バブルメモリ制御系２に対してホストシステ
ム１側からイレーズ命令が与えられると、不良ループデ
ータの一時退避・蓄積手段２１へ指示が与えられ、バブ
ルメモリデバイス３内から不良ループデータを読み出し
て一時退避・蓄積手段２１に保持する。次いで、イレー
ズ手段２２に指示が与えられてバブルメモリデバイス３
のイレーズ処理が実行され、不良ループデータを含む全
ての情報が瞬時に消去される。その後、不良ループデー
タの書き込み手段２３へ指示が与えられて一時退避・蓄
積手段２１に保持されていた不良ループデータがバブル
メモリデバイス３内に再度書き込まれる。
ム１側からイレーズ命令が与えられると、不良ループデ
ータの一時退避・蓄積手段２１へ指示が与えられ、バブ
ルメモリデバイス３内から不良ループデータを読み出し
て一時退避・蓄積手段２１に保持する。次いで、イレー
ズ手段２２に指示が与えられてバブルメモリデバイス３
のイレーズ処理が実行され、不良ループデータを含む全
ての情報が瞬時に消去される。その後、不良ループデー
タの書き込み手段２３へ指示が与えられて一時退避・蓄
積手段２１に保持されていた不良ループデータがバブル
メモリデバイス３内に再度書き込まれる。
これによって、イレーズ処理を実行した後直ちに磁気バ
ブルメモリ装置を使用することができるようになる。
ブルメモリ装置を使用することができるようになる。
以下、図面を参照して本発明に係る磁気バブルメモリ装
置の実施例を説明する。
置の実施例を説明する。
第２図は本発明の磁気バブルメモリ装置の一実施例を示
すブロンク図である。同図において、バブルメモリデバ
イス３以外の各ブロックは、バブルメモリ制御系２を構
成するものである。
すブロンク図である。同図において、バブルメモリデバ
イス３以外の各ブロックは、バブルメモリ制御系２を構
成するものである。
第２図に示されるように、磁気バブルメモリ装置は、制
御系２およびバブルメモリデバイス３で構成され、バブ
ルメモリデバイス３は、リニア回路７の出力により制御
されるようになされている。
御系２およびバブルメモリデバイス３で構成され、バブ
ルメモリデバイス３は、リニア回路７の出力により制御
されるようになされている。
リニア回路７は、シーケンサ５およびタイミングジェネ
レータ６を介したコントローラ４により制御されるよう
になされている。そして、コントローラ４がホストシス
テム１側からのイレーズ命令を受けると、バブルメモリ
デバイス３のイレーズ処理に先立って該バブルメモリデ
バイス３内に書き込まれている不良ループデータをセン
スアンプ８を介して読み出すようになされている。バブ
ルメモリデバイス３から読み出された不良ループデータ
は、一時退避・蓄積手段２１の実際に不良ループデータ
を記憶するＲＡＭ２１−１に保持される。このＲＡ Ｍ
２１−１は、磁気バブルメモリ装置の通常使用時におい
て、ホストシステムｌ側から不良ループデータをバブル
メモリデバイス３に書き込む場合に一時的に不良ループ
データを蓄積し、また、バブルメモリデバイス３内のメ
モリ領域からデータを読み出す際の制御を行う不良ルー
プデータをバブルメモリデバイス３から読み出した場合
にその不良ループデータを蓄積するために使用されるも
のである。そして、ＲＡ Ｍ２１−１には、ホストシス
テム１側からイレーズ命令が与えられた場合、イレーズ
処理に先立って読み出されるバブルメモリデバイス３の
不良ループデータが蓄積されることになる。
レータ６を介したコントローラ４により制御されるよう
になされている。そして、コントローラ４がホストシス
テム１側からのイレーズ命令を受けると、バブルメモリ
デバイス３のイレーズ処理に先立って該バブルメモリデ
バイス３内に書き込まれている不良ループデータをセン
スアンプ８を介して読み出すようになされている。バブ
ルメモリデバイス３から読み出された不良ループデータ
は、一時退避・蓄積手段２１の実際に不良ループデータ
を記憶するＲＡＭ２１−１に保持される。このＲＡ Ｍ
２１−１は、磁気バブルメモリ装置の通常使用時におい
て、ホストシステムｌ側から不良ループデータをバブル
メモリデバイス３に書き込む場合に一時的に不良ループ
データを蓄積し、また、バブルメモリデバイス３内のメ
モリ領域からデータを読み出す際の制御を行う不良ルー
プデータをバブルメモリデバイス３から読み出した場合
にその不良ループデータを蓄積するために使用されるも
のである。そして、ＲＡ Ｍ２１−１には、ホストシス
テム１側からイレーズ命令が与えられた場合、イレーズ
処理に先立って読み出されるバブルメモリデバイス３の
不良ループデータが蓄積されることになる。
ホストシステムＩからコントローラ４にイレーズ命令が
与えられると、リニア回路７に対してシーケンサ５およ
びタイミングジェネレータ６から制御信号が供給され、
バブルメモリデバイス３から不良ループデータが読み出
されてＲＡ Ｍ２１−１に蓄積される。次いで、シーケ
ンサ５からイレーズ回路２２に制御信号が供給され、バ
ブルメモリデバイス３内の全てのデータが消去される。
与えられると、リニア回路７に対してシーケンサ５およ
びタイミングジェネレータ６から制御信号が供給され、
バブルメモリデバイス３から不良ループデータが読み出
されてＲＡ Ｍ２１−１に蓄積される。次いで、シーケ
ンサ５からイレーズ回路２２に制御信号が供給され、バ
ブルメモリデバイス３内の全てのデータが消去される。
その後、ＲＡ Ｍ２１−１に蓄積された不良ループデー
タがシーケンサ５およびタイミングジェネレータ６から
の制御信号でリニア回路７を介してバブルメモリデバイ
ス３に書き込まれる。
タがシーケンサ５およびタイミングジェネレータ６から
の制御信号でリニア回路７を介してバブルメモリデバイ
ス３に書き込まれる。
以上の一連の動作は、ホストシステム１側からバブルメ
モリ制御系２ （ｍ気バブルメモリ装りに対してイレー
ズ命令が与えられると、その後は全て磁気バブルメモリ
装置の内部で処理されるために、短時間で終了すること
になる。このように、本実施例の磁気バブルメモリ装置
は、ホストシステム１側からイレーズ命令が与えられる
と、イレーズ処理を実行した後直ちに磁気バブルメモリ
装置を使用可能状態にすることができる。
モリ制御系２ （ｍ気バブルメモリ装りに対してイレー
ズ命令が与えられると、その後は全て磁気バブルメモリ
装置の内部で処理されるために、短時間で終了すること
になる。このように、本実施例の磁気バブルメモリ装置
は、ホストシステム１側からイレーズ命令が与えられる
と、イレーズ処理を実行した後直ちに磁気バブルメモリ
装置を使用可能状態にすることができる。
以上、詳述したように、本発明に係る磁気バブルメモリ
装置は、イレーズ処理を実行する前に不良ループデータ
を一時退避・蓄積手段に保存し、イレーズ処理を実行し
た後、書き込み手段によりバブルメモリデバイス内に不
良ループデータを書き込むことによって、イレーズ処理
を実行した後直ちに磁気バブルメモリ装置を使用するこ
とができる。
装置は、イレーズ処理を実行する前に不良ループデータ
を一時退避・蓄積手段に保存し、イレーズ処理を実行し
た後、書き込み手段によりバブルメモリデバイス内に不
良ループデータを書き込むことによって、イレーズ処理
を実行した後直ちに磁気バブルメモリ装置を使用するこ
とができる。
第１図は本発明に係る磁気バブルメモリ装置の原理を示
すブロック図、 第２図は本発明の磁気バブルメモリ装置の一実施例を示
すブロック図である。 （符号の説明） １・・・ホストシステム、 ２・・・バブルメモリ制御系、 ３・・・バブルメモリデバイス、 ４・・・コントローラ、 ５・・・シーケンサ、 ６・・・タイミングジェネレータ、 ７・・・リニア回路、 ８・・・センスアンプ、 ２１・・・一時退避・蓄積手段、 ２１−１・・・ＲＡＭ。 ２２・・・イレーズ手段、 ２３・・・書き込み手段。
すブロック図、 第２図は本発明の磁気バブルメモリ装置の一実施例を示
すブロック図である。 （符号の説明） １・・・ホストシステム、 ２・・・バブルメモリ制御系、 ３・・・バブルメモリデバイス、 ４・・・コントローラ、 ５・・・シーケンサ、 ６・・・タイミングジェネレータ、 ７・・・リニア回路、 ８・・・センスアンプ、 ２１・・・一時退避・蓄積手段、 ２１−１・・・ＲＡＭ。 ２２・・・イレーズ手段、 ２３・・・書き込み手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バブルメモリデバイス（３）内に格納された全ての
情報を瞬時に消去するイレーズ機能を有する磁気バブル
メモリ装置であって、 ホストシステム（１）側からバブルメモリ制御系（２）
に対して、イレーズ機能を実行させるイレーズ命令が与
えられたとき、前記バブルメモリデバイス内に書き込ま
れた不良ループデータを該バブルメモリデバイスの外部
に一時的に退避させて蓄積する一時退避・蓄積手段（２
１）と、前記不良ループデータを前記一時退避・蓄積手
段に保存した後、前記バブルメモリデバイス内に格納さ
れた全ての情報を瞬時に消去するイレーズ手段（２２）
と、 前記バブルメモリデバイス内の全ての情報が消去された
後、前記一時退避・蓄積手段に保存された不良ループデ
ータを該バブルメモリデバイス内に再度書き込む書き込
み手段（２３）とを具備し、前記イレーズ機能が実行さ
れた後直ちに使用できるようにしたことを特徴とする磁
気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266216A JPH02113488A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266216A JPH02113488A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113488A true JPH02113488A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17427873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266216A Pending JPH02113488A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02113488A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008138459A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Inax Corp | ケーシング |
| US10681466B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-06-09 | Alpine Electronics, Inc. | Loudspeaker with dual plate structure |
| US10694279B1 (en) | 2018-12-21 | 2020-06-23 | Alpine Electronics, Inc. | Compact coaxial loudspeaker |
| USD904353S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-12-08 | Alpine Electronics, Inc. | Speaker component retainer |
| USD904354S1 (en) | 2017-12-22 | 2020-12-08 | Alpine Electronics, Inc. | Speaker component retainer bridge |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63266216A patent/JPH02113488A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008138459A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Inax Corp | ケーシング |
| USD904353S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-12-08 | Alpine Electronics, Inc. | Speaker component retainer |
| USD904354S1 (en) | 2017-12-22 | 2020-12-08 | Alpine Electronics, Inc. | Speaker component retainer bridge |
| US10681466B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-06-09 | Alpine Electronics, Inc. | Loudspeaker with dual plate structure |
| US10694279B1 (en) | 2018-12-21 | 2020-06-23 | Alpine Electronics, Inc. | Compact coaxial loudspeaker |
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