JPH0210528A - Optical pickup device - Google Patents
Optical pickup deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光を用いて情報の記録再生を行う光記録に用い
る光ピックアップ装置に関するものであ〔従来の技術〕
光記録においては、光源からの出射光を微小スポットと
して光記録媒体上に照射し、反射光の光量変化を検出す
る光ピツクアンプ装置を主要デバイスとして用いている
。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical pickup device used in optical recording that records and reproduces information using light. [Prior Art] In optical recording, The main device used is an optical pick amplifier that irradiates the emitted light as a minute spot onto an optical recording medium and detects changes in the amount of reflected light.
従来の光ピックアップ装置は、基本的に第４図に示す構
成を用いている。すなわち、光検出器１と、半導体レー
ザ２と、集光レンズ３と、ビームスプリンタ８とから構
成されている。このような従来の光ピンクアップ装置に
おいては、半導体レーザ２の出射光を集光レンズ３によ
って記録媒体４上に集光し、その集光点からの反射光を
ビームスプリンタ８によって分離し、光検出器１で検出
している。したがって従来の光ピックアップ装置では、
光学系の構成部品数が多く小型化が難しかった。A conventional optical pickup device basically uses the configuration shown in FIG. That is, it is composed of a photodetector 1, a semiconductor laser 2, a condenser lens 3, and a beam splinter 8. In such a conventional optical pink-up device, the light emitted from the semiconductor laser 2 is focused onto the recording medium 4 by the condensing lens 3, and the reflected light from the focused point is separated by the beam splitter 8, and the light is It is detected by detector 1. Therefore, in conventional optical pickup devices,
The number of optical system components was large, making it difficult to downsize.
このような欠点を解消するために、第５図に示すように
半導体レーザ２から出射し記録媒体４の面で反射した光
を直接レーザ発光点に戻す方式が提案されている（Ｉｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎＯ
ｐｔｉｃａｌ Ｍｅ＋ｗｏｒｙ １９８７． ＴＢ−４
） ｏこの構成では、第６図に示すように記録媒体の反
射率によって半導体レーザの発振しきい値ｒｔｈが変化
する、すなわち戻り光が大きくなると発振しきい値１ｔ
ｈが小さくなるため、注入電流の値を発振しきい値１ｔ
ｈが変化する中間に設定することにより半導体レーザ裏
面より大きな光出力変化を得ることができる。In order to overcome these drawbacks, a method has been proposed in which the light emitted from the semiconductor laser 2 and reflected on the surface of the recording medium 4 is returned directly to the laser emission point, as shown in FIG.
international Symposium onO
practical Me+wory 1987. TB-4
) In this configuration, as shown in FIG. 6, the oscillation threshold value rth of the semiconductor laser changes depending on the reflectance of the recording medium. That is, as the returned light increases, the oscillation threshold value 1t changes.
Since h becomes smaller, the value of the injection current is set to the oscillation threshold value 1t.
By setting h to an intermediate value, it is possible to obtain a larger change in the optical output than from the back surface of the semiconductor laser.
ところで、記録媒体面で反射した光を直接レーザ発光点
に戻す方式では、半導体レーザへの戻り光位相によって
発振しきい値■いの変化量が変動するため、レーザ端面
と記録媒体との間の距離を１μｍ以下の精度で制御する
必要がある。したがって半導体レーザと記録媒体とを数
μｍ−数１０μｍの近接配置とする必要があり、実用的
には難しい構成となる。By the way, in the method of directly returning the light reflected from the recording medium surface to the laser emission point, the amount of change in the oscillation threshold value varies depending on the phase of the returning light to the semiconductor laser, so the difference between the laser end face and the recording medium is It is necessary to control the distance with an accuracy of 1 μm or less. Therefore, it is necessary to arrange the semiconductor laser and the recording medium close to each other by several μm to several tens of μm, which is a difficult configuration in practice.
本発明の目的は上記のような問題点を生しることの無い
光ピックアップ装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an optical pickup device that does not suffer from the above-mentioned problems.
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、光源と、この光源からの出射光ビームを集光
レンズにより記録媒体上に微小スポットとして集光し、
その集光点からの反射光を前記光源に戻す光学系を有す
る光ピックアップ装置において、
前記光源として、或る注入電流値によって光出力が不連
続に変化し、かつ外部からの戻り光によって前記注入電
流値が変化する半導体レーザを用い、
前記光学系に、戻り光の偏光が前記半導体レーザの出射
光の偏光と直交するように、偏光を回転する光学素子を
設けたことを特徴としている。[Means for Solving the Problems] The present invention includes a light source, a light beam emitted from the light source is focused as a minute spot on a recording medium by a condensing lens,
In an optical pickup device having an optical system that returns reflected light from the condensing point to the light source, the light source has a light output that changes discontinuously depending on a certain injection current value, and a return light from the outside that returns the injected light to the light source. The present invention is characterized in that a semiconductor laser whose current value changes is used, and the optical system is provided with an optical element that rotates polarized light so that the polarized light of the returned light is orthogonal to the polarized light of the emitted light from the semiconductor laser.
本発明の光ピックアップ装置において用いられる半導体
レーザは、或る注入電流値によって光出力が不連続に変
化し、かつ外部からの戻り光によって前記注入電流値が
変化するので、半導体レーザの注入電流を、記録媒体の
反射率の変化による戻り光量の変化に対して前記注入電
流値の変化する中間に設定しておけば、半導体レーザは
ほぼ低出力と高出力の２値の光を出力する。In the semiconductor laser used in the optical pickup device of the present invention, the optical output changes discontinuously depending on a certain injection current value, and the injection current value changes depending on the return light from the outside. If the injection current value is set to an intermediate value that changes with respect to a change in the amount of returned light due to a change in the reflectance of the recording medium, the semiconductor laser outputs approximately binary light of low output and high output.
また、記録媒体上の集光点からの反射光を半導体レーザ
に戻す光学系に、偏光を回転する光学素子を設け、半導
体レーザからの出射光の偏光と直交する偏光の光を半導
体レーザに戻す、これにより、戻り光と出射光とは干渉
を生じないので、戻り光位相によって前記注入電流値が
変化することはない。In addition, an optical element that rotates the polarization is installed in the optical system that returns the reflected light from the focal point on the recording medium to the semiconductor laser, and the light with a polarization perpendicular to the polarization of the emitted light from the semiconductor laser is returned to the semiconductor laser. As a result, the returned light and the emitted light do not interfere with each other, so the injected current value does not change depending on the phase of the returned light.
第１図に本発明の一実施例の構成を示す。この光ピック
アップ装置は、光検出器１と、半導体レーザ２と、集光
レンズ３と、１／４波長板５とから構成されている。FIG. 1 shows the configuration of an embodiment of the present invention. This optical pickup device includes a photodetector 1, a semiconductor laser 2, a condenser lens 3, and a quarter wavelength plate 5.
１７４波長板５の光学軸は、以下のように設定する。す
なわち、半導体レーザ２からの出射光は、１７４波長板
５と集光レンズ３を介して記録媒体４上に集光され、そ
の反射光は逆の経路をたどって半導体レーザ２に戻るが
、戻った光の偏光は出射光の偏光と直交するように１ノ
４波長板５の光学軸を設定する。The optical axis of the 174-wavelength plate 5 is set as follows. That is, the emitted light from the semiconductor laser 2 is focused onto the recording medium 4 via the 174 wavelength plate 5 and the condensing lens 3, and the reflected light returns to the semiconductor laser 2 along the opposite path. The optical axis of the 1/4 wavelength plate 5 is set so that the polarization of the emitted light is orthogonal to the polarization of the emitted light.
半導体レーザ２としては、第２図に示すように片側の電
極を共振器長方向に分割して励起領域６と吸収領域７を
設けたタンデム電極形の半導体レーザを用いる。この半
導体レーザは、第３図に示すように励起領域６への注入
電流によって光出力が不連続に変化する。そして、この
不連続を生じる電流値１ｔｈは、戻り光量が増大すると
減少する。As the semiconductor laser 2, a tandem electrode semiconductor laser is used in which an excitation region 6 and an absorption region 7 are provided by dividing one electrode in the resonator length direction, as shown in FIG. In this semiconductor laser, the optical output changes discontinuously depending on the current injected into the excitation region 6, as shown in FIG. The current value 1th that causes this discontinuity decreases as the amount of returned light increases.
この傾向は、出射光と直交する偏光が戻った場合も同じ
である。This tendency is the same even when the polarization perpendicular to the emitted light is returned.
以上のような構成の光ピックアップ装置において、半導
体レーザ２からの出射光は、１７４波長板５と集光レン
ズ３を介して記録媒体４上に集光され、その反射光は逆
の経路をたどって半導体レーザ２に戻る。ｌ／４波長板
５により、戻った光の偏光は出射光の偏光と直交する。In the optical pickup device configured as described above, the light emitted from the semiconductor laser 2 is focused onto the recording medium 4 via the 174 wavelength plate 5 and the condenser lens 3, and the reflected light follows the opposite path. Then return to the semiconductor laser 2. Due to the 1/4 wavelength plate 5, the polarization of the returned light is orthogonal to the polarization of the output light.
このように直交する偏光が戻る場合には、出射光との干
渉は生じないため戻り光位相によって電流値■いが変化
することはない。したがって第５図に示した従来の光ピ
ックアップ装置のように、レーザ端面と記録媒体との間
隔を制御する必要はない。When the orthogonal polarized light returns in this way, no interference with the emitted light occurs, so the current value does not change depending on the phase of the returned light. Therefore, unlike the conventional optical pickup device shown in FIG. 5, there is no need to control the distance between the laser end face and the recording medium.
また、半導体レーザ２の注入電流を、記録媒体４の反射
率の変化による戻り光量の変化に対して電流値Ｉｔｈの
変化する中間に設定しておけば（例えば、第３図の■、
）、光検出器１では、はぼ低出力と高出力の２値の光出
力を検出することができる。したがって、記録媒体４の
反射率の変化をＳ／Ｎよく検出することが可能となる。Furthermore, if the injection current of the semiconductor laser 2 is set to an intermediate value in which the current value Ith changes with respect to a change in the amount of returned light due to a change in the reflectance of the recording medium 4 (for example,
), the photodetector 1 can detect a binary optical output of approximately low output and high output. Therefore, it becomes possible to detect changes in the reflectance of the recording medium 4 with a good S/N ratio.
半導体レーザ２の光出力の変化は裏面で検出することも
できるが、第２図に示すように吸収領域７に接続した抵
抗９に流れる電流値をモニタしてもよい。Changes in the optical output of the semiconductor laser 2 can be detected from the back surface, but the value of the current flowing through the resistor 9 connected to the absorption region 7 may also be monitored as shown in FIG.
また、偏光を回す光学素子としては、１７４波長板の代
わりにファラデー回転子を用いてもよい。Further, as an optical element for rotating polarized light, a Faraday rotator may be used instead of a 174-wave plate.
なお、第２図のようなタンデム電極型レーザでは、電流
の上昇および下降において光出力にヒステリシス特性を
生じることがあるが、不連続を生じる電流値■いの変化
量がヒステリシス幅より大きければ問題はない。Note that in a tandem electrode type laser as shown in Figure 2, hysteresis characteristics may occur in the optical output when the current rises and falls, but if the amount of change in the current value that causes discontinuity is larger than the hysteresis width, there is no problem. There isn't.
本発明によれば、レーザ端面と記録媒体との間の距離に
対して１μｍ以下の精密な制御を必要としないので、小
型化が可能な光ピックアップ装置を得ることができる。According to the present invention, it is not necessary to precisely control the distance between the laser end face and the recording medium to within 1 μm, so it is possible to obtain an optical pickup device that can be miniaturized.
第１図は本発明の一実施例を示す図、
第２図および第３図は本発明に用いられる半導体レーザ
の構成および特性をそれぞれ示す図、第４図および第５
図は従来の光ピックアップ装置の例をそれぞれ示す図、
第６図は従来の光ピックアップ装置に用いられる半導体
レーザの特性を示す図である。
１・・・・・光検出器
２・・・・・半導体レーザ
３・・・・・集光レンズ
４・・・・・記録媒体
５・・・・・１７４波長板
６・・・・・励起領域
７・・・・・吸収領域
８・・・・・ビームスプリンタ
９・・・・・抵抗FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the configuration and characteristics of a semiconductor laser used in the present invention, and FIGS.
The figures each show an example of a conventional optical pickup device, and FIG. 6 is a diagram showing the characteristics of a semiconductor laser used in the conventional optical pickup device. 1...Photodetector 2...Semiconductor laser 3...Condensing lens 4...Recording medium 5...174 wavelength plate 6...Excitation Area 7...Absorption area 8...Beam splinter 9...Resistance
Claims (1)
ズにより記録媒体上に微小スポットとして集光し、その
集光点からの反射光を前記光源に戻す光学系を有する光
ピックアップ装置において、前記光源として、或る注入
電流値によって光出力が不連続に変化し、かつ外部から
の戻り光によって前記注入電流値が変化する半導体レー
ザを用い、 前記光学系に、戻り光の偏光が前記半導体レーザの出射
光の偏光と直交するように、偏光を回転する光学素子を
設けたことを特徴とする光ピックアップ装置。(1) In an optical pickup device that includes a light source and an optical system that focuses the emitted light beam from the light source as a minute spot on a recording medium using a condensing lens, and returns reflected light from the condensed point to the light source. , the light source is a semiconductor laser whose optical output changes discontinuously depending on a certain injection current value, and the injection current value changes depending on return light from the outside; An optical pickup device comprising an optical element that rotates polarized light so as to be orthogonal to the polarized light emitted from a semiconductor laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159310A JPH0210528A (en) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159310A JPH0210528A (en) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | Optical pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210528A true JPH0210528A (en) | 1990-01-16 |
Family
ID=15691006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159310A Pending JPH0210528A (en) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | Optical pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210528A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1585120A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-12 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Miniaturized optical pickup |
| DE102014004102B4 (en) * | 2013-03-28 | 2019-09-05 | Fanuc Corporation | Spot welding system with a spot welding gun |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63159310A patent/JPH0210528A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1585120A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-12 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Miniaturized optical pickup |
| DE102014004102B4 (en) * | 2013-03-28 | 2019-09-05 | Fanuc Corporation | Spot welding system with a spot welding gun |
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