JPH01307935A - 光円盤 - Google Patents
光円盤Info
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- JPH01307935A JPH01307935A JP63139686A JP13968688A JPH01307935A JP H01307935 A JPH01307935 A JP H01307935A JP 63139686 A JP63139686 A JP 63139686A JP 13968688 A JP13968688 A JP 13968688A JP H01307935 A JPH01307935 A JP H01307935A
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Landscapes
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光を用いて情報の記録、再生または消去を行
う光円盤に関する。
う光円盤に関する。
［従来の技術］
従来の光円盤はロールコート法により貼り合わせた構造
のものが検討されている。また、片面型の光円盤におい
ては紫外線硬化樹脂を用いた貼り合わせが検討されてい
る。
のものが検討されている。また、片面型の光円盤におい
ては紫外線硬化樹脂を用いた貼り合わせが検討されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかし従来技術のロールコート法による貼り合わせでは
光円盤の耐熱性が低く、保護層や記録層にクラックを生
じやすく信頼性に問題があった。
光円盤の耐熱性が低く、保護層や記録層にクラックを生
じやすく信頼性に問題があった。
また、紫外線硬化樹脂を用いた貼り合わせでは両面型の
光円盤は実現が非常に難しい。
光円盤は実現が非常に難しい。
そこで本発明はこのような課題を解決するものでその目
的とするところは、ロールコート法で作成するより耐熱
性があり％ ８０℃や９０“Ｃの高温でも保護層や記録
層にクラックを生じることがなく、光円盤を１００℃以
上に加熱するため、接着層の熱特性が優れて、高温まで
接着力や力学的強度が変化しないし、基板のアニール効
果もでてくるため、基板をアニールしたあと記録層を成
膜してａ ／ Ｎを向上させるような、Ｏ／Ｎの向上も
可能な光円盤を提供するところにある。
的とするところは、ロールコート法で作成するより耐熱
性があり％ ８０℃や９０“Ｃの高温でも保護層や記録
層にクラックを生じることがなく、光円盤を１００℃以
上に加熱するため、接着層の熱特性が優れて、高温まで
接着力や力学的強度が変化しないし、基板のアニール効
果もでてくるため、基板をアニールしたあと記録層を成
膜してａ ／ Ｎを向上させるような、Ｏ／Ｎの向上も
可能な光円盤を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は光を用いて情報の記録、再生または消去を、行
なう光円盤において、透光性支持体の上に記録層及び保
護層からなる記録層部を成膜したものを貼り合わせた６
′４造であり、接着層が熱により硬化可能なエポキシ樹
脂を主成分として、前記光円盤をｉ ｏ ｏ ’ａ以上
に加熱したことを特徴とする。
なう光円盤において、透光性支持体の上に記録層及び保
護層からなる記録層部を成膜したものを貼り合わせた６
′４造であり、接着層が熱により硬化可能なエポキシ樹
脂を主成分として、前記光円盤をｉ ｏ ｏ ’ａ以上
に加熱したことを特徴とする。
本発明では光円盤を１００℃以上に加熱するが射出成形
用のポリカーボネートはガラス転移温度が１６０℃から
１５０℃位にあるので、記録層や保護層にクラックの入
らない程度に１１０℃から１２０℃程度にＩＪＯ熱する
とよい。加熱時間は用いる接着剤にもよるが２から１０
時時間区が適当である。
用のポリカーボネートはガラス転移温度が１６０℃から
１５０℃位にあるので、記録層や保護層にクラックの入
らない程度に１１０℃から１２０℃程度にＩＪＯ熱する
とよい。加熱時間は用いる接着剤にもよるが２から１０
時時間区が適当である。
また、本発明において用いるエポキシ系の主剤は常温に
おいて粘度が５０００ｃｐｓ以下のものを用いた方が作
業性がよく、貼り合わせやすいし脱泡も容易である。泡
を多く含んだままで貼り合わせると、接着剤の硬化に伴
う応力により信号に悪影響を及ぼしたり、信頼性の低下
をきたす。
おいて粘度が５０００ｃｐｓ以下のものを用いた方が作
業性がよく、貼り合わせやすいし脱泡も容易である。泡
を多く含んだままで貼り合わせると、接着剤の硬化に伴
う応力により信号に悪影響を及ぼしたり、信頼性の低下
をきたす。
また、本発明で用いる接着剤の主剤は低粘度で硬化物の
ガラス転移温度が高いものがよいので、ビスフェノール
Ｆ７１％やビスフェノールＡ系に少量の反応性希釈剤を
添加したものなどがよく、硬化剤としてはイミダゾール
系やメンタンジアミンのような環状脂肪族アミン系がポ
ットライフや硬化物の耐熱性の点から好ましく、その添
加量は主剤に対して１％から１０％が適当である。１％
以下では接着剤の硬化に時間がかかったり、接着剤の硬
化が不完全となりやすい。１０％以上では接着剤のポッ
トライフが短くなり機械を用いた塗布が難しくなったり
、硬化物の耐熱性が低下したりする。この添加量と主剤
の成分により硬化物の特性が維持できて、ポットライフ
が５時間以上になるように調節するとよい。硬化剤は常
温で液体のものが主剤との混合が容易になるため、常温
で固形物のものは常温で液体のものと混合したりして用
いるとよい。
ガラス転移温度が高いものがよいので、ビスフェノール
Ｆ７１％やビスフェノールＡ系に少量の反応性希釈剤を
添加したものなどがよく、硬化剤としてはイミダゾール
系やメンタンジアミンのような環状脂肪族アミン系がポ
ットライフや硬化物の耐熱性の点から好ましく、その添
加量は主剤に対して１％から１０％が適当である。１％
以下では接着剤の硬化に時間がかかったり、接着剤の硬
化が不完全となりやすい。１０％以上では接着剤のポッ
トライフが短くなり機械を用いた塗布が難しくなったり
、硬化物の耐熱性が低下したりする。この添加量と主剤
の成分により硬化物の特性が維持できて、ポットライフ
が５時間以上になるように調節するとよい。硬化剤は常
温で液体のものが主剤との混合が容易になるため、常温
で固形物のものは常温で液体のものと混合したりして用
いるとよい。
［実施例］
以下本発明について図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明になる光円盤の基本構成図である。１及
び６はポリカーボネートの基板、２及び７は５ｉＡＩＮ
の第１保護層、３及び８はＮｄＤｙＦｅｏｏの記録層、
４及び９は５ｉＡＩＮの第２保護層、５は本発明になる
接着層である。５の接着層に用いたエポキシは主剤とし
て大日本インキ化学工業のエピクロンＳ−１２９を用い
て、硬化剤は２−エチル−４−メチルイミダゾールを用
いた。主剤と硬化剤の配合比は重量で２０＝１とした。
び６はポリカーボネートの基板、２及び７は５ｉＡＩＮ
の第１保護層、３及び８はＮｄＤｙＦｅｏｏの記録層、
４及び９は５ｉＡＩＮの第２保護層、５は本発明になる
接着層である。５の接着層に用いたエポキシは主剤とし
て大日本インキ化学工業のエピクロンＳ−１２９を用い
て、硬化剤は２−エチル−４−メチルイミダゾールを用
いた。主剤と硬化剤の配合比は重量で２０＝１とした。
次に、衣１に第１図に示す構成の光円盤において、加熱
温度を種々変更して貼り合わせたときの８０℃９０％Ｒ
Ｈ下で３０００時間耐候性試験後のピットエラーレート
を耐候性試験前のピットエラーレートで規格化した値と
Ｏ／Ｎ及びその時の性状を示す。
温度を種々変更して貼り合わせたときの８０℃９０％Ｒ
Ｈ下で３０００時間耐候性試験後のピットエラーレート
を耐候性試験前のピットエラーレートで規格化した値と
Ｏ／Ｎ及びその時の性状を示す。
第１図及び表１に示した光円盤はすべて以下のものを用
いた。射出圧縮成型により１．６μｒｎＪｊツチでスパ
イラル状のトラッキング用の溝を形成したポリカーボネ
ートの基板の溝を形成した側に５ｉＡ１の焼結ターゲッ
トを用いたＲＦ’反応マグネトロンスパッタ法により８
００Ｘ成膜した後、ＮｄＤ７ＩＭ３００の合金ターゲッ
トを用いたＤＯマグネトロンスパッタ法により９００久
成膜して、さらにその上に５ｉＡｌの合金ターゲットを
用いたＲＦ反応マグネトロンスパッタ法により８００大
成摸したものを２枚用いて前述の接着剤を用いて貼り合
わせた。貼り合わせ方法は、ロールフート法以外は基板
の記録層部が形成されている側に接着剤をドーナツ状に
塗布した後、真空系内において脱泡して真空系内で別の
基板と貼り合わせて、上下の基板の中心穴が合うように
して、１２時間放置して６０ ’Ｏで５時間加熱して接
着剤を仮硬化させた後、加熱温度を種々変更して接着剤
を硬化させた。
いた。射出圧縮成型により１．６μｒｎＪｊツチでスパ
イラル状のトラッキング用の溝を形成したポリカーボネ
ートの基板の溝を形成した側に５ｉＡ１の焼結ターゲッ
トを用いたＲＦ’反応マグネトロンスパッタ法により８
００Ｘ成膜した後、ＮｄＤ７ＩＭ３００の合金ターゲッ
トを用いたＤＯマグネトロンスパッタ法により９００久
成膜して、さらにその上に５ｉＡｌの合金ターゲットを
用いたＲＦ反応マグネトロンスパッタ法により８００大
成摸したものを２枚用いて前述の接着剤を用いて貼り合
わせた。貼り合わせ方法は、ロールフート法以外は基板
の記録層部が形成されている側に接着剤をドーナツ状に
塗布した後、真空系内において脱泡して真空系内で別の
基板と貼り合わせて、上下の基板の中心穴が合うように
して、１２時間放置して６０ ’Ｏで５時間加熱して接
着剤を仮硬化させた後、加熱温度を種々変更して接着剤
を硬化させた。
表 １
０／Ｎ：ピット長０．９／４７７１，１ ８００ｒｐｍ
ＯＡ’Ｖ、記録周波数２ＭＨｚ Ａ：エピクロンＳ−１２９（９６）ｔエピキュアよりＭ
ニー１２（４） Ｂ：エピクロン８３０−８（５０）、二ピコ−１−８０
７（４５） エビキュアＢＭニー１２Ｃ：エピクロン
８５０（４０） エピクロン８５５（５０） ｒ−
グリシドキシプロビルトリメトキシシラン（５） エビ
キュアよりＭニー１２（５） Ｄ：エピクロンＳ−１２９（５０） エピコート８１
５（５０） エピクロン５２０（１５） エビキュア
ＫＭニー２４（５） Ｅ：エピクロンＳ−１２９（４０） エピコート８０
２（４０） エピクロン８３０ （１５） ２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールＦ：エピクロン８５０−８
（５０） エピコート８１５（４５） エビキュア
よりＭニー以上（）は重量パーセント エピクロンＳ−１２９大日本インキ化学工業エピクロン
８３０ 〃 エビクロン８３０−Ｓ エピクロン８５５ エピクロン５２０ エピコート８０７ Ｍ化シェルエポキシエピコー
ト８０２ 〃 エピコート８１５ 〃 エピキュアよりＭニー１２ エピキュアＢＭエ −１２ エピキュアＥＭ工 −２４゛ 表１の結果から分かるように、本発明の光学的情報記録
媒体はａ ／ Ｎが高く、８０℃９０％ＲＨという条件
下でもピットエラーレートが変化しないし、高温での接
着層の力学的性質がよいので記録層や保護層にクラック
を生じることがない長期信頼性のある光円盤であること
がわかる。
ＯＡ’Ｖ、記録周波数２ＭＨｚ Ａ：エピクロンＳ−１２９（９６）ｔエピキュアよりＭ
ニー１２（４） Ｂ：エピクロン８３０−８（５０）、二ピコ−１−８０
７（４５） エビキュアＢＭニー１２Ｃ：エピクロン
８５０（４０） エピクロン８５５（５０） ｒ−
グリシドキシプロビルトリメトキシシラン（５） エビ
キュアよりＭニー１２（５） Ｄ：エピクロンＳ−１２９（５０） エピコート８１
５（５０） エピクロン５２０（１５） エビキュア
ＫＭニー２４（５） Ｅ：エピクロンＳ−１２９（４０） エピコート８０
２（４０） エピクロン８３０ （１５） ２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールＦ：エピクロン８５０−８
（５０） エピコート８１５（４５） エビキュア
よりＭニー以上（）は重量パーセント エピクロンＳ−１２９大日本インキ化学工業エピクロン
８３０ 〃 エビクロン８３０−Ｓ エピクロン８５５ エピクロン５２０ エピコート８０７ Ｍ化シェルエポキシエピコー
ト８０２ 〃 エピコート８１５ 〃 エピキュアよりＭニー１２ エピキュアＢＭエ −１２ エピキュアＥＭ工 −２４゛ 表１の結果から分かるように、本発明の光学的情報記録
媒体はａ ／ Ｎが高く、８０℃９０％ＲＨという条件
下でもピットエラーレートが変化しないし、高温での接
着層の力学的性質がよいので記録層や保護層にクラック
を生じることがない長期信頼性のある光円盤であること
がわかる。
尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。例えば本発明では記録層としてＮｄＤｙＦｅＣ０層
を用いたが、ＮｄＤｙＴｂＶｅｔｏ層、ＧｄＴｂＦｅｆ
１７ｏ層、ＴｂＦｅ０゜層等の光磁気記録層の他にＴθ
−Ｔｅ０１層。
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。例えば本発明では記録層としてＮｄＤｙＦｅＣ０層
を用いたが、ＮｄＤｙＴｂＶｅｔｏ層、ＧｄＴｂＦｅｆ
１７ｏ層、ＴｂＦｅ０゜層等の光磁気記録層の他にＴθ
−Ｔｅ０１層。
工ｎ −Ａ ｇ層等の光層変化型の記録層を用いても何
等問題はない。また保護層も５ｉＡＩＮ層の他にＳｉＮ
層、Ｓｉ０層、ＡＩＮ層等を用いてもよい。さらに本実
施例では両面型の光円盤を例にとっているが、例えば記
録層を成膜した基板と記録層のない基板とを貼り合わせ
るような片面型の光円盤記であってもよい。本発明にお
いては接着剤は主剤と硬化剤のみの組合せであったが、
硬化物の物性があまり変化しない程度に反応性希釈剤。
等問題はない。また保護層も５ｉＡＩＮ層の他にＳｉＮ
層、Ｓｉ０層、ＡＩＮ層等を用いてもよい。さらに本実
施例では両面型の光円盤を例にとっているが、例えば記
録層を成膜した基板と記録層のない基板とを貼り合わせ
るような片面型の光円盤記であってもよい。本発明にお
いては接着剤は主剤と硬化剤のみの組合せであったが、
硬化物の物性があまり変化しない程度に反応性希釈剤。
硬化促進剤、充填剤、シランカップリング剤、レベリン
グ剤、安定剤などの添加剤を添加してもよい。
グ剤、安定剤などの添加剤を添加してもよい。
［発明の効果］
本発明の光円盤は以下のような効果を有する。
（１）基板をアニールしたことと同様にｏ ／ Ｎが向
上する。
上する。
（２） ロールコート法で作成するより耐熱性があり
、８０℃や９０℃の高温でも保護層や記録層にクラック
を生じることがない。
、８０℃や９０℃の高温でも保護層や記録層にクラック
を生じることがない。
（３）接着剤の硬化物の耐熱性が高く、１００℃以上に
加熱するため接着層の熱的、力学的性質がよい。
加熱するため接着層の熱的、力学的性質がよい。
（４） 両面型の光円盤が容易に実現できる。
第１図は、本発明の光円盤の基本構成図である１、６・
・・・・・ポリカーボネートの基板２．７・・・・・・
Ｓ １ＡＩＮの第１記録層Ｓ 、 ８−’−”Ｎ ｄ
Ｄｙ Ｆ ８００の記録層４．９・・・・・・５ｉＡＩ
Ｎの第２保り層５ ・・・・・・接着層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名）
・・・・・ポリカーボネートの基板２．７・・・・・・
Ｓ １ＡＩＮの第１記録層Ｓ 、 ８−’−”Ｎ ｄ
Ｄｙ Ｆ ８００の記録層４．９・・・・・・５ｉＡＩ
Ｎの第２保り層５ ・・・・・・接着層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名）
Claims (1)
- 光を用いて情報の記録、再生または消去を行なう光円盤
において、透光性支持体の上に記録層及び保護層からな
る記録層部を成膜したものを貼り合わせた構造であり、
接着層が熱により硬化可能なエポキシ樹脂を主成分とし
て、前記光円盤を１００℃以上に加熱したことを特徴と
する光円盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139686A JPH01307935A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光円盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139686A JPH01307935A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光円盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307935A true JPH01307935A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15251068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63139686A Pending JPH01307935A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光円盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307935A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03254438A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク |
| KR100595242B1 (ko) * | 1999-07-08 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 접합 제조 방법 및 장치 |
| WO2017025687A1 (fr) * | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Roquette Freres | Utilisation d'une composition d'ethers de bis-anhydrohexitol de faible viscosite comme diluant reactif pour compositions reticulables de resines, d'adhesifs, de revetements et de matrices pour composites |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63139686A patent/JPH01307935A/ja active Pending
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