JPH0211023B2 - - Google Patents
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- JPH0211023B2 JPH0211023B2 JP55172554A JP17255480A JPH0211023B2 JP H0211023 B2 JPH0211023 B2 JP H0211023B2 JP 55172554 A JP55172554 A JP 55172554A JP 17255480 A JP17255480 A JP 17255480A JP H0211023 B2 JPH0211023 B2 JP H0211023B2
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- magnetic field
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性体の接近により作動する磁気
センサスイツチ装置に関し、特に、強磁性磁気抵
抗効果による抵抗特性を利用した三端子型磁気抵
抗素子によつて磁気検出を行うようにした磁気セ
ンサスイツチ装置に関するものである。
センサスイツチ装置に関し、特に、強磁性磁気抵
抗効果による抵抗特性を利用した三端子型磁気抵
抗素子によつて磁気検出を行うようにした磁気セ
ンサスイツチ装置に関するものである。
従来より、磁場に感じて出力電圧が変化する磁
電変換素子が、磁気スケールや磁気的に設定され
た定点の読み取り装置、モータ等の回転制御用周
波数発生器、あるいは無接点スイツチや無接点ボ
リウムなど計測機器や民生機器の分野に広く使用
されている。
電変換素子が、磁気スケールや磁気的に設定され
た定点の読み取り装置、モータ等の回転制御用周
波数発生器、あるいは無接点スイツチや無接点ボ
リウムなど計測機器や民生機器の分野に広く使用
されている。
上述の如き磁電変換素子としては、強磁性金属
の強磁性磁気抵抗効果を利用した感磁原理に基づ
いた強磁性磁気抵抗素子や半導体の半導体磁気抵
抗効果を利用した感磁原理に基づいた半導体磁気
抵抗素子、あるいはホール素子が知られている。
従来、上記磁電変換素子としては、上述の半導体
を使用した半導体磁気抵抗素子やホール素子が主
に用いられている。
の強磁性磁気抵抗効果を利用した感磁原理に基づ
いた強磁性磁気抵抗素子や半導体の半導体磁気抵
抗効果を利用した感磁原理に基づいた半導体磁気
抵抗素子、あるいはホール素子が知られている。
従来、上記磁電変換素子としては、上述の半導体
を使用した半導体磁気抵抗素子やホール素子が主
に用いられている。
強磁性金属の強磁性磁気抵抗効果は、２種類の
効果に大別することができる。その第１の効果
は、外磁界による自発磁化の変化を通して生ずる
抵抗変化であり、Mottの理論でよく説明できる
ものである。一般に、磁場が大きくなると抵抗が
直線的に減少する負性磁気抵抗効果で、磁場の方
向に対して等方的である。この効果は、自発磁化
の激しいキユリー温度近傍で大きくなるが、大き
な磁場を作用させない限り無視できる。
効果に大別することができる。その第１の効果
は、外磁界による自発磁化の変化を通して生ずる
抵抗変化であり、Mottの理論でよく説明できる
ものである。一般に、磁場が大きくなると抵抗が
直線的に減少する負性磁気抵抗効果で、磁場の方
向に対して等方的である。この効果は、自発磁化
の激しいキユリー温度近傍で大きくなるが、大き
な磁場を作用させない限り無視できる。
また、第２の効果は、比較的小さな磁場で観測
されるもので、その磁化方向と電流方向のなす角
度によつて抵抗が異方的に変化するものである。
この変化は、自発磁化の温度変化が小さい温度領
域で大きく、キユリー温度に向かつて小さくな
る。一般の強磁性金属にあつては、電流と磁化方
向が平行になつたときに抵抗最大で、直交したと
きが最小になる。これを一般式にて表した、 Ｒ（Θ）＝Ｒ ⊥・sin2Θ＋Ｒ ・cos2Θ …(1) なる第１式は、Viogt−Thomsonの式として知
られている。なお、上記第１式においてΘは電流
と飽和磁化のなす角度であり、Ｒ ⊥は電流と飽和
磁化が直交したときの抵抗、Ｒ は電流と飽和磁
化が平行のときの抵抗である。この第２の効果を
利用した強磁性金属磁気抵抗素子が一部実用化さ
れている。上述の如き強磁性磁気抵抗効果を有す
る強磁性金属としては、NiCo合金、NiFe合金、
NiAl合金、NiMn合金あるいはNiZn合金等が知
られている。
されるもので、その磁化方向と電流方向のなす角
度によつて抵抗が異方的に変化するものである。
この変化は、自発磁化の温度変化が小さい温度領
域で大きく、キユリー温度に向かつて小さくな
る。一般の強磁性金属にあつては、電流と磁化方
向が平行になつたときに抵抗最大で、直交したと
きが最小になる。これを一般式にて表した、 Ｒ（Θ）＝Ｒ ⊥・sin2Θ＋Ｒ ・cos2Θ …(1) なる第１式は、Viogt−Thomsonの式として知
られている。なお、上記第１式においてΘは電流
と飽和磁化のなす角度であり、Ｒ ⊥は電流と飽和
磁化が直交したときの抵抗、Ｒ は電流と飽和磁
化が平行のときの抵抗である。この第２の効果を
利用した強磁性金属磁気抵抗素子が一部実用化さ
れている。上述の如き強磁性磁気抵抗効果を有す
る強磁性金属としては、NiCo合金、NiFe合金、
NiAl合金、NiMn合金あるいはNiZn合金等が知
られている。
第１図は、上述の如き強磁性磁気抵抗効果を利
用した磁気抵抗素子１０を用いて構成した磁気セ
ンサスイツチ装置の一従来例の原理図である。第
１図に示した従来例において、磁気抵抗素子１０
は、それぞれ強磁性金属にて形成した第１の電流
通路部１と第２の電流通路部２とを直列接続し、
両端にバイアス電流用の端子３，４を設けるとと
もに、その接続中点に出力端子５を設けた三端子
型の構成となつている。また、上記第１の電流通
路部１と第２の電流通路部２は互いに直交するよ
うに配列形成されており、この磁気抵抗素子１０
に固着されたバイアス磁石６による飽和バイアス
磁界HBが第１の電流通路部１にはバイアス電流
の方向に直交する方向に与えられ、第２の電流通
路部２にはバイアス電流の方向に平行な方向に与
えられている。
用した磁気抵抗素子１０を用いて構成した磁気セ
ンサスイツチ装置の一従来例の原理図である。第
１図に示した従来例において、磁気抵抗素子１０
は、それぞれ強磁性金属にて形成した第１の電流
通路部１と第２の電流通路部２とを直列接続し、
両端にバイアス電流用の端子３，４を設けるとと
もに、その接続中点に出力端子５を設けた三端子
型の構成となつている。また、上記第１の電流通
路部１と第２の電流通路部２は互いに直交するよ
うに配列形成されており、この磁気抵抗素子１０
に固着されたバイアス磁石６による飽和バイアス
磁界HBが第１の電流通路部１にはバイアス電流
の方向に直交する方向に与えられ、第２の電流通
路部２にはバイアス電流の方向に平行な方向に与
えられている。
そして、上記磁気抵抗素子１０は、強磁性材料
にて形成された被検出部材としての強磁性体棒７
と相対移動自在に配設され、この強磁性体棒７が
接近することによつて生ずる各電流通路部１，２
におけるバイアス磁界HBの方向の変化を検出す
る。
にて形成された被検出部材としての強磁性体棒７
と相対移動自在に配設され、この強磁性体棒７が
接近することによつて生ずる各電流通路部１，２
におけるバイアス磁界HBの方向の変化を検出す
る。
上記磁気抵抗素子１０は、その端子３，４間に
外部抵抗１１，１２が接続された抵抗ブリツジ回
路を構成しており、図示しないバイアス電源から
バイアス電流が供給されている。上記磁気抵抗素
子１０の出力端子５と外部抵抗１１，１２の接続
中点に設けた出力端子１３との間に得られる不平
衡出力が演算増幅器１４にて構成した差動増幅回
路１５を介して出力される。
外部抵抗１１，１２が接続された抵抗ブリツジ回
路を構成しており、図示しないバイアス電源から
バイアス電流が供給されている。上記磁気抵抗素
子１０の出力端子５と外部抵抗１１，１２の接続
中点に設けた出力端子１３との間に得られる不平
衡出力が演算増幅器１４にて構成した差動増幅回
路１５を介して出力される。
上述の如き構成の従来の磁気センサスイツチ装
置では、強磁性体棒７が磁気抵抗素子１０に接近
すると、該強磁性体棒７がバイアス磁界HBによ
つて磁化されることによりバイアス磁界HBと直
交する方向の磁界を与え、第１図中に鎖線にて示
す矢印方向の動作磁界を上記磁気抵抗素子１０の
各電流通路部１，２に生起する。そこで、各電流
通路部１，２は、与えられる磁界の方向変化に応
じて上述の第１式に従つた抵抗特性を呈し、出力
端子５，１３間に、 ΔV＝Ｋ・Vo・cos2ΔΘ …(2) なる第２式にて示される不平衡出力電圧ΔVを出
力する。
置では、強磁性体棒７が磁気抵抗素子１０に接近
すると、該強磁性体棒７がバイアス磁界HBによ
つて磁化されることによりバイアス磁界HBと直
交する方向の磁界を与え、第１図中に鎖線にて示
す矢印方向の動作磁界を上記磁気抵抗素子１０の
各電流通路部１，２に生起する。そこで、各電流
通路部１，２は、与えられる磁界の方向変化に応
じて上述の第１式に従つた抵抗特性を呈し、出力
端子５，１３間に、 ΔV＝Ｋ・Vo・cos2ΔΘ …(2) なる第２式にて示される不平衡出力電圧ΔVを出
力する。
ところで、上述の如き従来の磁気センサスイツ
チ装置では、バイアス磁界HBの方向が第２式に
おけるΘ＝90゜の方向に設定されており、上記強
磁性体棒７の接近による磁界の方向変化がΘ＝
90゜に対して±15゜程度で、さらに、実際のスイツ
チ動作点が出力レベルの１／３程度に設定される
ので、Θ＝90゜に対して±10゜程度の磁界方向変化
を検出してスイツチ動作を行うことになる。そし
て、上記第２式に示される出力電圧ΔVは、第２
図に破線にて示すようなＫ・Vo・cos2Θの特性
曲線上に実線にて示した範囲で上記スイツチ動作
に利用されることになる。このような動作特性を
有する従来の磁気センサスイツチ装置は、スイツ
チ動作点近傍における出力電圧ΔVの温度特性を
実測したところ、100〜200mV／10℃程度の温度
依存性を有していることが判明した。
チ装置では、バイアス磁界HBの方向が第２式に
おけるΘ＝90゜の方向に設定されており、上記強
磁性体棒７の接近による磁界の方向変化がΘ＝
90゜に対して±15゜程度で、さらに、実際のスイツ
チ動作点が出力レベルの１／３程度に設定される
ので、Θ＝90゜に対して±10゜程度の磁界方向変化
を検出してスイツチ動作を行うことになる。そし
て、上記第２式に示される出力電圧ΔVは、第２
図に破線にて示すようなＫ・Vo・cos2Θの特性
曲線上に実線にて示した範囲で上記スイツチ動作
に利用されることになる。このような動作特性を
有する従来の磁気センサスイツチ装置は、スイツ
チ動作点近傍における出力電圧ΔVの温度特性を
実測したところ、100〜200mV／10℃程度の温度
依存性を有していることが判明した。
そこで、本発明は、上述の如き従来の問題点に
鑑み、強磁性体棒の接近による磁界方向の変化に
対する出力電圧の変化率を大きくして検出感度の
向上を図るとともに、温度変化による出力電圧の
変化すなわち温度依存性を小さくするようにした
新規な構成の磁気センサスイツチ装置を提供する
ものである。
鑑み、強磁性体棒の接近による磁界方向の変化に
対する出力電圧の変化率を大きくして検出感度の
向上を図るとともに、温度変化による出力電圧の
変化すなわち温度依存性を小さくするようにした
新規な構成の磁気センサスイツチ装置を提供する
ものである。
以下、本発明について一実施例を示す図面に従
い詳細に説明する。
い詳細に説明する。
第３図は本発明に係る磁気センサスイツチ装置
の原理的な構成を示す構成図である。すなわち、
第３図において、磁気抵抗素子２０は、それぞれ
強磁性磁気抵抗材料にて直線的に形成した第１の
電流通路部２１と第２の電流通路部２２とを直列
接続し、その両端部分にバイアス用端子２３，２
４を設け、その接続中点に出力端子２５を設けた
三端子型構成となつている。上記磁気抵抗素子２
０のバイアス用端子２３，２４間にはバイアス電
源２６が接続されており、該バイアス電源２６か
らバイアス電流IBが供給されている。そして、上
記磁気抵抗素子２０の各電流通路部２１，２２に
は、バイアス電流IBの方向に対して45゜の角度Θo
を持つた方向のバイアス磁界HBがバイアス磁石
３０により印加されている。
の原理的な構成を示す構成図である。すなわち、
第３図において、磁気抵抗素子２０は、それぞれ
強磁性磁気抵抗材料にて直線的に形成した第１の
電流通路部２１と第２の電流通路部２２とを直列
接続し、その両端部分にバイアス用端子２３，２
４を設け、その接続中点に出力端子２５を設けた
三端子型構成となつている。上記磁気抵抗素子２
０のバイアス用端子２３，２４間にはバイアス電
源２６が接続されており、該バイアス電源２６か
らバイアス電流IBが供給されている。そして、上
記磁気抵抗素子２０の各電流通路部２１，２２に
は、バイアス電流IBの方向に対して45゜の角度Θo
を持つた方向のバイアス磁界HBがバイアス磁石
３０により印加されている。
この実施例において、上記磁気抵抗素子２０を
用いた磁気センサスイツチ装置は、被検出部材と
して強磁性体棒２８が接近すると、バイアス磁石
３０にて与えられる各バイアス磁界HBの磁束が
第３図中に細線の矢印にて示すように流れること
により、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化
される。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流
通路部２１，２２に作用する磁界は、上述のよう
に磁化される上記強磁性体棒２８による磁界と上
記バイアス磁石３０によるバイアス磁界HBとの
合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の接近によ
り、第３図中一点鎖線の矢印にて示すように微小
偏移角±ΔΘだけ変化する。
用いた磁気センサスイツチ装置は、被検出部材と
して強磁性体棒２８が接近すると、バイアス磁石
３０にて与えられる各バイアス磁界HBの磁束が
第３図中に細線の矢印にて示すように流れること
により、同図中に太線の矢印にて示す向きに磁化
される。そして、上記磁気抵抗素子２０の各電流
通路部２１，２２に作用する磁界は、上述のよう
に磁化される上記強磁性体棒２８による磁界と上
記バイアス磁石３０によるバイアス磁界HBとの
合成磁界となり、上記強磁性体棒２８の接近によ
り、第３図中一点鎖線の矢印にて示すように微小
偏移角±ΔΘだけ変化する。
そこで、上記強磁性体棒２８の接近により、各
電流通路部２１，２２におけるバイアス磁界HB
の方向が微小偏移角±ΔΘだけ偏移される場合、
バイアス電源２６により磁気抵抗素子２０の両端
子２３，２４間に印加される電圧をVoとすると、
出力端子２５と接地端子２４との間に得られる出
力電圧Ｖ（ΔΘ）は、次のようになる。すなわち、
第１の電流通路部２１では上述のVoigt−
Thomsonの式に従つて、 RA（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜＋ΔΘ）＋Ｒ ・cos2（45゜＋ΔΘ） …(3) なる第３式にて示される抵抗値RAを呈し、同様
に、第２の電流通路部２２では、 RB（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜−ΔΘ）＋Ｒ ・cos2（45゜−ΔΘ） …(4) なる第４式にて示される抵抗値RBを呈する。従
つて、出力電圧Ｖ（ΔΘ）は、 Ｖ（ΔΘ）＝RA（ΔΘ）／RA（ΔΘ）＋RB（ΔΘ）・
Vo＝Vo／２｛１−（Ｒ ⊥−Ｒ ）・sin2ΔΘ／２（Ｒ ⊥＋Ｒ ）｝ …(5) なる第５式にて示すことができる。
電流通路部２１，２２におけるバイアス磁界HB
の方向が微小偏移角±ΔΘだけ偏移される場合、
バイアス電源２６により磁気抵抗素子２０の両端
子２３，２４間に印加される電圧をVoとすると、
出力端子２５と接地端子２４との間に得られる出
力電圧Ｖ（ΔΘ）は、次のようになる。すなわち、
第１の電流通路部２１では上述のVoigt−
Thomsonの式に従つて、 RA（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜＋ΔΘ）＋Ｒ ・cos2（45゜＋ΔΘ） …(3) なる第３式にて示される抵抗値RAを呈し、同様
に、第２の電流通路部２２では、 RB（ΔΘ）＝Ｒ ⊥・sin2（45゜−ΔΘ）＋Ｒ ・cos2（45゜−ΔΘ） …(4) なる第４式にて示される抵抗値RBを呈する。従
つて、出力電圧Ｖ（ΔΘ）は、 Ｖ（ΔΘ）＝RA（ΔΘ）／RA（ΔΘ）＋RB（ΔΘ）・
Vo＝Vo／２｛１−（Ｒ ⊥−Ｒ ）・sin2ΔΘ／２（Ｒ ⊥＋Ｒ ）｝ …(5) なる第５式にて示すことができる。
上述の如き磁気抵抗素子２０を用いた磁気セン
サスイツチ装置では、例えば上述の従来例と同様
にブリツジ回路によつてVo／２なる基準電圧に
対する不平衡電圧を検出出力電圧ΔVとして出力
することにより、 ΔV＝K1・Vo・sin2ΔΘ …(6) なる出力電圧ΔVが得られる。この出力電圧ΔV
は、第４図に示すようなK1・Vo・sin2Θの特性
曲線上の実線にて示され、Θo＝45゜に設定した状
態ではΔΘc−ΔΘ＝0゜のときに原理的に温度ドリ
フトが零となり、しかも、ΔΘに対する変化率が
最大で、高感度で安定したスイツチ動作を可能に
する。
サスイツチ装置では、例えば上述の従来例と同様
にブリツジ回路によつてVo／２なる基準電圧に
対する不平衡電圧を検出出力電圧ΔVとして出力
することにより、 ΔV＝K1・Vo・sin2ΔΘ …(6) なる出力電圧ΔVが得られる。この出力電圧ΔV
は、第４図に示すようなK1・Vo・sin2Θの特性
曲線上の実線にて示され、Θo＝45゜に設定した状
態ではΔΘc−ΔΘ＝0゜のときに原理的に温度ドリ
フトが零となり、しかも、ΔΘに対する変化率が
最大で、高感度で安定したスイツチ動作を可能に
する。
上述の如き原理的な構成を有する磁気センサス
イツチ装置は、例えば第５図に示すように、１個
のバイアス磁石３０と該バイアス磁石３０による
バイアス磁界HBの方向に対して45゜方向に配向方
向を揃えた折線パターン状の各電流通路部２１，
２２を形成した磁気抵抗素子２０にて、極めて簡
単に構成することができる。上記磁気抵抗素子２
０は、バイアス磁石３０上に配置した状態でケー
ス３１内に収納されており、各端子２３，２４，
２５に接続された接続ケーブル３２を介して図示
しないバイアス電源や検出回路等の外部装置に接
続されている。また、上記バイアス磁石３０に
は、その端部に磁気ヨーク３３が被検出部材であ
る強磁性体棒２８に対して平行に配設されてお
り、上記強磁性体棒２８の接近によるバイアス磁
界HBの方向変化の感度を向上するようにしてあ
る。
イツチ装置は、例えば第５図に示すように、１個
のバイアス磁石３０と該バイアス磁石３０による
バイアス磁界HBの方向に対して45゜方向に配向方
向を揃えた折線パターン状の各電流通路部２１，
２２を形成した磁気抵抗素子２０にて、極めて簡
単に構成することができる。上記磁気抵抗素子２
０は、バイアス磁石３０上に配置した状態でケー
ス３１内に収納されており、各端子２３，２４，
２５に接続された接続ケーブル３２を介して図示
しないバイアス電源や検出回路等の外部装置に接
続されている。また、上記バイアス磁石３０に
は、その端部に磁気ヨーク３３が被検出部材であ
る強磁性体棒２８に対して平行に配設されてお
り、上記強磁性体棒２８の接近によるバイアス磁
界HBの方向変化の感度を向上するようにしてあ
る。
上述の如き構成の磁気センサスイツチ装置で
は、強磁性体棒２８の接近による磁気抵抗素子２
０出力電圧ΔV（Θ）がK1・Vo・sin2Θの特性曲
線上でΘ＝45゜を基点として得られるので、検出
感度が向上するとともに、温度ドリフトが小さく
なり、高感度で安定した検出動作を行うことがで
きる。なお、バイアス電流IBに対するバイアス磁
界HBの方向は、この実施例のようにΘo＝45゜とな
るように設定しなくても、45゜の奇数倍の角度
（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）近傍であれ
ば上述の効果を得ることができる。
は、強磁性体棒２８の接近による磁気抵抗素子２
０出力電圧ΔV（Θ）がK1・Vo・sin2Θの特性曲
線上でΘ＝45゜を基点として得られるので、検出
感度が向上するとともに、温度ドリフトが小さく
なり、高感度で安定した検出動作を行うことがで
きる。なお、バイアス電流IBに対するバイアス磁
界HBの方向は、この実施例のようにΘo＝45゜とな
るように設定しなくても、45゜の奇数倍の角度
（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）近傍であれ
ば上述の効果を得ることができる。
上述のように、本発明に係る磁気センサスイツ
チ装置において、互いにバイアス電流が同方向に
流れるように強磁性磁気抵抗材料により形成され
た２つの電流通路部を備え、これら電流通路部を
直列接続するとともに、その接続中点に出力端子
を設けて成る三端子型磁気抵抗素子は、上記各電
流通路部がバイアス磁石により与えられるバイア
ス磁界の方向に応じた抵抗特性を呈する。
チ装置において、互いにバイアス電流が同方向に
流れるように強磁性磁気抵抗材料により形成され
た２つの電流通路部を備え、これら電流通路部を
直列接続するとともに、その接続中点に出力端子
を設けて成る三端子型磁気抵抗素子は、上記各電
流通路部がバイアス磁石により与えられるバイア
ス磁界の方向に応じた抵抗特性を呈する。
上記バイアス磁石は、上記各電流通路部に流さ
れるバイアス電流の方向に対して（2n＋１）・
π／４（但し、ｎは整数）近傍の角度Θoをなす方
向のバイアス磁界を上記各電流通路部に印加して
おり、被検出部材である強磁性体の接近により、
一方の電流通路部においては上記バイアス磁界の
方向が微小偏移角＋ΔΘだけ変化するのに対し
て、他方の電流通路部においては上記バイアス磁
界の方向が微小偏移角−ΔΘだけ変化する。
れるバイアス電流の方向に対して（2n＋１）・
π／４（但し、ｎは整数）近傍の角度Θoをなす方
向のバイアス磁界を上記各電流通路部に印加して
おり、被検出部材である強磁性体の接近により、
一方の電流通路部においては上記バイアス磁界の
方向が微小偏移角＋ΔΘだけ変化するのに対し
て、他方の電流通路部においては上記バイアス磁
界の方向が微小偏移角−ΔΘだけ変化する。
したがつて、上記三端子型磁気抵抗素子は、強
磁性体の接近によるバイアス磁界の方向の微小偏
移角±ΔΘに応じた上記各電流通路部の抵抗変化
により、sin2ΔΘの特性曲線上でΘ＝45゜を基点と
する検出出力を上記出力端子から出力する。
磁性体の接近によるバイアス磁界の方向の微小偏
移角±ΔΘに応じた上記各電流通路部の抵抗変化
により、sin2ΔΘの特性曲線上でΘ＝45゜を基点と
する検出出力を上記出力端子から出力する。
このように本発明に係る磁気センサスイツチ装
置では、強磁性体の接近により、sin2ΔΘの特性
曲線上でΘ＝45゜を基点とする検出出力が得られ
るので、検出感度が向上するともに、温度ドリフ
トが小さくなる。したがつて、本発明よれば、高
感度で安定した検出動作を行うことができる磁気
センサスイツチ装置を提供することができる。
置では、強磁性体の接近により、sin2ΔΘの特性
曲線上でΘ＝45゜を基点とする検出出力が得られ
るので、検出感度が向上するともに、温度ドリフ
トが小さくなる。したがつて、本発明よれば、高
感度で安定した検出動作を行うことができる磁気
センサスイツチ装置を提供することができる。
第１図は磁気センサスイツチ装置の従来例の構
成を示す模式的な構成図であり、第２図は上記従
来例の動作特性を示す特性線図である。第３図は
本発明に係る磁気センサスイツチ装置の原理的な
構成を示す実施例の模式図であり、第４図は上記
実施例の動作特性を示す特性線図であり、第５図
は上記実施例に適用される磁気抵抗素子の電流通
路部の実用的な配列パターンを示す模式図であ
る。 ２０……磁気抵抗素子、２１，２２……電流通
路部、２３，２４……バイアス用端子、２５……
出力端子、２６……バイアス電源、２８……強磁
性体棒、３０……バイアス磁石、HB……バイア
ス磁界、IB……バイアス電流。
成を示す模式的な構成図であり、第２図は上記従
来例の動作特性を示す特性線図である。第３図は
本発明に係る磁気センサスイツチ装置の原理的な
構成を示す実施例の模式図であり、第４図は上記
実施例の動作特性を示す特性線図であり、第５図
は上記実施例に適用される磁気抵抗素子の電流通
路部の実用的な配列パターンを示す模式図であ
る。 ２０……磁気抵抗素子、２１，２２……電流通
路部、２３，２４……バイアス用端子、２５……
出力端子、２６……バイアス電源、２８……強磁
性体棒、３０……バイアス磁石、HB……バイア
ス磁界、IB……バイアス電流。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いにバイアス電流が同方向に流れるように
強磁性磁気抵抗材料により形成された２つの電流
通路部を備え、これら電流通路部を直列接続する
とともに、その接続中点に出力端子を設けて成る
三端子型磁気抵抗素子と、この三端子型磁気抵抗
素子の各電流通路部に流されるバイアス電流の方
向に対して（2n＋１）・π／４（但し、ｎは整数）
近傍の角度Θoをなす方向のバイアス磁界を上記
各電流通路部に印加するバイアス磁石とを有する
センサ部から成り、 上記三端子型磁気抵抗素子と対向して相対的に
接離自在に配される被検出部材としての強磁性体
の接近による上記三端子型磁気抵抗素子の各電流
通路部におけるバイアス磁界の方向の微小偏移角
ΔΘに応じた抵抗変化により上記強磁性体の接近
を検知することを特徴とする磁気センサスイツチ
装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172554A JPS5797231A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
| IT8125412A IT1211140B (it) | 1980-12-09 | 1981-12-02 | Dispositivo commutatore a sensore magnetico. |
| CA000391611A CA1182171A (en) | 1980-12-09 | 1981-12-07 | Magnetic sensor for sensing the proximity of a relatively movable magnetically permeable member |
| GB8136974A GB2089514B (en) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetic sensor switch device |
| US06/328,613 US4492922A (en) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetic sensor with two series-connected magnetoresistive elements and a bias magnet for sensing the proximity of a relatively movable magnetically permeable member |
| CH7845/81A CH657949A5 (de) | 1980-12-09 | 1981-12-08 | Magnetischer annaeherungsschalter. |
| DE19813148754 DE3148754A1 (de) | 1980-12-09 | 1981-12-09 | Magnetische sensor-schaltervorrichtung |
| FR8123042A FR2495859B1 (fr) | 1980-12-09 | 1981-12-09 | Dispositif de commutation a capteur magnetique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172554A JPS5797231A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5797231A JPS5797231A (en) | 1982-06-16 |
| JPH0211023B2 true JPH0211023B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=15944004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55172554A Granted JPS5797231A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Magnetic sensor switch device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5797231A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161426U (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | ||
| JPH10116148A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 入力装置 |
| EP1953621A1 (en) * | 2005-11-10 | 2008-08-06 | Omron Corporation | Operation input device and electronic device using the same |
-
1980
- 1980-12-09 JP JP55172554A patent/JPS5797231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5797231A (en) | 1982-06-16 |
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