JPH0195538A - スルーホール構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、多層配線技術を利用した半導体装置のスル
ーホール構造に関する。

（従来の技術） 近年、種々の電子機器を構成する半導体装置は、当該製
雪の微細化及び高速処理を達成する目的で高密度化若し
くは高集積度化の度合を高めている。特に、半導体装Ｎ
を構成する配線ではリングラフィ技術の進歩に伴ない、
高密度配線への要求が高まっている。

この要求の実現に当り、配線を多層化する技術が広く用
いられており、現在では、２層乃至４層の多層配線構造
を以って半導体装置が構成されるに至っている。

上述した多層配線構造の主な構成成分として、各々の配
線層を構成する配線パターン、層間絶縁膜及びスルーホ
ールが挙げられ、夫々の構成成分につき、高密度配線を
実現するために種々の技術的課題が残されている。

これら構成成分の技術的課題のうち、スルーホールの機
能という観点に立てば、主として、半導体装置の信号系
回路成分としての役割と当該装冒の電源系回路成分とし
ての役割とが挙げられる。

まず、信号系回路成分としてのスルーホールでは、比較
的小電流として高周波信号を取り扱う場合が多い、これ
がため、例えば配線パターンと基板との間の浮遊容量を
少なくする必要が有り、配線パターンの幅と同様に寸法
の微細イヒを図ると共に、前述した低抵抗及び良好なオ
ーミック牲を得ることが重要となる。

一方、電源系回路成分としてのスルーホールは、比較的
大電流を取り扱う、これがため、低抵抗で良好なオーミ
ック性を有し、かつ電流の局部的集中を回避することに
より、信頼性の高い半導体装置が構成される。

以下、図面を参照して、電源系回路部分として機能する
従来のスルーホールの構造につき、−例を挙げて説明す
る。

第４図（Ａ）は従来のスルーホールを説明するため、半
導体装置の要部を一部透視的に示す平面図、第４図（Ｂ
）は、第４図（Ａ）中にｎ−ｎで示す部分の断面図であ
る。第４図（Ｃ）は第４図（Ａ）に示すスルーホール部
分を拡大して示す要部平面図である。これら図中、１１
は図示していない種々の半導体素子を形成した基板、１
３及び１５は、夫々、半導体素子間を機能的に結合して
回路動作せしめるための第一層配置または第二層配線、
１７は第−及び第二層配線を電気的に絶縁するための眉
間絶縁膜、１９は当該間配線同士を電気的に接続するた
め眉間絶縁膜１７に開孔されたスルーホール、２１は上
述の第一層配置と第二層配線とが交差する交差部である
。

まず、第４図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、スルーホー
ルを利用した多層配線の作製工程につき説明する。尚、
以下の説明の理解を容易とするため、半導体装置の製造
途中の構成成分をウェハとして包括的に表現するものと
する。

また、眉間絶縁膜を介して基板側の配線（下層配線に相
当する）を第一層配置、当該膜を介して基板とは反対側
の配線（上層配線に相当する）を第二層配線として説明
し、ざらに、スルーホールでの電流方向が第一層配置か
ら流れ込み、第二層配線から流出する場合につき説明す
る。

始めに、図示していない半導体素子を形成した基板１１
の表面に、公知のりソグラフィ技術を用いて、設計に応
じた第一層配置１３を形成する。

次１こ、上述したウェハの上側全面ｆこ層間絶縁ｓ１７
を堆積する。然る後、矩形形状（後述）のスルーホール
１９ヲリソグラフイ技術により、半導体装置の設計に応
じた当該絶縁膜１７の所定部分に開孔する。

続いて、上述したウェハに配線材料を堆積し、第一層配
置１３と同様にして、第二層配線１５を形成し、スルー
ホール１９（こよって２層の多層配線構造を得る。即ち
、上述したスルーホール１９を開孔する所定部分とは、
第一層配置１３と第二層配線１５とが基板１１の表面に
平行な平面内で交差する交差部２１内のいずれかの部分
となっている。

このような多層配線構造において、第一層配置１３及び
第二層配線＋５１ｆｒ構成する配線材料としては、通常
、アルミニウム（晟）または種々のアルミニウム合金が
採用されるが、でれ以外にも高融点金属、不純物をドー
ピングした多結晶シリコン、金属珪化物、或いはこれら
を組み合わせた複合材料を用いることも有る。

また、層間絶縁膜＋７！構成する絶縁材料は、シリコシ
の酸化物や富化物等が用いられる。

次に、第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示すスルーホールにつ
き、ざらに詳細に説明する。

従来、スルーホールを利用して構成した電源系回路の一
例として、高速度で論理動作を行なうＥ　ＣＬ　（Ｅｍ
ｉｔｔｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｌｏ９ｉｃ：エミッター
結合論理）回路が知られている。この２０１回路をアル
ミニウムより成る配線により構成した場合、第一層配置
１Ａ１３と第二層配線１５との間に上述したスルーホー
ルを介して、数十（ｍＡ）〜数百（ｍＡ）の電源電流を
流すこととなる。従って、第一層配置１３、スルーホー
ル１９及び第二層配線１５は上述した大電流に対処する
べく、数十μｍ〜数百ｕｍの幅及び孔径を以って比較的
大きな寸法で構成し、電流密度の低減を図ることが必要
となる。換言すれば、通常の許容電流密度を約１　ｘ　
１０’（Ａ／ａｍ’）以下に設定するため、上述した配
線パターンの幅及びスルーホールの配設面積を大きくす
る必要が有る。このように、交差部２１において比較的
大きな配設面積を以って開孔するため、従来のスルーホ
ール１９は、第一層装線１３及び第二層配線１５の中心
線Ｉ−Ｉ或いは中心線ＩＩ−ＩＩの各々に平行及び垂直
な輪郭を取って矩形形状１こ配設される（第４図（Ａ）
参照）。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来のスルーホール構造では局部的な電
流集中を生じ、ボイドやヒ口・ンクといった、所謂、エ
レクトロマイグレーションが発生するという問題が有っ
た。

以下、図面を参照して、上述の電流集中につき詳細に説
明する。

第４図（Ｃ）は第４図（Ａ）及び（Ｂ）により説明した
スルーホールを拡大して示す要部平面図である。

まず、第４図（Ｃ）からも理解できるように、第一層装
線１３及び第二層配［１５の交差部２１を画定し、かつ
各配線を横切る線分を、夫々、ｘ−ｘ’或いはＹ−Ｙ’
　とする、ここで、第一層装線１３上であり、かつ図示
のｘ−ｘ’上にスルーホール１９の端部に相当するＡ１
及び４３％取り、これらＡｔ及びＡ３の間の中点をＡ２
とする。このようなＡ、〜Ａ３の各点を通って、スルー
ホール１９を経由し、第二層配線１５上のＹ−Ｙ’　に
至る電流経路を考えれば、Ｙ−’／’上に図示する点Ｂ
で夫々の経路が最小の距離となる。また、これら３つの
経路の長さを比較した場合、ｘ−ｘ’及びＹ−Ｙ’から
スルーホールへの距Ｍをａまたはす、さらに、ｘ−ｘ’
　に沿ったスルーホール１９の長さをｄとすれば、夫々
の経路の長さはＡ３　Ｂ＝ａ＋ｂ となる、この間係からも理解できるように、夫々の経路
の長さの間には、π「１〉π２Ｂ＞に７１の間係が成り
立つ。従って、上述した経路のうち、Ａ３Ｂで最短距離
となって最も低い抵抗値が与えられ、当該経路に係るス
ルーホール１９の端部が電流集中点２３に成ると考えら
れる。

実際に、このような従来のスルーホール構造によって構
成した半導体装置では、上述の電流集中点２３の部分に
前述のボイド及びヒロックを生じる頻度が高く、許容電
流密度を考慮して装置（回路）を設計した場合であって
も、一定時間の経過後、エレクトロマイグレーションが
発生し、配線不良を来たすという問題点が有った。

さらに、配線不良に至らないまでも、前述の電流集中点
による電流密度の偏在を予め見込んで、配線構造の設計
に余裕を持たせる配慮が必要で有った。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、スル
ーホールでの電流集中による影響を軽減し得るスルーホ
ール構造を提供し、以って配線不良が少なく信頼性の高
い半導体装Ｍを提供することに有る。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のスルーホール構
造によれば、 互いに眉間絶縁膜を介しで設けられた第一層装線と第二
層配線との交差部の眉間絶縁膜に開孔されがスルーホー
ルの構造において、 平面的に見た場合のスルーホールの満たす要件として、 ■上述した第一層装線の中心線と第二層配線の中心線と
の交点を頂点とし当該筒−及び第二層配線の２つの中心
線を二短辺とする二等辺三角形の底辺に平行な線分を含
む面を壁面とする。

■上述の壁面を含むスルーホールが、当該壁面によって
隔てられた場合、電流の流れ込む上述の第一層装線及び
電流の流出する第二層配線とは反対側に延在するように
形成される ことを特徴としている。

（作用） この発明のスルーホール構造によれば、上述の構成とす
ることにより、一方の配線側からスルーホールの壁面に
至る距離と、他方の配線側から当該壁面に至る距離との
和が、常にほぼ一定となる。従って、従来のスルーホー
ル構造では上述の和が成る最小値を与え、電流集中点が
形成されていたのに対して、この発明の構造では、上述
した壁面の端部に電流集中点が分散する構成と成してい
る。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明のスルーホール構造の
実施例につき説明する。尚、以下説明ｌこ供する図面は
、説明の理解が客、易となる程度に概略的に示しである
に過ぎず、この発明は、これら図示例にのみ限定される
ものではない、また、以下の説明においては、この発明
のスルーホール構造の平面形状についてのみ図示し、断
面形状については省略するものとする。

１１叉蓬１ 第１図（Ａ）は、第１実施例を説明するため、第４図（
Ｃ）と同様な要部平面により示す説明図である０図中、
既に説明した構成成分と同一の機能を有する構成成分に
ついては、同一の符号を付して示し、詳細な説明は省略
する。さらに、以下の説明に供する平面図においては説
明の理解を容易とするため、スルーホール部分にハツチ
ングを付して示す。

この第１実施例では、互いに幅の等しい第一層装線１３
と第二層配線１５とが交差部２１で直角に交差し、かつ
夫々の配線は交差部２１ヲ中心として、電流の流入また
は流出する方向にのみ延在する「Ｌ字形状」の場合につ
き説明する。

まず、第一層装線１３の中心線Ｉ−Ｉと第二層配Ｓ！！
＋５の中心線■−■との交点Ｐ＋’ａ頂点とし、かつ当
該両中心線を二短辺とする直角二等辺三角形２５ａを考
える。さらに、従来技術として既に説明したように、ス
ルーホールの配設面積をできるだけ大きく取れば許容電
流を大きく取ることができる。これがため、上述した三
角形２５ａの底辺２７ａが、交差部２１内で最も大きな
線分と成るように、中心線の交点Ｐ、と一致する位雪ま
で平行移動させ、線分２９ａとする。

この線分２９ａを含み、かつ眉間絶縁膜１９（図示省略
）の延在方向とは垂直な面として壁面３１ａｔ設定する
。

以下、上述の壁面３１ａに関し、第４図（Ｃ）を参照し
て説明した場合と同様ｌこして、電流集中点につき考え
ることとする。

第１図（Ａ）に示すように、第一層配！！１３及び第二
層配線１５の交差部２１を画定し、かつ各配線を横切る
線分を、夫々、ｘ−ｘ”或いはＹ−Ｙ’とする。ここで
、前述した壁面３１ａの端部をり。

及びＤ２とし、 Ｄ、Ｐ、＝０２ρ１ とする、これらＤ＋、Ｐ＋及びＤ２から、上述のｘ−ｘ
’またはＹ−Ｙ’におろした垂線の足を、夫々へ１〜Ａ
３或いはＢ、〜Ｂ３とする。さら１こ、このＡ、Ａ３及
びＢｉａｓ、即ち、壁面３１ａが配線１３及び１５にお
いて占める幅をｄ、ＡＩ　Ｄ。

または８３Ｄ２の夫々の距Ｍをａとする。

このように定めた各点を通過する電流経路を考えた場合
、 となる。ここで、第１図（Ａ）からも理解できるように
、この３つの電流経路以外であり、上述した壁面３１ａ
上の点を通る何れの経路であっても距離は等しくなる。

また、ざらに述べれば、このような電流経路の関係は図
示例にのみ限定して認められるものではなく、交差部２
１内であり、かつ上述した壁面３１ａに平行な面であれ
ば、上述と同様な関係を満足し得ること明らかである。

上述した説明からも明らかなように、上述の壁面３１ａ
＠画定する線分２９ａが、夫々の配線１３及び１５から
の最短距離となるようにスルーホール３３ａを開孔すれ
ば、第４図（Ｃ）で説明したような局部的な電流集中点
２３を実質的に解消することが可能である。

従って、上述の壁面を含むスルーホールが当該壁面３１
ａｊ！含んで形成する場合、電流の流れ込む上述の第一
層装線１３及び電流の流出する第二層配線１５とは反対
側に延在するように形成されるならば、線分２９ａ（ま
たは壁面３１ａ）上の点の何れもが電流集中点として作
用し、局部的な電流集中を回避することができる。

このような壁面３１ａ！含む面により画成されるスルー
ホールの一例としで、第１図（Ａ）中に斜線を付して示
すように平面形状が直角二等辺三角形となるスルーホー
ル３３８！形成した場合、実質的に電流集中点が解消し
、配線不良の頻度を低下させることができた。換言すれ
ば、この発明のスルーホール構造を適用することにより
、配線材料に固宵の許容電流密度に近い値として、設計
電流密度を設定しても配線不良を回避することができ、
半導体製雪の設計上の制約を低減させることができる。

１１夫流あ 次に、第１図（Ｂ）に示す要部平面図を参照して第２実
施例につき説明する。

この第２寅施例では、互いに幅の等しい第一層装線１３
と第二層配線１５とが交差部２１で直角に交差し、かつ
交差部２１ヲ中心として第二層配線１５が両側に延在す
る、「丁字形状」を成す配線構造に適用した場合につき
説明する。

まず、第１実施例と同様に、第一層装線１３の中心線Ｉ
−Ｉと第二層配線１５の中心線■−■との交点Ｐ２を頂
点とし、がつ当該両中心線を二短辺とする直角二等辺三
角形を考える。この丁字形状の配ｗｊＡｌｊｌＩ造にお
ける電流の経路を考えれば、２つの流入路及び１つの流
出路、または１つの流入路及び２つの流出路が考えられ
る。これがため、第１寅施例で説明した直角二等辺二角
形２５ａと同様な三角形は、第１図（Ｂ）に示すように
、中心線の交点Ｐ２を頂点とする直角二等辺三角形２５
ｂ及び２５ｃの２つが考えられる。この三角形２５ｔ）
及び２５ｃの、夫々の底辺２７ｂ及び２７ｃを前述と同
様に平行移動させた線分２９ｂ及び２９ｃから、壁面３
１ｂ及び３１ｃが設定される。この２つの壁面３１ｂ及
び３１ｃに基づいて、当該面３１ｂ及び３１ｃを画定す
る線分２９ｂ及び２９ｃが、配線１３及び夫々の側での
配ＳＨ５からの最短距離となるようにスルーホール３３
ｂｆ？開孔する。

上述した説明及び第１図（Ｂ）からも理解できるように
、この発明のスルーホール構造を１字形状の配線構造に
適用した場合には、第１実施例で説明したＬ字形状の場
合の構造を２箇所に適用してスルーホール３３ｂを設定
することとなる。

１１太１旦 次に、第１図（Ｃ）に示す要部平面図を参照して第３実
施例につき説明する。

この第３実施例では、互いに幅の等しい第一層装線１３
と第二層配線１５とが交差部２１で直角に交差し、かつ
交差部２１を中心として第一層装線１３と第二層配線１
５とが両側に延在する、「十字形状」・　を成す配線構
造に適用した場合につき説明する。

まず、第１及び第２実施例と同様に、第一層配Ｍ！１３
の中心線Ｉ−Ｉと第二層配線１５の中心線■−■との交
点Ｐ３を頂点とし、かつ当該両中心線を二短辺とする直
角二等辺三角形を考える。

この十字形状の配線構造における電流の経路は、第一層
装線１３が２つの流入路であり、かつ第二層配線１５が
２つの流出路となる場合、または第一層装線１３が２つ
の流出路であり、かつ第二層配線１５が２つの流入路と
なる場合とが考えられる。これがため、第１実施例で説
明した直角二等辺三角形２５ａと同様な三角形は、第１
図（Ｃ）に示すように、中心線の交点Ｐ３を頂点とする
直角二等辺三角形２５ｄ〜２５９の合計４つが考えられ
る。この三角形２５ｄ〜２５９に対応する夫々の底辺２
７６〜２７９を前述と同様に平行移動させた線分２９ｄ
〜２９９から、壁面３１６〜３１９が設定される。これ
ら４つの壁面３１ｄ〜３１９に基づいて、線分２９ｄ〜
２９９が、夫々の側の、配線１３及び１５からの最短距
離となるようにスルーホール３３ｃを開孔する。

上述した説明及び菓１図（Ｃ）からも理解できるように
、この発明のスルーホール構造を十字形状の配線構造に
適用した場合には、第１実施例で説明したＬ字形状の場
合の構造を４箇所に適用してスルーホール３３Ｇ！設定
することとなる。

以上、Ｌ、Ｔ及び十字形状にわけで、互いに幅の等しい
第一層装線１３と第二層配線１５とが交差部２１で直角
に交差する場合の配線構造につき、第１〜第３実施例と
して説明した。しかしながら、この発明のスルーホール
構造は上述した配線構造の場合にのみ限定して実施され
るものではない。

以下、図面を参照して、他の実施例につき簡単に説明す
る。

俺曵叉１あ まず始めに、互いに幅の等しい第一層装線１３と第二層
配５Ｉ１１５との交差部２１で、これら２つの配線が所
定の角度θを以って交差する場合につき、Ｌ、Ｔ、及び
Ｘ字形状の夫々に対応して第２図（Ａ）〜（Ｃ）の順で
第１図（Ａ）〜（Ｃ）と同様に示す。

これら図からも理解できるように、所定の角度θを以っ
て配線同士が交差する場合では、頂角がθ（０°〈θ＜
１８０°）となる二等辺三角形の組み合わせでスルーホ
ールが構成される。ここで、上述の角度θは、中心線Ｉ
−Ｉ及び■−■が交点で成す角度のうち、電流の流入路
及び流出路としての配線と同じ側の角度として説明する
こととする。

例えば第２図（Ａ）に示すように、第一層装線１３と第
二層配線１５とが交点Ｐ４でＬ字形状を以って交差する
場合には、当該点Ｐ、ｔｒ頂点とする二等辺三角形２５
ｈ及び底辺２７ｈヲ求め、これに基づいて線分２９ｈ及
び壁面３１ｈａ設定し、スルーホール３３ｄを開孔する
。

また、上述と同様に、１字形状の配線構造の場合には、
交点Ｐ８を頂点とし、頂角をθとする二等辺三角形２５
ｉと、頂角が図示例において（１８０°−θ）となる二
等辺三角形２５ｊ、及びこれらに対応する底辺２７ｉと
底辺２７ｊとを求める。然る後、当該辺２７ｉ及び２７
ｊから、線分２９ｉと線分２９ｊ、及び壁面３１ｉと壁
面３１ｊを求め、第２図（Ｂ）に示すようなスルーホー
ル３３ｅが形成される。

ざらに、第一層装線１３と第二層配線１５とが角度θで
Ｘ字形状を以って交差する場合にも、同様にして、第２
図（Ｃ）に示すようなスルーホール３３ｆが設定される
。

以上、この発明の実施例につき、詳細に説明したが、こ
の発明のスルーホール構造は、上述した実施例にのみ限
定して実施するものではないこと明らかである。夫々の
実施例では、互いに幅の等しい配線同士が直角または所
定の角度θを以って交差する場合（ごつき説明した。

しかしながら、例えば、第１図（Ａ）及び第２図（Ａ）
に対応して示す第３図（Ａ）から理解できるように、交
差する配線の幅が異なる場合のスルーホール３３９でも
、上述と同様な効果を得ることができる。

ざらに、この発明のスルーホール構造は、二等辺三角形
の組み合わせによってのみ効果が得られるものではなく
、少なくとも、前述した条件を満足する壁面を含め（シ
、例えば第３図（Ｂ）に示すような半円形のスルーホー
ル３３ｈ、または二等辺三角形以外の二角形、四辺形の
ような種々の多角形として設計することができる。この
ような場合には、比較的大きなスルーホールの配設面積
を取ることが可能である。

これら形状、配置ｌｆｍ係、寸法、及びその他の条件は
、この発明の目的の範囲内で、任意好適な設計の変更及
び変形を行ない得ること明らかである。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明のスルー
ホール構造によれば、上述した構成とすることにより、
一方の配線側からスルーホールの壁面に至る距離と、他
方の配線側から当該壁面に至る距離との和が一定となる
。これがため、スルーホールの端部における電流集中点
が分散する構成と成している。

従って、例えば電源系回路に利用するスルーホールでの
電流集中による影ｗＩｔ軽減し得るスルーホール構造を
提供することができ、以って配線不良が少なく信頼性の
高い半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明のスルーホール構造
の実施例を説明するため、スルーホールの要部平面によ
り示す説明図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）と第３図（Ａ）及び（Ｂ）とは、
他の実施例の説明に供するため、スルーホールの要部平
面により示す説明図、第４図（Ａ）〜（Ｃ）は従来技術
の説明図である。 １１・・・・基板、１３・・・・第一層装線１５・・・
・第二層配線、１７・・・・層間絶縁膜１９、３３ａ〜
３３ｈ・・・・スルーホール、２１・・・・交差部２３
・・・・電流集中点 ２５ａ〜２５９・・・・直角二等辺三角形２５ｈ〜２５
ｊ・・・・二等辺三角形 ２？ａ〜２７ｊ・・・・底辺、２９ａ〜２９ｎ・・・・
線分３１ａ〜３１ｎ・・・・壁面 Ｉ−Ｉ、ｌｌ−１１・・・・配線の中心線Ｐ１〜Ｐ６・
・・・中心線の交点。 （Ａ） １３　　第一層装線　　　　　　　　　　　　　　　　
　■−１５−Ｍ二層配線 ２１　　交差部　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　ｄ２５ａ〜２５ｃ　　直角二等辺三角形 ２７ａ〜２７ｃ　　底辺 ２９ａ〜２９ｃ・線分 ３１ａ〜３１ｃ、壁面 ３３ａ、３３ｂ　　スルーホール Ｉ−Ｉ、ＩＩ　−ＩＩ　：中心線　　　　　　　　　　
　　　　（Ｂ）Ｘ−Ｘ、Ｙ−Ｙ：交差部を画定する線 Ａ、〜Ａｍ　：　Ｘ−Ｘ上の点 Ｂ、〜Ｂ３・Ｙ−Ｙ上の点　　　　　　　　　　　　　
　　　■−ＰＩ、Ｐ２・中心線の交点 り７．Ｄ２　：壁面の端部 ａ　スル−ホールとＸ−Ｘ及びＹ−Ｙへの距離ｄ、スル
ーホールの幅 斗 第１図 −日 １１Ｎ ロコ １１ζ く ＼ユノ ロコ 手続ネ甫工Ｅ１（ 昭和６３年９月２６日 ２発明の名称 スルーホール構造 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所（〒−１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号 名称（０２９）沖電気工業株式会社 代表者　小村　偏光 ４代理人　〒１７０　　　ｆｆｉ　（９８８）５５６３
住所　東京都豊島区東池袋１丁目２０番地５６補正の対
象 （１）図面の第１図（Ａ）！添付の訂正図の通り訂正す
る。 １３：第一層装線 １５：第二層配線 ２１：交差部 ２５ａ〜２５ｃ：直角二等辺三角形 ３１ａ〜３１ｃ：壁面 ３３ａ、３３ｂ　ニスルーホール Ｉ−Ｉ、ＩＩ　−　ＩＩ　：中心線 Ｘ−Ｘ’　、Ｙ−Ｙ’　　：交差部を画定する線Ａ１〜
Ａ：＋：Ｘ−Ｘ“上の点 ８１〜Ｂ３：Ｙ−Ｙ’上の点 ＰＩ、Ｐ２：中心線の交点 Ｄ＋　、Ｄ２　：壁面の端部 ａニスルーホールとｘ−ｘ’及びＹ−Ｙ’への距離ｄニ
スルーホールの幅 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）互いに層間絶縁膜を介して設けられた第一層配線
   と第二層配線との交差部の層間絶縁膜に形成されたスル
   ーホールの構造において、 前記スルーホールが、 前記第一層配線の中心線と第二層配線の中心線との交点
   を頂点とし前記両中心線を二短辺とする二等辺三角形の
   底辺に平行な線分を含む面を壁面として具え、かつ前記
   壁面に対して、電流が流れ込む前記第一層配線及び電流
   が流出する前記第二層配線とは反対側に形成されて成る ことを特徴とするスルーホール構造。