JPH01312088A - Production of electrode for dry etching device and cvd device - Google Patents
Production of electrode for dry etching device and cvd deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ドライエツチング装置およびＣＶＤ装置の
電極の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates to a dry etching device and a method for manufacturing electrodes for CVD devices.
この明細書において、「アルミニウム」という語には「
アルミニウム合金」を含むものとする。In this specification, the term "aluminum"
"Aluminum alloy" shall be included.
従来の技術
従来、ドライエツチング装置およびＣＶＤ装置用電極と
しては、ステンレス鋼製のものが知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, electrodes made of stainless steel have been known for use in dry etching equipment and CVD equipment.
発明が解決しようとする課題 ステンレス鋼製電極には、重金属汚染の問題かあった。Problems that the invention aims to solve Stainless steel electrodes have had problems with heavy metal contamination.
すなわち、ドライエンチングを施すべき材料またはＣＶ
Ｄ法により形成すべき薄膜が、ステンレス鋼中に含まれ
ているＮ１ ％ Ｃｒ等により汚染されるという問題が
あった。In other words, the material to be dry-etched or the CV
There was a problem in that the thin film to be formed by method D was contaminated by N1% Cr and the like contained in stainless steel.
そこで、この問題を解決するために、上記電極としてア
ルミニウム製のものを用いることが考えられた。しかし
ながら、アルミニウム製電極には次のような問題かある
ことが判明している。Therefore, in order to solve this problem, it was considered to use an aluminum electrode as the electrode. However, it has been found that aluminum electrodes have the following problems.
■ドライエツチングに使用されるエツチングガスのプラ
ズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用されるプラズマに対
するスパッタ効率が大きく、電極の消耗が激しくなる。(2) The sputtering efficiency of the etching gas used in dry etching and the plasma used in plasma CVD is high, resulting in severe wear of the electrodes.
■ドライエツチングに使用されるエツチングガスのプラ
ズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用されるプラズマに対
するスパッタ効率が大きく、スパッタされた粒子が、ド
ライエツチングを施すべき材料またはＣＶＤ法により形
成すべき薄膜中に混入し、これらを汚染する。■The sputtering efficiency of the etching gas used in dry etching and the plasma used in plasma CVD is high, and sputtered particles do not get mixed into the material to be dry etched or the thin film to be formed by CVD. , contaminate them.
■ドライエツチングに使用されるエツチングガスおよび
ＣＶＤ法に使用されるガスとして、塩素を含むものを用
いた場合に、電極か腐食される。(2) If a gas containing chlorine is used as an etching gas for dry etching or a gas for CVD, the electrodes will be corroded.
この発明の目的は、」二記問題を一挙に解決しうるドラ
イエツチング装置およびＣＶＤ装置用電極の製造方法を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a dry etching device and a method of manufacturing an electrode for a CVD device that can solve the two problems at once.
課題を解決するだめの手段
この発明の第１のドライエツチング装置およびＣＶＤ装
置用電極の製造方法は、ドライエツチング装置およびＣ
ＶＤ装置用アルミニウム製電極の表面に、陽極酸化処理
を施すことを特徴とするものである。Means for Solving the Problems A first dry etching apparatus and method for manufacturing an electrode for CVD apparatus of the present invention is a dry etching apparatus and a method for manufacturing an electrode for CVD apparatus.
This method is characterized in that the surface of an aluminum electrode for a VD device is subjected to anodic oxidation treatment.
上記において、陽極酸化皮膜としては、耐熱性および熱
サイクル性を考慮すればシュウ酸皮膜が好ましい。耐熱
性および熱サイクル性に優れていれば、ドライエツチン
グ装置およびＣ■Ｄ装置を作動させるさい毎にベーキン
グ処理を実施しても、皮膜が割れたり、剥れたりするの
を防止することができる。皮膜が割れたり剥れたりする
と、電極かガスにより腐食されたり、プラズマによりス
パッタリングされたりすることになる。ところが、シュ
ウ酸皮膜はポーラス型なので吸着水分量がバリア型の陽
極酸化皮膜よりも多くなる。したがって吸着水分量を考
慮すれば、バリア型のホウ酸皮膜が好ましい。また、硫
酸皮膜でもよい。ところか、シュウ酸皮膜の場合、吸着
水分量が多くても後工程の加熱乾燥処理を倉入りに行な
えば問題はない。また、陽極酸化皮膜の厚さは０． ５
〜２０／７７７１の範囲内にあることが好ましい。その
理由は、膜厚が屹５μｍ未満であると、ドライエ・ンチ
ングおよびＣＶＤ法に使用するガスに対する皮膜の耐食
性が十分てはなく、２０μｍを越えると、使用した場合
にガス放出量か多くなるとともに、熱サイクル性が低下
してベーキングを繰返したさいに皮膜が割れやすくなる
おそれかあるからである。In the above, the anodic oxide film is preferably an oxalic acid film in consideration of heat resistance and thermal cycleability. If the film has excellent heat resistance and thermal cycle properties, it will be possible to prevent the film from cracking or peeling even if baking treatment is performed each time the dry etching device and CD device are operated. . If the film cracks or peels off, the electrode may be corroded by gas or sputtered by plasma. However, since the oxalic acid film is porous, the amount of moisture absorbed is greater than that of the barrier-type anodic oxide film. Therefore, in consideration of the amount of adsorbed water, a barrier type boric acid film is preferable. Alternatively, a sulfuric acid film may be used. On the other hand, in the case of an oxalic acid film, even if the amount of adsorbed water is large, there is no problem as long as the post-process heat drying treatment is performed in the warehouse. Moreover, the thickness of the anodic oxide film is 0. 5
It is preferably within the range of ~20/7771. The reason for this is that if the film thickness is less than 5 μm, the film will not have sufficient corrosion resistance against the gases used in dry etching and CVD methods, and if it exceeds 20 μm, the amount of gas released will increase when used. This is because there is a risk that the thermal cycleability will deteriorate and the film will be more likely to crack when baking is repeated.
また、上記において、加熱乾燥処理は１００〜１５０°
Ｃで５〜２０時間実施することが好ましい。温度および
時間かそれぞれ上記下限値未満であれば、吸着水分量か
充分に減少せず、その結果ドライエツチングおよびＣＶ
Ｄ法の実施時のガス放出量が少なくならす、上記上限値
を越えると陽極酸化皮膜にクラックが発生するおそれが
あるからである。また、この処理は真空中で行なうこと
が望ましい。In addition, in the above, the heat drying treatment is carried out at 100 to 150°
It is preferable to carry out the reaction at C for 5 to 20 hours. If the temperature and time are each lower than the above lower limits, the amount of adsorbed water will not be sufficiently reduced, resulting in dry etching and CV
This is because if the above upper limit is exceeded, cracks may occur in the anodic oxide film. Further, it is desirable that this treatment be performed in a vacuum.
この発明の第２のドライエツチング装置およびＣＶＤ装
置用電極の製造方法は、ドライエツチング装置およびＣ
ＶＤ装置用アルミニウム製電極の表面に、セラミックス
を塗布してセラミックス塗膜を形成することを特徴とす
るものである。A second method of manufacturing an electrode for a dry etching apparatus and a CVD apparatus according to the present invention includes a dry etching apparatus and a method for manufacturing an electrode for a CVD apparatus.
This method is characterized in that a ceramic coating film is formed by applying ceramics to the surface of an aluminum electrode for a VD device.
上記において、セラミックスの塗布は、たとえばアルキ
ルンリケードを塗布した後その加水分解による縮合反応
によりゲル状物質を生成させ、これを加熱して酸化物ガ
ラスとすることにより行われる。酸化物ガラスとしては
、ＳｉＯ２、Ａ 、１１’ ２０３ 、Ｆ ｅ ２０３
、Ｍ ｎ Ｏ２、Ｍ ｇ０、ＴｉＯ２等か用いられる
。これらの形成は、たとえば次式で表される。In the above, the ceramic is applied, for example, by applying an alkyl oxide and then generating a gel-like substance through a condensation reaction caused by hydrolysis, which is then heated to form an oxide glass. Examples of oxide glasses include SiO2, A, 11' 203, Fe 203
, M n O2, M g0, TiO2, etc. are used. These formations are expressed, for example, by the following formula.
加水分解
Ｓ ｉ （ＯＣＲ２’ Ｎ５ ） ４ □ゲル状
物質加熱
→５１０２
また、２種以上の金属アルコラードを塗布した後その加
水分解による縮合反応によりゲル状物質を生成させ、こ
れを加熱して金属ケイ酸塩とすることにより行われる。Hydrolysis S i (OCR2' N5 ) 4 □Gel-like substance heating → 5102 Also, after coating two or more metal alcoholades, a gel-like substance is generated by a condensation reaction due to the hydrolysis, and this is heated to form a gel-like substance. This is done by converting it into an acid salt.
たとえば次式で表される。For example, it is expressed by the following formula.
Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｎ５ ） ４ ＋Ｎａ （ＯＣＨ
３）加水分解 加熱
一一−→ゲル状物質−＋ Ｓ ｉ ０２−Ｎａ２Ｏ系ガ
ラス
Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｎ５ ） ＜ ＋Ａ、ｌＪ
（ＯＣ４Ｎ９ ） ３加水分解 加熱
□ゲル状物質→Ｓ ｉ ０２−ＡΩ２０３系ガラス
Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｎ５ ） ４ ＋Ｔｉ （ＯＣ３Ｎ７
） ４加水分解 加熱
一一一ゲル状物質→５ｉ０２−Ｔｉ０２系ガラス
一３ｉ （ＯＣ２Ｈ５）４＋Ｚｒ （ＯＣ３Ｈ７）４加
水分解 加熱
一一−−−→ゲル状物質−＋ Ｓ １０２−Ｚｒ０２系
ガラス
上記において、金属アルコラードとしては、重金属を含
まないものを用いるのがよい。また、これらの方法で形
成するセラミックス塗膜の熱さは１〜２０μｍの範囲内
にあることが好ましい。S i (OC2N5) 4 +Na (OCH
3) Hydrolysis Heating 11-→gel-like substance-+ S i 02-Na2O-based glass S i (OC2N5) < +A, lJ
(OC4N9) 3 Hydrolysis Heating Gel-like substance → S i 02-AΩ203 glass S i (OC2N5) 4 +Ti (OC3N7
) 4 Hydrolysis Heating 111 Gel-like substance → 5i02-Ti02 glass 3i (OC2H5)4+Zr (OC3H7) 4 Hydrolysis Heating 11---→Gel-like substance -+S 102-Zr02 glass In the above, As the metal alcoholade, it is preferable to use one that does not contain heavy metals. Moreover, it is preferable that the heat of the ceramic coating film formed by these methods is within the range of 1 to 20 μm.
その理由は、１μｍ未満であると、ドライエツチングや
ＣＶＤ法の実施時に使用するガスに対する耐食性か十分
ではなく、２０ＩＩＢを越えると、熱サイクル性が低下
してベーキングを繰返したさいに皮膜が割れやすくなる
おそれがあるからである。The reason for this is that if it is less than 1 μm, it will not have sufficient corrosion resistance against the gases used during dry etching or CVD methods, and if it exceeds 20IIB, its thermal cycleability will deteriorate and the film will easily crack during repeated baking. This is because there is a risk that
この発明の第３のドライエツチング装置およびＣＶＤ装
置用電極の製造方法は、ドライエツチング装置およびＣ
ＶＤ装置用アルミニウム製電極の表面に、イオンプレー
ティング法によって、ドライエツチングに使用されるエ
ツチングガスのプラズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用
されるプラズマに対するスパッタ効率の小さい皮膜を形
成することを特徴とするものである。A third method of manufacturing an electrode for a dry etching apparatus and a CVD apparatus according to the present invention includes a dry etching apparatus and a method for manufacturing an electrode for a CVD apparatus.
A film characterized by forming, on the surface of an aluminum electrode for a VD device, a film with low sputtering efficiency against etching gas plasma used in dry etching and plasma used in plasma CVD method by ion plating method. It is.
上記において、ドライエツチングに使用されるエツチン
グガスのプラズマに対するスパッタ効率の小さい皮膜と
しては、Ｔ ｉＮ ％ Ｔ ｉＣｓＡｌ、Ｎ、ＡＩ Ｃ
５Ａｌ２０３ 、ＣｒＮ等が挙げられる。ＴｉＮ５ＡＩ
ＮおよびＣｒＮからなる皮膜は、Ｎ２ガスを反応性ガス
として使用し、蒸発金属としてＴｉ、ＡＩまたはＣｒを
使用してイオンプレーティングを行なうことにより形成
される。ＴｉＣおよびＡＩＣからなる皮膜は、アセチレ
ンを反応性ガスとして使用し、蒸発金属としてＴｉまた
はＡＩを使用してイオンプレーティングを行なうことに
より形成される。Ａｌ２Ｏ３からなる皮膜は、酸素含有
ガスを反応性ガスとして使用し、蒸発金属としてＡＩを
使用してイオンプレーティングを行なうことにより形成
される。このような皮膜の膜厚は１〜２０例の範囲内に
あることが好ましい。その理由は、膜厚が１切未満であ
ると、皮膜の耐食性が十分ではなく、２０贋を越えると
イオンプレーティングに要する処理時間が長くなってコ
スト高につながるとともに、ドライエツチングおよびＣ
ＶＤ法の実施時のベーキングを繰返したさいに皮膜が割
れやすくなるおそれがあるからである。上記膜厚の制御
は、イオンプレーティングのさいの処理時間、反応性ガ
スの流量および流速、蒸着速度等を制御することによっ
て行なう。In the above, films with low sputtering efficiency against the etching gas plasma used in dry etching include TiN% TiCsAl, N, and AI C.
Examples include 5Al203 and CrN. TiN5AI
A film made of N and CrN is formed by ion plating using N2 gas as a reactive gas and Ti, AI or Cr as an evaporated metal. A film made of TiC and AIC is formed by ion plating using acetylene as a reactive gas and Ti or AI as an evaporated metal. A film made of Al2O3 is formed by ion plating using an oxygen-containing gas as a reactive gas and using AI as an evaporated metal. The thickness of such a film is preferably within the range of 1 to 20. The reason for this is that if the film thickness is less than 1 cut, the corrosion resistance of the film will not be sufficient, and if it exceeds 20 cm, the processing time required for ion plating will increase, leading to high costs, and dry etching and C
This is because there is a possibility that the film will be easily cracked when baking is repeated during the VD method. The film thickness is controlled by controlling the processing time, flow rate and flow rate of reactive gas, vapor deposition rate, etc. during ion plating.
この発明の第４のドライエツチング装置およびＣＶＤ装
置用電極の製造方法は、ドライエツチング装置およびＣ
ＶＤ装置用アルミニウム製電極の表面に、プラズマ溶射
法によって、ドライエツチングに使用されるエツチング
ガスのプラズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用されるプ
ラズマに対するスパッタ効率の小さい皮膜を形成するこ
とを特徴とするものである。A fourth method of manufacturing an electrode for a dry etching apparatus and a CVD apparatus according to the present invention includes a dry etching apparatus and a method for manufacturing an electrode for a CVD apparatus.
This method is characterized by forming a film on the surface of an aluminum electrode for a VD device by a plasma spraying method, which has a low sputtering efficiency against the plasma of an etching gas used in dry etching and the plasma used in a plasma CVD method. be.
上記において、ドライエツチングに使用されるエツチン
グガスのプラズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用される
プラズマに対するスパッタ効率の小さい皮膜としては、
ＳｉＯ，、、Ａｇ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｍｇ
Ｏ１Ｔ１０２等からなるものが用いられる。このような
皮膜の膜厚は５〜５０切の範囲内にあることが好ましい
。その理由は、膜厚が５ｍ未満であると、ドライエツチ
ングおよびＣＶＤ法に使用するガスに対する皮膜の耐食
性が十分ではなく、５０鍋を越えると、使用した場合に
ガス放出量が多くなるとともに、熱サイクル性が低下し
てベーキングを繰返したさいに皮膜が割れやすくなるお
それがあるからである。In the above, the films with low sputtering efficiency against the etching gas plasma used in dry etching and the plasma used in plasma CVD method are:
SiO, , Ag2O3, Fe2O3, MnO2, Mg
A material made of O1T102 or the like is used. The thickness of such a film is preferably within the range of 5 to 50 mm. The reason for this is that if the film thickness is less than 5 m, the film will not have sufficient corrosion resistance against the gases used in dry etching and CVD methods, and if the film thickness exceeds 50 m, a large amount of gas will be emitted when used, and the film will be exposed to heat. This is because there is a risk that the cyclability will decrease and the film will be more likely to crack when baking is repeated.
」−記第３および第４の発明において、ドライエツチン
グに使用されるエツチングガスのプラズマおよびプラズ
マＣＶＤ法に使用されるプラズマに対するスパッタ効率
は０．５以下であることか好ましい。In the third and fourth inventions, it is preferable that the etching gas used for dry etching has a sputtering efficiency of 0.5 or less with respect to plasma and plasma used in plasma CVD.
実 施 例 以下、この発明の実施例を比較例とともに示す。Example Examples of the present invention will be shown below along with comparative examples.
実施例］
まず、アルミニウム材からドライエツチング装置用電極
を形成した。ついで、この電極に、１５％Ｈ２ＳＯ４溶
液からなる液温２０°Ｃ電解液中で、電圧１５Ｖ１電流
密度１．３Ａ／ ｄボの直流電解により２５分間陽極酸
化処理を施して厚さ９鍋の硫酸陽極酸化皮膜を形成した
。その後、この本体および蓋体を真空中において１３０
℃で１５時間加熱し、硫酸皮膜に吸着している水分を除
去した。Example] First, an electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. Next, this electrode was anodized for 25 minutes by direct current electrolysis at a voltage of 15V and a current density of 1.3A/dbo in an electrolytic solution consisting of a 15% H2SO4 solution at a temperature of 20°C, and a 9-pot thick sulfuric acid solution was applied to the electrode. An anodic oxide film was formed. After that, this main body and lid were placed in a vacuum for 130 minutes.
It was heated at ℃ for 15 hours to remove water adsorbed on the sulfuric acid film.
実施例２
一］］−
まず、アルミニウム材からドライエツチング装置用電極
を形成した。ついで、この電極に、２％（ＣＯＯＨ）２
溶液からなる液温３５°Ｃの電解液中で、電圧５０Ｖ１
電流密度２．５Ａ／ｄｒｒｌ”の交流電解により７０分
間陽極酸化処理を施して厚さ９１ｍのシュウ酸陽極酸化
皮膜を形成した。その後、本体および蓋体を真空中にお
いて１４０℃で１２時間加熱し、ンユウ酸皮膜に吸着し
ている水分を除去した。Example 2 - First, an electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. Then, 2% (COOH)2 was applied to this electrode.
In an electrolytic solution with a temperature of 35°C, a voltage of 50V1
Anodizing was performed for 70 minutes by alternating current electrolysis at a current density of 2.5 A/drrl'' to form an oxalic acid anodic oxide film with a thickness of 91 m.Then, the main body and lid were heated in a vacuum at 140°C for 12 hours. , moisture adsorbed on the oxalic acid film was removed.
実施例３
まず、アルミニウム材からドライエツチング装置用電極
を形成した。ついで、この電極に、アルミニウムアルコ
ラ−１・を塗布した後その加水分解による縮合反応によ
りゲル状物質を生成させ、これを加熱して八Ω２０３と
することにより厚さ１５μｍのセラミックス皮膜を形成
した。Example 3 First, an electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. Next, aluminum Alcohol-1 was applied to this electrode, and a gel-like substance was generated by a condensation reaction caused by hydrolysis, and this was heated to a resistance of 8Ω203, thereby forming a ceramic film with a thickness of 15 μm. .
実施例４
ます、アルミニウム材からドライエツチング装置用電極
を形成した。ついで、この電極に、シリコンアルコラー
ドを塗布した後その加水分解による縮合反応によりゲル
状物質を生成させ、これを加熱してＳｉＯ，、とするこ
とにより厚さ１０μｍのセラミックス皮膜を形成した。Example 4 First, an electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. Next, silicon alcoholade was applied to this electrode, and a gel-like substance was produced by a condensation reaction caused by hydrolysis, and this was heated to form SiO, thereby forming a ceramic film with a thickness of 10 μm.
実施例５
まず、アルミニウム材からドライエツチング装置用電極
を形成した。ついで、この電極の表面にスパッタクリー
ニングを施した後、反応性ガスとしてＮ２ガスおよび蒸
発金属としてＴｉをそれぞれ用いてイオンプレーティン
グを行ない、膜厚５ｐのＴｉＮ皮膜を形成した。上記に
おいて、イオンプレーティングのさいのＮ２ガスの圧力
はＩ Ｔｏｒｒ、電極の温度は２００ ℃としておいた
。Example 5 First, an electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. Next, after sputter cleaning was performed on the surface of this electrode, ion plating was performed using N2 gas as a reactive gas and Ti as an evaporated metal to form a TiN film with a thickness of 5p. In the above, the pressure of N2 gas during ion plating was set to I Torr, and the temperature of the electrode was set to 200°C.
比較例
アルミニウム材からドライエツチング装置用電極を形成
した。この電極には、表面処理を何も施さなかった。Comparative Example An electrode for a dry etching device was formed from an aluminum material. This electrode was not subjected to any surface treatment.
評価試験
」二記実施例および比較例で得られた電極の性能を評価
するために、耐食性、スパッタ効率およびガス放出率を
調べた。耐食性は、上記電極を、５ｉＣ１４ガスプラズ
マ中に１０００時間放置して調べた。スパッタ効率は、
上記電極に、１ｋｅＶのＡｒ＋を衝突させることにより
調べた。ガス放出率は、上記電極を真空チャンバ内に配
置し、常温で真空チャンバ内を１０時間排気した後、調
べた。これらの結果を下表にまとめて示す。Evaluation Test 2 In order to evaluate the performance of the electrodes obtained in Examples and Comparative Examples, corrosion resistance, sputtering efficiency, and gas release rate were examined. Corrosion resistance was examined by leaving the electrode in 5iC14 gas plasma for 1000 hours. The sputtering efficiency is
This was investigated by bombarding the above electrode with 1 keV Ar+. The gas release rate was determined after placing the electrode in a vacuum chamber and evacuating the vacuum chamber at room temperature for 10 hours. These results are summarized in the table below.
（以下余白）
上表から明らかなように、この発明の方法で製造された
電極は、表面処理が何も施されていない電極に比べて、
耐食性およびスパッタ効率が優れている。(The following is a blank space) As is clear from the above table, the electrode manufactured by the method of this invention has a
Excellent corrosion resistance and sputtering efficiency.
発明の効果
この発明の方法によれば、従来のステンレス鋼製のもの
に比べて軽量で、かつ重金属汚染の問題のないドライエ
ツチング装置およびＣＶＤ装置用電極を簡単に製造する
ことができる。Effects of the Invention According to the method of the present invention, it is possible to easily manufacture electrodes for dry etching equipment and CVD equipment that are lighter than conventional stainless steel electrodes and free from the problem of heavy metal contamination.
また、この発明の方法で製造された電極は、ドライエツ
チングに使用されるエツチングガスのプラズマおよびプ
ラズマＣＶＤ法に使用されるプラズマに対するスパッタ
効率が小さく、電極の消耗が少なくて寿命が著しくのび
る。また、ドライエツチングに使用されるエツチングガ
スのプラズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用されるプラ
ズマに対するスパッタ効率が小さいので、スパッタされ
た粒子のドライエツチングを施すべき材料およびＣＶＤ
法で形成すべき薄膜中への混入による汚染を防止するこ
とができる。さらに、ドライエツチングに使用されるエ
ツチングガスおよびＣＶＤ法に使用されるガスとして、
塩素を含むものを用いた場合にも、電極が腐食される心
配はない。Further, the electrode manufactured by the method of the present invention has a low sputtering efficiency with respect to the etching gas plasma used in dry etching and the plasma used in the plasma CVD method, and the wear of the electrode is reduced, resulting in a significantly extended life. In addition, since the sputtering efficiency of the etching gas used for dry etching and the plasma used for plasma CVD is low, sputtered particles cannot be removed from the material to be subjected to dry etching.
It is possible to prevent contamination due to mixing into the thin film to be formed by the method. Furthermore, as an etching gas used in dry etching and a gas used in CVD method,
Even when using something containing chlorine, there is no fear that the electrode will be corroded.
以 上
特許出願人 昭和アルミニウム株式会社代 理 人 岸
本瑛之助（外４名）Patent applicant Showa Aluminum Co., Ltd. Representative Einosuke Kishimoto (4 others)
Claims (1)
ウム製電極の表面に、陽極酸化処理を施すことを特徴と
するドライエッチング装置およびＣＶＤ装置用電極の製
造方法。 ２、ドライエッチング装置およびＣＶＤ装置用アルミニ
ウム製電極の表面に、セラミックスを塗布してセラミッ
クス塗膜を形成することを特徴とするドライエッチング
装置およびＣＶＤ装置用電極の製造方法。 ３、ドライエッチング装置およびＣＶＤ装置用アルミニ
ウム製電極の表面に、イオンプレーティング法によって
、ドライエッチングに使用されるエッチングガスのプラ
ズマおよびプラズマＣＶＤ法に使用されるプラズマに対
するスパッタ効率の小さい皮膜を形成することを特徴と
するドライエッチング装置およびＣＶＤ装置用電極の製
造方法。 ４、ドライエッチング装置およびＣＶＤ装置用アルミニ
ウム製電極の表面に、プラズマ溶射法によって、ドライ
エッチングに使用されるエッチングガスのプラズマおよ
びプラズマＣＶＤ法に使用されるプラズマに対するスパ
ッタ効率の小さい皮膜を形成することを特徴とするドラ
イエッチング装置およびＣＶＤ装置用電極の製造方法。[Scope of Claims] 1. A method for manufacturing an electrode for a dry etching device and a CVD device, which comprises performing anodic oxidation treatment on the surface of an aluminum electrode for the dry etching device and a CVD device. 2. A method of manufacturing an electrode for dry etching equipment and CVD equipment, which comprises applying ceramics to the surface of an aluminum electrode for dry etching equipment and CVD equipment to form a ceramic coating film. 3. Form a film with low sputtering efficiency against the etching gas plasma used in dry etching and the plasma used in plasma CVD method by ion plating on the surface of aluminum electrodes for dry etching equipment and CVD equipment. A method of manufacturing an electrode for a dry etching device and a CVD device, characterized in that: 4. Forming a film with low sputtering efficiency against the plasma of the etching gas used in dry etching and the plasma used in plasma CVD method by plasma spraying on the surface of aluminum electrodes for dry etching equipment and CVD equipment. A method for manufacturing an electrode for a dry etching device and a CVD device, characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14411288A JPH01312088A (en) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Production of electrode for dry etching device and cvd device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312088A true JPH01312088A (en) | 1989-12-15 |
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ID=15354464
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| JP14411288A Pending JPH01312088A (en) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Production of electrode for dry etching device and cvd device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312088A (en) |
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-
1988
- 1988-06-10 JP JP14411288A patent/JPH01312088A/en active Pending
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