JPH0193916A - 同期式状態保持回路 - Google Patents

同期式状態保持回路

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JPH0193916A
JPH0193916A JP62251984A JP25198487A JPH0193916A JP H0193916 A JPH0193916 A JP H0193916A JP 62251984 A JP62251984 A JP 62251984A JP 25198487 A JP25198487 A JP 25198487A JP H0193916 A JPH0193916 A JP H0193916A
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JP
Japan
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level
signal
circuit
synchronous state
data
Prior art date
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Application number
JP62251984A
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English (en)
Inventor
Joji Murakami
村上 丈示
Jiyunya Tenpaku
天白 順也
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Microcomputer Systems Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Microcomputer Systems Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0193916A publication Critical patent/JPH0193916A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 1既要 産業上の利用分野 従来の技術         (第3〜7図)発明が解
決しようとする問題点(第8図)問題点を解決するため
の手段 作用 実施例 本発明の一実施例     (第1.2図)発明の効果 〔概 要〕 データの論理レベルを保持する同期式状態保持回路に関
し、 少ないCMOSI−ランジスタを用いて構成できる同期
式状態保持回路を提供し、価格や歩留まりを改善しつつ
、消費電力を低減することを目的とし、 ゲート開放信号に従ってオン/オフするスイッチング手
段と、同期信号のエツジを検出し、少なくともこのエツ
ジを検出している期間該スイッチング手段のオンを促す
ゲート開放信号を出力する信号出力手段と、スイッチン
グ手段のオン時、このスイッチング手段を通過したデー
タの論理レベルを保持する保持手段と、リセット信号あ
るいはプリセット信号が外部から入力されると、保持手
段に保持された論理レベルを強制的に一方の論理レベル
に設定する設定手段と、を備え、前記各手段をCM O
S回路により構成している。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、データの論理レベルを保持する同期式状態保
持回路に関し、特に、同期信号のエツジタイミングでデ
ータの論理レベルを保持する同期式状態保持回路に関す
る。
デジタル論理回路は、現時点の入力によって出力が決定
される組合わせ論理回路と、現時点の入力に過去の入力
を加え、これらの時間差を持った入力情報によって出力
が決定される順序回路とに大別でき、なかでも順序回路
には、各種フリップフロップを備えたいわゆるランチ回
路が多用されている。
〔従来の技術〕
このようなランチ回路としては、例えば第3図に示すよ
うな非同期式状態保持回路(いわゆるレベルラッチ)が
知られている。このレベルラッチでは、クロック信号C
Kが(H)レベルのとき、データDが(H)レベルで入
力すると、AND 1の出力を(L)レベルにして、A
ND2.3からなるフリップフロップ4をセントし、フ
リップフロップ4の論理出力Qを(H)レベルにセット
する。また、データDが(L)レベルに変化すると、こ
のデータDがINV5を介して反転され、AND6の出
力を(L)レベルにしてフリップフロップ4をリセット
し、フリップフロップ4の論理出力Qを(L)レベルに
リセットする。
一方、クロック信号CKが(H)から(L)レベルに変
化すると、AND 1およびAND6のそれぞれの出力
が(H)レベルに固定され、フリップフロップ4はその
直前の状態を保持する。
すなわち、第4図のタイミングチャートに示すように、
クロック信号CKが(H)レベルの図中イの期間では、
データDの状態がそのままスルーで論理出力Qに現れ、
また、クロック信号CKがCL)レベルの図中口の期間
では、クロック信号CKが(H)から(L)に変化した
直前のデータDの論理レベルが保持されて論理出力Qに
現れる。
第5図は、上述したレベルラッチと同等の機能を有し、
さらに、低電力化を追求したCMOS構成のレベルラッ
チである。このレベルラッチは、PチャネルMO38と
、NチャネルMO39から構成されたトランスファゲー
ト10を有し、このトランスファゲート10のPチャネ
ル側ゲートにINVllにより反転されたクロック信号
CKが加えられるとともに、Nチャネル側ゲートにクロ
ック信号CKがそのまま加えられる。そして、クロック
信号CKが(H)レベルの期間、トランスファゲート1
0がONL、データDを通過させてINV13および抵
抗型の帰還INV14からなるランチ回路15に加え、
このラッチ回路15のラッチ状態を通過したデータDに
より変化させている。
すなわち、ラッチ回路15のラッチ状態は、クロ、ツク
信号CKが(H)レベルにある間、データDの状態をそ
のまま受けて変化し、この状態はINV16を通して論
理出力Qから反転出力される。したがって、この間の論
理出力QにはデータDがスルーで現れる。一方、クロッ
ク信号CKがCH)から(L)に変化すると、トランス
ファゲート10がOFFとなり、ランチ回路15は、そ
の直前の状態を保持し、論理出力Qからその反転状態を
出力し続ける。このように構成されたレベルラッチは、
トランスファゲート10がCMOSで構成されるととも
に、INVll、13.16および帰還INV14もC
MOS構成とすることができるので、消費電力に優れた
レベルランチを実現することができ、論理回路全体の低
電力化に貢献することができる。
ところで、上述したレベルランチでは、クロック信号C
Kが〔■]〕から(L)レベルに変化すると、その直前
のデータDを保持してラッチとしての機能を発揮するが
、クロック信号CKが〔H〕の期間にあっては、データ
Dの状態がそのまま論理出力Qに現れ、後段の回路に不
必要なデータが出力されてしまう。したがって、後段の
回路には不必要なデータ入力を禁止するような特別な回
路設計を要していた。そこで、クロック信号CKの立上
がりあるいは立下がりエツジでデータDの保持を開始し
、次のエツジでデータDに応じて保持内容を更新すると
ともに、強制セットおよびリセットが可能な同期式状態
保持回路(いわゆるエツジラッチ)が用いられる。
第6図はエツジラッチの一例を示す図である。
エツジランチ20は、3組のフリツプ”フロンツブ21
.22.23を有し、各フリップフロップは、1対の3
人力NAND24をたすき掛けにして構成されている。
エツジラッチ20には、データDおよびクロック信号C
Kが入力されるとともに、必要に応じて負論理のプリセ
ント信号PRおよびクリア信号てLRが入力される。な
お、プリセット信号−PRとクリア信号CLRの同時入
力は禁止されている。
ここで、エツジラッチ20の動作を第6図のタイミング
チャートに従って説明すると、まず、プリセット信号P
Rが(L)レベルで入力した場合、論理出力端子Qはク
ロック信号CKやデータDにかかわらず強制的にCH)
レベルにセットされる。
また、クリア信号CLRが(L)レベルで入力した場合
、論理出力端子Qはクロック信号CKやデータDにかか
わらず強制的にCL)レベルにリセットされる。したが
って、これら、プリセット信号V下やクリア信号CL予
を必要に応じて(L)レベルにすることにより、論理出
力端子Q、Qを所望のレベルに設定でき、後段の回路設
計が容易になる。
一方、プリセント信号量やクリア信号CLRが共に(H
)レベルの間では、クロック信号CKの立上がりエツジ
におけるデータDのレベルが保持されて論理出力端子Q
に現れる。この保持は、次回のクロック73号CKの立
上がりエツジまで継続され、次回のエツジにおけるデー
タDのレベルが新たなデータとして保持される。データ
の保持を必要としなくなった場合は、適宜ブリセ・7ト
信号Y1やクリア信号でLRを〔L〕レベルにして論理
出力端子Q、Qを所望のレベルに設定すればよい。この
ようにエツジランチ20のような同期式状態保持回路に
あっては、プリセント信号量、クリア信号てT下によっ
て論理出力端子Q、Qを任音のレベルに設定できるとと
もに、クロック信号CKの立上がりあるいは立下がりエ
ツジにおけるデータDのレベルが保持されるので、回路
設計上の制約が少ないといった利点を有している。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、このような従来の同期式状態保持回路に
あっては、一対の3NANDからなるフリップフロップ
を3&11用いて回路を構成していたため、例えば、低
電力化のためにCMOS構成にしようとすると、1つの
3NAND24に対して第8図に示すように3 ′4J
iのCM OSすなわち、6個のMOS)ランジスタ3
0a、30b、31a、31b、32a、32bが必要
となり、回路全体で36個のM○Sトランジスタを特徴
とする特に、大規模集積回路(LSI)上にこのような
CMOS構成の同期式状態保持回路を形成しようとする
と、多量のトランジスタによってチップが大型化し、価
格や歩留まりが悪化するといった問題点があった。
本発明は、このような問題点に濫みてなされたもので、
少ないCMOSI−ランジスタを用いて構成できる同期
式状態保持回路を提供し、価格や歩留まりを改善しつつ
、消費電力を低減することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では、上記目的を達成するために、ゲート開放信
号に従ってオン/オフするスイッチング手段と、同期信
号のエツジを検出し、少なくともこのエツジを検出して
いる期間該スイッチング手段のオンを促すゲート開放信
号を出力する信号出力手段と、スイッチング手段のオン
時、このスイッチング手段を通過したデータの論理レベ
ルを保持する保持手段と、リセット信号あるいはプリセ
ット信号が外部から入力されると、保持手段に保持され
た論理レベルを強制的に一方の論理レベルに設定する設
定手段と、を備え、前記各手段をCMOSI−ランジス
タにより構成している。
〔作用〕
本発明では、同期信号のエツジの期間、スイッチング手
段がONL、スイッチング手段を通過したデータの論理
レベルが保持手段に保持される。
また、リセット信号あるいはプリセット信号が外部から
入力されると、保持手段の論理レベルが強制的に(H)
あるいは(L)レベルに設定される。
したがって、3NAND構成の同期式状態保持回路と同
一の機能が発揮されるとともに、3NANDを用いずに
、−船釣なINVや2人力NAND等によって回路を構
成することができ、少ないトランジスタ数でCMOS構
成の同期式状態保持回路を実現することができる。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1.2図は本発明に係る同期式状態保持回路の一実施
例を示す図である。
まず、構成を説明する。第1図において、40は同期式
状態保持回路であり、同期式状態保持回路40はトラン
スファゲート(スイッチング手段)41、信号出力手段
42、保持手段43および設定手段44を備えている。
トランスファゲート41は、ソースとドレインが共通に
接続されたPチャネルMO3)ランジスタ45およびN
チャネルMO3I−ランジスタ46と、CMOSトラン
ジスタからなるINV47と、を有し、ゲート開放信号
SGが(L)レベルでPチャネルMOSトランジスタ4
5のゲートに印加されるとともに、このゲート開放信号
ScがINV47を介して反転されてPチャネルMO3
)ランジスタ46のゲートに(H)レベルで印加された
とき、PチャネルMO3)ランジスタ45およびNチャ
ネルMOSトランジスタ46の双方が共にONしてデー
タDを後述の保持手段43へ通過させる。
信号出力手段42は、何れも0MO3)ランジスタから
なる3段(7) I N V4B、49.50と、少な
くとも2組のCMOSトランジスタからなる周知の2人
力NAND51と、を有し、クロック信号(同期信号)
CKをINV48〜50により遅延させて2人力N A
 N D51の一方の入力端子に印加するとともに、他
方の入力端子にはクロック信号CKを遅延せずにそのま
ま印加している。したがって、2人力NAND51の出
力に(L)レベルが現れるときは、クロック信号CKが
〔L〕から(H)レベルへと立上がり、かつ、この立上
がりがINV48〜50を経て2人力NAND51の一
方の入力端子に現れるまでの期間であり、この期間は、
INV48〜50の連結数を適宜変えることにより任意
に設定できる。なお、本実施例では、後述の保持手段4
3におけるデータDの保持に要する時間を加味して連結
数を3段としたが、この段数に限定されるものではない
保持手段43は、データ0通路に設けられたINV52
と、このINV52の入出力端にループ接続された抵抗
型の帰還INV53と、INV52の出力端と論理出力
端子Q、との間に介装されたINV54と、を有してい
る。なお、論理出力端子向はINV52の出力端から直
接取り出された論理出力端子である。このような構成の
保持手段43は、例えば、INV52の入力端が[)(
)レベルならば、この〔H〕レベルがINV52により
反転され、さらに、帰還INV53により再度反転され
て〔H〕レベルとなってINV52の入力端に帰還され
る。すなわち、INV52の入力端からINV52およ
び帰還INV53を通って再びINV52の入力端まで
の1ループを(H)レベルが伝達すると、この(H)レ
ベルはINV52の入力端に保持される。このとき、I
NV52の出力端には、(L)レベルが保持されている
。このINV52出力端の(L)レベルは、INV54
を介して論理出力端子Qに反転出力され、また、論理出
力端子方には、そのまま出力される。
すなわち、保持手段43に(H)レベルが印加されると
論理出力端子QはCH)レベル(論理出力端子間は(L
)レベル)となり、また、保持手段43に(L)レベル
が印加されると論理出力端子Qは〔L〕レベル(論理出
力端子方は(H)レベル)となる。そして、これらの保
持状態は、異なったレベルのデータDがトランスファゲ
ート41を通過してくるまで、あるいは、後述のプリセ
ット信号V下やクリア信号でて1の印加によって設定手
段44が活性化するまで継続して保持される。
設定手段44は、PチャネルMO3)ランジスタ55と
、NチャネルMO3I−ランジスタ56と、を有し、P
チャネルMO3)ランジスタ55はゲートに負論理のプ
リセット信号PRが印加されるとONし、(H)レベル
に相当するプラス定電位VCCを保持手段43に印加す
る。また、NチャネルMOSトランジスタ56はゲート
に負論理のクリア信号(リセット信号)CLRが印加さ
れるとONL、(L)レベルに相当するグランド電位を
保持手段43に印加する。
次に、第2図のタイミングチャートを参照しながら、回
路動作を説明する。
PR→〔L〕 プリセント信号PRが(L)レベルで入力すると、Pチ
ャネルMO3)ランジスタ55がONL、保持手段43
にはプラス定電位VCCが印加される。
すなわち、保持手段43はこのプラス定電位V。C(〔
H〕レベルに相当)を保持し、Q= (H)、Q= (
L)となって同期式状態保持回路40がいわゆるセット
状態に置かれる。したがって、このセント状態では、ク
ロック信号CKやデータDがどのようなレベルを取ろう
とも論理出力端子Q、 Qは何ら影響を与えない。
CLR→〔■ クリア信号CLRが(L)レベルで入力すると、今度は
、NチャネルMO3I−ランジスタ56がONし、保持
手段43にはグランド電位が印加される。
すなわち、保持手段43はこのグランド電位(〔L〕レ
ベルに相当)を保持し、Q= (L) 、て−CI()
となって同期式状態保持回路40がいわゆるリセット状
態に置かれる。したがって、このリセット状態では、ク
ロック信号CKやデータDのレベルが変化しても論理出
力端子Q、Qは影響を受けずリセット状態を保持する。
CK−(L)から(H)へ クリア信号στ下およびプリセット信号PRが共にCH
)レベルにあるとき、クロック信号CKが〔L〕から(
H)へと立上がると、2人力NAND51の入力が共に
(H)レベルとなり、2人力NAND51の出力(ゲー
ト開放信号S、)は〔L〕レベルに変化する。そして、
このCL3レベルに変化するタイミングは、クロック信
号GKの立上がりエツジと一致している。このように、
クロック信号CKの立上がりエツジで(L)レベルへ変
化するゲート開放信号SGは、PチャネルMOSトラン
ジスタ45のゲートに直接印加されるとともに、INV
47を介してNチャネルMO3I−ランジスタ46のゲ
ートにも印加され、これらPチャネルMO3)ランジス
タ45およびNチャネルMOSトランジスタ46の双方
を共にONさせる。これにより、データDが保持手段4
3に印加され、保持手段43は、そのときのデータDの
レベルに応じて状態を遷移させてデータDのレベルを保
持する。
このように、本実施例の同期式状態保持回路は、第6図
で述べた従来の3人力NAND構成の同期式状態保持回
路(エツジラッチ)と同一の機能を発揮するとともに、
全ての回路素子をCMOSトランジスタで構成すること
ができ、消費電力を低減することができる。
また、そのトランジスタ数は、INVを2個、NAND
を4個として計算し、合計で24トランジスタとなり、
従来の3人力NANDをそのまま0MO3)ランジスタ
に置き代えたもの(36トランジスタを必要とする)に
比して、44%のトランジスタを削減することができる
。したがって、回路規模で比較すると、従来の3人力N
AND構成の同期式状態保持回路(CMOSトランジス
タに置き代えたもの)を100%とした場合、本実施例
のものは66%の回路規模となり、従来と等価の機能を
持ちつつ、チップを小型化した同期式状態保持回路を実
現することができ、LSIに用いて好適な同31J1式
状態保持回路を得ることができる。さらに、トランジス
タ数を従来のものより削減できるので、歩留まりの改善
をも図ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、少ないCMOSトランジスタを用いて
従来と等価の同期式状態保持回路が実現できる。したが
って、チップの大型化を避けるとともに、価格の低減や
歩留まりの改善を図り、かつ、消費電力を抑えた同期式
状態保持回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1.2図は本発明に係る同期式状態保持回路の一実施
例を示す図であり、 第1図はその回路図、 第2図は第1図の動作を説明するためのタイミングチャ
ート、 第3図は従来のレベルランチの回路図、第4図は第3図
の動作を説明するためのタイミングチャート、 第5図は第3図のレベルラッチをCMOS)ランジスタ
に置き代えたレベルランチの回路図、第6図は従来のエ
ツジラッチの回路図、第7図は第6図の動作を説明する
ためのタイミングチャート、 第8図は3人力NANDをCMOS)ランジスタに置き
代えた回路図、 である。 41・・・・・・トランスファゲート(スイッチング手
段)、 42・・・・・・信号出力手段、 43・・・・・・保持手段、 44・・・・・・設定手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ゲート開放信号に従ってオン/オフするスイッチング手
    段と、 同期信号のエッジを検出し、少なくともこのエッジを検
    出している期間該スイッチング手段のオンを促すゲート
    開放信号を出力する信号出力手段と、 スイッチング手段のオン時、このスイッチング手段を通
    過したデータの論理レベルを保持する保持手段と、 リセット信号あるいはプリセット信号が外部から入力さ
    れると、保持手段に保持された論理レベルを強制的に一
    方の論理レベルに設定する設定手段と、 を備え、前記各手段をCMOS回路により構成されてい
    ることを特徴とする同期式状態保持回路。
JP62251984A 1987-10-06 1987-10-06 同期式状態保持回路 Pending JPH0193916A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832413A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Nec Corp 同期式ラッチ回路
JP2010283808A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Honeywell Internatl Inc クロックのデューティ・サイクルの自動制御
JP2012521700A (ja) * 2009-03-23 2012-09-13 オティコン アクティーセルスカプ スキャン・テスト・サポートを有する低電力デュアル・エッジ・トリガ型記憶セル及びそのためのクロック・ゲーティング回路

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