JPS63244421A - Multiple light-emitting device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To stabilize a light beam from each light source structure by separating a signal being the result of detection from a light beam radiated from plural light source structures of a light source by at least one photodetector into a signal component corresponding to each light beam, and using the said signal so as to control each light source structure. CONSTITUTION:A monitor photodetector 24 provided with a light sensing region 24A to monitor a reproducing/recording/erasure laser beam radiated from the rear face of the 1st, 2nd and 3rd laser structures 11-1, 11-2, 11-3 of a semiconductor laser 11 is placed. Plural laser beams from the laser structures are detected by the photosensing region 24A and a detection signal from the photosensing region is separated into a signal component corresponding to the reproducing/ recording/erasure laser beams by a signal separation circuit 80 and the semiconductor laser 11 is energized by a laser drive circuit 85 based on the separated reproducing/recording/erasure signal components. Thus, each light source structure is always driven accurately and stably.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、複数の発光点を有する多重発光装置に係り
、特に複数の発光点を有する光源装置を制御する為の多
重発光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a multiple light emitting device having a plurality of light emitting points, and more particularly to a multiple light emitting device for controlling a light source device having a plurality of light emitting points.

（従来技術］ 複数の発光点から夫ノンレーザー・ビームが弁せられる
半導体装置が開発され、光デイスク装置の光源装置に用
いられている。一般に、このような半導体装置には、１
つのチップ内に複数のレーザー・構造を組込んだ半導体
レーザー・アレイ或いは、１つのパッケージに複数の半
導体レーザー・チップを組込んだ半導体装置がある。(Prior Art) A semiconductor device in which non-laser beams are emitted from a plurality of light emitting points has been developed and is used in a light source device of an optical disk device.Generally, such a semiconductor device has one
There are semiconductor laser arrays that incorporate a plurality of laser structures in one chip, and semiconductor devices that incorporate a plurality of semiconductor laser chips in one package.

（発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置では、単に２つ以上のレーザー構造体
が組込まれているにすぎず、各構造体の発光が検出器で
モニターされ、モニターされた信号がフィードバックさ
れるような構成が採用されていないことから、各発光点
から発光される発光強度が安定せず、環境温度が変化し
た場合等において各発光点から発光される発光強度が変
動する問題がある。また、互いに隣接する発光点間の距
離が小さい装置では、単に各発光点に対応して光検出器
を配置したのみでは、互いに隣接する発光点からのレー
ザー・ビームが対応する光検出器以外に隣接する光検出
器に入射される虞れがあり、安定してレーザー・ビーム
の光強度を制御できない問題がある。このような問題は
、光学的情報記録再生装置の分野においては、正確な再
生記録或いは、消去の為に安定してレーザー・ビームが
発生されることが要求され、また、発光点間の間隔が極
めて小さいことから、特に大きな問題としてこの発明に
よれば、複数の光源構造体を有する光源と、各光源構造
体の発光点に対応して設けられ、光源から発生された少
なくとも２以上の発光点からの光ビームを検出する少な
くとも１つの検出領域を有する検知手段と、この検知手
段の検知領域からの検出信号を各発光点からの光ビーム
に対応する信号に分離する分離手段と、この分離手段で
分離された検出信号に応じて各光源構造体を駆動し、前
記各発光点からの光ビームを制御する駆動手段とから成
る多重発光装置が提供される。(Problems to be Solved by the Invention) Conventional semiconductor devices simply incorporate two or more laser structures, and the light emission of each structure is monitored by a detector, and the monitored signal is Since a structure that provides feedback is not adopted, the intensity of light emitted from each light emitting point is not stable, and there is a problem that the intensity of light emitted from each light emitting point fluctuates when the environmental temperature changes, etc. In addition, in devices where the distance between adjacent light-emitting points is small, simply placing a photodetector corresponding to each light-emitting point will not allow the laser beams from the adjacent light-emitting points to reach the corresponding photodetector. In addition, there is a risk that the light intensity of the laser beam may be incident on the adjacent photodetector, and there is a problem that the light intensity of the laser beam cannot be stably controlled. According to this invention, a particularly big problem is that a laser beam must be stably generated for reproduction, recording, or erasing, and the distance between the light emitting points is extremely small. a light source having a structure; a detection means having at least one detection area provided corresponding to a light emitting point of each light source structure and detecting a light beam from at least two or more light emitting points generated from the light source; separation means for separating a detection signal from the detection area of the detection means into signals corresponding to light beams from each light emitting point; and a separation means for driving each light source structure in accordance with the detection signal separated by the separation means; A multiple light emitting device is provided comprising driving means for controlling the light beam from each light emitting point.

（作用） 光源の複数の光源構造体から発生された２以上の光ビー
ムが１つの検知領域で検出されるが、その検出信号が分
離手段で各光源構造体からの光ビームに対応する信号成
分に信号分離され、各光源構造体がその信号成分に応答
して駆動される為、各光源構造体は、常に正確にしかも
安定して駆動される。(Function) Two or more light beams generated from a plurality of light source structures of the light source are detected in one detection area, and the detection signal is separated into signal components corresponding to the light beams from each light source structure by the separating means. Since the signals are separated into two and each light source structure is driven in response to the signal component, each light source structure is always driven accurately and stably.

（実施例） この発明の多重発光装置を備えた情報記録再生装置一実
施例が光ヘッドに適用された場合について説明する。明
らかなように以下の説明においては、光ヘッドに組込ま
れる多重光発生装置について説明されるが、レーザー・
プリンタ装置或いは、光通信装置にも適用可能なことは
、明かである。(Embodiment) A case will be described in which an embodiment of an information recording/reproducing apparatus equipped with a multiple light emitting device of the present invention is applied to an optical head. As is clear, in the following explanation, the multiple light generator incorporated in the optical head will be explained, but the laser
It is obvious that the present invention can also be applied to printer devices or optical communication devices.

この発明の一実施例に係る多重発光装置の光学ヘッド５
においては、第２図に示すようにコリメータ・レンズ及
び投射レンズとしての機能を有する集束レンズ１２の光
軸１ｏ上に多重発光装置としての半導体レーザー１１が
配置され、しかも集束レンズ１２の焦点面に半導体レー
ザー１１の光点が位置されている。また、半導体レーザ
ー１１に近接してフォーカス及びトラック検出器１４が
配置され、第３図に示すようにこの半導体レーザー１１
及び検出器１４がマウント台２ｏに固定されている。こ
の半導体レーザ１１は、夫々が発光点を有する再生用、
記録用及び消去用の３つのレーザ構造１１−１．１１−
２．１１−３を有し、例えば１つの半導体チップに３つ
のレーザー構造が組込まれて形成され、或いは、個別的
にレーザ構造を有する複数の半導体装置が１つのパッケ
ージに組込まれて作られる。この半導体レーザー１１か
らは、発散性のレーザー・ビームｌａ。Optical head 5 of a multiple light emitting device according to an embodiment of the present invention
As shown in FIG. 2, a semiconductor laser 11 as a multiple light emitting device is arranged on the optical axis 1o of a condensing lens 12 which functions as a collimator lens and a projection lens. The light spot of the semiconductor laser 11 is located. Further, a focus and track detector 14 is arranged close to the semiconductor laser 11, and as shown in FIG.
And the detector 14 is fixed to the mount stand 2o. This semiconductor laser 11 has a reproducing laser, each having a light emitting point,
Three laser structures for recording and erasing 11-1.11-
2.11-3, and for example, three laser structures are built into one semiconductor chip, or a plurality of semiconductor devices having individual laser structures are built into one package. A diverging laser beam la is emitted from the semiconductor laser 11.

Ｌｂ、Ｌｃが発生されるが、再生モードにおいては、再
生レーザー・ビームｌａのみが発生され、記録モードに
おいては、記録、再生及び消去用レーザー・ビームｌａ
、ｌｂ、ｌｃが発生され、消去モードでは、再生及び消
去用レーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌｃが発生される。Lb and Lc are generated, but in the reproducing mode, only the reproducing laser beam la is generated, and in the recording mode, the recording, reproducing and erasing laser beam la is generated.
, lb, lc are generated, and in the erase mode, reproducing and erasing laser beams La, Lb, Lc are generated.

ここで、消去ビームＬＣは、レーザー構造体１１−３の
光点前方に設けられたシリンドリカル・レンズ８によっ
て他のレーザー・ビームＬａ、Ｌｂよりもより発散され
て射出される。このレーザー・ビームｌ−ａ。Here, the erasing beam LC is emitted in a more divergent manner than the other laser beams La and Lb by the cylindrical lens 8 provided in front of the light spot of the laser structure 11-3. This laser beam la.

−〇− しす、ｌ−ｃは、集束レンズ１２を通過してコリメート
・レーザー・ビームに変換され、プリズム１３に入射さ
れる。このプリズム１３は、集束レンズ１２の光軸１０
に対して傾いたレーザ・ビーム入射面１３Ａを有してい
る為、コリメート・レーザー・ビームｌａ、（−ｂ、Ｌ
Ｃ，がレーザー・ビーム入射面１３Ａに入射されて屈折
される際に、楕円形状断面を有するレーザー・ビームが
円形状断面を有するレーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌｃ
に変換される。このレーザー・ビームＬａ、Ｌｂ。-〇- The laser beam 1-c passes through the focusing lens 12, is converted into a collimated laser beam, and enters the prism 13. This prism 13 is connected to the optical axis 10 of the focusing lens 12.
Since the laser beam incident surface 13A is tilted relative to the collimated laser beam la, (-b, L
C, is incident on the laser beam entrance surface 13A and refracted, the laser beam having an elliptical cross section becomes the laser beam La, Lb, Lc having a circular cross section.
is converted to This laser beam La, Lb.

ＬＣには、プリズム１３内を通ってプリズム１３の他面
に形成された偏光ビームスブリット面１３８で反射され
、１／４波長板１５を通過して、対物レンズ１８によっ
て光メモリ１上に集束される。The LC includes a polarized beam that passes through the prism 13, is reflected by a polarized beam splitting surface 138 formed on the other surface of the prism 13, passes through a quarter-wave plate 15, and is focused onto the optical memory 1 by the objective lens 18. .

光メモリ１上に集束されたレーザー・ビームは、この光
メモリ１から反射され、反射されレーザー・ビームは、
対物レンズ１８及び１／４波長板１５を通過してプリズ
ム１３に導入され、偏光ビームスブリット面１３Ｓに戻
される。ここで、レ−ｆ−−１：’−ムＬａ、Ｌｂ、Ｌ
ｃは、１／４波長板１５を往復することにより偏光ビー
ムスブリット面１３３で反射された際に比べ振動方向が
９０度回転されることから、レーザー・ビームＬａ、Ｌ
ｂ、Ｌｃは、１／４波長板１５によって直線偏光レーザ
ー・ビームに変換される。従って、偏光ビームスブリッ
ト面１３８に戻されたレーザー・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌ
Ｇは、この偏光ビームスブリット面１３Ｓを透過し、偏
光ビームスブリット面１３８に接合されたレーザー・ビ
ームｌａ、ｌｂ。The laser beam focused on the optical memory 1 is reflected from this optical memory 1, and the reflected laser beam is
The light passes through the objective lens 18 and the quarter-wave plate 15, is introduced into the prism 13, and is returned to the polarized beam splitting surface 13S. Here, frame-f--1:'-frame La, Lb, L
Since the vibration direction of c is rotated by 90 degrees by reciprocating through the quarter-wave plate 15 compared to when it is reflected by the polarized beam split surface 133, the laser beams La and L
b, Lc are converted into linearly polarized laser beams by a quarter wave plate 15. Therefore, the laser beams La, Lb, L returned to the polarized beam split plane 138
G is the laser beam la, lb which is transmitted through this polarized beam splitting surface 13S and is joined to the polarized beam splitting surface 138.

ＬＣを分割する為のプリズム部材１９内に導入される。It is introduced into the prism member 19 for dividing the LC.

このプリズム部材１９は、第４図に示すように偏光ビー
ムスブリット面１３８に非平行で互いに傾きをもって隣
接した第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂ
を有している。ここで、反射面１９Ａ１１９Ｂとの境界
線は、光メモリ１上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器１４に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に略直角になるように定めら
れている。第１の全反射面１９Ａは、好ましくは平坦に
形成され、第２の全反射面１９Ｂは、非点収差をレーザ
ー・ビームに与える為に非球面に形成されている。この
第１の全反射面１９Ａ及び第２の全反射面１９Ｂで反射
されたレーザ・ビームＬａ、Ｌｂ、Ｌｃは、夫々用１及
び第２のレーザー・ご−ムＬａ−１，Ｌｂ−１，Ｌａ−
２゜Ｌｂ−２，Ｌｃ−１＋　ＬＣ−２に分離されて異な
る方向に向けられ、再び偏向ビームスブリット面１３Ｓ
を通過して集束レンズ１２に入射される。As shown in FIG. 4, this prism member 19 has a first total reflection surface 19A and a second total reflection surface 19B which are non-parallel to the polarized beam splitting surface 138 and are adjacent to each other at an angle.
have. Here, the boundary line with the reflective surface 19A119B is determined to be approximately perpendicular to the direction in which the tracking guide is extended on the optical memory 1 or the direction in which the image of the tracking guide projected on the photodetector 14 is extended. ing. The first total reflection surface 19A is preferably formed flat, and the second total reflection surface 19B is formed an aspheric surface in order to impart astigmatism to the laser beam. The laser beams La, Lb, Lc reflected by the first total reflection surface 19A and the second total reflection surface 19B are transmitted to the first and second laser beams La-1, Lb-1, Lc, respectively. La-
2°Lb-2, Lc-1+LC-2 and directed in different directions, again deflected beam split surface 13S
The light passes through and enters the focusing lens 12.

第１及び第２のレーザー・ビームＬａ−１゜Ｌｂ−１，
Ｌａ−２，Ｌｂ−２，Ｌｃ−１゜Ｌｃ−２は、この集束
レンズ１２で半導体レーザー１１に近接して半導体レー
ザー１１とともにマウント台２０に設けられた光検出器
１４に向けられる。光検出器１４の光感用領域１６Ａ、
１６Ｂ。First and second laser beams La-1°Lb-1,
La-2, Lb-2, Lc-1°Lc-2 are directed to a photodetector 14 provided on a mount base 20 together with the semiconductor laser 11 in close proximity to the semiconductor laser 11 by this focusing lens 12. a photosensitive area 16A of the photodetector 14;
16B.

１７Ａ、１７Ｂは、半導体レーザー１ゴの光点と同様に
集束レンズ１２の略焦点面に配置されている。反射面１
９Ａで反射されたレーザー・ビームＬａ−１，Ｌｂ−１
は、フォーカス・エラーを検出の為の一対の光感用領域
１６Ａ、１６Ｂに集束され、また、反射面１９Ａで反射
されたレーザー・ビームＬｃ−ｉは、この一対の光感知
領域１６Ａ、１６Ｂ外に集束される。また、反射面１９
Ｂで反射されたレーザー・ビームＬａ−２゜Ｌｂ−２，
Ｌｃ−２の１つは、トラッキングガイドでレーザー・ビ
ームが回折され生じる回折パターンからトラッキング・
エラーを検出する為の一対の光感用領域１７Ａ、１７Ｂ
に集束される。反射面１９Ｂで反射されたレーザー・ビ
ーム１ａ−２、Ｌｂ−２，Ｌｃ−２は、非点収差面とし
ての反射面１９Ｂで非点収差が与えられることから、光
感用領域１７Ａ、１７Ｂに集束されるレーザー・ビーム
は、光デイスク１上でトラッキングガイドが延出される
方向あるいは光検出器１４に投影されたトラッキングガ
イドの像が延出される方向に対し、直角に引き伸ばされ
たビーム・スポットが光感用領域１７Ａ、１７Ｂに形成
される。17A and 17B are arranged substantially at the focal plane of the focusing lens 12, similar to the light spot of the semiconductor laser 1. Reflective surface 1
Laser beams La-1, Lb-1 reflected at 9A
The laser beam Lc-i is focused on a pair of photosensitive areas 16A and 16B for detecting focus errors, and the laser beam Lc-i reflected by the reflecting surface 19A is focused outside the pair of photosensitive areas 16A and 16B. focused on. In addition, the reflective surface 19
Laser beam La-2°Lb-2 reflected at B,
One of the Lc-2 is to detect tracking from the diffraction pattern generated when the laser beam is diffracted by the tracking guide.
A pair of photosensitive areas 17A and 17B for error detection
focused on. The laser beams 1a-2, Lb-2, and Lc-2 reflected by the reflective surface 19B are given astigmatism by the reflective surface 19B, which serves as an astigmatism surface, so that the laser beams 1a-2, Lb-2, and Lc-2 reach the photosensitive areas 17A and 17B. The focused laser beam has a beam spot stretched at right angles to the direction in which the tracking guide extends on the optical disk 1 or the direction in which the image of the tracking guide projected on the photodetector 14 extends. It is formed in the photosensitive areas 17A and 17B.

対物レンズ１８が合焦状態にある場合には、第３図に示
すようにレーザ・ビームｌ−ａは、光検出器１４の一対
の光感用領域１６Ａ、１６Ｂ間の光子感知領域１６Ｇに
向けられ、その光年感知領域１６Ｃ上にビーム・スポッ
トＳａ１が形成され、対物レンズが非合焦状態にある場
合には、レーザ・ビームｌａは、光検出器１４の一対の
光感用領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかに向けられ、その
一対の光感用領域１６Ａ、１６Ｂのいずれかにビーム・
スポットＳａ１が形成される。従って、光検出器１４の
感知領域１６Ａ、１６Ｂからの信号を処理することによ
って対物レンズ１８の状態に対応したフォーカス・エラ
ー信号が発生される。ここで、光検出器１４の検出傾１
１６Ｂ上に投射されたレーザー・ビームＬｂ−１によっ
て生じるビーム・スポットＳｂ１に対応する信号成分は
、同様に後段の処理回路によって処理されてフォーカス
拳エラー信号から除去される。また、対物レンズ１８が
所望のトラッキング・ガイドに向けられ、所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
る場合には、光感用領域１７Ａ。When the objective lens 18 is in focus, as shown in FIG. and a beam spot Sa1 is formed on the light-year sensing area 16C, and when the objective lens is in an out-of-focus state, the laser beam la is transmitted to the pair of photosensitive areas 16A of the photodetector 14, 16B, and the beam is directed to either of the pair of photosensitive areas 16A, 16B.
A spot Sa1 is formed. Thus, by processing the signals from the sensing areas 16A, 16B of the photodetector 14, a focus error signal corresponding to the state of the objective lens 18 is generated. Here, the detection slope 1 of the photodetector 14 is
The signal component corresponding to the beam spot Sb1 produced by the laser beam Lb-1 projected onto the laser beam Lb-1 projected onto the laser beam Lb-1 is similarly processed by the subsequent processing circuit and removed from the focused fist error signal. Also, when the objective lens 18 is directed toward the desired tracking guide and the desired tracking guide is correctly tracked by the laser beam, the photosensitive area 17A.

１７Ｂ上に生じるレーザ・ビームＬａ−２のレーザー・
ビーム・スポット３ａ２内に等しい面積の回折パターン
が生じ、所望のトラッキング・ガイドが正しくレーザー
・ビームで追跡されていない場合には、光感用領域１７
Ａ、１７Ｂ上に生じる第２のレーザー・ビーム・スポッ
トＳ８２内に異なる面積の回折パターンが生じる。感知
領域１７Ａ。Laser beam La-2 generated on 17B
If a diffraction pattern of equal area occurs in the beam spot 3a2 and the desired tracking guide is not correctly tracked by the laser beam, the photosensitive area 17
Diffraction patterns of different areas occur within the second laser beam spot S82 occurring on A, 17B. Sensing area 17A.

１７Ｂからの信号を処理することによって所望のトラッ
キング・ガイドが正しくレーザ・ビームで追跡されてい
るか否かを意味するトラック・エラー信号が発生される
。By processing the signal from 17B, a tracking error signal is generated indicating whether or not the desired tracking guide is being correctly tracked by the laser beam.

また、光検出領域１６Ａ、１６Ｂ、１７Ａ。Moreover, photodetection areas 16A, 16B, and 17A.

１７Ｂからの信号が加算されて情報が再生される。The signals from 17B are added together to reproduce the information.

マウント台２０は、第２図及び第３図に示すようにその
外形が矢印工の方向に回転可能に円筒形に形成され、集
束レンズ１２の光軸にマウント台２０の回転中心が一致
され、従って、半導体レーザー１１の発光点は、マウン
ト２０の回転中心に位置されている。これによりマウン
ト２０が回転されても、半導体レーザー１１から発生さ
れたし一ザー・ビームは、常に一定の光軸に沿った光路
中を進行される。このマウント２０が回転方向■に沿っ
て回転される場合には、焦点ぼけ検出用感知領域１６Ａ
、１６Ｂがこの方向に回転される。As shown in FIGS. 2 and 3, the mount 20 has a cylindrical outer shape rotatable in the direction of the arrow, and the center of rotation of the mount 20 is aligned with the optical axis of the focusing lens 12. Therefore, the light emitting point of the semiconductor laser 11 is located at the rotation center of the mount 20. As a result, even if the mount 20 is rotated, the laser beam generated from the semiconductor laser 11 always travels along an optical path along a constant optical axis. When this mount 20 is rotated along the rotation direction (1), the sensing area 16A for defocus detection
, 16B are rotated in this direction.

焦点ぼけに応じて光感知領域１６Ａ、１６Ｂ上をビーム
・スポットが実質的にマウント台２０の円周方向に沿っ
た方向に移動されることから、光学ヘッド５の組立て調
整時には、対物レンズ１８を合焦状態に維持しながら、
このマウント台２０を回転して光感用領域１６Ａ、１６
Ｂ間の光子感知領域１６Ｇにビーム・スポットを形成さ
せることによって焦点検出に関する光学系を容易に調整
することができる。また、トラッキング・ガイド検出す
る光学系の調整に関しては、対物レンズ１８が合焦状態
に維持されながら、偏光プリズム１３が傾動されてトラ
ッキング・ガイド検出用光感用領域１７Ａ、１７Ｂ間の
光子感知領域１７Ｇを中心として光感用領域１７Ａ、１
７Ｂ上にトラッキング・ガイド検出用検出用のビーム・
スポットが形成されるように偏光プリズム１３の配置が
調整される。第５図に示すように好ましくは、マウント
２０上に焦点ぼけ検出用検知領域１６Ａ、１６Ｂ及びト
ラッキング・ガイド検出用光検知領域１７Ａ、１７Ｂが
夫々マウント２０の半径方向に配置される。マウント２
０が回転可能であり、半導体レーザー１１の発光点がマ
ウント２０の回転中心に位置されていることから、光学
系を容易に調整することができる。なお、光学系の調整
を容易にする為に、マウント２０及び集束レンズ１２が
一体的に回転可能に鏡筒（図示せず）に支持されている
。Since the beam spot is moved substantially along the circumferential direction of the mount table 20 on the light sensing areas 16A and 16B depending on the defocus, the objective lens 18 must be moved when assembling and adjusting the optical head 5. While maintaining focus,
This mount base 20 is rotated so that the photosensitive areas 16A, 16
By forming a beam spot in the photon sensing region 16G between B, the optical system related to focus detection can be easily adjusted. Regarding the adjustment of the optical system for tracking and guide detection, the polarizing prism 13 is tilted while the objective lens 18 is maintained in a focused state to create a photon sensing area between the tracking and guide detection photosensitive areas 17A and 17B. Photosensitive areas 17A, 1 centered on 17G
7B has a detection beam for tracking and guide detection.
The arrangement of the polarizing prism 13 is adjusted so that a spot is formed. As shown in FIG. 5, preferably, defocus detection detection regions 16A, 16B and tracking guide detection light detection regions 17A, 17B are arranged on the mount 20 in the radial direction of the mount 20, respectively. mount 2
0 is rotatable and the light emitting point of the semiconductor laser 11 is located at the rotation center of the mount 20, so the optical system can be easily adjusted. In order to facilitate adjustment of the optical system, the mount 20 and the focusing lens 12 are integrally and rotatably supported by a lens barrel (not shown).

第２図に示されるような光学系は、第５図に示すように
一体的にヘッド・フレーム２８に支持されている。検出
器１４及び半導体レーザー１１が支持されたマウント２
０は、ヘッド・フレーム２８にねじ２７−１．２７−２
によって固定され、更にマウント２０とヘッド・フレー
ム２８とは、半導体素子の耐環性の保護の為に、ハーメ
チック・シール２９でシールされている。第５図に示さ
れるヘッド構造によれば、ヘッドの小形軽量化を図るこ
とができる。尚、第５図に示された光学系においては、
第２図に示される集束レンズ１２が除去され、対物レン
ズが１８が非球面レンズに置換えられている。The optical system as shown in FIG. 2 is integrally supported by a head frame 28 as shown in FIG. Mount 2 supporting detector 14 and semiconductor laser 11
0 is the screw 27-1.27-2 on the head frame 28.
The mount 20 and the head frame 28 are further sealed with a hermetic seal 29 to protect the semiconductor element against ringing. According to the head structure shown in FIG. 5, the head can be made smaller and lighter. In addition, in the optical system shown in FIG.
The focusing lens 12 shown in FIG. 2 has been removed and the objective lens 18 has been replaced with an aspherical lens.

尚、上述した実施例において、プリズム１３は、集束レ
ンズ１２の光軸１０に対して傾いたレーザー・ビーム入
射面１３Ａを有している。従って、コリメート・レーザ
ー・ビームがレーザー・ビーム入射面１３Ａに入射され
て屈折される際に、楕円形状断面を有するレーザ・ビー
ムが円形状断面を有するレーザ・ビームに変換される。In the embodiment described above, the prism 13 has a laser beam entrance surface 13A that is inclined with respect to the optical axis 10 of the focusing lens 12. Therefore, when the collimated laser beam is incident on the laser beam entrance surface 13A and is refracted, the laser beam having an elliptical cross section is converted into a laser beam having a circular cross section.

また、プリズム１３の反射面で反射され、集束レンズ１
２に向けられるレーザー・ビームが屈折面としての面１
３Ａで屈折され、再び、そのビーム断面形状が変えられ
、実質的にその径が拡大される。ビーム径が拡大される
ことによって光学系の結像倍率が大きくなり、焦点ぼけ
即ち、フォーカス・エラー検出感度を向上させることが
できる。特に第２図に示されるナイフ・エツジ法を採用
した光学系においては、焦点ぼけ量に応じて偏向される
方向にレーザー・ビームが引き伸ばされることによって
焦点ぼけ量に応じて偏向されるレーザー・ビームの偏向
される感度が向上され、焦点ぼけ検出感度が向上される
。Also, it is reflected by the reflective surface of the prism 13, and the condensing lens 1
2, the laser beam directed to surface 1 serves as a refractive surface.
3A, again changing its beam cross-sectional shape and substantially enlarging its diameter. By enlarging the beam diameter, the imaging magnification of the optical system increases, and the sensitivity for detecting defocus, that is, focus error, can be improved. In particular, in an optical system that employs the knife-edge method shown in Figure 2, the laser beam is stretched in a direction that is deflected according to the amount of defocus, so that the laser beam is deflected according to the amount of defocus. The sensitivity to deflection is improved, and the defocus detection sensitivity is improved.

第１図及び第６図から第９図を参照してこの発明の一実
施例に係る複数のレーザー構造を備えた半導体レーザー
を附勢する装置を説明する。半導体レーザー１１は、既
に説明したように第６図及び第７図に示されるようなマ
ウント台２０の半円柱ベース部２ＯＡの段部平坦面２２
上に載置固定され、この半導体レーザー１１の背面から
離間されて半円柱ベース部２０Ａの平坦面２２上には、
この半導体レーザー１１の第１、第２及び第３のレーザ
ー構造１１−１．１１−２．１１−３の背面から発生さ
れる再生、記録及び消去レーザー・ビームをモニターす
る為の１つの光感知領域２４Ａを備えたモニター用光検
出器２４が載置固定されている。An apparatus for energizing a semiconductor laser having a plurality of laser structures according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 6 to 9. FIG. As already explained, the semiconductor laser 11 is mounted on the stepped flat surface 22 of the semi-cylindrical base portion 2OA of the mount table 20 as shown in FIGS. 6 and 7.
On the flat surface 22 of the semi-cylindrical base portion 20A, which is placed and fixed on the semi-cylindrical base portion 20A and is spaced from the back surface of the semiconductor laser 11,
one optical sensor for monitoring the read, record and erase laser beams generated from the back side of the first, second and third laser structures 11-1.11-2.11-3 of this semiconductor laser 11; A monitoring photodetector 24 having a region 24A is mounted and fixed.

半導体レーザー１１は、２つのレーザー構造を組込んだ
構造を有し、その光点間の間隔が通常３〜ｉ　ｏｏｏμ
ｍの範囲に定められている。好ましくは、半導体レーザ
ー１１の隣接する光点間の間隔が通常３〜１６０μｍの
範囲に定められ、より好ましくは、半導体レーザー７０
の光点間の間隔が通常３０〜６０μｍの範囲に定められ
ている。The semiconductor laser 11 has a structure incorporating two laser structures, and the interval between the light spots is usually 3 to i oooμ
It is set within the range of m. Preferably, the interval between adjacent light spots of the semiconductor laser 11 is usually set in a range of 3 to 160 μm, and more preferably, the distance between adjacent light spots of the semiconductor laser 70
The distance between the light spots is usually set in the range of 30 to 60 μm.

上述のような値に定められる理由は、その下限である光
点間の間隔が通常３μｍ或いは、３〜４μｍでは、隣接
する半導体レーザー構造１１−１．１１−２間で電気的
なりロストークが生じた場合、その電気的クロストーク
を抑制することが困難であり、また、光学系の光軸１０
に一方の光点のみを一致することが困難であるからであ
る。また、その上限である光点間の間隔が１０００μｍ
以上になると、光デイスク１上に形成されるビーム・ス
ポット間の間隔が大きくなり、ビーム・スポットが同時
にトラッキング・ガイドによってガイドされない虞れが
ある。更に、１６０μｍの上限値は、光デイスク１上に
形成されるビーム・スポットの径が１μｍとなるように
集束レンズ１２の有効視野及び光学系の結像倍率が考慮
された際における限界値として定められる。The reason why the above value is set is that when the lower limit of the distance between the light spots is usually 3 μm or 3 to 4 μm, electrical losstalk occurs between adjacent semiconductor laser structures 11-1 and 11-2. In this case, it is difficult to suppress the electrical crosstalk, and the optical axis 10 of the optical system
This is because it is difficult to match only one light spot. In addition, the upper limit of the interval between light spots is 1000 μm.
In this case, the distance between the beam spots formed on the optical disk 1 becomes large, and there is a possibility that the beam spots will not be guided by the tracking guide at the same time. Furthermore, the upper limit of 160 μm is determined as a limit value when the effective field of view of the focusing lens 12 and the imaging magnification of the optical system are taken into consideration so that the diameter of the beam spot formed on the optical disk 1 is 1 μm. It will be done.

上述したような点を種々考慮すると、最も好ましい範囲
は、３０〜６０μｍの範囲に定められている。Considering various points such as those mentioned above, the most preferable range is determined to be in the range of 30 to 60 μm.

このようなレーザー装置においては、複数のレーザー構
造が作動され、その構造から発生されたレーザー・ビー
ムがモニターされる場合には、レーザー構造体からの複
数のレーザー・ビームが１つの光感知領域２４Ａで検出
されるが、この光感知領域からの検出信号は、第８図に
示すような信号分離回路８０によって再生、記録及び消
去レーザー・ビームに対応した信号成分に分離され、こ
の分離された再生、記録及び消去信号成分に基づいて半
導体レーザー１１がレーザー駆動回路８５によって附勢
される。第１図に示すように電源電圧ＣＣには、モニタ
ー用光検出器２４の光感知領域２４Ａ及び半導体レーザ
ー１１の第１、第２及び第３のレーザー構造１１−１．
１１−２．１１−３が接続され、第１のレーザー構造１
１−１は、第１のトランジスタ３２のコレクタに接続さ
れ、また、第２のレーザー構造１１−１は、第２のトラ
ンジスタ３３のコレクタに接続され、このトランジスタ
３２．３３のエミッタが抵抗３４．３５を介して接地さ
れ、第３のレーザー構造１１−３は、第３のトランジス
タ３６のコレクタに接続され、このトランジスタ３６の
エミッタが抵抗３７を介して接地されている。これらト
ランジスタ３２．３３．３６のベースは、夫々再生光制
御回路８１、記録光制御回路８２、及び消去光制御回路
８３に接続されている。また、光感知領域２４Ａは、プ
リアンプ３５を介して信号分離回路８０に接続され、こ
の回路８０が再生光制御回路８１、記録光制御回路８２
、及び消去光制御回路８３に接続されている。従って、
信号分離回路８０によって分離された再生、記録及び消
去信号成分に基づいて再生光制御回路８１、記録光制御
回路８２、及び消去光制御回路８３から夫々再生、記録
及び消去ベース電圧が発生され、このベース電圧に基づ
いて各トランジスタ３２．３３．３４の内部インピーダ
ンスが決定される。その結果、半導体レーザー１１の第
１、第２及び第３のレーザー構造１１−１．１１−２．
１１−３から発生されるレーザー・ビームが正確に制御
される。In such a laser device, when multiple laser structures are activated and the laser beams generated from the structures are monitored, the multiple laser beams from the laser structures are directed to one photosensitive area 24A. The detection signal from this photosensitive area is separated into signal components corresponding to the reproduction, recording and erasing laser beams by a signal separation circuit 80 as shown in FIG. , the semiconductor laser 11 is energized by the laser drive circuit 85 based on the recording and erasing signal components. As shown in FIG. 1, the power supply voltage CC is applied to the photosensitive area 24A of the monitoring photodetector 24 and the first, second and third laser structures 11-1.
11-2.11-3 is connected to the first laser structure 1
1-1 is connected to the collector of the first transistor 32, and the second laser structure 11-1 is connected to the collector of the second transistor 33, the emitter of which is connected to the resistor 34. The third laser structure 11-3 is connected to the collector of a third transistor 36, the emitter of which is connected to ground via a resistor 37. The bases of these transistors 32, 33, and 36 are connected to a reproduction light control circuit 81, a recording light control circuit 82, and an erasing light control circuit 83, respectively. Further, the light sensing area 24A is connected to a signal separation circuit 80 via a preamplifier 35, and this circuit 80 is connected to a reproduction light control circuit 81 and a recording light control circuit 82.
, and the erase light control circuit 83. Therefore,
Based on the reproduction, recording and erasing signal components separated by the signal separation circuit 80, reproduction, recording and erasing base voltages are generated from the reproduction light control circuit 81, the recording light control circuit 82 and the erasing light control circuit 83, respectively. The internal impedance of each transistor 32, 33, 34 is determined based on the base voltage. As a result, the first, second and third laser structures 11-1, 11-2.
The laser beam generated from 11-3 is precisely controlled.

第８図に示される回路は、具体的には、第１図に示され
るような回路で構成される。この回路構成においては、
信号分離回路８４がバンドパス・フィルタ４０．ボトム
・レベル検出回路４１、マスキング回路５０、サンプル
・ホールド回路５４、消去光発光タイミング回路５１、
減算回路６０、減算回路５１及びインバータ回路８７か
ら構成され、記録光分離回路８４がバンドパス・フィル
タ４０、ボトム・レベル検出回路４１から構成され、記
録光制御回路８２がピークレベル検出回路４２、第２の
ボトムレベル検出回路４３、減算回路４４、基準電圧発
生回路４５、記録用ベース電圧発生回路４６、記録信号
発生回路４７、及び変調回路４８で構成され、再生光制
御回路８１が基準電圧発生回路５６、再生用ベース電圧
発生回路５５で構成され、また消去光制御回路８３が基
準電圧発生回路６２、記録用ベース電圧発生回路６６及
スイツチング回路６４で構成されいる。即ち、レーザー
駆動回路８５のトランジスタ３３．３６のベースは、夫
々ＣＰＵ３８からのコマンド信号によってオン・オフさ
れるアナログ・スイッチ装置３７のアナログ・スイッチ
３７−１．３７−２゜３７−３に接続されている。光感
知領域２４Ａは、プリアンプ３５を介して記録信号発生
回路４５から発生される記録信号に対応した成分を取出
す為にこの記録信号と略同−周波数の検出信号成分を通
すバンドパス・フィルタ４０及び信号のボトムレベルの
みを検出する第１のボトムレベル検出回路４１に接続さ
れ、バンドパス・フィルタ４０は、また記録信号に対応
した検出信号のピーク・レベルを検出するピークレベル
検出回路４２及び記録信号に対応した検出信号のボトム
・レベルを検出する第２のボトムレベル検出回路４３に
接続されている。このピークレベル検出回路４２及び第
２のボトムレベル検出回路４３は、ピーク・レベルとボ
トム・レベルとの差を得る為に減算回路４４に接続され
、この減算回路４４は、更に、基準電圧信号発生回路４
５に接続された適切なベース電圧を発生するベース電圧
発生回路４６に接続され、このベース電圧発生回路４６
は、記録信号発生回路４７が接続され、この回路から発
生された記録信号でベース電圧を変調する変調回路４８
に接続されている。このスイッチング回路４８は、アナ
ログ・スイッチ３７−１に接続されている。第２のボト
ム・レベル検出回路４１は、消去光発光タイミング回路
５１が接続され、消去時に検出信号をマスキングするマ
スキング回路５０に接続され、このマスキング回路５０
の出力側は、ボトム・レベルをサンプル・ホールドする
サンプル・ホールド回路５４に接続され、このサンプル
・ホールド回路５４は、消去時に第２のボトム・レベル
検出回路４１からの信号からサンプル・ホールドされた
再生光成分に対応するボトム・レベルの信号を減算する
減算回路６０に接続されている。サンプルホールド回路
５４は、更に基準電圧発生回路５６に接続された適切な
レベルを有する記録用ベース電圧を発生するベース電圧
発生回路５５に接続され、このベース電圧発生回路５５
がアナログ・スイッチ３７−２に接続されている。また
、減算回路６０は、基準信号発生回路６２が接続されて
いる消去用ベース電圧発生回路６６に接続され、この消
去用ベース信号発生回路６２は、消去光発光タイミング
回路５１にインバータ回路８７を介して接続され、消去
用ベース電圧を発生する消去用ベース電圧発生回路６４
に接続され、このベース電圧発生回路６４が第３のアナ
ログ・スイッチ３７−３に接続されている。The circuit shown in FIG. 8 is specifically constructed of the circuit shown in FIG. In this circuit configuration,
The signal separation circuit 84 is a bandpass filter 40 . bottom level detection circuit 41, masking circuit 50, sample/hold circuit 54, erase light emission timing circuit 51,
The recording light separation circuit 84 is composed of a bandpass filter 40 and a bottom level detection circuit 41, and the recording light control circuit 82 is composed of a peak level detection circuit 42 and a bottom level detection circuit 41. 2 bottom level detection circuit 43, subtraction circuit 44, reference voltage generation circuit 45, recording base voltage generation circuit 46, recording signal generation circuit 47, and modulation circuit 48, and the reproduction light control circuit 81 is the reference voltage generation circuit. 56, a reproduction base voltage generation circuit 55, and an erase light control circuit 83 consisting of a reference voltage generation circuit 62, a recording base voltage generation circuit 66, and a switching circuit 64. That is, the bases of the transistors 33, 36 of the laser drive circuit 85 are connected to analog switches 37-1, 37-2, 37-3 of the analog switch device 37, which are turned on and off by command signals from the CPU 38, respectively. ing. The photo-sensing area 24A includes a band-pass filter 40 that passes a detection signal component having approximately the same frequency as that of the recording signal in order to extract a component corresponding to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 45 via the preamplifier 35; The bandpass filter 40 is connected to a first bottom level detection circuit 41 that detects only the bottom level of the signal, and also connects to a peak level detection circuit 42 that detects the peak level of the detection signal corresponding to the recording signal and the recording signal. It is connected to a second bottom level detection circuit 43 that detects the bottom level of the detection signal corresponding to . The peak level detection circuit 42 and the second bottom level detection circuit 43 are connected to a subtraction circuit 44 in order to obtain the difference between the peak level and the bottom level. circuit 4
The base voltage generating circuit 46 is connected to a base voltage generating circuit 46 that generates an appropriate base voltage connected to the
is a modulation circuit 48 to which the recording signal generation circuit 47 is connected and which modulates the base voltage with the recording signal generated from this circuit.
It is connected to the. This switching circuit 48 is connected to the analog switch 37-1. The second bottom level detection circuit 41 is connected to an erasing light emission timing circuit 51 and is connected to a masking circuit 50 that masks a detection signal during erasing.
The output side of is connected to a sample and hold circuit 54 that samples and holds the bottom level, and this sample and hold circuit 54 samples and holds the signal from the second bottom level detection circuit 41 at the time of erasing. It is connected to a subtraction circuit 60 that subtracts a bottom level signal corresponding to the reproduced light component. The sample and hold circuit 54 is further connected to a base voltage generation circuit 55 which generates a base voltage for recording having an appropriate level and which is connected to a reference voltage generation circuit 56.
is connected to analog switch 37-2. Further, the subtraction circuit 60 is connected to an erasure base voltage generation circuit 66 to which a reference signal generation circuit 62 is connected, and this erasure base signal generation circuit 62 is connected to the erasure light emission timing circuit 51 via an inverter circuit 87. an erase base voltage generation circuit 64 that is connected to
The base voltage generating circuit 64 is connected to the third analog switch 37-3.

このような回路構成では、再生モード時にＣＰＵ３８か
ら発生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・
スイッチ３７−１が閉成される。従って、基準電圧発生
器４５から発生された基準電圧に応じてベース電圧発生
回路５５から発生されたベース電圧信号が第２のアナロ
グ・スイッチ３７−２を介して第２のトランジスタ３３
のベースに印加される。その結果、第２のトランジスタ
３３が導通してレーザー構造１１−１が作動され、低レ
ベルの再生用レーザー・ビームのみがこのレーザー構造
１１−１から発生される。半導体レーザー１１の正面か
ら発生された再生レーザー・ビームは、光ディスク１に
向けられ、その背面から発生された再生用レーザー・ビ
ームは、光検出器２４の光感知領域２４Ａに入射される
。再生モードにおいては、この再生用レーザービームが
光感知領域２４Ａによって検出信号に変換され、この検
出信号がプリアンプ３５Ａによって増幅されてボトムレ
ベル検出回路４１によってそのボトム信号が検出される
。ここで、再生レーザー・ビームは、一定レベルで発生
されることから光感知領域２４Ａからの検出信号も一定
レベルであり、従ってボトムレベル検出回路４１からは
、その一定レベルのボトム信号が検出される。再生モー
ドでは、消去光発光タイミング回路５１がら消去タイミ
ング信号が発生されていない為マスキング回路５０が不
作動に維持されている。従って、このボトム信号は、マ
スキング回路５０を介してサンプル・ホールド回路５４
に供給され、サンプルホールドされる。このサンプル・
ホールド回路５４では、ボトム信号が更新される毎に更
新されたレベルがサンプル・ホールドされる。このサン
プルホールドされたボトム信号は、再生用ベース電圧発
生回路５５で信号と比較され、比較結果に基づいてこの
ベース信号発生回路５５がらフィードバック制御された
ベース電圧信号が発生される。このフィードバック制御
されたベース電圧信号がトランジスタ３３のベースに印
加されると、レーザー構造１１−１から発生される再生
用レーザー・ビームが一定に維持されるようにトランジ
スタ３３の内部インピーダンスが変化される。In such a circuit configuration, the second analog signal is output in response to the reproduction mode signal generated from the CPU 38 during the reproduction mode.
Switch 37-1 is closed. Therefore, the base voltage signal generated from the base voltage generation circuit 55 in accordance with the reference voltage generated from the reference voltage generator 45 is applied to the second transistor 33 via the second analog switch 37-2.
applied to the base of As a result, the second transistor 33 becomes conductive, activating the laser structure 11-1, and only a low level reproduction laser beam is generated from the laser structure 11-1. A reproduction laser beam generated from the front side of the semiconductor laser 11 is directed toward the optical disk 1, and a reproduction laser beam generated from the rear side thereof is incident on the photosensitive area 24A of the photodetector 24. In the reproduction mode, this reproduction laser beam is converted into a detection signal by the photo-sensing region 24A, this detection signal is amplified by the preamplifier 35A, and the bottom signal is detected by the bottom level detection circuit 41. Here, since the reproduction laser beam is generated at a constant level, the detection signal from the photosensitive area 24A is also at a constant level, and therefore, the bottom level detection circuit 41 detects the bottom signal at the constant level. . In the reproduction mode, the erasing light emission timing circuit 51 does not generate an erasing timing signal, so the masking circuit 50 remains inactive. Therefore, this bottom signal is passed through the masking circuit 50 to the sample and hold circuit 54.
sample and hold. This sample
The hold circuit 54 samples and holds the updated level every time the bottom signal is updated. This sampled and held bottom signal is compared with a signal in a reproduction base voltage generation circuit 55, and based on the comparison result, a feedback-controlled base voltage signal is generated from the base signal generation circuit 55. When this feedback controlled base voltage signal is applied to the base of transistor 33, the internal impedance of transistor 33 is changed such that the regenerative laser beam generated from laser structure 11-1 is maintained constant. .

記録モードでは、ＣＰＵ３８から発生される記録モード
信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７−
１．３７−２が閉成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路４５から発生され、
減算回路４６を介して記録用ベース電圧信号発生器４８
に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変調さ
れたベース電圧信号がアナログ・スイッチ３７−１を介
してトランジスタ３２のベースに印加される。その結果
、変調されたベース信号に応じてトランジスタ３２の内
部インピーダンスが変化し、レーザー構造１１−１に供
給される電流がパルス的に変化される。従って、レーザ
ー構造１１−１．１１−２からは、再生用レーザー・ビ
ーム及び強度変調されている記録用レーザー・ビームが
発生される。この記録用レーザー・ビームは、再生モー
ドと同様に光検知器２４の光感知領域２４Ａで検出され
、検知信号に変換される。In the recording mode, the first and second analog switches 37-
1.37-2 is closed. Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for recording is also generated. That is, the reference voltage signal is generated from the reference voltage signal generation circuit 45 in response to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 47,
Recording base voltage signal generator 48 via subtraction circuit 46
The reference voltage supplied to is modulated with the recording signal, and the modulated base voltage signal is applied to the base of transistor 32 via analog switch 37-1. As a result, the internal impedance of the transistor 32 changes in response to the modulated base signal, and the current supplied to the laser structure 11-1 changes in a pulsed manner. Therefore, a reproduction laser beam and an intensity-modulated recording laser beam are generated from the laser structures 11-1 and 11-2. This recording laser beam is detected by the photosensitive area 24A of the photodetector 24, as in the playback mode, and converted into a detection signal.

この検知信号は、プリアンプ３５を介してバンドパスフ
ィルター４０及びボトムレベル検出回路４１に供給され
る。ボトムレベル検出回路４１に供給された検出信号は
、ボトムレベルが検出さ゛れて記録用信号に対応する成
分が除去される。検出信号から抽出されたこのボトム信
号は、既に説明した再生モードの場合と同様に処理され
、再生用ベース電圧が一定に維持される。バンドパス・
フィ２６一 ルター４０に供給された検出信号は、記録信号に対応す
る変調周波数成分のみが取出され、再生用ベース電圧信
号に対応する成分が除去される。バンドパス・フィルタ
ー４０を通過した検出信号は、ピークレベル検出回路４
２でそのピーク・レベルが検出されるとともにボトムレ
ベル検出回路４３でそのボトムレベルが検出される。こ
の検出されたピーク・レベル及びボトム・レベルとの差
が減算回路４４から発生される。このレベル差信号がベ
ース電圧発生回路４６で基準電圧信号と比較され、記録
用レーザー・ビームのピークレベルを決定する一定のピ
ーク・レベルを有する記録用ベース電圧信号がベース電
圧発生回路４６から発生される。この記録用ベース信号
が記録信号に応じて変調回路４８に変調されて変調され
たベース電圧信号が発生される。記録レーザー・ビーム
は、モニターされ、このモニター出力からトランジスタ
３２のベースに与えるベース電圧信号のピーク・レベル
が常に一定に維持されていることから、レーザーｔＩ！
４造１１−２から発生されるレーザー・ビームのピーク
・レベルが一定に維持される。This detection signal is supplied to a bandpass filter 40 and a bottom level detection circuit 41 via a preamplifier 35. The bottom level of the detection signal supplied to the bottom level detection circuit 41 is detected and the component corresponding to the recording signal is removed. This bottom signal extracted from the detection signal is processed in the same manner as in the reproduction mode described above, and the reproduction base voltage is maintained constant. Bandpass・
From the detection signal supplied to the filter 26 - filter 40, only the modulation frequency component corresponding to the recording signal is extracted, and the component corresponding to the reproduction base voltage signal is removed. The detection signal that has passed through the bandpass filter 40 is sent to a peak level detection circuit 4.
At step 2, the peak level is detected, and at the same time, at the bottom level detection circuit 43, the bottom level is detected. The difference between the detected peak level and bottom level is generated from the subtraction circuit 44. This level difference signal is compared with a reference voltage signal in the base voltage generation circuit 46, and a recording base voltage signal having a constant peak level that determines the peak level of the recording laser beam is generated from the base voltage generation circuit 46. Ru. This recording base signal is modulated by a modulation circuit 48 in accordance with the recording signal to generate a modulated base voltage signal. Since the recording laser beam is monitored and the peak level of the base voltage signal applied from this monitor output to the base of transistor 32 is always maintained constant, the laser tI!
The peak level of the laser beam generated from the fourth structure 11-2 is maintained constant.

消去モードにおいては、ＣＰＵ３８から発生される消去
モード信号に応じて第２及び第３のアナログ・スイッチ
３７−２．３７−３が閉成される従って、既に述べた再
生モードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されると
ともにこの電圧信号に加えて消去用ベース電圧信号が発
生される。即ち、消去光発光タイミング信号発生回路５
１から発生された消去タイミング信号でマスキング回路
５ｏが作動されるとともにスイッチング回路６４が作動
されて消去用ベース電圧発生回路６６がアナログスイッ
チ３７−３に接続される。従って、基準信号発生回路６
２から発生され、消去用ベース電圧信号発生器６６に供
給された基準電圧は、このスイッチング回路６４及びア
ナログ・スイッチ３７−３を介してトランジスタ３６の
ベースに印加される。その結果、消去用ベース電圧信号
によってトランジスタ３２が作動され、レーザー構造１
１−３に消去用電流が供給される。ここで、トランジス
タ３３のベースには、再生用のベース電圧信号もまた印
加されていることから、このトランジスタ３３も作動さ
れる。従って、レーザー構造１１−１からは、再生用レ
ーザー・ビームが発生されるとともにレーザー構造１１
−３からは、消去用レーザー・ビームが発生される。こ
の再生用及び消去用レーザー・ビームは、光検知器２４
の光感用領域２４Ａで検出される。感知領域２４Ａから
の検知信号は、プリアンプ３５Ａを介してボトムレベル
検出回路４１に供給される。ボトムレベル検出回路４１
に供給された検出信号は、ボトムレベルが検出されてマ
スキング回路５０に供給される。ここで、このマスキン
グ回路５０は、作動状態に消去光発光タイミング信号発
生回路５１からのタイミング信号で維持されていること
からマスクされる。従って、消去モードでは、消去光発
光タイミング信号発生回路５１から発生される消去タイ
ミング信号が発生される前の再生用レーザー・ビームを
検出してサンプル・ホールド回路５４でサンプル・ホー
ルドされた信号レベルで再生用ベース電圧信号が決定さ
れる。消去モードにおいても記録用レーザー・ビームが
発生される場合にあっても検出信号中に含まれる記録信
号レベルは、このボトムレベル検出回路４１で除去され
る。ボトムレベル検出回路４１からのボトム信号には、
再生光成分がノイズとして含まれるが、この再生光成分
は、サンプル・ホールド回路５４でサンプル・ホールド
された再生用のボトム検出信号に相当し、従って、サン
プル・ホールド回路５４からの信号及びボトム検出回路
４１からのボトム検出信号が減算回路６０に供給される
ことによってボトム信号に含まれるノイズとしての再生
光成分がボトム検出信号から除去される。ノイズが除去
された再生用ボトム検出信号が消去用ベース発生回路６
６に供給され、このボトム検出信号と基準信号とが消去
用ベース発生回路６６で比較されて消去用ベース電圧信
号が発生される。従って、レーザー構造１１−３から発
生される消去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持
される。In the erase mode, the second and third analog switches 37-2 and 37-3 are closed in response to the erase mode signal generated from the CPU 38. Therefore, as in the playback mode described above, the playback base is closed. A voltage signal is generated, and in addition to this voltage signal, an erase base voltage signal is generated. That is, the erase light emission timing signal generation circuit 5
The masking circuit 5o is activated by the erase timing signal generated from the erase timing signal 1, and the switching circuit 64 is also activated to connect the erase base voltage generating circuit 66 to the analog switch 37-3. Therefore, the reference signal generation circuit 6
2 and supplied to the erase base voltage signal generator 66 is applied to the base of the transistor 36 via this switching circuit 64 and the analog switch 37-3. As a result, the erasing base voltage signal activates transistor 32 and laser structure 1
An erasing current is supplied to 1-3. Here, since the base voltage signal for reproduction is also applied to the base of the transistor 33, this transistor 33 is also activated. Therefore, a reproducing laser beam is generated from the laser structure 11-1, and the laser structure 11-1 also generates a reproduction laser beam.
-3, an erasing laser beam is generated. This regeneration and erasure laser beam is transmitted to a photodetector 24.
is detected in the photosensitive area 24A. The detection signal from the sensing region 24A is supplied to the bottom level detection circuit 41 via the preamplifier 35A. Bottom level detection circuit 41
The bottom level of the detection signal supplied to the masking circuit 50 is detected and supplied to the masking circuit 50 . Here, the masking circuit 50 is masked because it is maintained in an activated state by the timing signal from the erasing light emission timing signal generation circuit 51. Therefore, in the erase mode, the reproduction laser beam is detected before the erase timing signal generated by the erase light emission timing signal generation circuit 51 is generated, and the signal level is sampled and held by the sample and hold circuit 54. A base voltage signal for reproduction is determined. Even when a recording laser beam is generated in the erase mode, the recording signal level included in the detection signal is removed by the bottom level detection circuit 41. The bottom signal from the bottom level detection circuit 41 includes:
Although the reproduced light component is included as noise, this reproduced light component corresponds to the bottom detection signal for reproduction sampled and held by the sample and hold circuit 54, and therefore, the signal from the sample and hold circuit 54 and the bottom detection signal are sampled and held by the sample and hold circuit 54. By supplying the bottom detection signal from the circuit 41 to the subtraction circuit 60, the reproduced light component as noise contained in the bottom signal is removed from the bottom detection signal. The base generation circuit 6 generates a bottom detection signal for reproduction from which noise has been removed.
6, this bottom detection signal and the reference signal are compared in an erasing base generation circuit 66 to generate an erasing base voltage signal. Therefore, the level of the erasing laser beam generated from laser structure 11-3 is maintained constant.

第１図に示される回路は、第９図に示すように変形され
ても良い。第９図において第１図に示したと同様の回路
構成要素は、同一の符号を付してその説明を省略する。The circuit shown in FIG. 1 may be modified as shown in FIG. In FIG. 9, circuit components similar to those shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and their explanations are omitted.

第９図に示される回路においては、信号分離回路８０が
ピーク・レベル検出回路４２、マスキング回路５０−１
．５０−２、サンプルホールド回路５４−１．５４−２
、ボトム・レベル検出回路４１、Ｍ準電圧発生回路８８
、減算回路６０、記録信号発生回路４７及び消去信号発
生回路５１及びインバータ回路８７−１゜８７−２から
構成される。従って、再生モード時にＣＰＵ３８から発
生される再生モード信号に応じて第２のアナログ・スイ
ッチ３７−１が閉成され、ベース電圧発生回路５５から
発生されたベース電圧信号が第２のトランジスタ３３の
ベースに印加されて再生用レーザー構造１１−１から再
生用レーザー・ビームのみが発生され、第１の光感用領
域２４Ａで検知される。再生モードにおいては、記録信
号発生回路４７からハイレベルの記録信号が発生されて
いないことから不作動状態に維持されている第１のマス
キング回路５０−２を介して光感用領域２４Ａからの検
出信号が第１のサンプル・ホールド回路５４−２に供給
され、サンプル・ホールドされる。このサンプル・ホー
ルドされた検出信号は、再生用ベース電圧発生回路５５
で信号と比較され、比較結果に基づいてこのベース信号
発生回路５５からフィードバック制御されたベース電圧
信号が発生される。このフィードバック制御されたベー
ス電圧信号がトランジスタ３３のベースに印加されると
、レーザー構造１１−１から発生される再生用レーザー
・ビームが一定に維持される。In the circuit shown in FIG. 9, the signal separation circuit 80 includes the peak level detection circuit 42 and the masking circuit 50-1.
．． 50-2, sample hold circuit 54-1.54-2
, bottom level detection circuit 41, M quasi-voltage generation circuit 88
, a subtraction circuit 60, a recording signal generation circuit 47, an erase signal generation circuit 51, and inverter circuits 87-1 and 87-2. Therefore, the second analog switch 37-1 is closed in response to the reproduction mode signal generated from the CPU 38 during the reproduction mode, and the base voltage signal generated from the base voltage generation circuit 55 is applied to the base of the second transistor 33. is applied to generate only a reproducing laser beam from the reproducing laser structure 11-1, which is detected in the first photosensitive area 24A. In the reproduction mode, since no high-level recording signal is generated from the recording signal generation circuit 47, detection from the photosensitive area 24A is performed via the first masking circuit 50-2, which is maintained in an inactive state. The signal is supplied to the first sample and hold circuit 54-2 and sampled and held. This sampled and held detection signal is sent to the reproduction base voltage generation circuit 55.
Based on the comparison result, the base signal generating circuit 55 generates a feedback-controlled base voltage signal. When this feedback controlled base voltage signal is applied to the base of transistor 33, the reproduction laser beam generated from laser structure 11-1 is maintained constant.

記録モードでは、ＣＰＵ３８から発生される記録モード
信号に応じて第１及び第２のアナログ・スイッチ３７−
１．３７−２が開成される。従って、既に述べた再生モ
ードと同様に再生用ベース電圧信号が発生されるととも
にこの電圧信号に加えて記録用ベース電圧信号が発生さ
れる。即ち、記録信号発生回路４７から発生された記録
信号に応じて基準電圧信号発生回路４５から発生され、
減算回路４６を介して記録用ベース電圧信号発生器４８
に供給された基準電圧は、記録信号で変調され、変調さ
れたベース電圧信号がトランジスタ３２のベースに印加
される。その結果、再生用レーザー・ビームがレーザー
構造１１−１から発生されるとともに変調されたベース
信号に応じてレーザー構造１１−２から記録用レーザー
・ビームが発生される。再生用レーザー・ビーム及び記
録用レーザー・ビームは、光検知器２４の光感用領域２
４Ａで検出され、光感用領域２４Ａからは、再生用検知
信号レベルに記録用検知信号レベルがノイズとして混入
された検知信号が発生される。In the recording mode, the first and second analog switches 37-
1.37-2 is opened. Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for recording is also generated. That is, the reference voltage signal is generated from the reference voltage signal generation circuit 45 in response to the recording signal generated from the recording signal generation circuit 47,
Recording base voltage signal generator 48 via subtraction circuit 46
The reference voltage supplied to the transistor 32 is modulated with the recording signal, and the modulated base voltage signal is applied to the base of the transistor 32. As a result, a reproducing laser beam is generated from the laser structure 11-1, and a recording laser beam is generated from the laser structure 11-2 in response to the modulated base signal. The reproduction laser beam and the recording laser beam are transmitted to the photosensitive area 2 of the photodetector 24.
4A, and a detection signal in which the recording detection signal level is mixed as noise with the reproduction detection signal level is generated from the photosensitive area 24A.

プリアンプ３５を介する光感用領域２４Ａからの検知信
号は、マスキング回路５０−２に供給されるが、マスキ
ング回路５０−２は、記録信号発生回路４７からハイレ
ベルの記録信号が発生されている開作動状態に維持され
ていることからこのマスキング回路５０−２によって検
知信号は、マスクされる。従って、検知信号がマスクさ
れる前にサンプル・ホールドされた検知信号に基づいて
再生用ベース電圧が決定される。第２のマスキング回路
５０−２と記録信号発生回路４７との間には、インバー
タ８７−２が接続されていることから、この第２のマス
キング回路５０−２は、記録信号発生回路４７から記録
信号が発生されている間不作動状態に維持され、記録信
号発生回路４７から記録信号が発生されていない開作動
状態に維持される。従って、記録月光感知領域２４Ａか
らの検知信号は、ピークレベル検出回路４２で検出され
、検出されたピーク・レベルが不作動状態に維持された
マスキング回路５０−１を介してサンプル・ホールド回
路５４−１でサンプル・ホールドされてベース電圧発生
回路４６に供給され、基準電圧発生回路４５からの基準
電圧に基づいてベース電圧が決定される。この記録用ベ
ース信号が記録信号に応じて変調回路４８に変調されて
変調されたベース電圧信号が発生される。The detection signal from the photosensitive area 24A via the preamplifier 35 is supplied to the masking circuit 50-2. Since the masking circuit 50-2 is maintained in an activated state, the detection signal is masked by the masking circuit 50-2. Therefore, the reproduction base voltage is determined based on the sampled and held detection signal before the detection signal is masked. Since the inverter 87-2 is connected between the second masking circuit 50-2 and the recording signal generation circuit 47, the second masking circuit 50-2 receives the recording signal from the recording signal generation circuit 47. It is maintained in an inactive state while a signal is being generated, and is maintained in an open operating state in which no recording signal is generated from the recording signal generating circuit 47. Therefore, the detection signal from the recorded moonlight sensing area 24A is detected by the peak level detection circuit 42, and the detected peak level is sent to the sample and hold circuit 54-1 via the masking circuit 50-1, which is maintained in an inactive state. The signal is sampled and held at 1 and supplied to the base voltage generation circuit 46, and the base voltage is determined based on the reference voltage from the reference voltage generation circuit 45. This recording base signal is modulated by a modulation circuit 48 in accordance with the recording signal to generate a modulated base voltage signal.

消去モードにおいては、ＣＰＵ３８から発生される消去
モード信号に応じて第２及び第３のアナログ・スイッチ
３７−２．３７−３が閉成される。In the erase mode, the second and third analog switches 37-2, 37-3 are closed in response to an erase mode signal generated from the CPU 38.

従って、既に述べた再生モードと同様に再生用ベ−スミ
圧信号が発生されるとともにこの電圧信号に加えて消去
用ベース電圧信号が発生される。即ち、消去光発光タイ
ミング信号発生回路５１から発生された消去タイミング
信号でマスキング回路５０−１．５０−２が作動される
とともにスイッチング回路６４が作動されて消去用ベー
ス電圧発生回路６６がアナログスイッチ３７−３に接続
される。従って、基準信号発生回路６２から発生され、
消去用ベース電圧信号発生器６６に供給された基準電圧
は、このスイッチング回路６４及びアナログ・スイッチ
３７−３を介してトランジスタ３６のベースに印加され
る。その結果、消去用ベース電圧信号によってトランジ
スタ３２が作動され、レーザー構造１１−３に消去用電
流が供給される。ここで、トランジスタ３３のベースに
は、再生用のベース電圧信号もまた印加されていること
から、このトランジスタ３３も作動される。従って、レ
ーザー構造１１−１からは、再生用レーザー・ビームが
発生されるとともにレーザー構造１１−３からは、消去
用レーザー・ビームが発生される。この再生用及び消去
用レーザー・ビームは、光検知器２４の光感知領域２４
Ａで検出される。感知領域２４Ａからの検知信号は、プ
リアンプ３５Ａを介してボトムレベル検出回路４１に供
給される。ボトムレベル検出回路４１に供給された検出
信号は、ボトムレベルが検出される。Therefore, as in the reproduction mode already described, a base voltage signal for reproduction is generated, and in addition to this voltage signal, a base voltage signal for erasing is also generated. That is, the masking circuit 50-1, 50-2 is activated by the erase timing signal generated from the erase light emission timing signal generation circuit 51, and the switching circuit 64 is also activated, so that the erase base voltage generation circuit 66 is activated by the analog switch 37. -3 is connected. Therefore, the reference signal generation circuit 62 generates
The reference voltage supplied to the erase base voltage signal generator 66 is applied to the base of the transistor 36 via this switching circuit 64 and the analog switch 37-3. As a result, the erase base voltage signal activates transistor 32 and provides erase current to laser structure 11-3. Here, since the base voltage signal for reproduction is also applied to the base of the transistor 33, this transistor 33 is also activated. Therefore, the laser structure 11-1 generates a reproducing laser beam, and the laser structure 11-3 generates an erasing laser beam. The regeneration and erasure laser beams are directed to the photosensitive area 24 of the photodetector 24.
Detected at A. The detection signal from the sensing region 24A is supplied to the bottom level detection circuit 41 via the preamplifier 35A. The bottom level of the detection signal supplied to the bottom level detection circuit 41 is detected.

消去モードにおいても記録用レーザー・ビームが発生さ
れる場合にあっても検出信号中に含まれる記録信号レベ
ルは、このボトムレベル検出回路４１で除去される。ボ
トムレベル検出回路４１からのボトム信号には、再生光
成分がノイズとして含まれるが、この再生光成分は、補
正信号発生回路８８で生成される。即ち、再生光レベル
は、略一定であるとしてこの再生光レベル相当する補正
信号が補正信号発生回路８８から発生される。この補正
信号及びボトムレベル検出回路４１からのボトム検出信
号が減算回路６０に供給されることによってボトム信号
に含まれるノイズとしての再生光成分がボトム検出信号
から除去される。ノイズが除去された消去用ボトム検出
信号が消去用ベース発生回路６６に供給され、このボト
ム検出信号と基準信号とが消去用ベース電圧発生回路６
６で比較されて消去用ベース電圧信号が発生される。Even when a recording laser beam is generated in the erase mode, the recording signal level included in the detection signal is removed by the bottom level detection circuit 41. The bottom signal from the bottom level detection circuit 41 includes a reproduction light component as noise, and this reproduction light component is generated by the correction signal generation circuit 88. That is, assuming that the reproduction light level is substantially constant, a correction signal corresponding to the reproduction light level is generated from the correction signal generation circuit 88. By supplying this correction signal and the bottom detection signal from the bottom level detection circuit 41 to the subtraction circuit 60, the reproduced light component as noise contained in the bottom signal is removed from the bottom detection signal. The erasing bottom detection signal from which noise has been removed is supplied to the erasing base generation circuit 66, and this bottom detection signal and the reference signal are used as the erasing base voltage generating circuit 6.
6 to generate an erase base voltage signal.

従って、消去光発光タイミング回路６４が作動状態にあ
る間、消去用ベース電圧信号がトランジスタ３６のベー
スに印加され、レーザー構造１１−３から発生される消
去用レーザー・ビームのレベルが一定に維持される。Therefore, while the erase light emission timing circuit 64 is in the activated state, the erase base voltage signal is applied to the base of the transistor 36 to maintain a constant level of the erase laser beam generated from the laser structure 11-3. Ru.

［発明の効果］ 以上のように、この発明の多重光発生装置を備えた光ヘ
ッドによれば、光源の複数の光源構造体から発生された
光ビームが少なくとも１つの光検出器で検出されて検出
信号は１、各光ビームに対応する信号成分に分離され、
これにより各光源構造体が制御される為、各光源構造体
は、常に正確にしかも安定して駆動され、その結果、各
光源構造体からの光ビームも安定される。従って、情報
記録媒体から正確に情報を再生でき、情報を記録でき、
或いは、消去できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the optical head equipped with the multiple light generating device of the present invention, the light beams generated from the plurality of light source structures of the light source are detected by at least one photodetector. The detection signal is separated into 1 signal components corresponding to each light beam,
Since each light source structure is thereby controlled, each light source structure is always driven accurately and stably, and as a result, the light beam from each light source structure is also stabilized. Therefore, information can be accurately reproduced from the information recording medium, information can be recorded,
Or it can be deleted.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は、この発明の一実施例に係る多重光発生装置の
回路図を示し、第２図は、第１図に示される多重光発生
装置が組込まれる光ヘッドの光学系を示し、第３図は、
第２図に示されたマウントを示す正面図、第４図は、第
２図に示されたプリズム部材を示す斜視図、第５図は、
第２図に示される光学系が組込まれるマウント・フレー
ムを示す断面図、第６図は、第３図に示されたマウント
を示す斜視図、第７図は、第５図に示されたマウントを
示す平面図、第８図は、この発明の多重光発生装置の回
路図のブロックを示し、及び第９図は、この発明の他の
実施例に係る多重光発生装置の回路図を示す。 １１・・・半導体レーザー、１２・・・集束レンズ、１
３・・・プリズム、１４・・・光検出器、１６Ａ、１６
Ｂ、１７Ａ、１７Ｂ・・・光感知領域、１８・・・対物
レンズ、２０・・・マウント、２４・・・モニター用光
検出器、２４Ａ、２４Ｂ・・・光感知領域、３８・・・
ＣＰＵ、４０・・・バンドパス・フィルター、４１．４
３・・・ボトムレベル検出回路、４２・・・ビーフレベ
ル検出回路、４４・・・減算回路、４６．５５゜６６・
・・ベース電圧発生回路、４８・・・変調回路、５０．
５０−２．５０−２・・・マスキング回路、５１・・・
消去光発光タイミング回路、５４．５４−１．５１−２
・・・サンプル・ホールド回路、６０・・・減算回路、
８８・・・補正信号発生回路出願人代理人　弁理士　鈴
江武彦 第６図 ＶｃｃFIG. 1 shows a circuit diagram of a multiplexed light generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an optical system of an optical head in which the multiplexed light generator shown in FIG. 1 is incorporated. Figure 3 is
FIG. 2 is a front view showing the mount shown in FIG. 2, FIG. 4 is a perspective view showing the prism member shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a front view showing the mount shown in FIG.
FIG. 2 is a sectional view showing the mount frame in which the optical system shown in FIG. 6 is incorporated, FIG. 6 is a perspective view showing the mount shown in FIG. 3, and FIG. FIG. 8 shows a block diagram of a circuit diagram of a multiplexed light generating device according to the present invention, and FIG. 9 shows a circuit diagram of a multiplexed light generating device according to another embodiment of the present invention. 11... Semiconductor laser, 12... Focusing lens, 1
3... Prism, 14... Photodetector, 16A, 16
B, 17A, 17B... Light sensing area, 18... Objective lens, 20... Mount, 24... Photodetector for monitor, 24A, 24B... Light sensing area, 38...
CPU, 40... Bandpass filter, 41.4
3... Bottom level detection circuit, 42... Beef level detection circuit, 44... Subtraction circuit, 46.55°66.
... base voltage generation circuit, 48 ... modulation circuit, 50.
50-2.50-2... masking circuit, 51...
Erasing light emission timing circuit, 54.54-1.51-2
...Sample/hold circuit, 60...Subtraction circuit,
88...Correction signal generation circuit Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 6 Vcc

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）複数の光源構造体を有する光源と、各光源構造体
の発光点に対応して設けられ、光源から発生された少な
くとも２以上の発光点からの光ビームを検出する少なく
とも１つの検出領域を有する検知手段と、この検知手段
の検知領域からの検出信号を各発光点からの光ビームに
対応する信号に分離する分離手段と、この分離手段で分
離された検出信号に応じて各光源構造体を駆動し、前記
各発光点からの光ビームを制御する駆動手段とから成る
ことを特徴とする多重発光装置。(1) A light source having a plurality of light source structures, and at least one detection area provided corresponding to the light emitting points of each light source structure and detecting light beams from at least two or more light emitting points generated from the light source. a detection means having a detection area of the detection means, a separation means for separating a detection signal from a detection area of the detection means into signals corresponding to a light beam from each light emitting point, and a separation means for separating a detection signal from each light source structure according to the detection signal separated by the separation means. 1. A multiple light emitting device comprising: driving means for driving a body and controlling light beams from each of the light emitting points. （２）分離手段は、検知領域からの検出信号から特定の
成分を除去するフィルター回路と、及び前記検知領域か
らの検出信号からこのフィルター回路の出力信号を減算
する回路とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の多重発光装置。(2) The separation means is characterized by comprising a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, and a circuit that subtracts the output signal of this filter circuit from the detection signal from the detection area. A multiple light emitting device according to claim 1. （３）分離手段は、前記検知領域からの検出信号から特
定成分を除去するフィルター回路と、このフィルター回
路からの出力信号を特定期間ホールドするサンプル・ホ
ールド回路と、及びサンプル・ホールド出力信号を前記
検知領域からの検出信号から減算する減算回路とから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多重発
光装置。(3) The separating means includes a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, a sample and hold circuit that holds the output signal from the filter circuit for a specific period, and a sample and hold output signal that 2. The multiple light emitting device according to claim 1, further comprising a subtraction circuit that subtracts the detection signal from the detection area. （４）前記信号分離回路は、前記検知領域からの検出信
号から特定成分を除去するフィルター回路と、及びこの
フィルター回路からの出力信号を特定期間ホールドする
サンプル・ホールド回路とから成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の多重発光装置。(4) The signal separation circuit is characterized by comprising a filter circuit that removes a specific component from the detection signal from the detection area, and a sample and hold circuit that holds the output signal from the filter circuit for a specific period of time. A multiple light emitting device according to claim 1.