JPH01305834A - 誘電性基盤に適したガラスセラミック - Google Patents

誘電性基盤に適したガラスセラミック

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JPH01305834A
JPH01305834A JP1017421A JP1742189A JPH01305834A JP H01305834 A JPH01305834 A JP H01305834A JP 1017421 A JP1017421 A JP 1017421A JP 1742189 A JP1742189 A JP 1742189A JP H01305834 A JPH01305834 A JP H01305834A
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gehlenite
cao
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Francis W Martin
フランシス ウィリス マーティン
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03C10/0036Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は特に集積回路パッケージングの基盤として適し
た特性を有するガラスセラミック材料に関する。
(従来技術) ここ10年の間に電子回路板および集積回路パッケージ
ングの製造に用いられる無機材料の開発に関する研究で
大きな動きがある。例えば、電子回路板の製造に用いら
れる金属基盤の用途にガラスセラミックコーティングが
考案され、また、集積回路パッケージングに用いるガラ
スセラミック基盤が調製された。後者の組成における特
定の目標は同用途に従来から使用されていた材料である
アルミナを代替することである。
次の3つの特許は、金属に用いる用途のためのガラスセ
ラミックコーティングを例示しているものである。
米国特許第4.258.796号は、本質的にL(i−
50vt%のBa 0.1B−42wt%のMg 0.
12−34vt%のB20.および10−23νt%の
5i02から成る組成を開示している。ここでCa O
,Zn O,Zr0z * AQ1203およびSnO
2は随意成分として記載されている。
米国特許第4.358.541号は、本質的に5−35
wt%のMg O,0−35vt%のCa O,0−2
5vt%のZn 0.10−35wt%のCa O+Z
n 0.0−25vt%のB203 、 0−10vt
%のP2O5、4−25vt%(’)B203 +Pz
 05 、 オヨび25−50vt%ノ5102から成
る組成を開示している。ここでは10%までの量のAQ
1203が随意成分として含まれれてもよい。CaOが
かなりの全存在する場合、発達する主要結晶相は透輝石
(CaO−MgO・2S10z)およびアケルマナイト
(2CaO・Mg 0・2Si O□)である。CaO
が含まれない場合、存在する主要結晶相はホウ酸マグネ
シウム、珪酸亜鉛鉱(2Zn O−3i 02 )およ
び頑火輝石(Mg 0−St Oz )である。
米国特許第4.365,127号は、本質的にto−6
0vt%のBa 0.1O−35vL%のMg 0. 
5−30vL%のB203 、25−40vt%の51
02.および0−15vt%のCa O,0−18vt
%のZn O,そして〇−15vt%のAlz O:s
から構成される5 −20vt%のCa O+Zn O
+A、Q、203から成る組成を開示している。
次の4つの特許は集積回路パッケージングの基盤に使用
されるガラスセラミック組成を例示している。
米国特許第4,221.047号は、上記用途に使用す
べく意図した2つの特定の組成を重量%で示している。
その2つの組成は、St Ox : 55.00 、 
A9Jz 03  : 20.56 、 Mg O: 
20.00 、 A免pot  :3.44. B2o
3: t、oo;およびS 10z : 52.5゜A
免203 :21.O,Mg O:21.5.  P2
05  :2゜0、B2O3:t、oである。ここでは
きん青石(2Mg0・2A免203 ・5SiOz)が
主要結晶相を構成する。
米国特許第4.234,367号は、50.8−52.
5vt%のSt 02 、2l−22vt%のAQ=z
 03 、22 24.2vt%のMg 0.0.5−
2wt%のB! 03 、 0−2vt%のSn 02
 、0−2wt%のP203.0−2wt%のZr 0
2から成る組成を開示しており、これは主要結晶相とし
できん青石を有するガラスセラミックを与える。
米国特許第4.301.324号は、きん青石が主要結
晶相を構成し、斜頑火石および第2相をも含むガラスセ
ラミック体を記載している。その組成は、本質的に、4
8−55vL%のSt 02 、18−23wt%のA
9Jz 03 、18−25wt%のMgO,0−2v
t%のZnO,0−1vt%のLi z 0.0−3v
t%のB203 、 0−3vt%のP20s 、  
0−2.5vt%のTi O2,O−2,5vt%のS
n o2.0−2.5wt%のZr 02および5vt
%≧のT102 +5n()z+Zr0zである。
米国特許第4.714,887号は、主要結晶相として
珪酸亜鉛鉱(2ZnO−8102)、および第2結晶相
としできん青石を含むガラスセラミック材料を記載して
いる。この材料は本質的に15−45wt%のZn O
,3−15wt%のMg 0.1O−30vt%のAQ
=203 オヨヒ30 55wt%(7)Sl ozカ
ラ成ル。
最後にガラスセラミックスフォーエレクトロニックパッ
ケージング(GLASS−CERAMICS  FOR
ELECTRONICPACKAGING)の名称で出
願された米国特許出願節42.980号は、実質的に単
独の結晶相としできん青石を含み、本質的に10−25
wt%のMg O+Zn O(2−18wt%のMg 
O+ 0−21wt%のZn0);2O−36vt%の
A9Jz 03  ;4O−52vt%の5IOz;お
よび合計8vt%までのに20.Rb2Oおよび/また
はC5zO,合計IQwt%までのCaO,Sro、B
aOおよび/またはpb o、そして5vt%までのB
2O3の各指示された割合における1種類以上の酸化物
の合計2−15vt%から成るガラスセラミック材料を
記載している。
(発明の目的) 前述したように、集積回路パッケージングに使用される
ガラスセラミック組成に関する研究の1つの特定の目的
は、この用途におけるアルミナを代替することである。
第2の目的は、鉛を含まないチップキャリヤーとして集
積回路パッケージング等の用途に使用されるALzO3
の熱膨張率(0〜300°の範囲テ::65X 10−
” /”C)と非常にマツチングした熱膨張率を示す材
料を調製することである。従って、この研究は以下の5
つの特徴を有する組成に向けられている。
(a)銅、銀および金の金属被覆と相容性のあること (b) 1000℃未満、望ましくは、850℃の低温
で共焼成できること (e) A!Q、z 03より小さい誘電率を有するこ
と(d)更に磨砕および/または研磨することなく滑ら
かで平らな表面を有すること (e)深意深く制御できる約50−90X 10’ /
”Cの範囲の線熱膨張率(25−1100℃)を有する
こと(発明の概要) CaO−MgOおよび/またはZn0−A9Jz03 
5kOz系内の厳重に範囲を定められた組成から前記の
特徴を有するガラスセラミックが調製できることを発見
した。材料は平らなシートに加工でき、金属被覆し、積
層し、そして1000℃未満の温度で焼結できる。集積
回路パッケージングにおける用途に期待されたので、多
くの研究が表面有核熱結晶化ガラスフリットのテープキ
ャスティングにより薄い誘電シート(dielectr
ic 5heets)へ成形することに向けられた。
鉱物の黄長石シリーズが地質学者に古くから知られてい
る。このシリーズのメンバーは一方の端にあるデー1i
f−イト(2Ca 0−Alz 03 ・SlOz)か
ら他方の端にあるアケルマナイト(2CaO・Mg0・
2Sl 02)まで変化する組成を有し、ここでMg 
Sl O9がゲーレナイト構造中のA9Jz03を代替
する。合成黄長石を調合し、溶融し、付形し、そしてガ
ラス体に冷却することができ、その後これらのガラス体
を熱処理して結晶化する。類似したシリーズにおいて、
ゲーレナイト構造中のAiz 03をZn Sl 03
で代替して端のメンバーであるハーディストナイト(h
ardystoneite : 2Ca 0−Zn O
φ2Si Oz )をit+る。このシリーズも同類に
合成して調合でき、溶融し、付形し、そしてガラス体に
冷却できる。
その後これらのガラス体を熱処理して結晶化する。
これら2つのシリーズの粉末状のガラスは結晶化が起る
前のガラス状態において良好な焼結特性を示し、従って
テープキャスティングにより容易に薄いシートに加工で
きることが実験により示された。これらの材料が示す線
熱膨張率(25−800℃)は90X10’/”Cより
大きく、これは珪素(:;35XIO°了/℃)および
砒化ガリウム(:60XIO°了/”C)よりかなり大
きい。従ってこれらの材料のチップまたはウェーハーと
共に使用するには実用的ではない。
しかし、ゲーレナイトとアケルマナイト、またはゲーレ
ナイトとハーディストナイトのブレンドから成るベース
組成を種々の量の灰長石(2CaO・A9Jz 03 
 ・2SI Oz )と共に処理すると、溶融し、付形
し、そしてガラス体に冷却でき、これらのガラス体は後
に1000℃未満の温度で現場で結晶化し、約50−9
0X 10−7/’Cの範囲の線熱膨張率(25−80
0℃)を示す材料を与える組成のシリーズがiすられる
ことを発見し、この発見により本発明を得た。このガラ
スは結晶化が起こる前に粉末状でよく焼結する。元々の
ガラス組成を構成する割合とほとんど同じ割合で3つの
結晶相が存在することが結晶体のX線回折分析でわかっ
た。
ゲーレナイト−アケルマナイトおよびゲーレナイト−ハ
ーディストナイトの混合物へのあらゆる有限量の灰長石
添加は熱膨張率に影響を与える。
しかしながら、実際的観点から約5容積%に相当する量
の灰長石添加が熱膨張率に十分影響を与える最少量だと
考えられる。一方、ベース2成分混合物の優れた溶融、
成形および焼結特性を利用するため;約90%に相当す
る量の灰長石が実際的最大量と考えられる。従って、ゲ
ーレナイト−アケルマナイト−灰長石シリーズの使用可
能な組成は、酸化物基準の重量%で本質的に約1−7.
25%のMg 0.22−40%のCa o、 1B−
36%のA9Jz 03および29−42%のSIO,
から成る。ゲーレナイト−ハーディストナイト−灰長石
シリーズの使用可能な組成は酸化物基準の重量%で本質
的に約2−13%のZn 0.22−37.5%のCa
b、18−34%(7)A Q、z 03 :Fjヨヒ
28 42%ノS i 02 カラ成形。
小さいアルカリ金属の酸化物Ll 20. Na2Oお
よびに20は最終語品質製品の電気特性に悪い影響があ
るため、前述の組成には実質的に含まれないことが好ま
しい。望ましい特性が本発明の材料中に生ずることを確
実にするため、SrO。
BaO,PbOおよびCS20などの酸化物を含む全て
の外来成分の合計を5%未満に保つことが好ましい。
(実 施 例) 表1は酸化物基準の重量部で表わされた種々の前駆体熱
結晶性ガラス組成を列挙しており、加熱に際してゲーレ
ナイトアケルマナイトおよび灰長石の結晶相を含む材料
に現場で結晶化する本発明のガラスを示している。それ
ぞれの成分の合計が100かまたは100に極めて近い
数値となるので、列挙されたそれぞれの数値は便宜上重
量%を示していると考えてもよい。表1はまた、元々の
前駆体がガラスバッチを構成するゲーレナイト(G a
h)、アケルマナイト(A ke)および灰長石(A 
no)の割合を表わしている。更に、表1は結晶化製品
が示す25−800℃の温度範囲における線熱膨張率を
XtO”T/”Cの単位で示している。
表1と同様に、表2は酸化物基準の重量部で表わした前
駆体熱結晶性ガラス組成を列挙しており、これは加熱に
際して現場で結晶化してゲーレナイト、ハーディストナ
イトおよび灰長石の結晶相を含む材料となる本発明のガ
ラスを示している。また、表2はガラスバッチから計算
されたゲーレナイト(Geh)、ハーディストナイト(
Har)および灰長石(A no)の存在比;および2
5−800℃の温度範囲における結晶化製品の示す線熱
膨張率を表わしている。
表1および表2のガラスに用いる実際のバッチ成分は、
互いに溶融した時に適切な割合の所望する酸化物に変換
する酸化物または他の化合物など、どのような材料から
でも構成し得る。表1および表2にあげられた組成のそ
れぞれの成分を配合し、均一な溶融物を得るために互い
にボールミル粉砕し、プラナするつぼに充填し、そして
そのるつぼにふたをした。このるつぼを約1850℃で
作動している炉に入れ、バッチを約6時間溶融した。次
に溶融物をスチールモールドに注いで約8’ X4’X
0.5’(約20cm X Loam X 1.3 c
m)の寸法を有するガラススラブとし、このスラブを約
700 ”Cで作動するアニーラ−に直ちにうつした。
溶融物をスラブにキャスティングすることにより、ガラ
ス品質の検査を可能にすることができた。もう1つの方
法では、溶融物を薄い流れとして水道水に注いだ。これ
はガラス業界では“トリゲージング°と呼ばれている。
得られたガラス粒子を次に乾燥し、予め決められた粒径
に微粉砕した。
表1および表2に示された例示組成は実験室で調製され
たものであるが、これらの組成は工業用大規模ガラス製
造装置に用いるべくスケールアップできることは留意さ
れるべきである。更に、AS203および/または5b
203などの清澄剤は実験室の溶融物には用いられてい
ないが、工業生産において最適ガラス品質を保証するた
めに清澄剤を添加することは有益である。
表  1 Mg0 7.44.93.71.54.93.92.9
1.9CaO41,034,030,G 24.341
.03G、732.828.4A9JzO3111,7
24,727,733,124,927,329,83
2,08I0232.936! 36.04+、、22
9.332.134.937.7Gch  1/21/
31/4.12/3.533.4.266Akc  l
/21/31/4.11/3.21116.2.133
Ano  0 1/31/2.80 .2.4.8線熱
膨張率 95.5  85゜3  78,4  57.
0  90.8   g2.9  74.4  64.
9表  2 9  In  II  12 13  +4 15 1
8ZnO13,99,47,19,47,85,73,
90CaO3g、132.429.439.035.3
31.627.820.IA免20317.423.6
2B、+123.7213.2281131.43(i
、7SIO230,634,736,727,930,
1! 33.936.943.2Gch  l/21/
31/42/3.533.4 .2680Akc   
      1)2    1ノ3     1/4 
   1/3     .2CG      、2  
    .133   0Har  0 1/31/2
0 .2 .4 .61線熱膨張率 93,2  79
.6  70.4  91.3 81.7  72.9
   B4.3  47.6上記例の焼結性を次の手順
で調べた。ガラススラブとドリゲージド材料を微粉砕し
てその粒子が米国標準篩No、200  (74ミクロ
ン)を通過するようなフリットにし、そのフリットを少
量の液体有機バインダー/ビヒクルと混合し、その混合
物を約1.27(至)の直径と約0.635 cmの高
さを有するボタン状のディスクに圧縮し、そしてこのデ
ィスクを約 −915℃で約2時間焼成することにより
、試験材料を調製した。例16のガラスディスク(灰長
石のみから構成されている)を除くその他のガラスディ
スクのそれぞれはまるい角ををする約1−1.05cm
の直径に収縮し、良好な焼結を示した。
約4’ Xo、25’ Xo、25’  (約10c+
n X O,6am X O。
6(7))の寸法を有するバーを米国標準篩Nα200
(74ミクロン)を通過するガラスフリットから乾燥圧
縮した。このバーを、980℃で2時間焼成することに
よって現場で結晶化した。これらのバーは線熱膨張率を
測定するための試料を構成した。
それぞれのブライが導電性パターン層、および予め決め
られた配線回路を形成するためにそれぞれのブライの導
電性パターン層を接続するためのブライにあけられたヴ
アイアと呼ばれるスルーホールコネクターを含む個々の
回路ブライの複数を積層して焼結することにより、多層
無機集積回路パッケージを製造することは当業者に公知
である。
通常、個々のブライは、大変細かく分割された無機材料
の粒子を有機バインダーで互いに結合させて作ったテー
プから切断される。従って、これらのパッケージの典型
的製造方法は次の4つの要素を含んでいる。
(a)コネクターのための孔をテープに押抜く。
(b)導電性層をテープ上に施す。
(C)予め決められた数のテープをヴアイアと共に適正
なレジストリーに積み重ねる(または積層する)。
(d)得られた積層物を焼結する。
この方法をシュミレートするため、例2および3は下記
の手順に従ってテープに成形された。
トリゲージトガラス粒子は、粒子を10ミクロン未満の
直径に再分するためにA9Jz 03のボールを用いて
約24時間ボールミル粉砕された。得られた粉末をボー
ルミル中で24時間、有機ビヒクルと混合し、固体;有
機ビヒクルの重量比3:2を得た。この有機ビヒクルは
バインダー(ポリビニルブチラール)、溶剤(トルエン
)および界面活性剤(リン酸エステル)から構成された
。得られたスラリーを、ドクターブレードを用いてポリ
エステルフィルム上に約0.005−0.02’  (
約0.0L27−0、Q5L cm)の厚さで施し、有
機液体を蒸発させるために約25℃の空気中で乾燥した
。得られたテープを約3’X3’(約7.6 cmX7
.6 cm)の寸法を有するシートに切断し、これらの
シートの6−8をスタックに積み重ねた。このスタック
を950−980℃で2時間焼成して約0.040−0
.080 ’  (約0.1.−0.15cm)の厚さ
を有する一体複合積層物に焼結した。この積層焼成は更
にガラス粒子を現場で同時結晶化させる作用を有し、集
積回路パッケージングの基盤として使用できるガラスセ
ラミック体を得た。
表3は、セラミック業界で使用されている従来の測定技
術を用いて測定した前記積層物の物性を示している。密
度はglcI113で、破壊係数はKsiで、25−3
00℃の範囲における線熱膨張率はXl0−’/℃で表
示されている。誘電率は室温、100KHzで測定され
、損失係数も室温、100KIIzで測定され、そして
抵抗率(Logρ)は室温で測定されたものである。
表   3 珂覧襄  破壊 線熱  誘電率 損失 Logρ係数
 膨張率     係数

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Al_2O_3より小さい誘電率、50−90×
    10^−^7/℃の範囲の線熱膨張率(25−800℃
    )を有し、本質的にLi_2O、Na_2O、K_2O
    を含まない酸化物基準の重量%で、 a)主要結晶相としてゲーレナイト、灰長石およびアケ
    ルマナイトを含む1−7.25%のMgO、22−40
    %のCaO、18−36%のAl_2O_3、29−4
    2%のSiO_2、または b)主要結晶相としてゲーレナイト、灰長石およびハー
    ディストナイトを含む2−13%のZnO、22−37
    .5%のCaO、18−34%のAl_2O_3、28
    −42%のSiO_2 の群から選択される組成を有するガラスセラミック。
  2. (2)前記灰長石が5−90容積%の範囲で存在するこ
    とを特徴とする請求項1記載のガラスセラミック。
  3. (3)集積回路パッケージングの基盤として用いられる
    請求項1または2記載のガラスセラミック。
JP1017421A 1988-05-26 1989-01-26 誘電性基盤に適したガラスセラミック Pending JPH01305834A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/199,184 US4853349A (en) 1988-05-26 1988-05-26 Glass-ceramics suitable for dielectric substrates
US199184 1988-05-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01305834A true JPH01305834A (ja) 1989-12-11

Family

ID=22736555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1017421A Pending JPH01305834A (ja) 1988-05-26 1989-01-26 誘電性基盤に適したガラスセラミック

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4853349A (ja)
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