JPH0183356U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0183356U JPH0183356U JP1987177777U JP17777787U JPH0183356U JP H0183356 U JPH0183356 U JP H0183356U JP 1987177777 U JP1987177777 U JP 1987177777U JP 17777787 U JP17777787 U JP 17777787U JP H0183356 U JPH0183356 U JP H0183356U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- semiconductor laser
- laser element
- supported
- side opposite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
Description
第１図は本考案半導体レーザ装置の第１の実施
例を示す断面図、第２図は本考案半導体レーザ装
置の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例
を示す断面図である。 符号の説明、１……基板、６……第１のヒート
シンク、９……半導体レーザ素子、１２，１２ａ
……第２のヒートシンク。
例を示す断面図、第２図は本考案半導体レーザ装
置の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例
を示す断面図である。 符号の説明、１……基板、６……第１のヒート
シンク、９……半導体レーザ素子、１２，１２ａ
……第２のヒートシンク。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第１のヒートシンクの一つの面に半導体レーザ
素子が固着され、 第１のヒートシンクと対向した第２のヒートシ
ンクと上記半導体レーザ素子の反第１のヒートシ
ンク側の面とが固着され、 上記第１のヒートシンク及び第２のヒートシン
クが同一の基板上に支持されてなる ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987177777U JPH0183356U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987177777U JPH0183356U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0183356U true JPH0183356U (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=31469428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987177777U Pending JPH0183356U (ja) | 1987-11-21 | 1987-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0183356U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458127B1 (ko) * | 2002-08-31 | 2004-11-18 | (주)애니람다 | 광모듈내 레이저 다이오드 열 발산 장치 |
-
1987
- 1987-11-21 JP JP1987177777U patent/JPH0183356U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458127B1 (ko) * | 2002-08-31 | 2004-11-18 | (주)애니람다 | 광모듈내 레이저 다이오드 열 발산 장치 |