JPH01500548A - フォトダイオードの電子ビーム試験 - Google Patents
フォトダイオードの電子ビーム試験Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子回路の品質管理試験に関し、より詳細には、フォトダイオードア
レイに関する電流/゛市圧測定を行う際に、集束電子ビームを使用する集積回路
の非破壊的試験のための装置及び方法に関する。
2、 関連技術の記載
多数の個別素子を具備するフォトダイオードアレイの発展が、ある特定された応
用においてますまず重要になっている。
品質保証のためには、利用装置にアレイを絹込む前に組立てされた個別素子ベー
ス上でフォトダイオードアレイをスクリーニングすることが不可欠である。以前
は、そのようなスクリーニングは通常単一素子ベース上で機械的試験によって行
われた。そのような試験の結果は満足すべきものではなかった。回路試験接触点
用に供給されるもろいインジウム***部か接触プローブによって容易に破損され
る。この方法は大変時間がかかる操作である。さらなる欠点は前記方法の結果か
極端にオペレータに依存することである。
上記の問題を考慮した場合、小さな検出器サイズ(約1.5x、1.5ミル)の
典型的マルチ素子からなるハイブリッド焦平面アレイ及びインジウム相互接続部
の精密特性及びダイオードの非接触的試験方法が望まれ、好ましくは、試験が自
動化されるか又は少なくともオペレータ変数とは無関係に結果が得られるように
なされなければならない。
複雑な集積回路の内部ノード試験用として電子ビーム集積回路テスタを使用する
システムが開発された。このシステムは電子ビームを選択された内部ノードに集
束かつ先導して対応するコンピュータ制御回路によって前記ノードからの2次的
電子放射を検出する電子ビーム装置を組込んでいる。制御時、電子ビーム装置は
高速度のアクセスと集積回路ノードの試験を提供する。
前記システムの一例として、前記プローブが、回路破損を最もよく示すと思われ
る限定された数の内部ノードを聡明に選んで、試験されるノード数を最小にし同
時に試験結果の信頼度を最大にする。前記プローブは、試験中の集積回路の設計
と動作を理解する人工知能を具偏し、前記知能は前記プローブに関連するプログ
ラム化されたコンピュータにおいて具体化される。前だシステムはさらに試験中
の集積回路の周辺パッドにアクセスし、コンピュータ制御下において、適当な回
路バイアス、クロック信号及びテスト信号を供給する回路を含む。回路の選択さ
れた前記内部ノード間の電子ビームの運動と、これらのノードを選択する対応コ
ンピュータの動作の決定は、マイクロセカンド又はミリセカンド単位で行われる
。
前記試験装置の電子ビームは回路内の選択された単一ノード−トに集束された時
、−次ビーム電子か当たるノードの特性によって影響を受けるエネルギ分布を持
つ二次電子放射を生成する。適当なセンサが前記二次電子エネルギ分布に応答し
コンピュータが試験中のノード電圧を検知かつ記憶可能になる。
このようなシステムの特定された利点は、試験中の集積回路のどの内部ノートを
も容量的に充電しないし破損をもしないことである。同時に前記プローブの電子
ビームの半径はサブマイクロメートルであり高速度でかつ高い精度での位置合わ
せが容易である。このような利点のため、前記システムを集積回路開発のオフラ
イン設計の検証及び故障分析用ツールとして使用することが実際的応用の1つと
なる。フォトダイオード検査においてはノードが高速度で選択かつ試験されるの
で前記システムを高い製品処理量を持つ製造ラインにおいて使用することが適当
である。この方法はコストがかからず上述された従来の検査方法よりも本質的に
より信頼度が大きい。
発明の摘要
本発明による装置はフォトダイオードアレイの高速度の電流/電圧(1−V)測
定を行う際、上記のものに類似する集束電子ビーム(Eビーム)を使用する。し
かしながら、前記電子ビームを内部回路ノードに先導するかわりに前記ビームは
アレイ内の選択されたダイオードの自由電極にアクセスするのに用いられる。E
ビームは選択されたダイオードに電子を先導するのに使用され、そこに一定電圧
を発生させる。ダイオード基板から前記フォトダイオード端部にアクセス可能な
共通なダイオード基板ノードまでの全回路を流れる対応電流が測定される。前記
ダイオードアレイのI −V測定は、一定の走査域内てEビームを1つのダイオ
ードから他のダイオードに連続的に走査することによってなされる。
Ni/5i02のコントラストによってダイオードアレイ上に×しるしをつける
ことにより集束Eビームが正確に整合される。1つの特定された応用において低
いバックグラウンドと低温度がテスト条件となるが、これにより赤外域でのフォ
トダイオードのI−V曲線測定か可能になる。二次電子放射によって得られたダ
イオード電圧の測定はボルテージコントラストセンサの使用により行われる。本
発明による1つの特定された装置によれば、このセンサはシンチレータに付随し
て、前記二次電子をフォトンに変換する偏向された二次放射電子束の領域に配設
されたエネルギフィルタを具備する。対応する光電子増倍管が、ボルテージコン
トラスト信号を提供すべく増幅される対応増倍光電流を発生する。
Eビーム電流のデユーティサイクル変調によりダイオード電流が時間と共に変化
し、結果としてのダイオード電圧の測定値か試験中のダイオードの1−7曲線に
対するデータを提供する。単一なダイオードのI−V曲線をマツピングするのに
要する時間はダイオードの静電容量および抵抗に密接に関係している。後者はダ
イオードの品質、バックグラウンド及び動作温度に大きく依存する。コンピュー
タデータ捕捉によれば、1つのニーV7111I定に0. 1から1秒のオーダ
の時間が必要とされる。すなイっち、延長するフォトダイオードアレイは比較的
短時間で試験され得る。各ダイオード試験から得られたデータは、プロットする
ことにより、既知の許容品質のダイオードから得られた比較データと比較される
I −V曲線を描く。試験されたダイオードを含むアレイを受入れるかあるいは
拒絶するかの決定か標準からの許容ずれを基礎として本発明のより良い理解か、
添附の図面と共に次の詳細な説明を考察することにより実現される。
第1図は、本発明の1つの特定された装置の路線図である。
第2図は、第1図の装置のある詳細を例示した線区である。
第3図は、本発明のシステムと共にフォトダイオードを試験した結果を示すグラ
フである。
第4図は、本発明の実施においてなされたある工程を示す一連の線図である。
第5図は、フォトダイオードのEビームによる試験の3つの可能なモードを示し
、第1図の装置に対するpnダイオードの好ましい動作点を示すグラフである。
好ましい実施例の説明
第1図の路線図は、本発明によるフォトダイオードアレイのEビーム試験に対す
る全体システムを表わす。第1図において、電子ビーム発生器10か、二次電子
放射センサ14と関連するボルテージコントラスI・ビデオデータ受信用ハード
ウェア]6と共に、偏向コイル12a及び12bを含むビーム位置制御ハードウ
ェア12に関連して示される。コンビュ−夕18は、前記ビーム位置制御12と
前記ボルテージコントラストハードウェア16を制御すべく接続される。プロッ
タ]9が出力装置として前記コンピュータ18に接続される。
試験中のフォトダイオードのI−V曲線を描くべく前記プロッタ19を制御する
前記コンピュータ18によって相関データが処理される。
前記ビーム発生器10からの電子ビーム24は、前記検出器14で受信される第
2電子放射を生成すべく前記アレイ22に向って先導され、同時に単一なダイオ
ード22aに先導される。前記アレイ22は回路制御ハードウェア28によって
動作され前記コンピュータ18によって制御される。前記回路制御ハードウェア
28はクロック信号、テスト信号、及びバイアス電圧を発生し、それらは、アレ
イ22の周囲に沿った適当な路30に供給されてテスト回路を完成させ、前記コ
ンピュータ18に入力すべく個々のダイオード電流を測定して前記ボルテージコ
ントラストハードウェア16からの対応するダイオードボルテージデータに相関
される。
前記コンピュータ18は試験される特定のダイオード22aを選択し、適当なり
ロック信号、バイアス電圧、テスト信号を前記路30の適当な1つに供給すべく
先導する。同時にビーム位置制御ハードウェアか、特定されたダイオード22a
上に集束すべく電子ビーム24を先導する。二次電子がダイオード22aから放
射されダイオード電圧に比例する出力電圧を発生ずるセンサ14によって検出さ
れる。この電圧は放射された二次電子26の二次電子エネルギ分布を監視するこ
とによって決定される。前記受信ハードウェア16は、前記電圧信号を前記セン
サ]4から前記ダイオード22aの実測電圧に対応する数に変換してこのデータ
を前記コンピュータ18に供給する。同時に、前記回路制御ハードウェア28が
試験中の前記ダイオード22aへの電流を測定し、このデータを前記コンピュー
タ18に供給する。
当業者に良く知られているように、前記ダイオード22aの衝突表面の電位か1
=下した場合は放射二次電子26のエネルギ分布は、それに比例して変化する。
リターディングフィールドを使用するような電子エネルギ分光計又はアナライザ
14を使用することによって二次電子エネルギ分布の変化が測定されダイオード
電位が決定される。
第2図は、単一なフォトダイオード22aを試験するのに使用される方法のさら
なる詳細を示す。第2図において、電子ソース40が、矢44で示された入射電
子ビームを変調すべくデユーティサイクル制御器43を含むチョッパ42に関し
て示される。破線46.48.50はそれぞれトラップグリッド、アナライザグ
リッド、抽出グリッドを表わす。偏向グリッド52及び収集グリッド58が曲線
状矢54て表わされる二次放射電子をシンチレータ56に先導し、光子に変換さ
れる。前記シンチレータ56からの光子が光電子増倍管60をトリガし結果とし
て電気信号がボルテージコントラストセンサの出力を得るべくヘッドアンプリフ
ァイアロ2によって増幅される。同時に、ダイオードサンプル電fiilTが前
記回路制御ハードウェア28内の測定装置64によって測定される(第1図)。
第2図の装置は二次電子が前記ボルテージコントラストセンサによって選択され
る手段を示す。前記抽出グリッド50はターゲットの局所化されたフィールドを
圧倒して二次電子を抜取り、前記アナライザグリッド48が放射された二次電子
のエネルギ分布を分析する。前記トラップグリッド46、偏向グリッド52及び
収集グリッド58の全てが二次電子か一次電子に大きな影響を与えることなしに
前記シンチレータ55内に先導し、(矢45によって示された)後方散乱した電
子がEビームコラム最終レンズ・\と先導可能にする。
試験においては、Eビームは、試験中の各ダイオードに対する電流源として作用
する。ダイオードバイアス電圧は二次電子放射エネルギ分布を測定してこの情報
を電圧値に変換することによって検知される。1−Vデータを完成すべくサンプ
ルダイオード電流が外部的に測定される。64において測定されたサンプルダイ
オード電流I tは一次電子ビーム電流Np (44)と二次かつ後方散乱電子
電流Is (54)かつIB (45)との違いに等しい。
フォトダイオードに対する等価電気回路は並列抵抗及び容量路を含む。すなわち
、等価RC回路の時定数内の連続的−次Eビームパルスにより、フォトダイオー
ドの静電容量が指数的に充電し、漸次増大する値のバイアス電圧を発生する。
バイアス電圧及びサンプル電流を測定するときに前記Eビームが多くのフォトダ
イオードを反復して連続的に走査して各走査ごとにダイオードのバイアス電圧を
発生する。このようにしてEビームテスタがダイオード電流が測定される間、バ
イアス電圧を変化させることによって可変電圧源として機能し、サンプル電流及
び電圧の個々のデータポイントを提供してプロッタ1つによってプロットされた
ような各個々のダイオードの1.−V特性曲線を描く。
描かれた曲線か個々のI−Vポイントデータから外挿された典型的なダイオード
のプロットが第3図に示される。この図において、破線70はEビームによって
誘導されたl −V値のプロットを表わし、斜線72は従来通り(ダイレクトプ
ローブコンタクトによって)比較すべく測定された1−■データのプロットを表
わす。第3図のプロットは前記曲線の長さに渡って非常によい相関関係を示す。
第3図のプロットは約−900m vのダイオードバイアス電圧からダイオード
電流か零に近いオーブン回路電圧まで延長する。
第3図に示すようなフォトダイオード22aに刻するI−■曲線の決定は次の工
程を遂行することによってなされる。
]、−次電電流pを加える。
2、実験的に得られたルックアツプ表を使って二次放射電流Isからダイオード
バイアス電圧VDを測定する。
′3.ダイオートザンブル電流I Tを測定する。
4、VDに対してITをプロットする。
5.1T対VDの他の対に対しても1から4の工程を繰返す。
第4図は、ダイオード電流の測定に関して第1図の前記ボルテージコントラスト
ビデオデータ受信ハードウェア16によって実行される工程を示す。
工Vi1において、前記ボルテージコントラストセンサの出力が、基準校正ノー
ドからの結果を使って、Eビームによって発生したバイアス電圧によって校正さ
れる。工程2において、測定されたダイオード電流が前記ボルテージコントラス
トセンサの出力によって相関される。工程3において、ボルテージコントラスト
センサの出力が、I−V曲線を得るべく工程1からの校正によってダイオードバ
イアス電圧に変換される。
前述したように、試験中のダイオードのバイアス電圧の変化は、ダイオードの並
列された抵抗と静電容量の有効組合わせに対して電流源として作用するEビーム
によって発生する。
この組合わせの充電時間の測定は、単にRC時定数と言われる抵抗と静電容量に
よって与えられる。ダイオードは、ダイオード抵抗両端で必要とされる電圧降下
を維持可能な平均値に一次Eビームを変調するデユーティサイクルによってオー
ブン回路電圧から一定のダイオードバイアス電圧に充電される。この照射期間の
あいだ、サンプル電流ITが接合部を横切って基板に流れる。すなわち、ダイオ
ードの静電容量と抵抗とがダイオード検査に要求される正確な時間に影響する。
実効RC時定数が大きくなり、より長い充電時間が低い温度及び低いバックグラ
ウンドに対して要求されるので前記時間の間隔を制御することは、低温度かつ低
バツクグラウンドで多数のダイオードアレイを試験するときに特に重要である。
逆に言えば、大きなダイオードアレイの製造ラインでの試験に対しては短いテス
ト時間が望ましい。この明らかにt0違する試験方法は本発明の一面によって、
タイミングシーケンスにおいてアレイ内で選択された列のフォトダイオードを反
復して走査すべく前記Eビームを制御することによって解決され、それによって
、各サンプルバイアスで電圧がダイオードRC充電曲線にそって増加した充電レ
ベルで発生される。このプロセスは、チョッパ42(第2図)のデユーティサイ
クルの制御を通じて一次Eビームをチョップすることによって異なるダイオード
電圧値に対して反復される。他の方法として、ダイオードが最大のバイアス電圧
に充電され、その後、放電時にEビームを走査することによってサンプリングさ
れるが、ダイオードの動作を監視しなからRCの充電中にサンプリングするのが
より望ましい。約1ピコフアラツドの実効静電容量と10ギガオームの実効抵抗
を持つダイオードに対してEビーム走査を行った場合、RC時定数は10ミリセ
カンドである。最終的な電圧及び電流測定を行う前に10の時定数を通過させる
ことはダイオードのI−Vポイントあたり100ミリセカンドが数似の71JI
+定時間であることを示している。それゆえ、約1秒のあいだに10ポイントの
ダイオード1−V曲線が得られる。
第5図は、−次電子ビームエネルギ(VR)の機能としての二次電子イールド(
δ−1s/IP)のプロットである。
この曲線は、二次電子イールドが1より小か大によって3つの領域に分割され、
フォトダイオードのEビーム検査の3つの可能なモードを示している。大抵の赤
外フォトダイオードが逆バイアス領域で動作するので、動作の好ましいモードは
InSbの赤外ダイオードなどのpnダイオードに対して領域■を使用すること
である。動作点は、−次ビームエネルギの5000エレクトロンボルトに設定さ
れた。5000エレクトロンボルトの領域に動作点を設定することは、結果が汚
染蓄積によって低下する2500エレクトロンボルトなどのより小さな値よりも
、データのリニアフィツトのポイントからはるかに良い結果を提供する。500
0エレクトロンボルトでの動作は満足すべき空間解像度、電圧解像度、表面汚染
の侵入を提供し、検査に対して信頼すべき十分な二次電子電流を発生する。
第5図の領域1は低電圧の°Vidicon−モードに対応し、大抵の二次電子
エネルギがこの領域にあるので興味の対象となりうる。この領域はまたpnダイ
オードに対1.でも適用できる。
二次電子イールドが1よりも大である領域■は、注入された一次電子よりも多い
二次電子が発生される領域である。この領域は順方向バイアスのpnダイオード
か又は逆方向バイアスのr】pダイオードに使用される。この領域は、この接合
構成で製造された現在のHgCdTeフォトダイオードに対して興味の対象とな
る。
1−V検査方法において、Eビーム装置をターゲットに対して正確に位置合わせ
するのに整合マークが使用される。これらのマークはフォトダイオードアレイ上
に配設され、検査を始める前にアレイをEビーム装置に対して位置合わせするの
に使用される。これらのマークは好ましくは増感されたコントラストに対して地
形的な二次イールドバリエーションを提供すべく非類似の2つの材料から出来て
いる。本発明の好ましい実施例において、ニッケルが大抵のフォトダイオードア
レイに含まれているのでSi□)に対して選ばれた。良く動作した1つの特定さ
れた装置は、それぞれが約10ミクロンの幅と100ミクロンの腕の長さを持つ
2つの十字形整合マークを約2x2mmの走査フィールド内に配置することを含
む。他の例においては、十字マークは20ミクロンの腕輪と71ミクロンの腕長
さを有していた。二酸化シリコンに対するニッケルの整合マークはすばらしいコ
ントラストを提供し容易に見分けがつく。
本発明のシステムは商業的に動作+−+1能な装置を使用する。
前記電子源40、チョッパ42、ビーム位置1.す御バー ドウエア12、フォ
ーカシング及び偏向コイル12a及び]2b5試験が行われる真空システムを含
む前記電子ビーム発生器10とこの装置に対する対応制御装置は全て、商業的に
入手可能で当業者の間でよく知られたケンブリッジ8150走査電子マイクロス
コープにおいて具現化される。前記コンピュータ18はデジタルエクイップメン
トコーポレーシジンのPDPII/34ミニコンピユータである。
二次電子エネルギアナライザ又はセンサ14は好ましくは、西ドイツのシーメン
スによって開発されたセンサである。このセンサは、FeJerbach、Vo
w、1、】979、pp、285−318、FIG、5.9.290による鉦a
nning Electron MicroscopyとFazekas et
alによるScanningElectron Beam Probes V
LSIChips’ 、Electronics、July 14、ユ 981
、 p p、 105−112 at p、 109 、FIG、5とに記載
された。
フォトダイオードに直接接触せずにEビームプローブを使用してダイオードアレ
イを検査する本発明の1つの特定された装置が上に示されかつ記載された。ビー
ムをチョップしかつバイアス電圧とダイオード電流を反復して測定することによ
って連続するI−■データポイントが得られ、望みのI−7曲線を得るべくコン
ピュータによって使用される。測定を反復して続けるあいた、数多くのフォトダ
イオードを順々に走査することによって、フォトダイオードのすべてのアレイが
比較的短時間に試験され、製造ラインでの使用に適し、た方法を提供する。Eビ
ーム検査方法は検査パラメータを標準化して以前側々のオペレータによって導入
されたバリエーションを除去し、容易に自動化して係員のスルーブツト能力と結
果の信頼度を改善する。
発明が利益を得る方法を例示する目的で本発明によるフォトダイオードの電子ビ
ーム試験の1一つの特定された装置構成が上述されたが、本発明はそれらに限定
されない。よって、当業者に可能などんなかつ全ての変更、変化、及びそれに同
等の構成は、添附の請求の範囲で規定された本発明の範囲内に入る。
(工紅2)(ぐ毘3)
コニ程 1 1三し゛−ム1:よっ1亥%4−rxp−バ、イ′Tしζaぞ1己
1将っq C,ぐ弘〃lワゾEべ土てに工か! 2 ヤbくhし扛す丁 い、は
μ才じp′1也−Φ才国際調査報告
ANNEXToAdEXNTER)コATIONALSEARCHREPORT
ON
Claims (20)
- 1.選択された時間間隔のあいだ、フォトダイオードの並列抵抗及び静電容量を 充電する手段と、前記選択された時間内に一定回数、前記フォトダイオードの電 圧を測定する手段と、 前記一定回数フォトダイオード電流を測定する手段と、前記フォトダイオード地 圧及び電流の対応測定値を相関させてそれらに関する複数のデータポイントを得 る手段と、前記得られたデータポイントから前記フォトダイオードの電流/電圧 曲線を決定する手段とを具備するフォトダイオード試験装置。
- 2.前記充電手段が、前記選択された時間間隔のあいだの限定された期間、前記 フォトダイオードを連続的に照射する手段を含む請求の範囲第1項に記載の装置 。
- 3.前記照射手段が、前記フォトダイオードの照射を制御すべく電子ビームを変 調する手段を有するEビーム装置を具備する請求の範囲第2項に記載の装置。
- 4.前記Eビーム装置がさらに、延長するフォトダイオードアレイ内の選択され た複数のフォトダイオードを反復して走査する手段を含み、前記反復的電圧及び 電流測定手段が前記フォトダイオードが走査されるごとに選択された複数の各個 別のダイオードの電圧及び電流を測定する請求の範囲第3項に記載の装置。
- 5.前記走査手段が、前記フォトダイオードのRC時定数に相応する期間を越え ない時間間隔内に複数回、前記選択された複数のフォトダイオードのそれぞれを 走査すべく動作可能である請求の範囲第4項に記載の装置。
- 6.前記Eビーム装置が、電圧が測定されるごとに、異なるフォトダイオード電 圧を発生すべく動作可能な請求の範囲第3項に記載の装置。
- 7.前記電圧測定手段が、前記フォトダイオードに直接接触することなしにフォ トダイオード電圧を測定する手段を含む請求の範囲第3項に記載の装置。
- 8.前記電圧測定手段が、前記フォトダイオードからの二次放射電子に応答して 検出された二次放射電子の相応する信号を提供すべく配設されたボルテージコン トラストセンサを具備する請求の範囲第7項に記載の装置。
- 9.前記ボルテージコントラストセンサが前記二次放射電子の検出に応答して光 子出力を提供するシンチレータと、該シンチレータからの前記光子を受けるべく 配設された光電子増倍管と、相応するボルテージコントラスト出力信号を提供す べく前記光電子増倍管に接続されたアンプリファイアとを具備する請求の範囲第 8項に記載の装置。
- 10.ボルテージコントラストセンサ出力とEビームによって誘導されたバイア ス電圧とのあいだの一定校正に従って前記ボルテージコントラストセンサ信号を バイアス電圧信号に変換する手段を含む請求の範囲第9項に記載の装置。
- 11.フォトダイオードアレイ内の複数のフォトダイオードを試験すべく、 選択された時間間隔のあいだ電子ビームに続いて前記選択されたダイオードのそ れぞれを照射することによって前記アレイ内の選択された複数のフォトダイオー ドを反復的に走査し、一定フォトダイオードの各反復的走査がダイオード照射の デューティサイクルに比例するフォトダイオード電圧を発生する手段と、 ダイオード電圧の測定を提供すべく走査されたフォトダイオードのそれぞれから 連続的に放射される二次電子を測定する手段と、 前記ダイオード電圧の測定と共に前記選択されたフォトダイオードのそれぞれの 個々 のフォトダイオード電流を測定する手段と、個々の電圧及び電流測定に相応する 複数のデータポイントを得て、測定される前記ダイオードのそれぞれに対する電 流電圧特性を得るために、相応する電圧及び電流測定を相関させる手段とを具備 する装置。
- 12.前記走査手段が、走査手段のデューティサイクルを変化させることによっ て個々のダイオード照射時間間隔を選択的に制御する手段を含む請求の範囲第1 1項に記載の装置。
- 13.前記走査手段が、ダイオードに対する先行する照射時間間隔の終わりに発 生するフォトダイオード電圧よりも大きなフォトダイオード電圧を各照射時間間 隔の終わりに発生すべく動作可能である請求の範囲第12項に記載の装置。
- 14.前記二次電子測定手段が、前記二次電子放射に相応する光子出力信号を発 止するシンチレータと、該シンチレータから前記光子出力信号を受信すべく配設 された光電子増倍管と、相応するボルテージコントラスト出力信号を提供すべく 前記光電子増倍管に配設されたアンプリファイアとを具備する請求の範囲第11 項に記載の装置。
- 15.ボルテージコントラスト出力と電子ビームによって誘導された電圧との間 のあらかじめ定められた校正に従って前記ボルテージコントラスト出力信号をダ イオード電圧信号に変換する手段をさらに含む請求の範囲第14項に記載の装置 。
- 16.固有の実効抵抗及び静電容量を持つ各要素の電流/電圧特性を決定すべく 前記要素のアレイを試験するために、順番に前記各要素を走査すべくEビームを 先導し、一定走査のあいだ、前記各要素の照射持続時間を前記要素の充電時定数 のほんの一部の時間間隔に制限し、前記時間間隔の終わりに、前記照射された各 要素から二次放射電子を検出することによって個々の要素電圧を測定し、前記各 時間間隔に終わりに、前記各要素の電流を測定し、前記要素の放電時定数よりも 小なる初期走査に続く時間間隔内に前記要素のそれぞれを別々に走査し、各連続 的走査に対して電圧及び電流の測定工程を反復し、電圧及び電流の変化範囲に渡 って前記各要素に対する電流/電圧特性を得るべく前記各個々の要素に対する電 圧及び電流の連続的測定を相関する工程を具備する方法。
- 17.前記照射持続時間を制限する工程が、一定間隔で前記Eビームをチョップ することを含む請求の範囲第16項に記載の方法。
- 18.前記個々の要素電圧を測定する工程が、二次放射電子を検出すると同時に 光子を生成し、ボルテージコントラストセンサ信号を発生すべく該光子を光電子 増倍管に供給することを含む請求の範囲第16項に記載の方法。
- 19.前記ボルテージコントラストセンサ信号と実測されたバイアス電圧とのあ いだのあらかじめ定められた校正関係に従って前記ボルテージコントラストセン サ信号を前記バイアス電圧信号に変換する工程をさらに含む請求の範囲第18項 に記載の方法。
- 20.前記要素がフォトダイオードである請求の範囲第16項に記載の方法。
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