JPS63244421A - Multiple light-emitting device - Google Patents
Multiple light-emitting deviceInfo
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- JPS63244421A JPS63244421A JP62078690A JP7869087A JPS63244421A JP S63244421 A JPS63244421 A JP S63244421A JP 62078690 A JP62078690 A JP 62078690A JP 7869087 A JP7869087 A JP 7869087A JP S63244421 A JPS63244421 A JP S63244421A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、複数の発光点を有する多重発光装置に係り
、特に複数の発光点を有する光源装置を制御する為の多
重発光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a multiple light emitting device having a plurality of light emitting points, and more particularly to a multiple light emitting device for controlling a light source device having a plurality of light emitting points.
(従来技術]
複数の発光点から夫ノンレーザー・ビームが弁せられる
半導体装置が開発され、光デイスク装置の光源装置に用
いられている。一般に、このような半導体装置には、1
つのチップ内に複数のレーザー・構造を組込んだ半導体
レーザー・アレイ或いは、1つのパッケージに複数の半
導体レーザー・チップを組込んだ半導体装置がある。(Prior Art) A semiconductor device in which non-laser beams are emitted from a plurality of light emitting points has been developed and is used in a light source device of an optical disk device.Generally, such a semiconductor device has one
There are semiconductor laser arrays that incorporate a plurality of laser structures in one chip, and semiconductor devices that incorporate a plurality of semiconductor laser chips in one package.
(発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置では、単に2つ以上のレーザー構造体
が組込まれているにすぎず、各構造体の発光が検出器で
モニターされ、モニターされた信号がフィードバックさ
れるような構成が採用されていないことから、各発光点
から発光される発光強度が安定せず、環境温度が変化し
た場合等において各発光点から発光される発光強度が変
動する問題がある。また、互いに隣接する発光点間の距
離が小さい装置では、単に各発光点に対応して光検出器
を配置したのみでは、互いに隣接する発光点からのレー
ザー・ビームが対応する光検出器以外に隣接する光検出
器に入射される虞れがあり、安定してレーザー・ビーム
の光強度を制御できない問題がある。このような問題は
、光学的情報記録再生装置の分野においては、正確な再
生記録或いは、消去の為に安定してレーザー・ビームが
発生されることが要求され、また、発光点間の間隔が極
めて小さいことから、特に大きな問題としてこの発明に
よれば、複数の光源構造体を有する光源と、各光源構造
体の発光点に対応して設けられ、光源から発生された少
なくとも2以上の発光点からの光ビームを検出する少な
くとも1つの検出領域を有する検知手段と、この検知手
段の検知領域からの検出信号を各発光点からの光ビーム
に対応する信号に分離する分離手段と、この分離手段で
分離された検出信号に応じて各光源構造体を駆動し、前
記各発光点からの光ビームを制御する駆動手段とから成
る多重発光装置が提供される。(Problems to be Solved by the Invention) Conventional semiconductor devices simply incorporate two or more laser structures, and the light emission of each structure is monitored by a detector, and the monitored signal is Since a structure that provides feedback is not adopted, the intensity of light emitted from each light emitting point is not stable, and there is a problem that the intensity of light emitted from each light emitting point fluctuates when the environmental temperature changes, etc. In addition, in devices where the distance between adjacent light-emitting points is small, simply placing a photodetector corresponding to each light-emitting point will not allow the laser beams from the adjacent light-emitting points to reach the corresponding photodetector. In addition, there is a risk that the light intensity of the laser beam may be incident on the adjacent photodetector, and there is a problem that the light intensity of the laser beam cannot be stably controlled. According to this invention, a particularly big problem is that a laser beam must be stably generated for reproduction, recording, or erasing, and the distance between the light emitting points is extremely small. a light source having a structure; a detection means having at least one detection area provided corresponding to a light emitting point of each light source structure and detecting a light beam from at least two or more light emitting points generated from the light source; separation means for separating a detection signal from the detection area of the detection means into signals corresponding to light beams from each light emitting point; and a separation means for driving each light source structure in accordance with the detection signal separated by the separation means; A multiple light emitting device is provided comprising driving means for controlling the light beam from each light emitting point.
(作用)
光源の複数の光源構造体から発生された2以上の光ビー
ムが1つの検知領域で検出されるが、その検出信号が分
離手段で各光源構造体からの光ビームに対応する信号成
分に信号分離され、各光源構造体がその信号成分に応答
して駆動される為、各光源構造体は、常に正確にしかも
安定して駆動される。(Function) Two or more light beams generated from a plurality of light source structures of the light source are detected in one detection area, and the detection signal is separated into signal components corresponding to the light beams from each light source structure by the separating means. Since the signals are separated into two and each light source structure is driven in response to the signal component, each light source structure is always driven accurately and stably.
(実施例)
この発明の多重発光装置を備えた情報記録再生装置一実
施例が光ヘッドに適用された場合について説明する。明
らかなように以下の説明においては、光ヘッドに組込ま
れる多重光発生装置について説明されるが、レーザー・
プリンタ装置或いは、光通信装置にも適用可能なことは
、明かである。(Embodiment) A case will be described in which an embodiment of an information recording/reproducing apparatus equipped with a multiple light emitting device of the present invention is applied to an optical head. As is clear, in the following explanation, the multiple light generator incorporated in the optical head will be explained, but the laser
It is obvious that the present invention can also be applied to printer devices or optical communication devices.
この発明の一実施例に係る多重発光装置の光学ヘッド5
においては、第2図に示すようにコリメータ・レンズ及
び投射レンズとしての機能を有する集束レンズ12の光
軸1o上に多重発光装置としての半導体レーザー11が
配置され、しかも集束レンズ12の焦点面に半導体レー
ザー11の光点が位置されている。また、半導体レーザ
ー11に近接してフォーカス及びトラック検出器14が
配置され、第3図に示すようにこの半導体レーザー11
及び検出器14がマウント台2oに固定されている。こ
の半導体レーザ11は、夫々が発光点を有する再生用、
記録用及び消去用の3つのレーザ構造11−1.11−
2.11−3を有し、例えば1つの半導体チップに3つ
のレーザー構造が組込まれて形成され、或いは、個別的
にレーザ構造を有する複数の半導体装置が1つのパッケ
ージに組込まれて作られる。この半導体レーザー11か
らは、発散性のレーザー・ビームla。Optical head 5 of a multiple light emitting device according to an embodiment of the present invention
As shown in FIG. 2, a semiconductor laser 11 as a multiple light emitting device is arranged on the optical axis 1o of a condensing lens 12 which functions as a collimator lens and a projection lens. The light spot of the semiconductor laser 11 is located. Further, a focus and track detector 14 is arranged close to the semiconductor laser 11, and as shown in FIG.
And the detector 14 is fixed to the mount stand 2o. This semiconductor laser 11 has a reproducing laser, each having a light emitting point,
Three laser structures for recording and erasing 11-1.11-
2.11-3, and for example, three laser structures are built into one semiconductor chip, or a plurality of semiconductor devices having individual laser structures are built into one package. A diverging laser beam la is emitted from the semiconductor laser 11.
Lb、Lcが発生されるが、再生モードにおいては、再
生レーザー・ビームlaのみが発生され、記録モードに
おいては、記録、再生及び消去用レーザー・ビームla
、lb、lcが発生され、消去モードでは、再生及び消
去用レーザー・ビームLa、Lb、Lcが発生される。Lb and Lc are generated, but in the reproducing mode, only the reproducing laser beam la is generated, and in the recording mode, the recording, reproducing and erasing laser beam la is generated.
, lb, lc are generated, and in the erase mode, reproducing and erasing laser beams La, Lb, Lc are generated.
ここで、消去ビームLCは、レーザー構造体11−3の
光点前方に設けられたシリンドリカル・レンズ8によっ
て他のレーザー・ビームLa、Lbよりもより発散され
て射出される。このレーザー・ビームl−a。Here, the erasing beam LC is emitted in a more divergent manner than the other laser beams La and Lb by the cylindrical lens 8 provided in front of the light spot of the laser structure 11-3. This laser beam la.
−〇−
しす、l−cは、集束レンズ12を通過してコリメート
・レーザー・ビームに変換され、プリズム13に入射さ
れる。このプリズム13は、集束レンズ12の光軸10
に対して傾いたレーザ・ビーム入射面13Aを有してい
る為、コリメート・レーザー・ビームla、(−b、L
C,がレーザー・ビーム入射面13Aに入射されて屈折
される際に、楕円形状断面を有するレーザー・ビームが
円形状断面を有するレーザー・ビームLa、Lb、Lc
に変換される。このレーザー・ビームLa、Lb。-〇- The laser beam 1-c passes through the focusing lens 12, is converted into a collimated laser beam, and enters the prism 13. This prism 13 is connected to the optical axis 10 of the focusing lens 12.
Since the laser beam incident surface 13A is tilted relative to the collimated laser beam la, (-b, L
C, is incident on the laser beam entrance surface 13A and refracted, the laser beam having an elliptical cross section becomes the laser beam La, Lb, Lc having a circular cross section.
is converted to This laser beam La, Lb.
LCには、プリズム13内を通ってプリズム13の他面
に形成された偏光ビームスブリット面138で反射され
、1/4波長板15を通過して、対物レンズ18によっ
て光メモリ1上に集束される。The LC includes a polarized beam that passes through the prism 13, is reflected by a polarized beam splitting surface 138 formed on the other surface of the prism 13, passes through a quarter-wave plate 15, and is focused onto the optical memory 1 by the objective lens 18. .
光メモリ1上に集束されたレーザー・ビームは、この光
メモリ1から反射され、反射されレーザー・ビームは、
対物レンズ18及び1/4波長板15を通過してプリズ
ム13に導入され、偏光ビームスブリット面13Sに戻
される。ここで、レ−f−−1:’−ムLa、Lb、L
cは、1/4波長板15を往復することにより偏光ビー
ムスブリット面133で反射された際に比べ振動方向が
90度回転されることから、レーザー・ビームLa、L
b、Lcは、1/4波長板15によって直線偏光レーザ
ー・ビームに変換される。従って、偏光ビームスブリッ
ト面138に戻されたレーザー・ビームLa、Lb、L
Gは、この偏光ビームスブリット面13Sを透過し、偏
光ビームスブリット面138に接合されたレーザー・ビ
ームla、lb。The laser beam focused on the optical memory 1 is reflected from this optical memory 1, and the reflected laser beam is
The light passes through the objective lens 18 and the quarter-wave plate 15, is introduced into the prism 13, and is returned to the polarized beam splitting surface 13S. Here, frame-f--1:'-frame La, Lb, L
Since the vibration direction of c is rotated by 90 degrees by reciprocating through the quarter-wave plate 15 compared to when it is reflected by the polarized beam split surface 133, the laser beams La and L
b, Lc are converted into linearly polarized laser beams by a quarter wave plate 15. Therefore, the laser beams La, Lb, L returned to the polarized beam split plane 138
G is the laser beam la, lb which is transmitted through this polarized beam splitting surface 13S and is joined to the polarized beam splitting surface 138.
LCを分割する為のプリズム部材19内に導入される。It is introduced into the prism member 19 for dividing the LC.
このプリズム部材19は、第4図に示すように偏光ビー
ムスブリット面138に非平行で互いに傾きをもって隣
接した第1の全反射面19A及び第2の全反射面19B
を有している。ここで、反射面19A119Bとの境界
線は、光メモリ1上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器14に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に略直角になるように定めら
れている。第1の全反射面19Aは、好ましくは平坦に
形成され、第2の全反射面19Bは、非点収差をレーザ
ー・ビームに与える為に非球面に形成されている。この
第1の全反射面19A及び第2の全反射面19Bで反射
されたレーザ・ビームLa、Lb、Lcは、夫々用1及
び第2のレーザー・ご−ムLa−1,Lb−1,La−
2゜Lb−2,Lc−1+ LC−2に分離されて異な
る方向に向けられ、再び偏向ビームスブリット面13S
を通過して集束レンズ12に入射される。As shown in FIG. 4, this prism member 19 has a first total reflection surface 19A and a second total reflection surface 19B which are non-parallel to the polarized beam splitting surface 138 and are adjacent to each other at an angle.
have. Here, the boundary line with the reflective surface 19A119B is determined to be approximately perpendicular to the direction in which the tracking guide is extended on the optical memory 1 or the direction in which the image of the tracking guide projected on the photodetector 14 is extended. ing. The first total reflection surface 19A is preferably formed flat, and the second total reflection surface 19B is formed an aspheric surface in order to impart astigmatism to the laser beam. The laser beams La, Lb, Lc reflected by the first total reflection surface 19A and the second total reflection surface 19B are transmitted to the first and second laser beams La-1, Lb-1, Lc, respectively. La-
2°Lb-2, Lc-1+LC-2 and directed in different directions, again deflected beam split surface 13S
The light passes through and enters the focusing lens 12.
第1及び第2のレーザー・ビームLa−1゜Lb−1,
La−2,Lb−2,Lc−1゜Lc−2は、この集束
レンズ12で半導体レーザー11に近接して半導体レー
ザー11とともにマウント台20に設けられた光検出器
14に向けられる。光検出器14の光感用領域16A、
16B。First and second laser beams La-1°Lb-1,
La-2, Lb-2, Lc-1°Lc-2 are directed to a photodetector 14 provided on a mount base 20 together with the semiconductor laser 11 in close proximity to the semiconductor laser 11 by this focusing lens 12. a photosensitive area 16A of the photodetector 14;
16B.
17A、17Bは、半導体レーザー1ゴの光点と同様に
集束レンズ12の略焦点面に配置されている。反射面1
9Aで反射されたレーザー・ビームLa−1,Lb−1
は、フォーカス・エラーを検出の為の一対の光感用領域
16A、16Bに集束され、また、反射面19Aで反射
されたレーザー・ビームLc−iは、この一対の光感知
領域16A、16B外に集束される。また、反射面19
Bで反射されたレーザー・ビームLa−2゜Lb−2,
Lc−2の1つは、トラッキングガイドでレーザー・ビ
ームが回折され生じる回折パターンからトラッキング・
エラーを検出する為の一対の光感用領域17A、17B
に集束される。反射面19Bで反射されたレーザー・ビ
ーム1a−2、Lb−2,Lc−2は、非点収差面とし
ての反射面19Bで非点収差が与えられることから、光
感用領域17A、17Bに集束されるレーザー・ビーム
は、光デイスク1上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器14に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に対し、直角に引き伸ばされ
たビーム・スポットが光感用領域17A、17Bに形成
される。17A and 17B are arranged substantially at the focal plane of the focusing lens 12, similar to the light spot of the semiconductor laser 1. Reflective surface 1
Laser beams La-1, Lb-1 reflected at 9A
The laser beam Lc-i is focused on a pair of photosensitive areas 16A and 16B for detecting focus errors, and the laser beam Lc-i reflected by the reflecting surface 19A is focused outside the pair of photosensitive areas 16A and 16B. focused on. In addition, the reflective surface 19
Laser beam La-2°Lb-2 reflected at B,
One of the Lc-2 is to detect tracking from the diffraction pattern generated when the laser beam is diffracted by the tracking guide.
A pair of photosensitive areas 17A and 17B for error detection
focused on. The laser beams 1a-2, Lb-2, and Lc-2 reflected by the reflective surface 19B are given astigmatism by the reflective surface 19B, which serves as an astigmatism surface, so that the laser beams 1a-2, Lb-2, and Lc-2 reach the photosensitive areas 17A and 17B. The focused laser beam has a beam spot stretched at right angles to the direction in which the tracking guide extends on the optical disk 1 or the direction in which the image of the tracking guide projected on the photodetector 14 extends. It is formed in the photosensitive areas 17A and 17B.
対物レンズ18が合焦状態にある場合には、第3図に示
すようにレーザ・ビームl−aは、光検出器14の一対
の光感用領域16A、16B間の光子感知領域16Gに
向けられ、その光年感知領域16C上にビーム・スポッ
トSa1が形成され、対物レンズが非合焦状態にある場
合には、レーザ・ビームlaは、光検出器14の一対の
光感用領域16A、16Bのいずれかに向けられ、その
一対の光感用領域16A、16Bのいずれかにビーム・
スポットSa1が形成される。従って、光検出器14の
感知領域16A、16Bからの信号を処理することによ
って対物レンズ18の状態に対応したフォーカス・エラ
ー信号が発生される。ここで、光検出器14の検出傾1
16B上に投射されたレーザー・ビームLb−1によっ
て生じるビーム・スポットSb1に対応する信号成分は
、同様に後段の処理回路によって処理されてフォーカス
拳エラー信号から除去される。また、対物レンズ18が
所望のトラッキング・ガイドに向けられ、所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
る場合には、光感用領域17A。When the objective lens 18 is in focus, as shown in FIG. and a beam spot Sa1 is formed on the light-year sensing area 16C, and when the objective lens is in an out-of-focus state, the laser beam la is transmitted to the pair of photosensitive areas 16A of the photodetector 14, 16B, and the beam is directed to either of the pair of photosensitive areas 16A, 16B.
A spot Sa1 is formed. Thus, by processing the signals from the sensing areas 16A, 16B of the photodetector 14, a focus error signal corresponding to the state of the objective lens 18 is generated. Here, the detection slope 1 of the photodetector 14 is
The signal component corresponding to the beam spot Sb1 produced by the laser beam Lb-1 projected onto the laser beam Lb-1 projected onto the laser beam Lb-1 is similarly processed by the subsequent processing circuit and removed from the focused fist error signal. Also, when the objective lens 18 is directed toward the desired tracking guide and the desired tracking guide is correctly tracked by the laser beam, the photosensitive area 17A.
17B上に生じるレーザ・ビームLa−2のレーザー・
ビーム・スポット3a2内に等しい面積の回折パターン
が生じ、所望のトラッキング・ガイドが正しくレーザー
・ビームで追跡されていない場合には、光感用領域17
A、17B上に生じる第2のレーザー・ビーム・スポッ
トS82内に異なる面積の回折パターンが生じる。感知
領域17A。Laser beam La-2 generated on 17B
If a diffraction pattern of equal area occurs in the beam spot 3a2 and the desired tracking guide is not correctly tracked by the laser beam, the photosensitive area 17
Diffraction patterns of different areas occur within the second laser beam spot S82 occurring on A, 17B. Sensing area 17A.
17Bからの信号を処理することによって所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
るか否かを意味するトラック・エラー信号が発生される
。By processing the signal from 17B, a tracking error signal is generated indicating whether or not the desired tracking guide is being correctly tracked by the laser beam.
また、光検出領域16A、16B、17A。Moreover, photodetection areas 16A, 16B, and 17A.
17Bからの信号が加算されて情報が再生される。The signals from 17B are added together to reproduce the information.
マウント台20は、第2図及び第3図に示すようにその
外形が矢印工の方向に回転可能に円筒形に形成され、集
束レンズ12の光軸にマウント台20の回転中心が一致
され、従って、半導体レーザー11の発光点は、マウン
ト20の回転中心に位置されている。これによりマウン
ト20が回転されても、半導体レーザー11から発生さ
れたし一ザー・ビームは、常に一定の光軸に沿った光路
中を進行される。このマウント20が回転方向■に沿っ
て回転される場合には、焦点ぼけ検出用感知領域16A
、16Bがこの方向に回転される。As shown in FIGS. 2 and 3, the mount 20 has a cylindrical outer shape rotatable in the direction of the arrow, and the center of rotation of the mount 20 is aligned with the optical axis of the focusing lens 12. Therefore, the light emitting point of the semiconductor laser 11 is located at the rotation center of the mount 20. As a result, even if the mount 20 is rotated, the laser beam generated from the semiconductor laser 11 always travels along an optical path along a constant optical axis. When this mount 20 is rotated along the rotation direction (1), the sensing area 16A for defocus detection
, 16B are rotated in this direction.
焦点ぼけに応じて光感知領域16A、16B上をビーム
・スポットが実質的にマウント台20の円周方向に沿っ
た方向に移動されることから、光学ヘッド5の組立て調
整時には、対物レンズ18を合焦状態に維持しながら、
このマウント台20を回転して光感用領域16A、16
B間の光子感知領域16Gにビーム・スポットを形成さ
せることによって焦点検出に関する光学系を容易に調整
することができる。また、トラッキング・ガイド検出す
る光学系の調整に関しては、対物レンズ18が合焦状態
に維持されながら、偏光プリズム13が傾動されてトラ
ッキング・ガイド検出用光感用領域17A、17B間の
光子感知領域17Gを中心として光感用領域17A、1
7B上にトラッキング・ガイド検出用検出用のビーム・
スポットが形成されるように偏光プリズム13の配置が
調整される。第5図に示すように好ましくは、マウント
20上に焦点ぼけ検出用検知領域16A、16B及びト
ラッキング・ガイド検出用光検知領域17A、17Bが
夫々マウント20の半径方向に配置される。マウント2
0が回転可能であり、半導体レーザー11の発光点がマ
ウント20の回転中心に位置されていることから、光学
系を容易に調整することができる。なお、光学系の調整
を容易にする為に、マウント20及び集束レンズ12が
一体的に回転可能に鏡筒(図示せず)に支持されている
。Since the beam spot is moved substantially along the circumferential direction of the mount table 20 on the light sensing areas 16A and 16B depending on the defocus, the objective lens 18 must be moved when assembling and adjusting the optical head 5. While maintaining focus,
This mount base 20 is rotated so that the photosensitive areas 16A, 16
By forming a beam spot in the photon sensing region 16G between B, the optical system related to focus detection can be easily adjusted. Regarding the adjustment of the optical system for tracking and guide detection, the polarizing prism 13 is tilted while the objective lens 18 is maintained in a focused state to create a photon sensing area between the tracking and guide detection photosensitive areas 17A and 17B. Photosensitive areas 17A, 1 centered on 17G
7B has a detection beam for tracking and guide detection.
The arrangement of the polarizing prism 13 is adjusted so that a spot is formed. As shown in FIG. 5, preferably, defocus detection detection regions 16A, 16B and tracking guide detection light detection regions 17A, 17B are arranged on the mount 20 in the radial direction of the mount 20, respectively. mount 2
0 is rotatable and the light emitting point of the semiconductor laser 11 is located at the rotation center of the mount 20, so the optical system can be easily adjusted. In order to facilitate adjustment of the optical system, the mount 20 and the focusing lens 12 are integrally and rotatably supported by a lens barrel (not shown).
第2図に示されるような光学系は、第5図に示すように
一体的にヘッド・フレーム28に支持されている。検出
器14及び半導体レーザー11が支持されたマウント2
0は、ヘッド・フレーム28にねじ27−1.27−2
によって固定され、更にマウント20とヘッド・フレー
ム28とは、半導体素子の耐環性の保護の為に、ハーメ
チック・シール29でシールされている。第5図に示さ
れるヘッド構造によれば、ヘッドの小形軽量化を図るこ
とができる。尚、第5図に示された光学系においては、
第2図に示される集束レンズ12が除去され、対物レン
ズが18が非球面レンズに置換えられている。The optical system as shown in FIG. 2 is integrally supported by a head frame 28 as shown in FIG. Mount 2 supporting detector 14 and semiconductor laser 11
0 is the screw 27-1.27-2 on the head frame 28.
The mount 20 and the head frame 28 are further sealed with a hermetic seal 29 to protect the semiconductor element against ringing. According to the head structure shown in FIG. 5, the head can be made smaller and lighter. In addition, in the optical system shown in FIG.
The focusing lens 12 shown in FIG. 2 has been removed and the objective lens 18 has been replaced with an aspherical lens.
尚、上述した実施例において、プリズム13は、集束レ
ンズ12の光軸10に対して傾いたレーザー・ビーム入
射面13Aを有している。従って、コリメート・レーザ
ー・ビームがレーザー・ビーム入射面13Aに入射され
て屈折される際に、楕円形状断面を有するレーザ・ビー
ムが円形状断面を有するレーザ・ビームに変換される。In the embodiment described above, the prism 13 has a laser beam entrance surface 13A that is inclined with respect to the optical axis 10 of the focusing lens 12. Therefore, when the collimated laser beam is incident on the laser beam entrance surface 13A and is refracted, the laser beam having an elliptical cross section is converted into a laser beam having a circular cross section.
また、プリズム13の反射面で反射され、集束レンズ1
2に向けられるレーザー・ビームが屈折面としての面1
3Aで屈折され、再び、そのビーム断面形状が変えられ
、実質的にその径が拡大される。ビーム径が拡大される
ことによって光学系の結像倍率が大きくなり、焦点ぼけ
即ち、フォーカス・エラー検出感度を向上させることが
できる。特に第2図に示されるナイフ・エツジ法を採用
した光学系においては、焦点ぼけ量に応じて偏向される
方向にレーザー・ビームが引き伸ばされることによって
焦点ぼけ量に応じて偏向されるレーザー・ビームの偏向
される感度が向上され、焦点ぼけ検出感度が向上される
。Also, it is reflected by the reflective surface of the prism 13, and the condensing lens 1
2, the laser beam directed to surface 1 serves as a refractive surface.
3A, again changing its beam cross-sectional shape and substantially enlarging its diameter. By enlarging the beam diameter, the imaging magnification of the optical system increases, and the sensitivity for detecting defocus, that is, focus error, can be improved. In particular, in an optical system that employs the knife-edge method shown in Figure 2, the laser beam is stretched in a direction that is deflected according to the amount of defocus, so that the laser beam is deflected according to the amount of defocus. The sensitivity to deflection is improved, and the defocus detection sensitivity is improved.
第1図及び第6図から第9図を参照してこの発明の一実
施例に係る複数のレーザー構造を備えた半導体レーザー
を附勢する装置を説明する。半導体レーザー11は、既
に説明したように第6図及び第7図に示されるようなマ
ウント台20の半円柱ベース部2OAの段部平坦面22
上に載置固定され、この半導体レーザー11の背面から
離間されて半円柱ベース部20Aの平坦面22上には、
この半導体レーザー11の第1、第2及び第3のレーザ
ー構造11−1.11−2.11−3の背面から発生さ
れる再生、記録及び消去レーザー・ビームをモニターす
る為の1つの光感知領域24Aを備えたモニター用光検
出器24が載置固定されている。An apparatus for energizing a semiconductor laser having a plurality of laser structures according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 6 to 9. FIG. As already explained, the semiconductor laser 11 is mounted on the stepped flat surface 22 of the semi-cylindrical base portion 2OA of the mount table 20 as shown in FIGS. 6 and 7.
On the flat surface 22 of the semi-cylindrical base portion 20A, which is placed and fixed on the semi-cylindrical base portion 20A and is spaced from the back surface of the semiconductor laser 11,
one optical sensor for monitoring the read, record and erase laser beams generated from the back side of the first, second and third laser structures 11-1.11-2.11-3 of this semiconductor laser 11; A monitoring photodetector 24 having a region 24A is mounted and fixed.
半導体レーザー11は、2つのレーザー構造を組込んだ
構造を有し、その光点間の間隔が通常3〜i oooμ
mの範囲に定められている。好ましくは、半導体レーザ
ー11の隣接する光点間の間隔が通常3〜160μmの
範囲に定められ、より好ましくは、半導体レーザー70
の光点間の間隔が通常30〜60μmの範囲に定められ
ている。The semiconductor laser 11 has a structure incorporating two laser structures, and the interval between the light spots is usually 3 to i oooμ
It is set within the range of m. Preferably, the interval between adjacent light spots of the semiconductor laser 11 is usually set in a range of 3 to 160 μm, and more preferably, the distance between adjacent light spots of the semiconductor laser 70
The distance between the light spots is usually set in the range of 30 to 60 μm.
上述のような値に定められる理由は、その下限である光
点間の間隔が通常3μm或いは、3〜4μmでは、隣接
する半導体レーザー構造11−1.11−2間で電気的
なりロストークが生じた場合、その電気的クロストーク
を抑制することが困難であり、また、光学系の光軸10
に一方の光点のみを一致することが困難であるからであ
る。また、その上限である光点間の間隔が1000μm
以上になると、光デイスク1上に形成されるビーム・ス
ポット間の間隔が大きくなり、ビーム・スポットが同時
にトラッキング・ガイドによってガイドされない虞れが
ある。更に、160μmの上限値は、光デイスク1上に
形成されるビーム・スポットの径が1μmとなるように
集束レンズ12の有効視野及び光学系の結像倍率が考慮
された際における限界値として定められる。The reason why the above value is set is that when the lower limit of the distance between the light spots is usually 3 μm or 3 to 4 μm, electrical losstalk occurs between adjacent semiconductor laser structures 11-1 and 11-2. In this case, it is difficult to suppress the electrical crosstalk, and the optical axis 10 of the optical system
This is because it is difficult to match only one light spot. In addition, the upper limit of the interval between light spots is 1000 μm.
In this case, the distance between the beam spots formed on the optical disk 1 becomes large, and there is a possibility that the beam spots will not be guided by the tracking guide at the same time. Furthermore, the upper limit of 160 μm is determined as a limit value when the effective field of view of the focusing lens 12 and the imaging magnification of the optical system are taken into consideration so that the diameter of the beam spot formed on the optical disk 1 is 1 μm. It will be done.
上述したような点を種々考慮すると、最も好ましい範囲
は、30〜60μmの範囲に定められている。Considering various points such as those mentioned above, the most preferable range is determined to be in the range of 30 to 60 μm.
このようなレーザー装置においては、複数のレーザー構
造が作動され、その構造から発生されたレーザー・ビー
ムがモニターされる場合には、レーザー構造体からの複
数のレーザー・ビームが1つの光感知領域24Aで検出
されるが、この光感知領域からの検出信号は、第8図に
示すような信号分離回路80によって再生、記録及び消
去レーザー・ビームに対応した信号成分に分離され、こ
の分離された再生、記録及び消去信号成分に基づいて半
導体レーザー11がレーザー駆動回路85によって附勢
される。第1図に示すように電源電圧CCには、モニタ
ー用光検出器24の光感知領域24A及び半導体レーザ
ー11の第1、第2及び第3のレーザー構造11−1.
11−2.11−3が接続され、第1のレーザー構造1
1−1は、第1のトランジスタ32のコレクタに接続さ
れ、また、第2のレーザー構造11−1は、第2のトラ
ンジスタ33のコレクタに接続され、このトランジスタ
32.33のエミッタが抵抗34.35を介して接地さ
れ、第3のレーザー構造11−3は、第3のトランジス
タ36のコレクタに接続され、このトランジスタ36の
エミッタが抵抗37を介して接地されている。これらト
ランジスタ32.33.36のベースは、夫々再生光制
御回路81、記録光制御回路82、及び消去光制御回路
83に接続されている。また、光感知領域24Aは、プ
リアンプ35を介して信号分離回路80に接続され、こ
の回路80が再生光制御回路81、記録光制御回路82
、及び消去光制御回路83に接続されている。従って、
信号分離回路80によって分離された再生、記録及び消
去信号成分に基づいて再生光制御回路81、記録光制御
回路82、及び消去光制御回路83から夫々再生、記録
及び消去ベース電圧が発生され、このベース電圧に基づ
いて各トランジスタ32.33.34の内部インピーダ
ンスが決定される。その結果、半導体レーザー11の第
1、第2及び第3のレーザー構造11−1.11−2.
11−3から発生されるレーザー・ビームが正確に制御
される。In such a laser device, when multiple laser structures are activated and the laser beams generated from the structures are monitored, the multiple laser beams from the laser structures are directed to one photosensitive area 24A. The detection signal from this photosensitive area is separated into signal components corresponding to the reproduction, recording and erasing laser beams by a signal separation circuit 80 as shown in FIG. , the semiconductor laser 11 is energized by the laser drive circuit 85 based on the recording and erasing signal components. As shown in FIG. 1, the power supply voltage CC is applied to the photosensitive area 24A of the monitoring photodetector 24 and the first, second and third laser structures 11-1.
11-2.11-3 is connected to the first laser structure 1
1-1 is connected to the collector of the first transistor 32, and the second laser structure 11-1 is connected to the collector of the second transistor 33, the emitter of which is connected to the resistor 34. The third laser structure 11-3 is connected to the collector of a third transistor 36, the emitter of which is connected to ground via a resistor 37. The bases of these transistors 32, 33, and 36 are connected to a reproduction light control circuit 81, a recording light control circuit 82, and an erasing light control circuit 83, respectively. Further, the light sensing area 24A is connected to a signal separation circuit 80 via a preamplifier 35, and this circuit 80 is connected to a reproduction light control circuit 81 and a recording light control circuit 82.
, and the erase light control circuit 83. Therefore,
Based on the reproduction, recording and erasing signal components separated by the signal separation circuit 80, reproduction, recording and erasing base voltages are generated from the reproduction light control circuit 81, the recording light control circuit 82 and the erasing light control circuit 83, respectively. The internal impedance of each transistor 32, 33, 34 is determined based on the base voltage. As a result, the first, second and third laser structures 11-1, 11-2.
The laser beam generated from 11-3 is precisely controlled.
第8図に示される回路は、具体的には、第1図に示され
るような回路で構成される。この回路構成においては、
信号分離回路84がバンドパス・フィルタ40.ボトム
・レベル検出回路41、マスキング回路50、サンプル
・ホールド回路54、消去光発光タイミング回路51、
減算回路60、減算回路51及びインバータ回路87か
ら構成され、記録光分離回路84がバンドパス・フィル
タ40、ボトム・レベル検出回路41から構成され、記
録光制御回路82がピークレベル検出回路42、第2の
ボトムレベル検出回路43、減算回路44、基準電圧発
生回路45、記録用ベース電圧発生回路46、記録信号
発生回路47、及び変調回路48で構成され、再生光制
御回路81が基準電圧発生回路56、再生用ベース電圧
発生回路55で構成され、また消去光制御回路83が基
準電圧発生回路62、記録用ベース電圧発生回路66及
スイツチング回路64で構成されいる。即ち、レーザー
駆動回路85のトランジスタ33.36のベースは、夫
々CPU38からのコマンド信号によってオン・オフさ
れるアナログ・スイッチ装置37のアナログ・スイッチ
37−1.37−2゜37−3に接続されている。光感
知領域24Aは、プリアンプ35を介して記録信号発生
回路45から発生される記録信号に対応した成分を取出
す為にこの記録信号と略同−周波数の検出信号成分を通
すバンドパス・フィルタ40及び信号のボトムレベルの
みを検出する第1のボトムレベル検出回路41に接続さ
れ、バンドパス・フィルタ40は、また記録信号に対応
した検出信号のピーク・レベルを検出するピークレベル
検出回路42及び記録信号に対応した検出信号のボトム
・レベルを検出する第2のボトムレベル検出回路43に
接続されている。このピークレベル検出回路42及び第
2のボトムレベル検出回路43は、ピーク・レベルとボ
トム・レベルとの差を得る為に減算回路44に接続され
、この減算回路44は、更に、基準電圧信号発生回路4
5に接続された適切なベース電圧を発生するベース電圧
発生回路46に接続され、このベース電圧発生回路46
は、記録信号発生回路47が接続され、この回路から発
生された記録信号でベース電圧を変調する変調回路48
に接続されている。このスイッチング回路48は、アナ
ログ・スイッチ37−1に接続されている。第2のボト
ム・レベル検出回路41は、消去光発光タイミング回路
51が接続され、消去時に検出信号をマスキングするマ
スキング回路50に接続され、このマスキング回路50
の出力側は、ボトム・レベルをサンプル・ホールドする
サンプル・ホールド回路54に接続され、このサンプル
・ホールド回路54は、消去時に第2のボトム・レベル
検出回路41からの信号からサンプル・ホールドされた
再生光成分に対応するボトム・レベルの信号を減算する
減算回路60に接続されている。サンプルホールド回路
54は、更に基準電圧発生回路56に接続された適切な
レベルを有する記録用ベース電圧を発生するベース電圧
発生回路55に接続され、このベース電圧発生回路55
がアナログ・スイッチ37−2に接続されている。また
、減算回路60は、基準信号発生回路62が接続されて
いる消去用ベース電圧発生回路66に接続され、この消
去用ベース信号発生回路62は、消去光発光タイミング
回路51にインバータ回路87を介して接続され、消去
用ベース電圧を発生する消去用ベース電圧発生回路64
に接続され、このベース電圧発生回路64が第3のアナ
ログ・スイッチ37−3に接続されている。The circuit shown in FIG. 8 is specifically constructed of the circuit shown in FIG. In this circuit configuration,
The signal separation circuit 84 is a bandpass filter 40 . bottom level detection circuit 41, masking circuit 50, sample/hold circuit 54, erase light emission timing circuit 51,
The recording light separation circuit 84 is composed of a bandpass filter 40 and a bottom level detection circuit 41, and the recording light control circuit 82 is composed of a peak level detection circuit 42 and a bottom level detection circuit 41. 2 bottom level detection circuit 43, subtraction circuit 44, reference voltage generation circuit 45, recording base voltage generation circuit 46, recording signal generation circuit 47, and modulation circuit 48, and the reproduction light control circuit 81 is the reference voltage generation circuit. 56, a reproduction base voltage generation circuit 55, and an erase light control circuit 83 consisting of a reference voltage generation circuit 62, a recording base voltage generation circuit 66, and a switching circuit 64. That is, the bases of the transistors 33, 36 of the laser drive circuit 85 are connected to analog switches 37-1, 37-2, 37-3 of the analog switch device 37, which are turned on and off by command signals from the CPU 38, respectively. ing. The photo-sensing area 24A includes a band-pass filter 40 that passes a detection signal component having approximately the same frequency as that of the recording signal in order to extract a component corresponding to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 45 via the preamplifier 35; The bandpass filter 40 is connected to a first bottom level detection circuit 41 that detects only the bottom level of the signal, and also connects to a peak level detection circuit 42 that detects the peak level of the detection signal corresponding to the recording signal and the recording signal. It is connected to a second bottom level detection circuit 43 that detects the bottom level of the detection signal corresponding to . The peak level detection circuit 42 and the second bottom level detection circuit 43 are connected to a subtraction circuit 44 in order to obtain the difference between the peak level and the bottom level. circuit 4
The base voltage generating circuit 46 is connected to a base voltage generating circuit 46 that generates an appropriate base voltage connected to the
is a modulation circuit 48 to which the recording signal generation circuit 47 is connected and which modulates the base voltage with the recording signal generated from this circuit.
It is connected to the. This switching circuit 48 is connected to the analog switch 37-1. The second bottom level detection circuit 41 is connected to an erasing light emission timing circuit 51 and is connected to a masking circuit 50 that masks a detection signal during erasing.
The output side of is connected to a sample and hold circuit 54 that samples and holds the bottom level, and this sample and hold circuit 54 samples and holds the signal from the second bottom level detection circuit 41 at the time of erasing. It is connected to a subtraction circuit 60 that subtracts a bottom level signal corresponding to the reproduced light component. The sample and hold circuit 54 is further connected to a base voltage generation circuit 55 which generates a base voltage for recording having an appropriate level and which is connected to a reference voltage generation circuit 56.
is connected to analog switch 37-2. Further, the subtraction circuit 60 is connected to an erasure base voltage generation circuit 66 to which a reference signal generation circuit 62 is connected, and this erasure base signal generation circuit 62 is connected to the erasure light emission timing circuit 51 via an inverter circuit 87. an erase base voltage generation circuit 64 that is connected to
The base voltage generating circuit 64 is connected to the third analog switch 37-3.
このような回路構成では、再生モード時にCPU38か
ら発生される再生モード信号に応じて第2のアナログ・
スイッチ37−1が閉成される。従って、基準電圧発生
器45から発生された基準電圧に応じてベース電圧発生
回路55から発生されたベース電圧信号が第2のアナロ
グ・スイッチ37−2を介して第2のトランジスタ33
のベースに印加される。その結果、第2のトランジスタ
33が導通してレーザー構造11−1が作動され、低レ
ベルの再生用レーザー・ビームのみがこのレーザー構造
11−1から発生される。半導体レーザー11の正面か
ら発生された再生レーザー・ビームは、光ディスク1に
向けられ、その背面から発生された再生用レーザー・ビ
ームは、光検出器24の光感知領域24Aに入射される
。再生モードにおいては、この再生用レーザービームが
光感知領域24Aによって検出信号に変換され、この検
出信号がプリアンプ35Aによって増幅されてボトムレ
ベル検出回路41によってそのボトム信号が検出される
。ここで、再生レーザー・ビームは、一定レベルで発生
されることから光感知領域24Aからの検出信号も一定
レベルであり、従ってボトムレベル検出回路41からは
、その一定レベルのボトム信号が検出される。再生モー
ドでは、消去光発光タイミング回路51がら消去タイミ
ング信号が発生されていない為マスキング回路50が不
作動に維持されている。従って、このボトム信号は、マ
スキング回路50を介してサンプル・ホールド回路54
に供給され、サンプルホールドされる。このサンプル・
ホールド回路54では、ボトム信号が更新される毎に更
新されたレベルがサンプル・ホールドされる。このサン
プルホールドされたボトム信号は、再生用ベース電圧発
生回路55で信号と比較され、比較結果に基づいてこの
ベース信号発生回路55がらフィードバック制御された
ベース電圧信号が発生される。このフィードバック制御
されたベース電圧信号がトランジスタ33のベースに印
加されると、レーザー構造11−1から発生される再生
用レーザー・ビームが一定に維持されるようにトランジ
スタ33の内部インピーダンスが変化される。In such a circuit configuration, the second analog signal is output in response to the reproduction mode signal generated from the CPU 38 during the reproduction mode.
Switch 37-1 is closed. Therefore, the base voltage signal generated from the base voltage generation circuit 55 in accordance with the reference voltage generated from the reference voltage generator 45 is applied to the second transistor 33 via the second analog switch 37-2.
applied to the base of As a result, the second transistor 33 becomes conductive, activating the laser structure 11-1, and only a low level reproduction laser beam is generated from the laser structure 11-1. A reproduction laser beam generated from the front side of the semiconductor laser 11 is directed toward the optical disk 1, and a reproduction laser beam generated from the rear side thereof is incident on the photosensitive area 24A of the photodetector 24. In the reproduction mode, this reproduction laser beam is converted into a detection signal by the photo-sensing region 24A, this detection signal is amplified by the preamplifier 35A, and the bottom signal is detected by the bottom level detection circuit 41. Here, since the reproduction laser beam is generated at a constant level, the detection signal from the photosensitive area 24A is also at a constant level, and therefore, the bottom level detection circuit 41 detects the bottom signal at the constant level. . In the reproduction mode, the erasing light emission timing circuit 51 does not generate an erasing timing signal, so the masking circuit 50 remains inactive. Therefore, this bottom signal is passed through the masking circuit 50 to the sample and hold circuit 54.
sample and hold. This sample
The hold circuit 54 samples and holds the updated level every time the bottom signal is updated. This sampled and held bottom signal is compared with a signal in a reproduction base voltage generation circuit 55, and based on the comparison result, a feedback-controlled base voltage signal is generated from the base signal generation circuit 55. When this feedback controlled base voltage signal is applied to the base of transistor 33, the internal impedance of transistor 33 is changed such that the regenerative laser beam generated from laser structure 11-1 is maintained constant. .
記録モードでは、CPU38から発生される記録モード
信号に応じて第1及び第2のアナログ・スイッチ37−
1.37−2が閉成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路47から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路45から発生され、
減算回路46を介して記録用ベース電圧信号発生器48
に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変調さ
れたベース電圧信号がアナログ・スイッチ37−1を介
してトランジスタ32のベースに印加される。その結果
、変調されたベース信号に応じてトランジスタ32の内
部インピーダンスが変化し、レーザー構造11−1に供
給される電流がパルス的に変化される。従って、レーザ
ー構造11−1.11−2からは、再生用レーザー・ビ
ーム及び強度変調されている記録用レーザー・ビームが
発生される。この記録用レーザー・ビームは、再生モー
ドと同様に光検知器24の光感知領域24Aで検出され
、検知信号に変換される。In the recording mode, the first and second analog switches 37-
1.37-2 is closed. Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for recording is also generated. That is, the reference voltage signal is generated from the reference voltage signal generation circuit 45 in response to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 47,
Recording base voltage signal generator 48 via subtraction circuit 46
The reference voltage supplied to is modulated with the recording signal, and the modulated base voltage signal is applied to the base of transistor 32 via analog switch 37-1. As a result, the internal impedance of the transistor 32 changes in response to the modulated base signal, and the current supplied to the laser structure 11-1 changes in a pulsed manner. Therefore, a reproduction laser beam and an intensity-modulated recording laser beam are generated from the laser structures 11-1 and 11-2. This recording laser beam is detected by the photosensitive area 24A of the photodetector 24, as in the playback mode, and converted into a detection signal.
この検知信号は、プリアンプ35を介してバンドパスフ
ィルター40及びボトムレベル検出回路41に供給され
る。ボトムレベル検出回路41に供給された検出信号は
、ボトムレベルが検出さ゛れて記録用信号に対応する成
分が除去される。検出信号から抽出されたこのボトム信
号は、既に説明した再生モードの場合と同様に処理され
、再生用ベース電圧が一定に維持される。バンドパス・
フィ26一
ルター40に供給された検出信号は、記録信号に対応す
る変調周波数成分のみが取出され、再生用ベース電圧信
号に対応する成分が除去される。バンドパス・フィルタ
ー40を通過した検出信号は、ピークレベル検出回路4
2でそのピーク・レベルが検出されるとともにボトムレ
ベル検出回路43でそのボトムレベルが検出される。こ
の検出されたピーク・レベル及びボトム・レベルとの差
が減算回路44から発生される。このレベル差信号がベ
ース電圧発生回路46で基準電圧信号と比較され、記録
用レーザー・ビームのピークレベルを決定する一定のピ
ーク・レベルを有する記録用ベース電圧信号がベース電
圧発生回路46から発生される。この記録用ベース信号
が記録信号に応じて変調回路48に変調されて変調され
たベース電圧信号が発生される。記録レーザー・ビーム
は、モニターされ、このモニター出力からトランジスタ
32のベースに与えるベース電圧信号のピーク・レベル
が常に一定に維持されていることから、レーザーtI!
4造11−2から発生されるレーザー・ビームのピーク
・レベルが一定に維持される。This detection signal is supplied to a bandpass filter 40 and a bottom level detection circuit 41 via a preamplifier 35. The bottom level of the detection signal supplied to the bottom level detection circuit 41 is detected and the component corresponding to the recording signal is removed. This bottom signal extracted from the detection signal is processed in the same manner as in the reproduction mode described above, and the reproduction base voltage is maintained constant. Bandpass・
From the detection signal supplied to the filter 26 - filter 40, only the modulation frequency component corresponding to the recording signal is extracted, and the component corresponding to the reproduction base voltage signal is removed. The detection signal that has passed through the bandpass filter 40 is sent to a peak level detection circuit 4.
At step 2, the peak level is detected, and at the same time, at the bottom level detection circuit 43, the bottom level is detected. The difference between the detected peak level and bottom level is generated from the subtraction circuit 44. This level difference signal is compared with a reference voltage signal in the base voltage generation circuit 46, and a recording base voltage signal having a constant peak level that determines the peak level of the recording laser beam is generated from the base voltage generation circuit 46. Ru. This recording base signal is modulated by a modulation circuit 48 in accordance with the recording signal to generate a modulated base voltage signal. Since the recording laser beam is monitored and the peak level of the base voltage signal applied from this monitor output to the base of transistor 32 is always maintained constant, the laser tI!
The peak level of the laser beam generated from the fourth structure 11-2 is maintained constant.
消去モードにおいては、CPU38から発生される消去
モード信号に応じて第2及び第3のアナログ・スイッチ
37−2.37−3が閉成される従って、既に述べた再
生モードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されると
ともにこの電圧信号に加えて消去用ベース電圧信号が発
生される。即ち、消去光発光タイミング信号発生回路5
1から発生された消去タイミング信号でマスキング回路
5oが作動されるとともにスイッチング回路64が作動
されて消去用ベース電圧発生回路66がアナログスイッ
チ37−3に接続される。従って、基準信号発生回路6
2から発生され、消去用ベース電圧信号発生器66に供
給された基準電圧は、このスイッチング回路64及びア
ナログ・スイッチ37−3を介してトランジスタ36の
ベースに印加される。その結果、消去用ベース電圧信号
によってトランジスタ32が作動され、レーザー構造1
1−3に消去用電流が供給される。ここで、トランジス
タ33のベースには、再生用のベース電圧信号もまた印
加されていることから、このトランジスタ33も作動さ
れる。従って、レーザー構造11−1からは、再生用レ
ーザー・ビームが発生されるとともにレーザー構造11
−3からは、消去用レーザー・ビームが発生される。こ
の再生用及び消去用レーザー・ビームは、光検知器24
の光感用領域24Aで検出される。感知領域24Aから
の検知信号は、プリアンプ35Aを介してボトムレベル
検出回路41に供給される。ボトムレベル検出回路41
に供給された検出信号は、ボトムレベルが検出されてマ
スキング回路50に供給される。ここで、このマスキン
グ回路50は、作動状態に消去光発光タイミング信号発
生回路51からのタイミング信号で維持されていること
からマスクされる。従って、消去モードでは、消去光発
光タイミング信号発生回路51から発生される消去タイ
ミング信号が発生される前の再生用レーザー・ビームを
検出してサンプル・ホールド回路54でサンプル・ホー
ルドされた信号レベルで再生用ベース電圧信号が決定さ
れる。消去モードにおいても記録用レーザー・ビームが
発生される場合にあっても検出信号中に含まれる記録信
号レベルは、このボトムレベル検出回路41で除去され
る。ボトムレベル検出回路41からのボトム信号には、
再生光成分がノイズとして含まれるが、この再生光成分
は、サンプル・ホールド回路54でサンプル・ホールド
された再生用のボトム検出信号に相当し、従って、サン
プル・ホールド回路54からの信号及びボトム検出回路
41からのボトム検出信号が減算回路60に供給される
ことによってボトム信号に含まれるノイズとしての再生
光成分がボトム検出信号から除去される。ノイズが除去
された再生用ボトム検出信号が消去用ベース発生回路6
6に供給され、このボトム検出信号と基準信号とが消去
用ベース発生回路66で比較されて消去用ベース電圧信
号が発生される。従って、レーザー構造11−3から発
生される消去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持
される。In the erase mode, the second and third analog switches 37-2 and 37-3 are closed in response to the erase mode signal generated from the CPU 38. Therefore, as in the playback mode described above, the playback base is closed. A voltage signal is generated, and in addition to this voltage signal, an erase base voltage signal is generated. That is, the erase light emission timing signal generation circuit 5
The masking circuit 5o is activated by the erase timing signal generated from the erase timing signal 1, and the switching circuit 64 is also activated to connect the erase base voltage generating circuit 66 to the analog switch 37-3. Therefore, the reference signal generation circuit 6
2 and supplied to the erase base voltage signal generator 66 is applied to the base of the transistor 36 via this switching circuit 64 and the analog switch 37-3. As a result, the erasing base voltage signal activates transistor 32 and laser structure 1
An erasing current is supplied to 1-3. Here, since the base voltage signal for reproduction is also applied to the base of the transistor 33, this transistor 33 is also activated. Therefore, a reproducing laser beam is generated from the laser structure 11-1, and the laser structure 11-1 also generates a reproduction laser beam.
-3, an erasing laser beam is generated. This regeneration and erasure laser beam is transmitted to a photodetector 24.
is detected in the photosensitive area 24A. The detection signal from the sensing region 24A is supplied to the bottom level detection circuit 41 via the preamplifier 35A. Bottom level detection circuit 41
The bottom level of the detection signal supplied to the masking circuit 50 is detected and supplied to the masking circuit 50 . Here, the masking circuit 50 is masked because it is maintained in an activated state by the timing signal from the erasing light emission timing signal generation circuit 51. Therefore, in the erase mode, the reproduction laser beam is detected before the erase timing signal generated by the erase light emission timing signal generation circuit 51 is generated, and the signal level is sampled and held by the sample and hold circuit 54. A base voltage signal for reproduction is determined. Even when a recording laser beam is generated in the erase mode, the recording signal level included in the detection signal is removed by the bottom level detection circuit 41. The bottom signal from the bottom level detection circuit 41 includes:
Although the reproduced light component is included as noise, this reproduced light component corresponds to the bottom detection signal for reproduction sampled and held by the sample and hold circuit 54, and therefore, the signal from the sample and hold circuit 54 and the bottom detection signal are sampled and held by the sample and hold circuit 54. By supplying the bottom detection signal from the circuit 41 to the subtraction circuit 60, the reproduced light component as noise contained in the bottom signal is removed from the bottom detection signal. The base generation circuit 6 generates a bottom detection signal for reproduction from which noise has been removed.
6, this bottom detection signal and the reference signal are compared in an erasing base generation circuit 66 to generate an erasing base voltage signal. Therefore, the level of the erasing laser beam generated from laser structure 11-3 is maintained constant.
第1図に示される回路は、第9図に示すように変形され
ても良い。第9図において第1図に示したと同様の回路
構成要素は、同一の符号を付してその説明を省略する。The circuit shown in FIG. 1 may be modified as shown in FIG. In FIG. 9, circuit components similar to those shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and their explanations are omitted.
第9図に示される回路においては、信号分離回路80が
ピーク・レベル検出回路42、マスキング回路50−1
.50−2、サンプルホールド回路54−1.54−2
、ボトム・レベル検出回路41、M準電圧発生回路88
、減算回路60、記録信号発生回路47及び消去信号発
生回路51及びインバータ回路87−1゜87−2から
構成される。従って、再生モード時にCPU38から発
生される再生モード信号に応じて第2のアナログ・スイ
ッチ37−1が閉成され、ベース電圧発生回路55から
発生されたベース電圧信号が第2のトランジスタ33の
ベースに印加されて再生用レーザー構造11−1から再
生用レーザー・ビームのみが発生され、第1の光感用領
域24Aで検知される。再生モードにおいては、記録信
号発生回路47からハイレベルの記録信号が発生されて
いないことから不作動状態に維持されている第1のマス
キング回路50−2を介して光感用領域24Aからの検
出信号が第1のサンプル・ホールド回路54−2に供給
され、サンプル・ホールドされる。このサンプル・ホー
ルドされた検出信号は、再生用ベース電圧発生回路55
で信号と比較され、比較結果に基づいてこのベース信号
発生回路55からフィードバック制御されたベース電圧
信号が発生される。このフィードバック制御されたベー
ス電圧信号がトランジスタ33のベースに印加されると
、レーザー構造11−1から発生される再生用レーザー
・ビームが一定に維持される。In the circuit shown in FIG. 9, the signal separation circuit 80 includes the peak level detection circuit 42 and the masking circuit 50-1.
.. 50-2, sample hold circuit 54-1.54-2
, bottom level detection circuit 41, M quasi-voltage generation circuit 88
, a subtraction circuit 60, a recording signal generation circuit 47, an erase signal generation circuit 51, and inverter circuits 87-1 and 87-2. Therefore, the second analog switch 37-1 is closed in response to the reproduction mode signal generated from the CPU 38 during the reproduction mode, and the base voltage signal generated from the base voltage generation circuit 55 is applied to the base of the second transistor 33. is applied to generate only a reproducing laser beam from the reproducing laser structure 11-1, which is detected in the first photosensitive area 24A. In the reproduction mode, since no high-level recording signal is generated from the recording signal generation circuit 47, detection from the photosensitive area 24A is performed via the first masking circuit 50-2, which is maintained in an inactive state. The signal is supplied to the first sample and hold circuit 54-2 and sampled and held. This sampled and held detection signal is sent to the reproduction base voltage generation circuit 55.
Based on the comparison result, the base signal generating circuit 55 generates a feedback-controlled base voltage signal. When this feedback controlled base voltage signal is applied to the base of transistor 33, the reproduction laser beam generated from laser structure 11-1 is maintained constant.
記録モードでは、CPU38から発生される記録モード
信号に応じて第1及び第2のアナログ・スイッチ37−
1.37−2が開成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路47から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路45から発生され、
減算回路46を介して記録用ベース電圧信号発生器48
に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変調さ
れたベース電圧信号がトランジスタ32のベースに印加
される。その結果、再生用レーザー・ビームがレーザー
構造11−1から発生されるとともに変調されたベース
信号に応じてレーザー構造11−2から記録用レーザー
・ビームが発生される。再生用レーザー・ビーム及び記
録用レーザー・ビームは、光検知器24の光感用領域2
4Aで検出され、光感用領域24Aからは、再生用検知
信号レベルに記録用検知信号レベルがノイズとして混入
された検知信号が発生される。In the recording mode, the first and second analog switches 37-
1.37-2 is opened. Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for recording is also generated. That is, the reference voltage signal is generated from the reference voltage signal generation circuit 45 in response to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 47,
Recording base voltage signal generator 48 via subtraction circuit 46
The reference voltage supplied to the transistor 32 is modulated with the recording signal, and the modulated base voltage signal is applied to the base of the transistor 32. As a result, a reproducing laser beam is generated from the laser structure 11-1, and a recording laser beam is generated from the laser structure 11-2 in response to the modulated base signal. The reproduction laser beam and the recording laser beam are transmitted to the photosensitive area 2 of the photodetector 24.
4A, and a detection signal in which the recording detection signal level is mixed as noise with the reproduction detection signal level is generated from the photosensitive area 24A.
プリアンプ35を介する光感用領域24Aからの検知信
号は、マスキング回路50−2に供給されるが、マスキ
ング回路50−2は、記録信号発生回路47からハイレ
ベルの記録信号が発生されている開作動状態に維持され
ていることからこのマスキング回路50−2によって検
知信号は、マスクされる。従って、検知信号がマスクさ
れる前にサンプル・ホールドされた検知信号に基づいて
再生用ベース電圧が決定される。第2のマスキング回路
50−2と記録信号発生回路47との間には、インバー
タ87−2が接続されていることから、この第2のマス
キング回路50−2は、記録信号発生回路47から記録
信号が発生されている間不作動状態に維持され、記録信
号発生回路47から記録信号が発生されていない開作動
状態に維持される。従って、記録月光感知領域24Aか
らの検知信号は、ピークレベル検出回路42で検出され
、検出されたピーク・レベルが不作動状態に維持された
マスキング回路50−1を介してサンプル・ホールド回
路54−1でサンプル・ホールドされてベース電圧発生
回路46に供給され、基準電圧発生回路45からの基準
電圧に基づいてベース電圧が決定される。この記録用ベ
ース信号が記録信号に応じて変調回路48に変調されて
変調されたベース電圧信号が発生される。The detection signal from the photosensitive area 24A via the preamplifier 35 is supplied to the masking circuit 50-2. Since the masking circuit 50-2 is maintained in an activated state, the detection signal is masked by the masking circuit 50-2. Therefore, the reproduction base voltage is determined based on the sampled and held detection signal before the detection signal is masked. Since the inverter 87-2 is connected between the second masking circuit 50-2 and the recording signal generation circuit 47, the second masking circuit 50-2 receives the recording signal from the recording signal generation circuit 47. It is maintained in an inactive state while a signal is being generated, and is maintained in an open operating state in which no recording signal is generated from the recording signal generating circuit 47. Therefore, the detection signal from the recorded moonlight sensing area 24A is detected by the peak level detection circuit 42, and the detected peak level is sent to the sample and hold circuit 54-1 via the masking circuit 50-1, which is maintained in an inactive state. The signal is sampled and held at 1 and supplied to the base voltage generation circuit 46, and the base voltage is determined based on the reference voltage from the reference voltage generation circuit 45. This recording base signal is modulated by a modulation circuit 48 in accordance with the recording signal to generate a modulated base voltage signal.
消去モードにおいては、CPU38から発生される消去
モード信号に応じて第2及び第3のアナログ・スイッチ
37−2.37−3が閉成される。In the erase mode, the second and third analog switches 37-2, 37-3 are closed in response to an erase mode signal generated from the CPU 38.
従って、既に述べた再生モードと同様に再生用ベ−スミ
圧信号が発生されるとともにこの電圧信号に加えて消去
用ベース電圧信号が発生される。即ち、消去光発光タイ
ミング信号発生回路51から発生された消去タイミング
信号でマスキング回路50−1.50−2が作動される
とともにスイッチング回路64が作動されて消去用ベー
ス電圧発生回路66がアナログスイッチ37−3に接続
される。従って、基準信号発生回路62から発生され、
消去用ベース電圧信号発生器66に供給された基準電圧
は、このスイッチング回路64及びアナログ・スイッチ
37−3を介してトランジスタ36のベースに印加され
る。その結果、消去用ベース電圧信号によってトランジ
スタ32が作動され、レーザー構造11−3に消去用電
流が供給される。ここで、トランジスタ33のベースに
は、再生用のベース電圧信号もまた印加されていること
から、このトランジスタ33も作動される。従って、レ
ーザー構造11−1からは、再生用レーザー・ビームが
発生されるとともにレーザー構造11−3からは、消去
用レーザー・ビームが発生される。この再生用及び消去
用レーザー・ビームは、光検知器24の光感知領域24
Aで検出される。感知領域24Aからの検知信号は、プ
リアンプ35Aを介してボトムレベル検出回路41に供
給される。ボトムレベル検出回路41に供給された検出
信号は、ボトムレベルが検出される。Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for erasing is also generated. That is, the masking circuit 50-1, 50-2 is activated by the erase timing signal generated from the erase light emission timing signal generation circuit 51, and the switching circuit 64 is also activated, so that the erase base voltage generation circuit 66 is activated by the analog switch 37. -3 is connected. Therefore, the reference signal generation circuit 62 generates
The reference voltage supplied to the erase base voltage signal generator 66 is applied to the base of the transistor 36 via this switching circuit 64 and the analog switch 37-3. As a result, the erase base voltage signal activates transistor 32 and provides erase current to laser structure 11-3. Here, since the base voltage signal for reproduction is also applied to the base of the transistor 33, this transistor 33 is also activated. Therefore, the laser structure 11-1 generates a reproducing laser beam, and the laser structure 11-3 generates an erasing laser beam. The regeneration and erasure laser beams are directed to the photosensitive area 24 of the photodetector 24.
Detected at A. The detection signal from the sensing region 24A is supplied to the bottom level detection circuit 41 via the preamplifier 35A. The bottom level of the detection signal supplied to the bottom level detection circuit 41 is detected.
消去モードにおいても記録用レーザー・ビームが発生さ
れる場合にあっても検出信号中に含まれる記録信号レベ
ルは、このボトムレベル検出回路41で除去される。ボ
トムレベル検出回路41からのボトム信号には、再生光
成分がノイズとして含まれるが、この再生光成分は、補
正信号発生回路88で生成される。即ち、再生光レベル
は、略一定であるとしてこの再生光レベル相当する補正
信号が補正信号発生回路88から発生される。この補正
信号及びボトムレベル検出回路41からのボトム検出信
号が減算回路60に供給されることによってボトム信号
に含まれるノイズとしての再生光成分がボトム検出信号
から除去される。ノイズが除去された消去用ボトム検出
信号が消去用ベース発生回路66に供給され、このボト
ム検出信号と基準信号とが消去用ベース電圧発生回路6
6で比較されて消去用ベース電圧信号が発生される。Even when a recording laser beam is generated in the erase mode, the recording signal level included in the detection signal is removed by the bottom level detection circuit 41. The bottom signal from the bottom level detection circuit 41 includes a reproduction light component as noise, and this reproduction light component is generated by the correction signal generation circuit 88. That is, assuming that the reproduction light level is substantially constant, a correction signal corresponding to the reproduction light level is generated from the correction signal generation circuit 88. By supplying this correction signal and the bottom detection signal from the bottom level detection circuit 41 to the subtraction circuit 60, the reproduced light component as noise contained in the bottom signal is removed from the bottom detection signal. The erasing bottom detection signal from which noise has been removed is supplied to the erasing base generation circuit 66, and this bottom detection signal and the reference signal are used as the erasing base voltage generating circuit 6.
6 to generate an erase base voltage signal.
従って、消去光発光タイミング回路64が作動状態にあ
る間、消去用ベース電圧信号がトランジスタ36のベー
スに印加され、レーザー構造11−3から発生される消
去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持される。Therefore, while the erase light emission timing circuit 64 is in the activated state, the erase base voltage signal is applied to the base of the transistor 36 to maintain a constant level of the erase laser beam generated from the laser structure 11-3. Ru.
[発明の効果]
以上のように、この発明の多重光発生装置を備えた光ヘ
ッドによれば、光源の複数の光源構造体から発生された
光ビームが少なくとも1つの光検出器で検出されて検出
信号は1、各光ビームに対応する信号成分に分離され、
これにより各光源構造体が制御される為、各光源構造体
は、常に正確にしかも安定して駆動され、その結果、各
光源構造体からの光ビームも安定される。従って、情報
記録媒体から正確に情報を再生でき、情報を記録でき、
或いは、消去できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the optical head equipped with the multiple light generating device of the present invention, the light beams generated from the plurality of light source structures of the light source are detected by at least one photodetector. The detection signal is separated into 1 signal components corresponding to each light beam,
Since each light source structure is thereby controlled, each light source structure is always driven accurately and stably, and as a result, the light beam from each light source structure is also stabilized. Therefore, information can be accurately reproduced from the information recording medium, information can be recorded,
Or it can be deleted.
第1図は、この発明の一実施例に係る多重光発生装置の
回路図を示し、第2図は、第1図に示される多重光発生
装置が組込まれる光ヘッドの光学系を示し、第3図は、
第2図に示されたマウントを示す正面図、第4図は、第
2図に示されたプリズム部材を示す斜視図、第5図は、
第2図に示される光学系が組込まれるマウント・フレー
ムを示す断面図、第6図は、第3図に示されたマウント
を示す斜視図、第7図は、第5図に示されたマウントを
示す平面図、第8図は、この発明の多重光発生装置の回
路図のブロックを示し、及び第9図は、この発明の他の
実施例に係る多重光発生装置の回路図を示す。
11・・・半導体レーザー、12・・・集束レンズ、1
3・・・プリズム、14・・・光検出器、16A、16
B、17A、17B・・・光感知領域、18・・・対物
レンズ、20・・・マウント、24・・・モニター用光
検出器、24A、24B・・・光感知領域、38・・・
CPU、40・・・バンドパス・フィルター、41.4
3・・・ボトムレベル検出回路、42・・・ビーフレベ
ル検出回路、44・・・減算回路、46.55゜66・
・・ベース電圧発生回路、48・・・変調回路、50.
50−2.50−2・・・マスキング回路、51・・・
消去光発光タイミング回路、54.54−1.51−2
・・・サンプル・ホールド回路、60・・・減算回路、
88・・・補正信号発生回路出願人代理人 弁理士 鈴
江武彦
第6図
VccFIG. 1 shows a circuit diagram of a multiplexed light generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an optical system of an optical head in which the multiplexed light generator shown in FIG. 1 is incorporated. Figure 3 is
FIG. 2 is a front view showing the mount shown in FIG. 2, FIG. 4 is a perspective view showing the prism member shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a front view showing the mount shown in FIG.
FIG. 2 is a sectional view showing the mount frame in which the optical system shown in FIG. 6 is incorporated, FIG. 6 is a perspective view showing the mount shown in FIG. 3, and FIG. FIG. 8 shows a block diagram of a circuit diagram of a multiplexed light generating device according to the present invention, and FIG. 9 shows a circuit diagram of a multiplexed light generating device according to another embodiment of the present invention. 11... Semiconductor laser, 12... Focusing lens, 1
3... Prism, 14... Photodetector, 16A, 16
B, 17A, 17B... Light sensing area, 18... Objective lens, 20... Mount, 24... Photodetector for monitor, 24A, 24B... Light sensing area, 38...
CPU, 40... Bandpass filter, 41.4
3... Bottom level detection circuit, 42... Beef level detection circuit, 44... Subtraction circuit, 46.55°66.
... base voltage generation circuit, 48 ... modulation circuit, 50.
50-2.50-2... masking circuit, 51...
Erasing light emission timing circuit, 54.54-1.51-2
...Sample/hold circuit, 60...Subtraction circuit,
88...Correction signal generation circuit Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 6 Vcc
Claims (4)
の発光点に対応して設けられ、光源から発生された少な
くとも2以上の発光点からの光ビームを検出する少なく
とも1つの検出領域を有する検知手段と、この検知手段
の検知領域からの検出信号を各発光点からの光ビームに
対応する信号に分離する分離手段と、この分離手段で分
離された検出信号に応じて各光源構造体を駆動し、前記
各発光点からの光ビームを制御する駆動手段とから成る
ことを特徴とする多重発光装置。(1) A light source having a plurality of light source structures, and at least one detection area provided corresponding to the light emitting points of each light source structure and detecting light beams from at least two or more light emitting points generated from the light source. a detection means having a detection area of the detection means, a separation means for separating a detection signal from a detection area of the detection means into signals corresponding to a light beam from each light emitting point, and a separation means for separating a detection signal from each light source structure according to the detection signal separated by the separation means. 1. A multiple light emitting device comprising: driving means for driving a body and controlling light beams from each of the light emitting points.
成分を除去するフィルター回路と、及び前記検知領域か
らの検出信号からこのフィルター回路の出力信号を減算
する回路とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の多重発光装置。(2) The separation means is characterized by comprising a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, and a circuit that subtracts the output signal of this filter circuit from the detection signal from the detection area. A multiple light emitting device according to claim 1.
定成分を除去するフィルター回路と、このフィルター回
路からの出力信号を特定期間ホールドするサンプル・ホ
ールド回路と、及びサンプル・ホールド出力信号を前記
検知領域からの検出信号から減算する減算回路とから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の多重発
光装置。(3) The separating means includes a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, a sample and hold circuit that holds the output signal from the filter circuit for a specific period, and a sample and hold output signal that 2. The multiple light emitting device according to claim 1, further comprising a subtraction circuit that subtracts the detection signal from the detection area.
号から特定成分を除去するフィルター回路と、及びこの
フィルター回路からの出力信号を特定期間ホールドする
サンプル・ホールド回路とから成ることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の多重発光装置。(4) The signal separation circuit is characterized by comprising a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, and a sample and hold circuit that holds the output signal from the filter circuit for a specific period of time. A multiple light emitting device according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62078690A JPS63244421A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Multiple light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62078690A JPS63244421A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Multiple light-emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63244421A true JPS63244421A (en) | 1988-10-11 |
Family
ID=13668865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62078690A Pending JPS63244421A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Multiple light-emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63244421A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04153926A (en) * | 1990-10-15 | 1992-05-27 | Nec Corp | Optical disk device |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078690A patent/JPS63244421A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04153926A (en) * | 1990-10-15 | 1992-05-27 | Nec Corp | Optical disk device |
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