JPH01309345A - Marking of semiconductor chip and its marking apparatus - Google Patents
Marking of semiconductor chip and its marking apparatusInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プローバーで半導体ウェハ（以下、単にウェ
ハという）の測定を行い、各々の半導体チップ（以下、
単にチップという）が良品か不良品かを識別するための
マーキング方法及びそのマーキング装置に関するもので
ある。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention measures a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) with a prober, and measures each semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a wafer).
The present invention relates to a marking method and marking device for identifying whether a chip (simply referred to as a chip) is a good product or a defective product.
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば、実間６
０−１１８２３７号に示すようなものがあった。(Prior art) Conventionally, as a technology in this field, for example,
There was something like the one shown in No. 0-118237.
以下、その構成を図を用いて説明する。The configuration will be explained below using figures.
第１２図は係る従来のブロービングにおけるチップ上へ
のマーキング状態を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing the state of marking on a chip in such conventional blobbing.
この図に示すように、マーキングの方法としてはインカ
ーを用いたものであり、その工程として、ウェハ１上の
チップ６をプローブカードの針７で検査を行う。該検査
における判定が不良（Ｆａｉｌ）と出たら、インカー８
でもってチップ６にマーキングする。As shown in this figure, the marking method uses an inker, and the process involves inspecting the chips 6 on the wafer 1 with the needles 7 of a probe card. If the judgment in this inspection is bad (Fail), inker 8
Then mark chip 6.
第１３図は従来のマーキング装置の側面図であり、検査
の結果、不良（Ｆａｉｌ ）の判定が出た時、インカー
針４が打点装置５によってインク溜め３に入り、インカ
ー針４の先にインクが付着する。そして、打点装置５に
よってインカー針４が押し出され、それを不良チップ６
にあててインクを付着させるようにしている。FIG. 13 is a side view of a conventional marking device. When a defect is determined as a result of the inspection, the inker needle 4 enters the ink reservoir 3 by the dotting device 5, and the ink is deposited at the tip of the inker needle 4. is attached. Then, the inker needle 4 is pushed out by the dotting device 5, and the defective chip 6 is removed.
The ink is applied by applying it to the paper.
また、従来のマーキング装置は、第１４図に示すように
、ステージ９がＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ回転方向に移
動し、不良チンプヘイン力−針４を位置決めすることが
でき、その不良チップにマーキングする。In addition, as shown in FIG. 14, in the conventional marking device, the stage 9 moves in the X-axis direction, Y-axis direction, and θ rotation direction to position the defective chimp hein force - the needle 4, and the defective tip. Mark.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した従来のインカーによるマーキン
グでは、ウェハ上面からインクを打点するものであるた
め、以下に示す問題点がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described marking using the conventional inker, since the ink is applied from the upper surface of the wafer, there are the following problems.
（１）ウェハにインクを付着させるため、プローブ針に
インクが付着して測定に支障を来したり、粘性が弱いイ
ンクの飛沫が良品とされるチップに付着し、ダイス選別
装置の誤判読の元となる。(1) Because ink is attached to the wafer, ink may adhere to the probe needle and interfere with measurement, and droplets of weakly viscous ink may adhere to chips that are considered good, causing misinterpretation by the die sorting device. Becomes the source.
（２）インクの粘度と表面張力が均一でないため、マー
クの大きさが不均一であり、統一性がない。(2) Since the viscosity and surface tension of the ink are not uniform, the size of the mark is not uniform and there is no uniformity.
（３）チップが不純物混合による化学反応を起こしたり
、ウェハ表面に施した保ｇ！膜を損傷した時、インクが
浸入しアルミ配線を酸化させる恐れがある。(3) If the chip undergoes a chemical reaction due to the mixing of impurities, or if the wafer surface is protected against g! If the film is damaged, ink may penetrate and oxidize the aluminum wiring.
（４）マーキングがチップの表面に行われるので、洗浄
する必要があるが、その場合、洗浄がしにくい。(4) Since the marking is done on the surface of the chip, it is necessary to clean it, but in that case, it is difficult to clean it.
（５）インクの粘性が強いと、表面張力によりプローブ
針にインクが付着し、プローブ針間の絶縁性が低下する
という問題点があった。(5) If the viscosity of the ink is strong, there is a problem in that the ink adheres to the probe needles due to surface tension and the insulation between the probe needles deteriorates.
本発明は、以上述べた問題点を除去し、簡便で、信鎖性
の高いチップのマーキング方法及びそのマーキング装置
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems and provide a simple and highly reliable chip marking method and marking device.
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、チップの検査
を行い不良チップヘマークを施すチップのマーキング方
法において、裏面に感光塗料を塗布したウェハを用意し
、該ウェハを支持台上にセットし、チップの検査の結果
、不良である場合には前記感光塗料に光を照射し当該チ
ップの裏面にマークを施すようにしたものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a chip marking method for inspecting chips and marking defective chips by preparing a wafer whose back surface is coated with photosensitive paint. The wafer is set on a support stand, and if the chip is found to be defective as a result of inspection, the photosensitive paint is irradiated with light to mark the back surface of the chip.
また、チップの検査を行い、不良チンプヘマークを施す
チップのマーキング装置において、光が通過することの
できるウェハステージと、中空の枠を一体で構成し、ア
ライメントすることができ、かつ該中空内で移動できる
ようにしたものである。In addition, in a chip marking device that inspects chips and marks defective chips, the wafer stage through which light can pass and a hollow frame are integrated, and the wafer stage can be aligned and moved within the hollow. It has been made possible.
更に、チップの検査を行い、不良チンプヘマークを施す
チップのマーキング装置において、光が通過することの
できるウェハステージと、酸ウェハステージの位置決め
手段と、該ウェハステージの位置に応じてマーキング用
の光マーカを対応させるようにしたものである。Furthermore, a chip marking device that inspects chips and marks defective chips includes a wafer stage through which light can pass, a positioning means for the acid wafer stage, and an optical marker for marking according to the position of the wafer stage. It is designed to correspond to
（作用）
本発明によれば、上記のように構成したので、ブロービ
ングを行う前工程においてウェハの裏面に感光塗料を塗
布し、そのウェハを支持台上にセットし、ブロービング
において検査を行う。その結果、不良と判定された場合
には、特殊光線、例えばレーザ光によって前記感光塗料
を感光して、不良チップであることを識別できるように
する。(Function) According to the present invention, as configured as described above, a photosensitive paint is applied to the back surface of the wafer in the pre-blobbing process, the wafer is set on a support stand, and the wafer is inspected during the blowing. . As a result, if the chip is determined to be defective, the photosensitive paint is exposed to special light, such as laser light, so that it can be identified as a defective chip.
また、プローバー装置は、ウェハ上面からインクを打点
するマーカではなくて、ウェハ裏面に光を照射可能なマ
ーカ（以下、光マーカという）と光の通過可能なステー
ジを設け、光マーカが不良チップを選択し、照射可能と
したものである。In addition, the prober device is not a marker that applies ink from the top surface of the wafer, but a marker that can irradiate light onto the back surface of the wafer (hereinafter referred to as an optical marker) and a stage that allows light to pass through.The optical marker identifies defective chips. It is possible to select and irradiate.
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の実施例を示すチップのマーキング状態
を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a marking state of a chip showing an embodiment of the present invention.
図中、１０はウェハ、１１はチップ、１２は感光塗料、
１３は光を透過する材料からなるウェハ支持台、Ｉ４は
遮蔽板であり、後述するレーザ光が照射される周りに光
がはみだすことを防止するために配置する。１５はレー
ザ発射筒（光マーカ）、１６は感光塗料１２を感光して
変色させるレーザ光である。In the figure, 10 is a wafer, 11 is a chip, 12 is a photosensitive paint,
Reference numeral 13 denotes a wafer support stand made of a material that transmits light, and I4 denotes a shielding plate, which is arranged to prevent light from protruding around the area where laser light, which will be described later, is irradiated. Reference numeral 15 is a laser emitting tube (optical marker), and reference numeral 16 is a laser beam that exposes the photosensitive paint 12 to change its color.
この図に示すように、ウェハ１０の裏面に感光塗料１２
をコーティングしたものをウェハ支持台１３上にセント
し、プローブ針（図示なし）を当接させて、チップ１１
の検査を行い、その結果、検査チップが不良（Ｆａｉｌ
）と判定された場合、レーザ発射筒１５より感光塗料（
感光性樹脂）１２が変色するようなある波長のレーザ光
１６を発射させて、マーキングを行う。As shown in this figure, a photosensitive paint 12 is applied to the back side of the wafer 10.
The chip 11 is placed on the wafer support 13, and a probe needle (not shown) is brought into contact with the chip 11.
As a result, the test chip was found to be defective (Fail).
), the photosensitive paint (
Marking is performed by emitting a laser beam 16 of a certain wavelength that causes the photosensitive resin 12 to change color.
以下、各要素の構成を順次説明する。The configuration of each element will be explained below.
第２図は本発明の実施例を示すウェハの平面図、第３図
はそのウェハの側面図である。FIG. 2 is a plan view of a wafer showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a side view of the wafer.
第２図に示すように、ウェハ１０の表面１０ａには多（
のチップ１１が区画されており、第３図に示すように、
そのウェハ１０の裏面１０ｂには、感光塗料（特殊光に
よって色が変化する塗料を含むＨ２を設けるようにして
いる。As shown in FIG. 2, the surface 10a of the wafer 10 has many
The chip 11 is divided into sections, as shown in FIG.
On the back surface 10b of the wafer 10, a photosensitive paint (H2 containing a paint whose color changes depending on special light) is provided.
次に、ウェハ裏面への感光塗料の塗布の具体例について
説明する。Next, a specific example of applying photosensitive paint to the back surface of the wafer will be described.
（１）感光塗料１２としては、例えば、ベンゾチオピラ
ン系で、■スピロヒラン、■ピレンチオインジゴ、■１
．２−ビスーアリルエチレン等を用いる。(1) The photosensitive paint 12 is, for example, a benzothiopyran-based paint, such as ■spirohyran, ■pyrenethioindigo, ■1
．． 2-bis-allylethylene or the like is used.
これらの塗料は、λ−７００ ｎｍ近傍の光線を照射す
ることによって黄色から緑に変色する。These paints change color from yellow to green when irradiated with light around λ-700 nm.
その他に感光色素がある。ここで、感光色素とは、光吸
収により光化学反応を引き起こす色素をいう。ハロゲン
化銀写真乳剤の分光増感剤及び減感剤、光重合増悪色素
、天然色写真用色素、電子記録用増感色素など多くの感
光色素が知られている。また、分光増感剤としてはシア
ニン色素やメロシアニンが顕著である。There are other photosensitive dyes. Here, the photosensitive dye refers to a dye that causes a photochemical reaction by absorbing light. Many photosensitive dyes are known, including spectral sensitizers and desensitizers for silver halide photographic emulsions, photopolymerizable enhancing dyes, natural color photographic dyes, and sensitizing dyes for electronic recording. Furthermore, cyanine dyes and merocyanine are notable as spectral sensitizers.
これらは、紫外から紫青までしか感光しないハロゲン化
銀の感光領域を、可視域から近紫外域まで広げる。These products expand the photosensitive range of silver halide, which is sensitive only from ultraviolet to violet-blue, from the visible range to the near-ultraviolet range.
これらの感光色素などを感光性樹脂に加工し、ウェハ裏
面１０ｂにコーティングする。These photosensitive dyes and the like are processed into a photosensitive resin and coated on the back surface 10b of the wafer.
感光性樹脂とは、光の照射によって、橋かけ、着色、分
解などの変化を生じたり、単星体からの重合などを生し
させるような高分子化合物をいう。A photosensitive resin is a polymer compound that undergoes changes such as cross-linking, coloring, and decomposition, or undergoes polymerization from a single star when irradiated with light.
これらの樹脂のコーティング法としては、■スピンコー
ティング
■スプレーコーティング
■セロファンコーティング
などが挙げられる。Coating methods for these resins include: ■ Spin coating ■ Spray coating ■ Cellophane coating.
■スピンコーティングは、第４図（ａ）に示すように、
液体の感光塗料１７をウェハ１８の裏面中心に適当な量
を滴下し、第４図（ｂ）に示すように、高速に回転させ
ることで均一に拡散させ、それを乾燥させる。■Spin coating, as shown in Figure 4(a),
An appropriate amount of liquid photosensitive paint 17 is dropped onto the center of the back surface of the wafer 18, and as shown in FIG. 4(b), it is rotated at high speed to uniformly spread and dry.
■スプレーコーティングは、第５図に示すように、拡散
スプレーａ２０でウェハ１８の川面に感光塗料２１を均
一に噴射させた後、乾燥させる。(2) In the spray coating, as shown in FIG. 5, the photosensitive paint 21 is uniformly sprayed onto the surface of the wafer 18 using a diffusion spray a20, and then dried.
■セロファンコーティングは、第６図に示すように、予
め感光性樹脂がコーティングされているセロファン２２
をウェハ１８の裏面に張り付けるようにする。■Cellophane coating is performed using cellophane 22 coated with photosensitive resin in advance, as shown in Figure 6.
is attached to the back surface of the wafer 18.
上記■〜■に示すように、ウェハ裏面には感光塗料とし
ての感光性樹脂を塗布する。As shown in (1) to (2) above, a photosensitive resin as a photosensitive paint is applied to the back surface of the wafer.
次に、本発明のチップのマーキング装置の要部について
説明する。Next, the main parts of the chip marking device of the present invention will be explained.
第７図は本発明の実施例を示すチップのマーキング装置
の部分構成図である。FIG. 7 is a partial configuration diagram of a chip marking device showing an embodiment of the present invention.
本実施例においては、ウェハ支持台３１を固定し、検査
のためのプローブ針３６を有するプローブカード３５、
遮蔽板３２及びレーザ発射筒（光マーカ）３３を可動自
在にし、それらを駆動するように構成している。In this embodiment, a probe card 35 that fixes the wafer support stand 31 and has probe needles 36 for inspection;
The shielding plate 32 and the laser emitting tube (optical marker) 33 are made movable and configured to be driven.
第８図は本発明の他の実施例を示すチップのマーキング
装置の部分構成図である。FIG. 8 is a partial configuration diagram of a chip marking device showing another embodiment of the present invention.
この実施例においては、検査のためのプローブ針４６を
有するプローブカード４５、遮蔽板４２及びレーザ発射
筒（光マーカ）４３を固定し、ウェハ支持台４１を可動
自在にして、このウェハ支持台４１を移動するように構
成している。In this embodiment, a probe card 45 having probe needles 46 for inspection, a shielding plate 42 and a laser emitting tube (light marker) 43 are fixed, and a wafer support 41 is made movable. is configured to move.
次に、本発明のチップのマーキング方法について、第９
図を用いて説明する。Next, regarding the chip marking method of the present invention, the ninth
This will be explained using figures.
■まず、ウェハ裏面に感光塗料をコーティングしたもの
を用意する。■First, prepare a wafer whose backside is coated with photosensitive paint.
■そのウェハをウェハ支持台上にセットする。ここで、
ウェハ支持台は光を透過する材料を用いる。■Set the wafer on the wafer support stand. here,
The wafer support is made of a material that transmits light.
■プローブカードの針を当接させて、チップの検査を行
う。■Inspect the chip by touching it with the needle of the probe card.
■検査により不良品か否かを判断する。■Determine whether the product is defective through inspection.
■その結果、検査チップが不良と判定された場合、前記
感光塗料へそのｊε光塗料が変色するようなある波長の
光を照射させる。(2) As a result, if the test chip is determined to be defective, the photosensitive paint is irradiated with light of a certain wavelength that causes the jε photosensitive paint to change color.
０次のチップの検査に移行し、そのウェハのチップの全
ての検査が終了するまで繰り返し検査、及び必要に応じ
てマーキングを行う。The process moves on to the zero-order chip inspection, and the inspection is repeated until all chips on the wafer have been inspected, and marking is performed as necessary.
このようにして、ウェハには不良チップのマーキングが
施されるが、検査前は、第１０図に示すように、ウェハ
５０には同等マーキングされていない。In this way, the wafer is marked as a defective chip, but as shown in FIG. 10, the wafer 50 is not similarly marked before inspection.
ところが検査の結果、第１１図に示すように、不良チッ
プの裏側には、光に反応したマーク５１が施される。However, as a result of the inspection, as shown in FIG. 11, a mark 51 that reacts to light is placed on the back side of the defective chip.
次に、第１５図は本発明の実施例を示す千ノブのマーキ
ング装置の全体構成図である。Next, FIG. 15 is an overall configuration diagram of a Sennobu marking device showing an embodiment of the present invention.
図中、６１はステージ支持台、６２はステージ、６３は
支柱、６４は光マーカ、６５はその光マーカ６４の座標
位置決め支持軸、６６はレーザ光、６７はプローブカー
ド、６８は入力処理回路、６９は駆動回路、７０は制御
装置、７１はＣＰＵ （中央処理装置）、７２はＲＯＭ
、７３はＲＡＭ、７４は入力インタフェース、７５は出
力インタフェースである。In the figure, 61 is a stage support base, 62 is a stage, 63 is a column, 64 is an optical marker, 65 is a support axis for positioning the coordinates of the optical marker 64, 66 is a laser beam, 67 is a probe card, 68 is an input processing circuit, 69 is a drive circuit, 70 is a control device, 71 is a CPU (central processing unit), and 72 is a ROM
, 73 is a RAM, 74 is an input interface, and 75 is an output interface.
第１５図に示すように、ステージ支持台６１にはステー
ジ６２が固定されている。更に、ステージ支持台６１は
支柱６３により位置決め駆動装置に連結されている。As shown in FIG. 15, a stage 62 is fixed to a stage support base 61. As shown in FIG. Further, the stage support base 61 is connected to a positioning drive device by a column 63.
上記ステージ支持台６１の内部は空洞となっており、プ
ローブカード６７によりチップの検査を行い、その検査
情報を制御装置７０で処理して、その結果に基づいて、
駆動回路６９を介して支持軸６５を駆動し、不良とされ
るチップの裏面に光マーカ６４を位置決めし、レーザ光
６６によってその不良チップにマーキングを施す。ここ
で、レーザ光６６に代えて紫外、可視、赤外のいずれか
の光を照射してマーキングを行うようにしてもよい。The inside of the stage support base 61 is hollow, and the chip is inspected using a probe card 67, and the inspection information is processed by the control device 70, and based on the results,
The support shaft 65 is driven via the drive circuit 69, the optical marker 64 is positioned on the back surface of the defective chip, and the defective chip is marked with a laser beam 66. Here, marking may be performed by irradiating ultraviolet, visible, or infrared light instead of the laser light 66.
第１６図は本発明のウェハを載置するステージを上側か
ら見た図であり、８１はステージの外形、８２は格子を
示している。この図に示すように、ウェハを載置するス
テージは光マーカ６４から発射されたレーザ光６６をウ
ェハの裏面に照射可能にするために、格子状の穴を有す
るように加工する。FIG. 16 is a view from above of the stage on which the wafer of the present invention is placed, where 81 indicates the outer shape of the stage, and 82 indicates a grid. As shown in this figure, the stage on which the wafer is placed is machined to have a grid-like hole so that the back surface of the wafer can be irradiated with laser light 66 emitted from an optical marker 64.
また、第１７図はそのステージの格子の拡大図を示す。Moreover, FIG. 17 shows an enlarged view of the grid of the stage.
この図において、８３は格子の仕切り、８４は光通過穴
である。In this figure, 83 is a grid partition, and 84 is a light passage hole.
次に、本発明のマーキング装置の動作について説明する
。Next, the operation of the marking device of the present invention will be explained.
第１５図において、ステージ６２にウェハをセットし、
不良チップの位置決めを行うため、ステージ６２はステ
ージ支持台６１の支柱６３と一体となっている。この支
柱６３をＸ軸、Ｙ軸の座標位置に固定する。そして、ウ
ェハの座標位置が決定され、目的の被試験物にプローブ
カード６７のプローブ針を接触させることにより測定が
可能となる。In FIG. 15, the wafer is set on the stage 62,
In order to position a defective chip, the stage 62 is integrated with a column 63 of a stage support base 61. This support column 63 is fixed at the X-axis and Y-axis coordinate positions. Then, the coordinate position of the wafer is determined, and measurement can be performed by bringing the probe needle of the probe card 67 into contact with the target object to be tested.
測定の結果は、入力処理回路６８を介して制御装置７０
に読み込まれる。制御装置７０においては、測定結果に
基づいて、駆動回路６９を介して当該マークを付すべき
チップ直下に光マーカ座標位置決め支持軸６５を移動す
る。そして、光マーカ６４が位置決めされると、光マー
カ６４からレーザ光６６を直上のウェハに照射する。The measurement results are sent to the control device 70 via the input processing circuit 68.
is loaded into. In the control device 70, based on the measurement results, the optical marker coordinate positioning support shaft 65 is moved via the drive circuit 69 directly below the chip to which the mark is to be attached. When the optical marker 64 is positioned, a laser beam 66 is irradiated from the optical marker 64 onto the wafer directly above it.
この結果、裏面に１８光材が塗布されたウェハの照射さ
れた部分が変色し、マーキングが完了する。As a result, the irradiated portion of the wafer whose back surface is coated with the 18-light material changes color, and marking is completed.
第１８図は本発明の他の実施例を示ずチップのマーキン
グ装置の構成図である。FIG. 18 is a block diagram of a chip marking device, not showing another embodiment of the present invention.
図中、８６は入力処理回路、８７は駆動回路、８８はス
イッチ駆動回路、９０は制御装置、９１はＣＰＵ（中央
処理装置）、９２はＲＯＭ、９３はＲＡＭ、９４は人力
インタフェース、９５は出力インタフェース、４１乃至
４６は第８図に示すものと同様である。In the figure, 86 is an input processing circuit, 87 is a drive circuit, 88 is a switch drive circuit, 90 is a control device, 91 is a CPU (central processing unit), 92 is a ROM, 93 is a RAM, 94 is a human power interface, and 95 is an output The interfaces 41-46 are similar to those shown in FIG.
この実施例においては、検査のためのブローブ針４６を
有するプローブカード４５、遮蔽板４２及びレーザ発射
筒（光マーカ）４３は固定され、ウェハ支持台４１を可
動自在にして、このウェハ支持台４１を移動するように
構成している。従って、ウェハ支持台４１の移動によっ
て位置決めされるチップにプローブカード４５のプロー
ブ針４６を接触させ、人力処理回路８６を介して検査情
報を取り込み、制御装置９０において検査を行い、その
結果に基づいて、チップが不良の場合は、制御装置９０
からスイッチ駆動回路８８に出力して、レーザ発射筒４
３からレーザ光を発することにより、その不良チップに
マークを付すことができる。In this embodiment, a probe card 45 having a probe needle 46 for inspection, a shielding plate 42 and a laser emitting tube (optical marker) 43 are fixed, and a wafer support 41 is made movable. is configured to move. Therefore, the probe needles 46 of the probe card 45 are brought into contact with the chips that are positioned by the movement of the wafer support 41, the inspection information is taken in through the manual processing circuit 86, the inspection is performed in the control device 90, and based on the results, , if the chip is defective, the control device 90
output from the switch drive circuit 88 to the laser firing tube 4.
By emitting a laser beam from 3, the defective chip can be marked.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな（、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。Note that the present invention is not limited to the above embodiments (
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, the following effects can be achieved.
（１）従来のようなインクマーキングでないため、イン
クがプローブカードの針に付着し、測定に支障を来す心
配がない。(1) Since there is no ink marking like in the past, there is no need to worry about ink adhering to the needle of the probe card and interfering with measurement.
（２）従来のようにインクを乾燥させる必要がな（、本
発明の場合は、常に一定量の光を照射するため、マーク
の大きさ等のバラツキがな（なる。(2) There is no need to dry the ink as in the conventional case (in the case of the present invention, since a constant amount of light is always irradiated, there is no variation in the size of the mark, etc.).
（３）インクのように飛び敗ることがなく、定位置に正
確にマーキングできる。(3) Unlike ink, it does not fly off and can be marked accurately in a fixed position.
（４）マーキング箇所はウェハの裏面であるため、直接
、表面回路に影響を及ぼすことはない。(4) Since the marking location is on the back side of the wafer, it does not directly affect the surface circuitry.
第１図は本発明の実施例を示すチップのマーキング状態
を示す断面図、第２図は本発明の実施例を示すウェハの
平面図、第３図はそのウェハの側面図、第４図は本発明
の感光塗料のスピンコーティングの説明図、第５図は本
発明の感光塗料のスプレーコーティングの説明図、第６
図は本発明の感光塗料のセロファンコーティングの説明
図、第７図は本発明の実施例を示すチップのマーキング
装置の部分構成図、第８図は本発明の他の実施例を示す
チップのマーキング装置の部分構成図、第９図は本発明
のチップのマーキング方法を示すフローチャート、第１
０図は本発明の感光塗料が塗布された検査前のウェハの
裏面図、第１１図は本発明の感光塗料が塗布された検査
後のウェハの裏面図、第１２図は従来のブロービングに
おけるチップ上へのマーキング状態を示す平面図、第１
３図は従来のマーキング装置の側面図、第１４図は従来
の他のマーキング装置の側面図、第１５図は本発明のチ
ップのマーキング装置の全体構成図、第１６図はそのマ
ーキング装置のステージを上側から見た図、第１７図は
そのステージの格子の拡大図、第１８図は本発明の他の
実施例を示すチップのマーキング装置の構成図である。
ｔｏ、 １８．５０・・・ウェハ、１１・・・チップ、
１２．１７．２１・・・感光塗料（感光性樹脂） 、１
３．３１．４１・・・ウェハ支持台、１４．３２．４２
・・・遮蔽板、１５．３３．４３．６４・・・レーザ発
射筒（光マーカ）、１６・・・レーザ光、２０・・・拡
散スプレー機、２２・・・感光塗料が塗布されたセロフ
ァン、３５．４５．６７・・・プローブカード、３６．
４６・・・プローブ針、５１・・・マーク、６１・・・
ステージ支持台、６２・・・ステージ、６３・・・支柱
、６５・・・支持軸、６６・・・レーザ光、６８．８６
・・・入力処理回路、６９．８７・・・駆動回路、７０
、９０・・・制御装置、７１．９１・・・ＣＰＵ （中
央処理装置）、７２．９２・・・ＲＯＭ、 ７３．９３
・・・ＲＡＭ、 ７４．９４・・・入力インタフェース
、７５．９５・・・出力インタフェース、８８・・・ス
イッチ駆動回路。
特許出願人 沖電気工業株式会社
代理人 弁理士 清 水 守（外１名）オリ６朗の
チップのマーＮレフ呆竪、１．今７全４ＡＡａ通第７図
第８図
！Ｅ月で用（・もれるクエへの平面［Ｉ第２図
オ拶トＢ月で・用いら八るヴ工への屓ｔＡ鉛圀第３図
懲゛′Ｘ壁“料のスピンコーティング
第４図
第５図
５尤塗料のゼロファンコーティング
第６図
オψ渣咀のマーキングフロー千イード
第９図
撞食前のウニへのＸ面記
第１０図
授全放のウニへの裏面師
第１１図
従来のマーキンクＸ杷を示１図
第１２図
、５−
か５駁のマーキングゑｌの屓ｌｌｉ買Ａ第１３図
一
本発胡の半導体チップ君７−キシク欣１の全Δｑ需成図
第１５図
本発朗のステージをよ屓ＩＩ力゛う見たワ第１６図
不完Ｅ月のステージの才と子の末に欠１第１７図FIG. 1 is a cross-sectional view showing the marking state of a chip showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a wafer showing an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a side view of the wafer, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of spin coating of the photosensitive paint of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram of spray coating of the photosensitive paint of the present invention.
The figure is an explanatory diagram of cellophane coating of the photosensitive paint of the present invention, Figure 7 is a partial configuration diagram of a chip marking device showing an embodiment of the present invention, and Figure 8 is a chip marking diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a partial configuration diagram of the apparatus, and FIG. 9 is a flowchart showing the chip marking method of the present invention.
Figure 0 is a back view of a wafer coated with the photosensitive paint of the present invention before inspection, Figure 11 is a back view of a wafer coated with the photosensitive paint of the present invention after inspection, and Figure 12 is a back view of a wafer coated with the photosensitive paint of the present invention after inspection. Plan view showing the state of marking on the chip, 1st
3 is a side view of a conventional marking device, FIG. 14 is a side view of another conventional marking device, FIG. 15 is an overall configuration diagram of the chip marking device of the present invention, and FIG. 16 is a stage of the marking device. 17 is an enlarged view of the grating of the stage, and FIG. 18 is a configuration diagram of a chip marking device showing another embodiment of the present invention. to, 18.50...wafer, 11...chip,
12.17.21...Photosensitive paint (photosensitive resin), 1
3.31.41...Wafer support stand, 14.32.42
... Shielding plate, 15.33.43.64 ... Laser launch tube (light marker), 16 ... Laser light, 20 ... Diffusion spray machine, 22 ... Cellophane coated with photosensitive paint , 35.45.67...probe card, 36.
46...Probe needle, 51...Mark, 61...
Stage support base, 62... Stage, 63... Support shaft, 65... Support shaft, 66... Laser light, 68.86
...Input processing circuit, 69.87...Drive circuit, 70
, 90...Control device, 71.91...CPU (central processing unit), 72.92...ROM, 73.93
...RAM, 74.94...Input interface, 75.95...Output interface, 88...Switch drive circuit. Patent Applicant: Oki Electric Industry Co., Ltd. Agent, Patent Attorney: Mamoru Shimizu (1 other person) Ori 6 Ro's chip's Mar N Ref is stunned, 1. Now 7 all 4AAa 7th figure 8th figure! In the E moon (・Plane for the leaking quest [I Figure 2] The surface of the surface to be used in the month B. The lead area Figure 3. Figure 4 Figure 5 Figure 5 Zero fan coating of paint Figure 6 Marking flow of O ψ 渣倀 Thousand Eid Figure 9 Figure 1 shows the conventional markings. Figure 15: I looked back at the stage of the main performance Figure 16: Incomplete E Moon's stage talent and child are missing 1 Figure 17
Claims (3)
を施す半導体チップのマーキング方法において、 （ａ）裏面に感光塗料を塗布した半導体ウェハを用意し
、 （ｂ）該半導体ウェハを支持台上にセットし、（ｃ）半
導体チップの検査の結果、不良である場合には前記感光
塗料に光を照射し半導体チップの裏面にマークを施すこ
とを特徴とする半導体チップのマーキング方法。(1) In a semiconductor chip marking method in which semiconductor chips are inspected and defective chips are marked, (a) a semiconductor wafer whose back surface is coated with photosensitive paint is prepared; (b) the semiconductor wafer is placed on a support stand; (c) If the semiconductor chip is found to be defective as a result of inspection, the photosensitive paint is irradiated with light to mark the back side of the semiconductor chip.
を施す半導体チップのマーキング装置において、 （ａ）光が通過することのできるウェハステージと、（
ｂ）中空の枠を一体で構成し、アライメントすることが
でき、かつ該中空内で移動できるマーキング用の光マー
カを具備することを特徴とする半導体チップのマーキン
グ装置。(2) A semiconductor chip marking device that inspects semiconductor chips and marks defective chips, which includes: (a) a wafer stage through which light can pass;
b) A marking device for a semiconductor chip, comprising an integral hollow frame, which can be aligned, and is equipped with an optical marker for marking that can be moved within the hollow.
を施す半導体チップのマーキング装置において、 （ａ）光が通過することのできるウェハステージと、（
ｂ）該ウェハステージの位置決め手段と、（ｃ）該ウェ
ハステージの位置に応じてマーキング用の光マーカを対
応させることを特徴とする半導体チップのマーキング装
置。(3) A semiconductor chip marking device that inspects semiconductor chips and marks defective chips, which includes: (a) a wafer stage through which light can pass;
A marking device for a semiconductor chip, comprising: (b) positioning means for the wafer stage; and (c) an optical marker for marking is made to correspond to the position of the wafer stage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20322888A JPH01309345A (en) | 1988-02-16 | 1988-08-17 | Marking of semiconductor chip and its marking apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183788 | 1988-02-16 | ||
| JP63-31837 | 1988-02-16 | ||
| JP20322888A JPH01309345A (en) | 1988-02-16 | 1988-08-17 | Marking of semiconductor chip and its marking apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309345A true JPH01309345A (en) | 1989-12-13 |
Family
ID=26370348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20322888A Pending JPH01309345A (en) | 1988-02-16 | 1988-08-17 | Marking of semiconductor chip and its marking apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309345A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379093B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-07-23 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Marking method of semiconductor package |
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
| WO2019102875A1 (en) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Wafer inspection method and wafer |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20322888A patent/JPH01309345A/en active Pending
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| KR100379093B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-07-23 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Marking method of semiconductor package |
| US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
| US8643177B2 (en) | 2006-01-11 | 2014-02-04 | Amkor Technology, Inc. | Wafers including patterned back side layers thereon |
| WO2019102875A1 (en) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Wafer inspection method and wafer |
| JP2019095669A (en) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Method for inspecting wafer and wafer |
| US11624902B2 (en) | 2017-11-24 | 2023-04-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wafer inspection method and wafer |
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