JPH0196982A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0196982A JPH0196982A JP62254920A JP25492087A JPH0196982A JP H0196982 A JPH0196982 A JP H0196982A JP 62254920 A JP62254920 A JP 62254920A JP 25492087 A JP25492087 A JP 25492087A JP H0196982 A JPH0196982 A JP H0196982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- growth
- substrate
- semiconductor laser
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100240461 Dictyostelium discoideum ngap gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ素子に関し、特に、ＭＢＥ （分
子線エピタキシー〉、ＭＯ−ＣＶＤ （有機金属を原料
とした気相成長）あるいはＧＳ−ＭＢＥ （気体原料を
用いた分子線エピタキシー）といった気相成長法によっ
て作製の可能な半導体レーザ素子における信頼性向上技
術に関するものである。
子線エピタキシー〉、ＭＯ−ＣＶＤ （有機金属を原料
とした気相成長）あるいはＧＳ−ＭＢＥ （気体原料を
用いた分子線エピタキシー）といった気相成長法によっ
て作製の可能な半導体レーザ素子における信頼性向上技
術に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体のエピタキシャル成長技術の進歩は著しく
、！４ＢＥ法、！１１０−ＣＶＤ法あるいはＯ３−ＭＢ
Ｅ法念用いて１０Å以下の単分子層オーダーまでの極め
て薄いエピタキシャル成長層の制御が可能となっている
。このようなエピタキシャル成長技術の進歩により、半
導体レーザ素子の分野においても、従来のＬＰ）、（液
相成長）法や水素化物あるいは塩化物を原料としたＶＰ
Ｅ（気相成長）法などの熱平衡に近い条件下での成長法
では困難であった極めて薄い層を有する素子構造が実現
されており、それによって半導体レーザ素子の特性が改
善されている。例えば、従来のＬＰＨ法では活性層の厚
みが５００Å以下のダブルへテロ接合構造をヘテロ接合
界面の急峻性を保ちつつウェハ全面にわたって均一に成
長させることは困難であったが、ＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶ
Ｄ法等を用いれば容易に実現可能となる。また、ダブル
へテロ接合構造を有する半導体レーザ素子の高出力限界
は主に活性層中のレーザ光強度により制限されているが
、上述のようにＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ法等により活性
層厚みを容易に５００Å以下とすることができるので、
光がクラッド層へしみ出すため活性層中の光強度は減少
し、高出力限界が改善されるのである。
、！４ＢＥ法、！１１０−ＣＶＤ法あるいはＯ３−ＭＢ
Ｅ法念用いて１０Å以下の単分子層オーダーまでの極め
て薄いエピタキシャル成長層の制御が可能となっている
。このようなエピタキシャル成長技術の進歩により、半
導体レーザ素子の分野においても、従来のＬＰ）、（液
相成長）法や水素化物あるいは塩化物を原料としたＶＰ
Ｅ（気相成長）法などの熱平衡に近い条件下での成長法
では困難であった極めて薄い層を有する素子構造が実現
されており、それによって半導体レーザ素子の特性が改
善されている。例えば、従来のＬＰＨ法では活性層の厚
みが５００Å以下のダブルへテロ接合構造をヘテロ接合
界面の急峻性を保ちつつウェハ全面にわたって均一に成
長させることは困難であったが、ＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶ
Ｄ法等を用いれば容易に実現可能となる。また、ダブル
へテロ接合構造を有する半導体レーザ素子の高出力限界
は主に活性層中のレーザ光強度により制限されているが
、上述のようにＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ法等により活性
層厚みを容易に５００Å以下とすることができるので、
光がクラッド層へしみ出すため活性層中の光強度は減少
し、高出力限界が改善されるのである。
（発明が解決しようとする問題点）
ＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ法等の気相成長法はそのような
利点ともち、かつ直径２インチ以上の大面積にわたり均
一な成長層を得ることができるにもかかわらず、高信頼
性を保証するに十分な良質の結晶を再現性良く得ること
が容易ではないため、半導体レーザ素子の量産工程に広
く普及しているとはいえない現状にある。
利点ともち、かつ直径２インチ以上の大面積にわたり均
一な成長層を得ることができるにもかかわらず、高信頼
性を保証するに十分な良質の結晶を再現性良く得ること
が容易ではないため、半導体レーザ素子の量産工程に広
く普及しているとはいえない現状にある。
この普及を妨げている原因の最も大きなものは、従来の
半導体レーザ素子は（１００）面を面方位とする半導体
基板上にエピタキシャル成長により形成された構造を有
しているので、それら熱非平衡条件下の成長法では結晶
性の制御が一般に容易ではなく、信頼性の高い半導体レ
ーザ素子を再現性良く且つ歩留り良く得ることが困難で
あることである。
半導体レーザ素子は（１００）面を面方位とする半導体
基板上にエピタキシャル成長により形成された構造を有
しているので、それら熱非平衡条件下の成長法では結晶
性の制御が一般に容易ではなく、信頼性の高い半導体レ
ーザ素子を再現性良く且つ歩留り良く得ることが困難で
あることである。
すなわち、これらの成長法では■族および■族の空孔や
インタースティシャル等の点欠陥を低減するためには、
成長物のＶ族と■族の比を一定に制御する必要がある。
インタースティシャル等の点欠陥を低減するためには、
成長物のＶ族と■族の比を一定に制御する必要がある。
また、ＬＰＥ法のように■族の融液で成長層が覆われて
いる場合は雰囲気中の酸素や水蒸気あるいは炭化水素等
の混入は大きな間通とはならないが、ＭＢＥ法やＭＯ−
ＣＶＤ法等では気相から固相へ直接これらの不純物が取
り込まれるため、雲囲気を清浄に保つことも容易ではな
い。これらの困難さは高信頼性半導体レーザ素子の再現
性を低下させる要因となっていた。
いる場合は雰囲気中の酸素や水蒸気あるいは炭化水素等
の混入は大きな間通とはならないが、ＭＢＥ法やＭＯ−
ＣＶＤ法等では気相から固相へ直接これらの不純物が取
り込まれるため、雲囲気を清浄に保つことも容易ではな
い。これらの困難さは高信頼性半導体レーザ素子の再現
性を低下させる要因となっていた。
また、ＬＰＥ法ではスライドボート法を用いて成長を行
うため、基板は水平に置かれており、成長中に大きなス
トレスが加わることはないが、ＭＢＥ法において基板を
Ｉｎで固定する場合は、Ｉｎと基板との間の合金化反応
や成長ｆ＆降温時のＩｎ固化に伴う基板へのストレスが
問題となる。また、ＭＢＥ法でＩｎを用いずに機械的に
基板と固定する場合や、ＭＯ−ＣＶＤ法でも均一性を向
上させるため或いは多数枚成長を行うため基板を斜めに
固定する場合においては、基板を固定する部分にストレ
スが加わり、それが成長中に転位を発生する原因となっ
ている。ストレスにより発生した転位は高信頼性半導体
レーザ素子の歩留り低下の原因となっていた。
うため、基板は水平に置かれており、成長中に大きなス
トレスが加わることはないが、ＭＢＥ法において基板を
Ｉｎで固定する場合は、Ｉｎと基板との間の合金化反応
や成長ｆ＆降温時のＩｎ固化に伴う基板へのストレスが
問題となる。また、ＭＢＥ法でＩｎを用いずに機械的に
基板と固定する場合や、ＭＯ−ＣＶＤ法でも均一性を向
上させるため或いは多数枚成長を行うため基板を斜めに
固定する場合においては、基板を固定する部分にストレ
スが加わり、それが成長中に転位を発生する原因となっ
ている。ストレスにより発生した転位は高信頼性半導体
レーザ素子の歩留り低下の原因となっていた。
本発明は、従来の半導体レーサ素子における上述のよう
な問題点を解消し、気相エピタキシャル成長法によって
再現性良く且つ歩留り良く形成された高い信頼性を有す
る半導体レーザ素子を提供することを目的としている。
な問題点を解消し、気相エピタキシャル成長法によって
再現性良く且つ歩留り良く形成された高い信頼性を有す
る半導体レーザ素子を提供することを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板上にエピタキ
シャル成長された半導体レーザ素子であって、該半導体
基板の実質的な成長用面方位が（１１１）面であり、成
長用面上には気相エピタキシャル成長層が堆積されてお
り、そのことにより上記目的が達成される。
シャル成長された半導体レーザ素子であって、該半導体
基板の実質的な成長用面方位が（１１１）面であり、成
長用面上には気相エピタキシャル成長層が堆積されてお
り、そのことにより上記目的が達成される。
従来の半導体レーザ素子は（１００）面を面方位とする
半導体基板上にエピタキシャル成長をもって形成されて
いたのに対し、本発明の半導体レーザ素子においては実
質的に（１１１）面を面方位とする基板上に気相エピタ
キシャル成長によって形成されていることにより、上述
のＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ法等における諸問題点が解決
され、再現性および歩留りの良い高信頼性の半導体レー
ザ素子が実現されるのである。
半導体基板上にエピタキシャル成長をもって形成されて
いたのに対し、本発明の半導体レーザ素子においては実
質的に（１１１）面を面方位とする基板上に気相エピタ
キシャル成長によって形成されていることにより、上述
のＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ法等における諸問題点が解決
され、再現性および歩留りの良い高信頼性の半導体レー
ザ素子が実現されるのである。
半導体レーザ素子の構造を成長中に欠陥が生じないよう
な構成とすることにより、高い信頼性を有する半導体レ
ーザ素子を得ることができる。これらの欠陥の主なもの
としては、ＭＢＥ成長においては表面欠陥、基板固定に
伴うストレスにより発生するスリップライン、および成
長中に発生する転位がある。
な構成とすることにより、高い信頼性を有する半導体レ
ーザ素子を得ることができる。これらの欠陥の主なもの
としては、ＭＢＥ成長においては表面欠陥、基板固定に
伴うストレスにより発生するスリップライン、および成
長中に発生する転位がある。
このうち表面欠陥の密度は本発明者等の研究ではこの種
の半導体レーザ素子においては２００〜２０００ ａｎ
−”程度であり、表面欠陥が発振領域に生ずる確率は
低い、更に、表面欠陥の発生原因は粒子状の汚染物や（
ｌａミセル起因する外的なものであるため、表面欠陥の
発生は基板面方位には依存しない、 ゛また、基板固
定に伴うストレスにより発生するスリップラインは基板
面方位によって著しく異なる。Ｉｎを用いた固定法にお
いては、ＩｎとＧａＡｓ基板とは全面にわたってはぬれ
ないため、Ｉｎのぬれない部分が島状に点在することに
なる。成長後にＩｎが低温化し固化する段階において、
Ｉｎとぬれている部分がぬれていない部分に比べて大き
く収縮するため、ぬれていない部分のＧａＡｓが張力を
受けることになり張力に弱いＧａＡｓ中にスリップライ
ンが発生する。また、Ｉｎを用いずに基板を機械的に固
定する場合においても、固定する部分に力が加わるため
スリップラインが発生する。これらのスリップラインの
発生及びその伝搬は基板面に平行な方向の基板の強度と
強い相関がある。ＧａＡｓのようなＺｉｎｃｂｌｅｎｄ
構造の結晶では、正四面体配位の４つの化学結合のうち
正四面体の１つの面である（１１１）面と平行に近い方
向に３つが存在するため、（，１１１）面の方が（１０
０）面に比べて面に平行な方向のストレスに対する強度
が大きい。実際に、基板面方位として（１１１）面を用
いることにより（１００）面を用いた場合と比べてスリ
ップラインの密度を１桁以上低減することができた。
の半導体レーザ素子においては２００〜２０００ ａｎ
−”程度であり、表面欠陥が発振領域に生ずる確率は
低い、更に、表面欠陥の発生原因は粒子状の汚染物や（
ｌａミセル起因する外的なものであるため、表面欠陥の
発生は基板面方位には依存しない、 ゛また、基板固
定に伴うストレスにより発生するスリップラインは基板
面方位によって著しく異なる。Ｉｎを用いた固定法にお
いては、ＩｎとＧａＡｓ基板とは全面にわたってはぬれ
ないため、Ｉｎのぬれない部分が島状に点在することに
なる。成長後にＩｎが低温化し固化する段階において、
Ｉｎとぬれている部分がぬれていない部分に比べて大き
く収縮するため、ぬれていない部分のＧａＡｓが張力を
受けることになり張力に弱いＧａＡｓ中にスリップライ
ンが発生する。また、Ｉｎを用いずに基板を機械的に固
定する場合においても、固定する部分に力が加わるため
スリップラインが発生する。これらのスリップラインの
発生及びその伝搬は基板面に平行な方向の基板の強度と
強い相関がある。ＧａＡｓのようなＺｉｎｃｂｌｅｎｄ
構造の結晶では、正四面体配位の４つの化学結合のうち
正四面体の１つの面である（１１１）面と平行に近い方
向に３つが存在するため、（，１１１）面の方が（１０
０）面に比べて面に平行な方向のストレスに対する強度
が大きい。実際に、基板面方位として（１１１）面を用
いることにより（１００）面を用いた場合と比べてスリ
ップラインの密度を１桁以上低減することができた。
更に、成長中に発生する転位としては、基板中の転位が
成長層へ伝搬するものや成長中に核発生により生ずる新
たな転位がある。これらも（１１１）面上の成長過程と
（１００）面上のそれとの違いにより、（１１１）面上
の成長では低減されていることが考えられる。実際、第
２図に示したように、長期における劣化率も（１１１）
面上の素子の方が低い、これは、（１００）面上の成長
においてよ、す（１１１）面上の成長における方が、空
孔やインタースティシャル等の点欠陥の発生が少ないこ
とを示しており、成長過程の違いを反映したものである
。 （１１１）面上の成長は（１００）面上の成長と
比べて成長中の汚染物質の取り込みも少ないと考えられ
る。
成長層へ伝搬するものや成長中に核発生により生ずる新
たな転位がある。これらも（１１１）面上の成長過程と
（１００）面上のそれとの違いにより、（１１１）面上
の成長では低減されていることが考えられる。実際、第
２図に示したように、長期における劣化率も（１１１）
面上の素子の方が低い、これは、（１００）面上の成長
においてよ、す（１１１）面上の成長における方が、空
孔やインタースティシャル等の点欠陥の発生が少ないこ
とを示しており、成長過程の違いを反映したものである
。 （１１１）面上の成長は（１００）面上の成長と
比べて成長中の汚染物質の取り込みも少ないと考えられ
る。
（実施例）
第１図は本発明の第一の実施例であるＡＩＧａＡ、ｓ系
ダブルへテロ接合構造レーザ素子の断面模式図である０
本実施例の作製手順を説明する。先ず、（１００）面方
向へ０．５度傾けた（１１１）Ｂ面を有するｎ−ＧユＡ
ｓ基板１ （Ｓｉ＝２Ｘ １０’ ８ｃｍ−３）上に、
ｎ−ＧａＡｓバッファ層２（０，５，ｃｚｍ、 ５ｉ＝
５Ｘ１０１７ａｎ−３）、ｎ−ＡＩｏ、ａｅＧａａ６２
ＡｓクラッドＦｌ１３（１，４，ｃｚｍ、 Ｓｉ□５Ｘ
１０１７ａｎ−’）、７ンドー７ＡＩ＋１．３１Ｇａ１
１．１２Ａｓ活性層４（０，０７μｍ＞、Ｐ−Ａｌｏ、
ｔｓＧａ＠、６２Ａｓクラッド層５（１μｍ、 Ｂｅ＝
５Ｘ１０１７ｃｍ−’）、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６（
０，２μｎ、Ｂｅ＝２ＸｌＯ”ａｍ−’）、ｎ−ＡＬＢ
、６Ｇ：Ｌ＠、ｔ、Ａｓ電流狭窄層７（０，６μｍ、５
ｉ＝５Ｘ１０”ａｎ −’ ）、ｎ−ＧａＡｓコンタク
ト層８（０，２μｍ、 ５ｉ＝５Ｘ１０１７ａｎ−３＞
を！４ＢＥ法により連続的に成長した。成長温度は７２
０°Ｃ１Ｖ／ｍ族フラックス比は２〜３、成長速度はク
ラッド層において１．４μｍ／ｈであった０ＭＢＥ成長
後、フォトリソグラフィを用いて化学エツチングにより
５μｍ幅のストライブ状の溝１１をキャップ層６に到達
するまで形成し、ｎ側、ｐ側にそれぞれＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕ−ＡｕＺｎ／Ａｕを用いて電′ＦｆｌｌＯ１９を
形成して素子とした。共振器長２５０μｍとして＠開し
た素子は、発振波長が８３０ｎｍ、閾値電流が１００〜
１２０ｍＡで発振した。
ダブルへテロ接合構造レーザ素子の断面模式図である０
本実施例の作製手順を説明する。先ず、（１００）面方
向へ０．５度傾けた（１１１）Ｂ面を有するｎ−ＧユＡ
ｓ基板１ （Ｓｉ＝２Ｘ １０’ ８ｃｍ−３）上に、
ｎ−ＧａＡｓバッファ層２（０，５，ｃｚｍ、 ５ｉ＝
５Ｘ１０１７ａｎ−３）、ｎ−ＡＩｏ、ａｅＧａａ６２
ＡｓクラッドＦｌ１３（１，４，ｃｚｍ、 Ｓｉ□５Ｘ
１０１７ａｎ−’）、７ンドー７ＡＩ＋１．３１Ｇａ１
１．１２Ａｓ活性層４（０，０７μｍ＞、Ｐ−Ａｌｏ、
ｔｓＧａ＠、６２Ａｓクラッド層５（１μｍ、 Ｂｅ＝
５Ｘ１０１７ｃｍ−’）、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６（
０，２μｎ、Ｂｅ＝２ＸｌＯ”ａｍ−’）、ｎ−ＡＬＢ
、６Ｇ：Ｌ＠、ｔ、Ａｓ電流狭窄層７（０，６μｍ、５
ｉ＝５Ｘ１０”ａｎ −’ ）、ｎ−ＧａＡｓコンタク
ト層８（０，２μｍ、 ５ｉ＝５Ｘ１０１７ａｎ−３＞
を！４ＢＥ法により連続的に成長した。成長温度は７２
０°Ｃ１Ｖ／ｍ族フラックス比は２〜３、成長速度はク
ラッド層において１．４μｍ／ｈであった０ＭＢＥ成長
後、フォトリソグラフィを用いて化学エツチングにより
５μｍ幅のストライブ状の溝１１をキャップ層６に到達
するまで形成し、ｎ側、ｐ側にそれぞれＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕ−ＡｕＺｎ／Ａｕを用いて電′ＦｆｌｌＯ１９を
形成して素子とした。共振器長２５０μｍとして＠開し
た素子は、発振波長が８３０ｎｍ、閾値電流が１００〜
１２０ｍＡで発振した。
このようにして得られた素子の両端面に電子ビーム蒸着
法を用いて半波長厚みのＡｌ２Ｏ，の保護膜を形成し、
Ｍｏ／ＡｕコートしたＣｕヒートシンク上にｐ側をＩｎ
ろう材を用いてマウントした。比較のために（１００）
面を有するｎ−ＧａＡｓ基板上に同時にＭＢＥ成長した
ウェハに対して上述の（１１１）面上の素子と同様にし
て素子化を行った。素子特性については（１１１）面上
の素子と（１０１） ）面上の素子との間では大きな差
はなかった。
法を用いて半波長厚みのＡｌ２Ｏ，の保護膜を形成し、
Ｍｏ／ＡｕコートしたＣｕヒートシンク上にｐ側をＩｎ
ろう材を用いてマウントした。比較のために（１００）
面を有するｎ−ＧａＡｓ基板上に同時にＭＢＥ成長した
ウェハに対して上述の（１１１）面上の素子と同様にし
て素子化を行った。素子特性については（１１１）面上
の素子と（１０１） ）面上の素子との間では大きな差
はなかった。
これらの素子を５０°Ｃにおいて３＋ｎＷの一定出力の
条件でエージング試験を行った。動作電流の長期の経時
変化の例を第２図に示す、第２図では、実線が（１１１
）面基板を用いた本実施例の場合の、破線が（１００）
面基板を用いた比較例の場合の駆動電流の変化をそれぞ
れ示している。駆動電流の増加率は１０００〜２０００
時間以上経過後において、（１１１）面上の実施例素子
では０．５ｍＡ／ｋｈ以下であるのに対して、（１０［
１）面上の比較例素子ではＩｎ＋Ａ／ｋｈであり、（１
１１）面上の素子の方が優れている。また、（１００）
面上の比較例素子では、第２図で破線Ａにより示されて
いるように、１０００時間以上にわたって安定に動作を
続けていた素子が急速に劣化するものが１０％以上あっ
た。しかし、（１１１）面上の素子においてはこのよう
に急速劣化する素子は全くなかった。
条件でエージング試験を行った。動作電流の長期の経時
変化の例を第２図に示す、第２図では、実線が（１１１
）面基板を用いた本実施例の場合の、破線が（１００）
面基板を用いた比較例の場合の駆動電流の変化をそれぞ
れ示している。駆動電流の増加率は１０００〜２０００
時間以上経過後において、（１１１）面上の実施例素子
では０．５ｍＡ／ｋｈ以下であるのに対して、（１０［
１）面上の比較例素子ではＩｎ＋Ａ／ｋｈであり、（１
１１）面上の素子の方が優れている。また、（１００）
面上の比較例素子では、第２図で破線Ａにより示されて
いるように、１０００時間以上にわたって安定に動作を
続けていた素子が急速に劣化するものが１０％以上あっ
た。しかし、（１１１）面上の素子においてはこのよう
に急速劣化する素子は全くなかった。
更に、（１１１）面上の素子と（１００）面上の素子と
の間の最も大きな違いとして、第２図には示していない
がエージング開始初期の１００時間以内において急速劣
化する素子の比率は、（１１１）面上の素子では５２以
下であるのに対して、（１００）面上の素子では５０Ｘ
以上であり、極めて大きな差を示したことが挙げられる
。１００時開以内の急速劣化は発振ストライプ領域内の
転位等の欠陥に起因するものであり、基 。
の間の最も大きな違いとして、第２図には示していない
がエージング開始初期の１００時間以内において急速劣
化する素子の比率は、（１１１）面上の素子では５２以
下であるのに対して、（１００）面上の素子では５０Ｘ
以上であり、極めて大きな差を示したことが挙げられる
。１００時開以内の急速劣化は発振ストライプ領域内の
転位等の欠陥に起因するものであり、基 。
板の面方位が（１１１）面であることによりこれらの欠
陥が大幅に低減されたものと考えられる。また、１００
０時間以上経過陵の急速劣化は発振ストライプ領域近傍
の転位等の欠陥に起因すると考えられ、基板の面方位が
（１１１）面であることによりそれらの欠陥が同様に低
減されたものと思われる。
陥が大幅に低減されたものと考えられる。また、１００
０時間以上経過陵の急速劣化は発振ストライプ領域近傍
の転位等の欠陥に起因すると考えられ、基板の面方位が
（１１１）面であることによりそれらの欠陥が同様に低
減されたものと思われる。
上述のものと同様の素子を数回にわたって成長したとこ
ろ、（１１１）面上の成長では安定して歩留り良く高信
頼性の素子が得られたが、＜１００）面上の成長により
得られた素子では１００時間ニーリンク後の生存率は５
〜５０％の間で変化しており、再現性についても（１１
１）面を用いることにより大きく改善された。
ろ、（１１１）面上の成長では安定して歩留り良く高信
頼性の素子が得られたが、＜１００）面上の成長により
得られた素子では１００時間ニーリンク後の生存率は５
〜５０％の間で変化しており、再現性についても（１１
１）面を用いることにより大きく改善された。
次に、本発明の第二の実施例であるＧａ１ｎＰ／Ａ１１
ｎＧａＰ系のダブルへテロ構造レーザ素子を説明する。
ｎＧａＰ系のダブルへテロ構造レーザ素子を説明する。
第３図は本実施例の断面模式図である。本実施例の作製
に当たっては、（１１１）Ｂジャスト面を有するｌｌ−
ＧａＡｓ基板１（Ｓｉ＝２Ｘ１０”ｏｎ−’）上に、ｎ
−Ｇａ４ｎＰバッファ層１２（０，５μｍ、 ５ｅ＝５
Ｘ１０”ｃ！Ｉ＋−１）、ｎ （Ａｌ６．ｑＧａｓｊ
）ｏ、５ｒｎａ、ｓＰクラッド層１３（１μｍ、 ５ｅ
＝５Ｘ１０Ｉ７（！１１−３）、アンドープＧａＩ、、
５Ｉｒ＋６．５Ｐ活性層１４（０，０７μｍ）、Ｐ−（
Ａｌｓ、６Ｇｌｓ、ｎ）ｏ、５ｆｒｌｆ１．ｓＰクラッ
ド層１５＜１μｍ、Ｚｎ＝７Ｘ １０”０２ｍ−３）、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層１６ （０，２）ｔ ｍ、Ｚｎ
＝２Ｘ １０” ｃｎ＋−３）、ｎ−Ａｌｅ、Ｇａｅ、
ｓＡｓ電流狭窄層１７（０，６μｎ、５ｅ＝５Ｘ１０１
７ｅｒａ−３）、ｎ−ＧａＡｓコンタクト１１８（０，
２μｍ、 ５ｅ＝５Ｘ１０］７ａ＋＋−”）をＮｏ−Ｃ
ＶＤ法により連続的に成長した。
に当たっては、（１１１）Ｂジャスト面を有するｌｌ−
ＧａＡｓ基板１（Ｓｉ＝２Ｘ１０”ｏｎ−’）上に、ｎ
−Ｇａ４ｎＰバッファ層１２（０，５μｍ、 ５ｅ＝５
Ｘ１０”ｃ！Ｉ＋−１）、ｎ （Ａｌ６．ｑＧａｓｊ
）ｏ、５ｒｎａ、ｓＰクラッド層１３（１μｍ、 ５ｅ
＝５Ｘ１０Ｉ７（！１１−３）、アンドープＧａＩ、、
５Ｉｒ＋６．５Ｐ活性層１４（０，０７μｍ）、Ｐ−（
Ａｌｓ、６Ｇｌｓ、ｎ）ｏ、５ｆｒｌｆ１．ｓＰクラッ
ド層１５＜１μｍ、Ｚｎ＝７Ｘ １０”０２ｍ−３）、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層１６ （０，２）ｔ ｍ、Ｚｎ
＝２Ｘ １０” ｃｎ＋−３）、ｎ−Ａｌｅ、Ｇａｅ、
ｓＡｓ電流狭窄層１７（０，６μｎ、５ｅ＝５Ｘ１０１
７ｅｒａ−３）、ｎ−ＧａＡｓコンタクト１１８（０，
２μｍ、 ５ｅ＝５Ｘ１０］７ａ＋＋−”）をＮｏ−Ｃ
ＶＤ法により連続的に成長した。
この成長は、第４図に示す多数枚同時成長可能な縦型反
応管３１を用い、グラファイトサセプタ３３上に４枚同
時に基板３２を固定して０．１気圧の減圧下で、サセプ
タ３３の石英支持棒３４を図示矢印のように回転させな
がら、反応管３１の上部より原料ガス３５を導入して行
った。■族原料としてはＡ１．Ｇｃ、Ｉｎのメチル化合
物を用い、■族原料としてはＰ［（３およびＡＳ［（３
を用いた。不純物原料はジメチル亜鉛およびセレン化水
素を用いた。成長温度は７２０°Ｃ１成長速度は２μｍ
／ｈであった。成長したウェハは第一の実施例と同じ工
程により素子化を行った０本実施例の素子は、共振器長
２５０μｍにおいて、発振波長６８０ｎｍ、閾値電流１
２０〜１４０ｍＡで室温連続発振した。
応管３１を用い、グラファイトサセプタ３３上に４枚同
時に基板３２を固定して０．１気圧の減圧下で、サセプ
タ３３の石英支持棒３４を図示矢印のように回転させな
がら、反応管３１の上部より原料ガス３５を導入して行
った。■族原料としてはＡ１．Ｇｃ、Ｉｎのメチル化合
物を用い、■族原料としてはＰ［（３およびＡＳ［（３
を用いた。不純物原料はジメチル亜鉛およびセレン化水
素を用いた。成長温度は７２０°Ｃ１成長速度は２μｍ
／ｈであった。成長したウェハは第一の実施例と同じ工
程により素子化を行った０本実施例の素子は、共振器長
２５０μｍにおいて、発振波長６８０ｎｍ、閾値電流１
２０〜１４０ｍＡで室温連続発振した。
比較のために、（１００）面を面方位とするｎ−ＧａＡ
ｓ基板上にＭＯ−ＣＶＤ成長したウェハを用いて基板の
面方位が（１００）面であること以外は同一構造の素子
を同時に製作した。 （１００）面を用いた素子は、
（１１１）面を用いた素子と同様の素子特性を示した。
ｓ基板上にＭＯ−ＣＶＤ成長したウェハを用いて基板の
面方位が（１００）面であること以外は同一構造の素子
を同時に製作した。 （１００）面を用いた素子は、
（１１１）面を用いた素子と同様の素子特性を示した。
これらの素子を３０°Ｃにおいて３ｍＷの一定出力の条
件でエージング試験を行った。 １００時間エージング
後の生存率は（１１１）面上の素子では９５％以上であ
ったのに対して、（１００）面上の素子では５０％以下
と、（１１１）面上の素子の生存率がはるかに高かった
。
件でエージング試験を行った。 １００時間エージング
後の生存率は（１１１）面上の素子では９５％以上であ
ったのに対して、（１００）面上の素子では５０％以下
と、（１１１）面上の素子の生存率がはるかに高かった
。
以上の実施例の説明においては、製作の容易な利得導波
型のレーザ素子についてのみ記述したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、横モードを安定化した屈折
率導波型のレーザ素子にも一般に広く適用することがで
きる。第５図〜第７図に、ぞの、ＡｌＧａＡｓ系につい
ての一部の例を示す。第５図はりッジ導波路構造の例、
第６図は埋込構造の例、第７図は自己整合型の例をそれ
ぞれ示している。尚、第５図〜第７図中の参照符号１〜
６．９および１０により示された各部は、第一の実施例
の同一の参照符号により示された各部に対応しており、
説明は省略する。また、符号４０は５ｉＮｘｊｉ、４１
はｐ−埋込層、４２はｎ−埋込層、４３はｎ−電流狭窄
理念それぞれ示している。
型のレーザ素子についてのみ記述したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、横モードを安定化した屈折
率導波型のレーザ素子にも一般に広く適用することがで
きる。第５図〜第７図に、ぞの、ＡｌＧａＡｓ系につい
ての一部の例を示す。第５図はりッジ導波路構造の例、
第６図は埋込構造の例、第７図は自己整合型の例をそれ
ぞれ示している。尚、第５図〜第７図中の参照符号１〜
６．９および１０により示された各部は、第一の実施例
の同一の参照符号により示された各部に対応しており、
説明は省略する。また、符号４０は５ｉＮｘｊｉ、４１
はｐ−埋込層、４２はｎ−埋込層、４３はｎ−電流狭窄
理念それぞれ示している。
また、上述の実施例においては、ＡｌＧａＡｓ系および
ＡｌＧａ１ｎＰ系のレーザ素子についてのみ説明したが
、本発明はこれらの系に限定されるものではなく、例え
ば、ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系やＩｎＧａＡｌＡ
３系、Ｇａ５ｂ基板上のＡｌＧａＳｂ系あるいはＰｂ５
ｎＴｅ系等のあらゆる半導体し゛−ザ素子に適用するこ
とが可能である。
ＡｌＧａ１ｎＰ系のレーザ素子についてのみ説明したが
、本発明はこれらの系に限定されるものではなく、例え
ば、ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系やＩｎＧａＡｌＡ
３系、Ｇａ５ｂ基板上のＡｌＧａＳｂ系あるいはＰｂ５
ｎＴｅ系等のあらゆる半導体し゛−ザ素子に適用するこ
とが可能である。
また、基板の方位も（１１１）Ｂジャスト面あるいは０
．５°オフ面に限らず、成長法や成長条件に適した面と
してオフ角度やＡ面又は８面を適宜選定することができ
る。
．５°オフ面に限らず、成長法や成長条件に適した面と
してオフ角度やＡ面又は８面を適宜選定することができ
る。
さらに、成長法についてもＭＢＥとＭＯ−ＣＶＤに限定
されるものでなく、これらの中間的ならのとして、原料
の一部または全部を気体に置き換えたＧＳ−ＭＢＥやＣ
ＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）
を用いることもできる。
されるものでなく、これらの中間的ならのとして、原料
の一部または全部を気体に置き換えたＧＳ−ＭＢＥやＣ
ＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）
を用いることもできる。
（発明の効果）
このように１本発明によれば、ＭＢＥ法やＭＯ−ＣＶＤ
法等により作製可能であり、且つ信頼性、歩留りおよび
再現性が著しく向上した半導体レーザ素子が提供される
。半導体レーザ素子を本発明の構成とすることによって
、生産される個々の素子の信頼度を著しく向上すること
ができ、本発明は極めて有用な技術となる９ ４、−の、゛ｆ古口 第１図は本発明の第一の実施例の断面模式図、第２図は
第１図に示した実施例のエージング試験の結果を従来例
と比較して示すグラフ、第３図は第二の実施例の断面模
式図、第４図は第３図に示した実施ｒＩＡ１の成長に用
いたＭＯ−ＣＶＤ反応装置の模式図、第５図はリッジ導
波路構造を有する他の実施例の断面模式図、第６図は埋
込構造を有する更に他の実施例の断面模式図、第７図は
自己整合型とした更に池の実施例の断面模式図である。
法等により作製可能であり、且つ信頼性、歩留りおよび
再現性が著しく向上した半導体レーザ素子が提供される
。半導体レーザ素子を本発明の構成とすることによって
、生産される個々の素子の信頼度を著しく向上すること
ができ、本発明は極めて有用な技術となる９ ４、−の、゛ｆ古口 第１図は本発明の第一の実施例の断面模式図、第２図は
第１図に示した実施例のエージング試験の結果を従来例
と比較して示すグラフ、第３図は第二の実施例の断面模
式図、第４図は第３図に示した実施ｒＩＡ１の成長に用
いたＭＯ−ＣＶＤ反応装置の模式図、第５図はリッジ導
波路構造を有する他の実施例の断面模式図、第６図は埋
込構造を有する更に他の実施例の断面模式図、第７図は
自己整合型とした更に池の実施例の断面模式図である。
１・−ｎ−ＧａＡｓ基板、２．１２−・・ｎ−バッファ
層、３．１３・・・ｎ−クラッド層、４．１４・・・活
性層、５．１５・・・ｐ−クラッド層、６．１６・・・
ｐ−キャップ層、７．１７・・・ｎ−電流狭窄層、８．
１８・・・ｎ−コンタクト層、９・・・ｎ側電極、１０
・・・ｎ側電極、１１・・・ストライプ状溝、３１・・
・反応管、３２・・・基板、３３・・・サセプタ、３４
・・・石英支持棒、３５・・・原料ガス、４０・・・Ｓ
ｉＮｘ層、４１・・・ｐ−埋込層、４２・・・ロー型埋
込層、４３・・・ｎ−電流狭窄層。
層、３．１３・・・ｎ−クラッド層、４．１４・・・活
性層、５．１５・・・ｐ−クラッド層、６．１６・・・
ｐ−キャップ層、７．１７・・・ｎ−電流狭窄層、８．
１８・・・ｎ−コンタクト層、９・・・ｎ側電極、１０
・・・ｎ側電極、１１・・・ストライプ状溝、３１・・
・反応管、３２・・・基板、３３・・・サセプタ、３４
・・・石英支持棒、３５・・・原料ガス、４０・・・Ｓ
ｉＮｘ層、４１・・・ｐ−埋込層、４２・・・ロー型埋
込層、４３・・・ｎ−電流狭窄層。
以上
Claims (1)
- １、半導体基板上にエピタキシャル成長された半導体レ
ーザ素子であって、該半導体基板の実質的な成長用面方
位が（１１１）面であり、成長用面上には気相エピタキ
シャル成長層が堆積されている半導体レーザ素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254920A JPH0196982A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザ素子 |
| US07/254,080 US4901326A (en) | 1987-10-08 | 1988-10-06 | Semiconductor laser device |
| EP88309408A EP0311444A3 (en) | 1987-10-08 | 1988-10-07 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254920A JPH0196982A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196982A true JPH0196982A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17271694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62254920A Pending JPH0196982A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4901326A (ja) |
| EP (1) | EP0311444A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0196982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014900A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-20 | Imec | Ｉｉｉ−ｖ族加工基板の製造方法およびそのｉｉｉ−ｖ族加工基板 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2555881B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | Ａ▲ｌ▼ＧａＩｎＰ系結晶の結晶成長方法および半導体レ−ザ |
| JPH0327578A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Eastman Kodatsuku Japan Kk | 発光ダイオ―ドアレイ |
| US5190891A (en) * | 1990-06-05 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor laser device in which the p-type clad layer and the active layer are grown at different rates |
| JP2653562B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1997-09-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| DE69201283T2 (de) * | 1991-08-21 | 1995-09-28 | Nippon Electric Co | Halbleiterlaser. |
| GB2284705B (en) * | 1993-12-08 | 1997-06-25 | Huang Kuo Hsin | Efficient light emitting diodes with modified window layers |
| JPH08250808A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5539248A (en) * | 1995-11-13 | 1996-07-23 | Motorola | Semiconductor device with improved insulating/passivating layer of indium gallium fluoride (InGaF) |
| US6181723B1 (en) * | 1997-05-07 | 2001-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device with both carbon and group II element atoms as p-type dopants and method for producing the same |
| FR2833418B1 (fr) * | 2001-12-06 | 2004-04-09 | Cit Alcatel | Composant optique de type laser a semiconducteur |
| JP2010272784A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
| RU2698538C1 (ru) * | 2018-10-17 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования гетероструктуры |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1378128A (en) * | 1973-06-26 | 1974-12-18 | Alferov Z I | Semiconductor laser |
| JPS5936436B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1984-09-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPS58168128A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 端末制御システム |
| DE3334236C2 (de) * | 1983-09-22 | 1995-01-19 | Telefunken Microelectron | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62254920A patent/JPH0196982A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-06 US US07/254,080 patent/US4901326A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-07 EP EP88309408A patent/EP0311444A3/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014900A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-20 | Imec | Ｉｉｉ−ｖ族加工基板の製造方法およびそのｉｉｉ−ｖ族加工基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0311444A2 (en) | 1989-04-12 |
| EP0311444A3 (en) | 1989-10-25 |
| US4901326A (en) | 1990-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000021772A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0196982A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002217116A (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法 | |
| JP2558744B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH07193333A (ja) | 半導体発光素子 | |
| EP0209387B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH08274411A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2914430B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| US4887274A (en) | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device | |
| JPH021386B2 (ja) | ||
| JP3414992B2 (ja) | 半導体光素子とその製造方法 | |
| JPH01128423A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0560275B2 (ja) | ||
| US5491709A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH1098234A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| Yoshikawa et al. | A novel technology for formation of a narrow active layer in buried heterostructure lasers by single-step MOCVD | |
| JP3658229B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3783244B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH04144294A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2544924B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH11126945A (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法、これを用いた半導体レーザの製造方法 | |
| JPH08264880A (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JPH0448669A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH04186687A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0563293A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子およびその製造方法 |