JPH01318271A - 高出力半導体レーザ - Google Patents
高出力半導体レーザInfo
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- JPH01318271A JPH01318271A JP15085988A JP15085988A JPH01318271A JP H01318271 A JPH01318271 A JP H01318271A JP 15085988 A JP15085988 A JP 15085988A JP 15085988 A JP15085988 A JP 15085988A JP H01318271 A JPH01318271 A JP H01318271A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信、光情報処理等に利用される高出力半
導体レーザに関するものである。
導体レーザに関するものである。
光通信、光情報処理等の分野では高出力な半導体レーザ
の開発が望まれており、このような高出力な半導体レー
ザとしてはＮＡＭ−ＬＯＧ（Ｎｏｎ Ａｂｓｏｒｂｉｎ
ｇＭｉｒｒｏｒ−Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃａｖ
ｉｔｙ）レーザが知られている。第９図は従来のＮＡＭ
−ＬＯＣレーザの構造を示す共振器方向の断面図である
。
の開発が望まれており、このような高出力な半導体レー
ザとしてはＮＡＭ−ＬＯＧ（Ｎｏｎ Ａｂｓｏｒｂｉｎ
ｇＭｉｒｒｏｒ−Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃａｖ
ｉｔｙ）レーザが知られている。第９図は従来のＮＡＭ
−ＬＯＣレーザの構造を示す共振器方向の断面図である
。
第９図において３１は基板を示し、基板３１上にはｎ−
クラッド層３２．光ガイド層３３がこの順に積層形成さ
れている。また光ガイド層３３上には、活性層３４、ｐ
−クラッド層３５及びｐ−キャップ層３６が、メサ形状
をなしてこの順に積層形成されている。また活性層３４
．ｐ−クラッド層３５及びｐ−キャンプ層３６の積層体
が形成されていない光ガイド層３３上には、ｎ−７’ロ
ック層３７が形成されている。
クラッド層３２．光ガイド層３３がこの順に積層形成さ
れている。また光ガイド層３３上には、活性層３４、ｐ
−クラッド層３５及びｐ−キャップ層３６が、メサ形状
をなしてこの順に積層形成されている。また活性層３４
．ｐ−クラッド層３５及びｐ−キャンプ層３６の積層体
が形成されていない光ガイド層３３上には、ｎ−７’ロ
ック層３７が形成されている。
このような構成をなすＮＡＭ−ＬＯＣレーザにおいては
、励起領域にて発生したレーザ光は光ガイド層にしみだ
す、レーザ光は光ガイド層中に導波されて端面から出射
する、窓領域の材料のバンドギャップはレーザ光のエネ
ルギよりも大きいので通常のレーザでは顕著である端面
での光吸収が起こりにくい、窓領域では電流の注入をし
ないので端面での発熱が抑えられる等の特徴がある。従
って、ＮＡＭ−ＬＯＣレーザでは端面での光吸収１発熱
が抑制されるので、端面破壊（ＣＯＤ ）による光出力
の限界を高めることができる。
、励起領域にて発生したレーザ光は光ガイド層にしみだ
す、レーザ光は光ガイド層中に導波されて端面から出射
する、窓領域の材料のバンドギャップはレーザ光のエネ
ルギよりも大きいので通常のレーザでは顕著である端面
での光吸収が起こりにくい、窓領域では電流の注入をし
ないので端面での発熱が抑えられる等の特徴がある。従
って、ＮＡＭ−ＬＯＣレーザでは端面での光吸収１発熱
が抑制されるので、端面破壊（ＣＯＤ ）による光出力
の限界を高めることができる。
ところがＮＡＭ−ＬＯＣレーデでは、励起領域において
活性層に隣接して光ガイド層が存在するので、活性層へ
の光の閉し込めが悪（なり、闇値電流密度が大きくなる
という難点がある。
活性層に隣接して光ガイド層が存在するので、活性層へ
の光の閉し込めが悪（なり、闇値電流密度が大きくなる
という難点がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、光の
閉じ込め係数を保つべく光ガイド層の屈折率及び膜厚を
設定し、しかも光出射端面付近では活性層までエツチン
グ除去してクラット層として作用する材料にて覆うこと
により、発振するための闇値電流を小さくでき、しかも
その製造工程は簡単である高出力半導体レーザを提供す
ることを目的とする。
閉じ込め係数を保つべく光ガイド層の屈折率及び膜厚を
設定し、しかも光出射端面付近では活性層までエツチン
グ除去してクラット層として作用する材料にて覆うこと
により、発振するための闇値電流を小さくでき、しかも
その製造工程は簡単である高出力半導体レーザを提供す
ることを目的とする。
本発明に係る高出力半導体レーザは、ＧａＡｓ基板上に
第１クラッド層、光ガイド層、第２クラッド層、活性層
、第３クラッド層をこの順に積層した構造を有する高出
力半導体レーザにおいて、光ガイド層を含まない構造の
半導体レーザと同程度の光の閉じ込め係数を有するよう
に、前記光ガイド層の屈折率及び膜厚を設定し、レーザ
光の出射端面近傍では前記活性層、第３クラッド層に代
えて、レーザ光に対してクラッド層として作用する材料
を前記第２クラッド層上に積層してあることを特徴とす
る。
第１クラッド層、光ガイド層、第２クラッド層、活性層
、第３クラッド層をこの順に積層した構造を有する高出
力半導体レーザにおいて、光ガイド層を含まない構造の
半導体レーザと同程度の光の閉じ込め係数を有するよう
に、前記光ガイド層の屈折率及び膜厚を設定し、レーザ
光の出射端面近傍では前記活性層、第３クラッド層に代
えて、レーザ光に対してクラッド層として作用する材料
を前記第２クラッド層上に積層してあることを特徴とす
る。
本発明の高出力半導体レーザにあっては、活性層により
発生したレーザ光が、励起領域では活性層に、窓領域で
は光ガイド層に導波され、端面より外部に出射される。
発生したレーザ光が、励起領域では活性層に、窓領域で
は光ガイド層に導波され、端面より外部に出射される。
この際本発明の高出力半導体レーザでは、光ガイド層の
屈折率及び膜厚を調整することにより、励起領域での光
の閉じ込め係数を通常のＤＩｌレーザと路間等に保つの
で、電流非注入である窓領域を励起領域に対してできる
だけ小さくすることにより、通常の旧ｌレーザと同程度
の闇値電流にてレーデ発振が可能である。
屈折率及び膜厚を調整することにより、励起領域での光
の閉じ込め係数を通常のＤＩｌレーザと路間等に保つの
で、電流非注入である窓領域を励起領域に対してできる
だけ小さくすることにより、通常の旧ｌレーザと同程度
の闇値電流にてレーデ発振が可能である。
また、窓領域にはレーザ光に対してクラッド層として作
用する材料が被着されているので、端面破壊に伴う素子
の破壊が防止される。
用する材料が被着されているので、端面破壊に伴う素子
の破壊が防止される。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る高出力半導体レーザの励起領域の
構造を示す＜０１ Ｎ方向の断面図、第２図は同じく窓
領域の構造を示す＜０１１＞方向の断面図である。なお
、各数値は発振波長を８３０ｒ＋ｍと設定した際のもの
である。
構造を示す＜０１ Ｎ方向の断面図、第２図は同じく窓
領域の構造を示す＜０１１＞方向の断面図である。なお
、各数値は発振波長を８３０ｒ＋ｍと設定した際のもの
である。
図においてｌはｎ−ＧａＡｓＪＪ板（Ｓｔドープ、ｎ＝
２×１０１８ＣＩ１１−３）を示し、該ｎ−ＧａＡ４板
１上には、第１クラッド層２．光ガイド層３及び第２ク
ラット層４がこの順に積層形成されている。なお各層の
組成及び膜厚は以下の如くである。
２×１０１８ＣＩ１１−３）を示し、該ｎ−ＧａＡ４板
１上には、第１クラッド層２．光ガイド層３及び第２ク
ラット層４がこの順に積層形成されている。なお各層の
組成及び膜厚は以下の如くである。
第１クラッド層２：
ｎ−Ｇａａ、 ５ｓＡＩｏ、 ４ｚＡｓクラッド層 ２
．Ｏｕｍ（Ｓｅドープｔ ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”Ｃｌ
１１−’）光ガイド層３： ｎ−にａ６．５ｏＡｌｏ、 ＺＯＡＳ光ガイ光層４１層
０４μｍ（Ｓｅドープ＋ ｎ ＝ １ ×１ＱＩＩｌ
ｃ「３）第２クラッド層４： ｎ−Ｇａｏ、 ５ｓＡＩｏ、 ４２Ａｓクラッド層
０．Ｌｃｒｍ（Ｓｃドープ、 ｎ ＝ ｌ ｘｌＱｌ
ｌｌｃｆｆｉ−３）なお、励起領域において光ガイド層
がない場合と同程度の光の閉じ込め係数を有するように
、前記光ガイド層３の屈折率（Ｇａと八１との含有比）
と膜厚とを設定している。また、励起領域においては第
２クラッド層４上には活性層５が積層され、該活性層５
上にはメサ形杖（幅Ｗ＝４〜５μｍ）をなして、第３ク
ラッド層６及びキャップ層７がこの順に積層形成されて
いる。なお、各層の組成及び膜厚は以下の如くである。
．Ｏｕｍ（Ｓｅドープｔ ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”Ｃｌ
１１−’）光ガイド層３： ｎ−にａ６．５ｏＡｌｏ、 ＺＯＡＳ光ガイ光層４１層
０４μｍ（Ｓｅドープ＋ ｎ ＝ １ ×１ＱＩＩｌ
ｃ「３）第２クラッド層４： ｎ−Ｇａｏ、 ５ｓＡＩｏ、 ４２Ａｓクラッド層
０．Ｌｃｒｍ（Ｓｃドープ、 ｎ ＝ ｌ ｘｌＱｌ
ｌｌｃｆｆｉ−３）なお、励起領域において光ガイド層
がない場合と同程度の光の閉じ込め係数を有するように
、前記光ガイド層３の屈折率（Ｇａと八１との含有比）
と膜厚とを設定している。また、励起領域においては第
２クラッド層４上には活性層５が積層され、該活性層５
上にはメサ形杖（幅Ｗ＝４〜５μｍ）をなして、第３ク
ラッド層６及びキャップ層７がこの順に積層形成されて
いる。なお、各層の組成及び膜厚は以下の如くである。
活性層５：
Ｇａ６．９４ＡＩ０．０６ＡＳ活性層 ０．０８
μｍ（ノンドープ） 第３クランド層６： ｐ４ａｏ、 ５ｓＡｌｏ、 ４ｚＡｓクラッド層 １．
２μｍ（Ｚｎドープ、 ｐ ＝ ｌ ｘｌＱ”ａｍ−
３）キャンプ層７： ｐ−ＧａＡｓキ’ｒａツブＮＯ，８μｍ（Ｚｎドープ、
１） ＝ ４ ＸＩＯ”ｃｍ−”）−万態領域において
は、第２クラッド層４上にはメサ形状（幅Ｗ＝４〜５μ
ｍ）をなして、第４クラッド層８．ブロックＪ！１９及
び酸化防止ｊｉｌＯがこの順に積層形成されている。な
お、各層の組成及び膜厚は以下の如くである。
μｍ（ノンドープ） 第３クランド層６： ｐ４ａｏ、 ５ｓＡｌｏ、 ４ｚＡｓクラッド層 １．
２μｍ（Ｚｎドープ、 ｐ ＝ ｌ ｘｌＱ”ａｍ−
３）キャンプ層７： ｐ−ＧａＡｓキ’ｒａツブＮＯ，８μｍ（Ｚｎドープ、
１） ＝ ４ ＸＩＯ”ｃｍ−”）−万態領域において
は、第２クラッド層４上にはメサ形状（幅Ｗ＝４〜５μ
ｍ）をなして、第４クラッド層８．ブロックＪ！１９及
び酸化防止ｊｉｌＯがこの順に積層形成されている。な
お、各層の組成及び膜厚は以下の如くである。
第４クラッドＮ８：
ｐ−Ｇａ＠、５ｓＡｌｏ＋ 、Ａｓクラッドｊｉ
Ｏ，２μｍ（Ｚｎドープ＋ ｐ−Ｉ ＸＩＯ”ａｍ−
’）ブロック層９： ｎ７Ｇａｏ、 ５ｓＡ１ｏ、 ａｔＡｓブロック層
１．６μｍ（Ｓｅドープ＋ ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”（
Ｊ−’）酸化防止層ｌＯ： ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層 ０．２μｍ（Ｚｎ
ドープ、 ｎ ＝ ’ｌ ＸＩＯ”ａｍ−’）励起領
域では、キャップ層７の上面を除くメサ表面に厚さ６０
００人程度のｓｔｏ！７１１１が形成され、またキャッ
プ層７の上面を含んでＳｉＯ□層１１層表１にはｐ−電
極１２が被着され、更にｎ−ＧａＡｓ基板１の下面には
ｎ−電極１３が被着されている。−万態領域では、酸化
防止層１０の上面を除くメサ表面に厚さ６０００人程度
の５１０ｇ１ｉｌｌが形成され、また酸化防止層ｌＯの
上面を含んでＳｉｎ、層１１の表面にはｐ−電極１２が
被着され、更にｎ−ＧａＡｓ基板ｌ基板面にはｎ−電極
１３が被着されている。
Ｏ，２μｍ（Ｚｎドープ＋ ｐ−Ｉ ＸＩＯ”ａｍ−
’）ブロック層９： ｎ７Ｇａｏ、 ５ｓＡ１ｏ、 ａｔＡｓブロック層
１．６μｍ（Ｓｅドープ＋ ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”（
Ｊ−’）酸化防止層ｌＯ： ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層 ０．２μｍ（Ｚｎ
ドープ、 ｎ ＝ ’ｌ ＸＩＯ”ａｍ−’）励起領
域では、キャップ層７の上面を除くメサ表面に厚さ６０
００人程度のｓｔｏ！７１１１が形成され、またキャッ
プ層７の上面を含んでＳｉＯ□層１１層表１にはｐ−電
極１２が被着され、更にｎ−ＧａＡｓ基板１の下面には
ｎ−電極１３が被着されている。−万態領域では、酸化
防止層１０の上面を除くメサ表面に厚さ６０００人程度
の５１０ｇ１ｉｌｌが形成され、また酸化防止層ｌＯの
上面を含んでＳｉｎ、層１１の表面にはｐ−電極１２が
被着され、更にｎ−ＧａＡｓ基板ｌ基板面にはｎ−電極
１３が被着されている。
なお第１．２図に示す厚さｔは０．１〜０．３μｍとす
ることが望ましい。また共振器長は闇値電流密度１熱抵
抗を小さくするために、通常（２５０μｍ）より長くす
ることが望ましい。
ることが望ましい。また共振器長は闇値電流密度１熱抵
抗を小さくするために、通常（２５０μｍ）より長くす
ることが望ましい。
第３図はこのような構成を有する本発明の半導体レーザ
の励起領域における活性層と垂直な方向に対する光強度
分布（理論値）を示すグラフであり、図中同番号は第１
．２図に示すものと同一の層を示す、なお対照のために
通常のＤＨ半導体レーザにおける活性層と垂直な方向に
対する光強度分布（理論値）を示すグラフを第４図に示
す。なお第４図において４１．４３は夫々クラッド層、
４２は活性層を示し、何れの半導体レーザにおいてもそ
の発振波長は８３０ｎｍである。第３．４図から理解さ
れる如く、本発明の半導体レーザの励起領域では、光ガ
イド層を設けない場合と同様の光強度分布を有している
。
の励起領域における活性層と垂直な方向に対する光強度
分布（理論値）を示すグラフであり、図中同番号は第１
．２図に示すものと同一の層を示す、なお対照のために
通常のＤＨ半導体レーザにおける活性層と垂直な方向に
対する光強度分布（理論値）を示すグラフを第４図に示
す。なお第４図において４１．４３は夫々クラッド層、
４２は活性層を示し、何れの半導体レーザにおいてもそ
の発振波長は８３０ｎｍである。第３．４図から理解さ
れる如く、本発明の半導体レーザの励起領域では、光ガ
イド層を設けない場合と同様の光強度分布を有している
。
次にこのような構造を有する高出力半導体レーザの製造
方法について、その工程を示す＜ＯＩＮ方向の断面図で
ある第５図〜第７図に基づいて説明する。
方法について、その工程を示す＜ＯＩＮ方向の断面図で
ある第５図〜第７図に基づいて説明する。
まずｎ−ＧａＡｓ （１００）基板１上に、前述したよ
うな第１クラッド層２．光ガイド層３．第２クラッド層
４．活性層５．第３クラッド層６及びキャップ層７を、
この順にエピタキシャル成長させる（第５図）。
うな第１クラッド層２．光ガイド層３．第２クラッド層
４．活性層５．第３クラッド層６及びキャップ層７を、
この順にエピタキシャル成長させる（第５図）。
次に、各層を成長させた基板の＜ＯＩＮ方向に幅４０μ
ｍの溝をエツチングにより形成する。この際エツチング
は、活性層５が除去された時点にて停止する。なおキャ
ップ層７及び第３クラッド層６のエツチングでは、Ｇａ
Ａｓ、 ＧａＡｌＡｓをエツチングできる任意のエッチ
ャントにて行えばよい、その後ＨＦ：１ｌｚＯ＝ １
：ｌＯを用いて第３クラッド層６を完全に除去し、次い
でＮ１１．ＯＨ＋１１！０（１）Ｈ＝８．０）を用いて
活性層５を除去する（第６図）。
ｍの溝をエツチングにより形成する。この際エツチング
は、活性層５が除去された時点にて停止する。なおキャ
ップ層７及び第３クラッド層６のエツチングでは、Ｇａ
Ａｓ、 ＧａＡｌＡｓをエツチングできる任意のエッチ
ャントにて行えばよい、その後ＨＦ：１ｌｚＯ＝ １
：ｌＯを用いて第３クラッド層６を完全に除去し、次い
でＮ１１．ＯＨ＋１１！０（１）Ｈ＝８．０）を用いて
活性層５を除去する（第６図）。
次に、このようにした基板上に前述したような第４クラ
ッド層８．ブロック層９及び酸化防止層ＩＯをこの順に
エピタキシャル成長させる。次いで励起領域のキャップ
層７をエツチングにより露出させる（第７図）。
ッド層８．ブロック層９及び酸化防止層ＩＯをこの順に
エピタキシャル成長させる。次いで励起領域のキャップ
層７をエツチングにより露出させる（第７図）。
次に＜０１１＞方向にＷ＝４〜５μｍのりッジ状ストラ
イプを形成した後、５ｉＯｚＪｉｌｌを形成し、エツチ
ングによりリッジ上部のキャップ層７．酸化防止層１０
を露出し、ｐ−電極１２．ｎ−電極１３を形成する（第
１．２図）、なおチップ化に際しては、＜ＯＩＮ方向に
はＡ印の箇所にてへき関して端面を形成する。
イプを形成した後、５ｉＯｚＪｉｌｌを形成し、エツチ
ングによりリッジ上部のキャップ層７．酸化防止層１０
を露出し、ｐ−電極１２．ｎ−電極１３を形成する（第
１．２図）、なおチップ化に際しては、＜ＯＩＮ方向に
はＡ印の箇所にてへき関して端面を形成する。
本実施例では発振波長が８３ｏｎ−である例について説
明したが、活性層のＡＩＭｉ成率を変化させることによ
り、発振波長を７８０〜Ｂ７０ｎｍに設定することもで
きる。
明したが、活性層のＡＩＭｉ成率を変化させることによ
り、発振波長を７８０〜Ｂ７０ｎｍに設定することもで
きる。
また光ガイド層がない場合と同程度の光の閉じ込め係数
を有するために、ｎり述の実施例とは異なり、例えば光
ガイド層をＧａｏ、ｔ＾１．、、、Ａｓ光ガイド層（膜
厚０．１μｍ）とすることにより、つまり前述の実施例
に比して屈折率を小さくして、膜厚を大きくすることと
しても同様の効果を得ることができる。
を有するために、ｎり述の実施例とは異なり、例えば光
ガイド層をＧａｏ、ｔ＾１．、、、Ａｓ光ガイド層（膜
厚０．１μｍ）とすることにより、つまり前述の実施例
に比して屈折率を小さくして、膜厚を大きくすることと
しても同様の効果を得ることができる。
なお第２クラッド層の膜厚を大きくしていく場合には、
励起領域において光がしみ出しにくくなり、また励起領
域と窓領域との間の放射損失が増加するので、第２クラ
ッド層の膜厚は０．３μｍ以下とすることが望ましい。
励起領域において光がしみ出しにくくなり、また励起領
域と窓領域との間の放射損失が増加するので、第２クラ
ッド層の膜厚は０．３μｍ以下とすることが望ましい。
更に、前述の実施例では窓領域の３層（活性層５、第３
クラッド層６及びキャンプ層７）を除去した後、別の３
層（第４クラッド層８．ブロック層９及び酸化防止層１
０）にて覆うこととしているが、高抵抗のＧａＡｌＡｓ
または絶縁層にて覆うこととしてもよい。但し、例えば
５ｉｎ２等、ＧａＡｌＡｓとの屈折率差が大きい材料を
使用する場合には、窓領域において導波モードがすべて
カットオフされるので、ＧａＡｌＡｓに屈折率ができる
だけ近い材料を用いる必要がある。そして前述の実施例
においては、屈折率が３．３３〜３．３５の範囲内であ
る材料を用いる。
クラッド層６及びキャンプ層７）を除去した後、別の３
層（第４クラッド層８．ブロック層９及び酸化防止層１
０）にて覆うこととしているが、高抵抗のＧａＡｌＡｓ
または絶縁層にて覆うこととしてもよい。但し、例えば
５ｉｎ２等、ＧａＡｌＡｓとの屈折率差が大きい材料を
使用する場合には、窓領域において導波モードがすべて
カットオフされるので、ＧａＡｌＡｓに屈折率ができる
だけ近い材料を用いる必要がある。そして前述の実施例
においては、屈折率が３．３３〜３．３５の範囲内であ
る材料を用いる。
また前述の実施例では、θ、 ＝１１−１５°、θ−７
〜１１’ となり、出射ビームは円錐形に極めて近くな
り、レンズとの結合効率が良い。
〜１１’ となり、出射ビームは円錐形に極めて近くな
り、レンズとの結合効率が良い。
第８図は前述の実施例の半導体レーザ（共振器長６００
μｍ）の電流−光出力特性を示すグラフであり、横軸は
電流（ｍＡ ）を、縦軸は光出力（ｍＷ）を夫々示す。
μｍ）の電流−光出力特性を示すグラフであり、横軸は
電流（ｍＡ ）を、縦軸は光出力（ｍＷ）を夫々示す。
前述の実施例と同程度の膜厚を有する活性層を備えたＤ
Ｈ半導体レーザ（端面に１５％−７０％の反射率の誘電
体膜を形成したもの）にあっては１００ｍＷ程度にて端
面破壊は生じるが、前述の実施例（端面に１５％−７０
％の反射率の誘電体膜を形成したもの）では端面破壊は
起こらず、１７０ｍＷまで光出力を得ることができた。
Ｈ半導体レーザ（端面に１５％−７０％の反射率の誘電
体膜を形成したもの）にあっては１００ｍＷ程度にて端
面破壊は生じるが、前述の実施例（端面に１５％−７０
％の反射率の誘電体膜を形成したもの）では端面破壊は
起こらず、１７０ｍＷまで光出力を得ることができた。
以上詳述した如く本発明では、光ガイド層の屈折率及び
膜厚を調節して活性層への光の閉じ込めの悪化を抑制し
ているので、発振のための閾値電流を小さくでき、高出
力なレーザ光を発振することができる。
膜厚を調節して活性層への光の閉じ込めの悪化を抑制し
ているので、発振のための閾値電流を小さくでき、高出
力なレーザ光を発振することができる。
また、その製造工程は簡単である等、本発明は優れた効
果を奏する。
果を奏する。
第１図は本発明の高出力半導体レーザの励起領域におけ
る構造を示す＜０１１＞方向の断面図、第２図は同じく
窓領域における構造を示す＜０１１＞方向の断面図、第
３図は本発明の高出力半導体レーザの励起領域における
活性層と垂直な方向に対する光強度分布を示すグラフ、
第４図は通常のＤＨ半導体レーザにおける活性層と垂直
な方向に対する光強度分布を示すグラフ、第５図〜第７
図は本発明の高出力半導体レーザの製造工程を示すく０
１１）方向の断面図、第８図は本発明の高出力半導体レ
ーザの電流−光出力特性を示すグラフ、第９図は従来の
ＮＡＭ−ＬＯＧ半導体レーザの構造を示す共振器方向の
断面図である。
る構造を示す＜０１１＞方向の断面図、第２図は同じく
窓領域における構造を示す＜０１１＞方向の断面図、第
３図は本発明の高出力半導体レーザの励起領域における
活性層と垂直な方向に対する光強度分布を示すグラフ、
第４図は通常のＤＨ半導体レーザにおける活性層と垂直
な方向に対する光強度分布を示すグラフ、第５図〜第７
図は本発明の高出力半導体レーザの製造工程を示すく０
１１）方向の断面図、第８図は本発明の高出力半導体レ
ーザの電流−光出力特性を示すグラフ、第９図は従来の
ＮＡＭ−ＬＯＧ半導体レーザの構造を示す共振器方向の
断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＧａＡｓ基板上に第１クラッド層、光ガイド層、第
２クラッド層、活性層、第３クラッド層をこの順に積層
した構造を有する高出力半導体レーザにおいて、 光ガイド層を含まない構造の半導体レーザと同程度の光
の閉じ込め係数を有するように、前記光ガイド層の屈折
率及び膜厚を設定し、レーザ光の出射端面近傍では前記
活性層、第３クラッド層に代えて、レーザ光に対してク
ラッド層として作用する材料を前記第２クラッド層上に
積層してあることを特徴とする高出力半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15085988A JPH01318271A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 高出力半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15085988A JPH01318271A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 高出力半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318271A true JPH01318271A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15505937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15085988A Pending JPH01318271A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 高出力半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01318271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227745A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562792A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-12 | Nec Corp | Injection type semiconductor laser element |
| JPS6334992A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP15085988A patent/JPH01318271A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562792A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-12 | Nec Corp | Injection type semiconductor laser element |
| JPS6334992A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227745A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置 |
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