JPH01302359A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は短波長側及び長波長側の両者の光感度を高め、
しかも、帯電能を大きくし、これによってｗ通紙複写機
に好適になった電子写真感光体に関するものである。

（従来技術及びその問題点） 近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの
開発が活発に進められており、これに伴って、この機器
に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性
並びに耐久性が要求されてい・る。この要求に対してア
モルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性並び
に光感度特性などに優れるという点で注目されている。

このアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）か
ら成る電子写真感光体には第３図に示すｊｍりの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３ｉキ
ャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積層し
ており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）か
らのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低下さ
せるために形成されており、また、表面保護Ｎ（４）に
は高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。

しかしながら、このようなａ−Ｓｉ感光体においては、
長波長側の光感度が高くなっており、そのため、この感
光体をハロゲンランプ等の白色光を光源として用いた普
通紙複写機（以下、ｒｐｃと略す）に搭載した場合、赤
色付近の波長帯に対して再現性に劣る。かかる問題を解
決するためにフィルタを用いて赤色波長光をカットする
ようにしているが、これに伴って感光層に入射する光の
強度が低下し、その結果、感光体自体の光感度が見かけ
１低下する。

また、ａ−Ｓｉ悪感光に要求される所要特性には、上記
のような光感度以外に高い帯電能がある。この所要特性
が達成された場合には高い画像濃度が得られ、そして、
複写機現像系の設計自由度が高まり、使い易い電子写真
感光体が得られる。

（発明の目的） 従って本発明の目的は短波長側及び長波長側の光感度を
高めることができた電子写真感光体を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は高い帯電能が得られた電子写真感光
体を提供することにある。

更に本発明の他の目的はｐｐｃ用に適した電子写真感光
体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、導電性基板上に、少なくとも、光導電
性ａ−３ｉ層及び光導電性アモルファスシリコンカーバ
イド層（以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−
ＳｉＣと略す）を順次形成した電子写真感光体であって
、前記ａ−ＳｉＣ層のシリコン（Ｓｉ）元素とカーボン
（Ｃ）元素の原子比率がＳｉ、、−ｘ＋ＣＸのχ値で０
．０１≦ｘ≦０．５の範囲内にあり且つその厚みが０．
０５〜５μｍの範囲内に設定され、更に該ａ−ＳｉＣ層
が周期律表第Ｖａ族元素を０．５〜１１００ｐｐ含有す
る第１の層領域並びに周期律表第１［ｌａ族元素を０．
５〜１１００ｐｐ含有する第２の層領域が順次積層され
て成り且つ第２の層領域の厚みが０．０２〜２μｍの範
囲内に設定されていることを特徴とする電子写真感光体
が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明電子写真感光体の基本的層構成は第１図に示す通
りであり、導電性基板（５）の上に光導電性ａ−Ｓｉ層
（６）及び光導電性ａ−３ｊＣ層（７）が順次積層され
、しかも、ａ−３ｉＣ層（７）が周期律表第Ｖａ族元素
ｃ以下、Ｖａ族元素と略す）を含む第１の層領域（７ａ
）と、周期律表第ｍａ族元素（以下、■ａ族元素と略す
）を含む第２の層領域（７ｂ）が順次積層されて成る。

本発明者等はａ−ＳｉＣ１１（７）に所定量のＶａ族元
素を含有させた場合に短波長側の光感度が顕著に高めら
れることを見い出し、そして、この知見に基づいて本発
明が完成されるに至った。

第１図に示す層構成によれば、その層（７）の厚みを所
定の範囲内に設定すると入射した光のうち短波長側がａ
−ＳｉＣ層（７）で吸収され、しかも、そのａ−３ｉＣ
層（７）を透過した光、即ち、長波長側の光がａ−Ｓｉ
層（６）で吸収され、これにより、短波長側及び長波長
側の両者ともに光感度が高められる。

また、このようにａ−ＳｉＣ１（７）にＶａ族元素を含
有させた場合、短波長側の光感度が高められたが、その
反面、帯電能が低下傾向にあることが判った。従って、
本発明においてはその問題を解決するためにａ−ＳｉＣ
層（７）を、少なくとも第１の層領域（７ａ）と第２の
層領域（７ｂ）より成る層とし、これによって顕著に帯
電能を高めることができた。

先ず、上記ａ−ＳｉＣ１（７）によれば、アモルファス
化したＳｉ元素及びＣ元素を不可欠な構成元素と成し、
そのダングリングボンドを終端させるべく水素（１１）
元素やハロゲン元素を所定の範囲内で含有させることに
よって光導電性が生じる。本発明者等がカーボンの含有
比率を幾通りにも変えて光導電性を確かめる実験を行っ
たところ、Ｓｉ元素とＣ元素の原子比率、即ち、Ｓｉｕ
−ｘ）　ＣＭのＸ値が０．０１≦ｘ≦０．５、好適には
０．０５≦×≦０．３の範囲内に設定された場合、暗導
電率が小さくなり、短波長側の光感度を高めることがで
きる。

また、１１元素やハロゲン元素などのダングリングボン
ド終端用元素への含有量は（Ｓｉ　（Ｉ□１ＣＸ）＋−
ｙ（Ａ）、で表したｙ値が０．０５≦ｙ≦０．５、好適
には０．０５≦ｙ≦０．４、最適には０．１　≦ｙ≦０
．３の範囲内になるように設定するとよい。このような
元素へにはダングリングボンドの終端部に取り込まれ易
くてバンドギャップ中の局在単位密度が低減化されると
いう点で通常ＩＩ元素が用いられる。

このａ−ＳｉＣ層（７）の厚みは０．０５〜５　μｍ　
、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、
この厚みが０．０５μｍ未満の場合には短波長光の吸収
が不十分となって光感度を高めることができず、５μｍ
を超える場合には残留電位が大きくなる。

また、ａ−ＳｉＣ層（７）はＳｉ元素とＣ元素の原子比
率、即ち、前記Ｘ値がその層厚方向に亘って均一である
場合、又は、そのＸ値が変化する場合のいずれでもよい
。

Ｘ値が層厚方向に亘って変化する場合には、そのＸ値が
０．０１　≦ｘ≦０．５の範囲内でａ−ＳｉＣＪｉ（７
）の厚みが決められ、このようにして決められた厚みも
０．０５〜５μｌ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に
設定する必要がある。

このようにＸ値が層厚方向に亘って変化する場合のカー
ボンドーピング分布には、例えば、第４図〜第９図に示
す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（７）の層厚方
向を示し、ａはａ−３ｉ　　層（６）との界面であり、
ｂはその反対側の界面であり、縦軸はカーボン含有量を
表す。

また、前記第１のＮ領域（７ａ）にはＶａ族元素をその
層厚方向に亘って均一に０．５〜１１００ｐｐ、好適に
は１〜５０ｐｐｎ＋の範囲内で含有させるとよく、この
含有量が０．５ｐｐｍ未満の場合には十分に大きな光感
度が得られず、一方、１１００ｐｐを超える場合には帯
電能が低下する。

上記Ｖａ族元素にはＮｔＰ、Ａｓ、Ｓｂ＋旧があるが、
就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え
得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られ
るという点で望ましい。

このように第１の層領域（７ａ）にＶａ族元素を含有さ
せるに当たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘
って不均一にしてもよく、例えば第１０図〜第１５図に
示す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（７）の層厚方
向を示し、ａはａ−Ｓｉ層（６）との界面であり、ｂは
その反対側の界面°であり、７ａは第１の層領域、７ｂ
は第２の層領域を表し、そして、縦軸はＶａ族元素含有
量を表す。

尚、Ｖａ族元素含有量を層厚方向に亘って変化させた場
合、その含有量は第１の層領域（７ａ）全体当たりの平
均値に対応する。

このようにａ−ＳｉＣ層（７）に第１の層領域（７ａ）
を形成したことによって短波長側の光感度を高めること
ができたが、更に第２の層領域（７ｂ）を形成したこと
によって帯電能を顕著に高めることができた。

第２の層領域（７ｂ）にはｍａ族元素をその層厚方向に
亘って均一に０．５〜１１００ｐｐ、好適には１〜５０
ｐｐｍの範囲内で含有させるとよく、この含有量が０、
５ｐｐｍ未満の場合には帯電能を一層高めることができ
ず、一方、１００ｐｐｒａを越える場合には短波長光に
対する感度が低下し、残留電位が太き（なる。

上記１［１ａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ等がある
が、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得
られるという点で望ましい。

このように第２の層領域（７ｂ）にｍａ族元素を含有さ
せるに当たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘
って不均一にしてもよく、例えば１６図〜第２１図に示
す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（７）の層厚方
向を示し、ａはａ−Ｓｉ層（６）との界面であり、ｂは
その反対側の界面であり、７ａは第１の層領域、７ｂは
第２の層領域を表わし、そして、縦軸はｍａ族元素含有
量を表わす。

このようにｍａ族元素含有量を層厚方向に亘って変化さ
せた場合、その含有量は第２の層領域（７ｂ）全体に当
たりの平均値に対応する。

上記第２の層領域（７ｂ）の厚みは０．０２〜２μｍ、
好適には０．０５〜１μｍの範囲内に設定すればよく、
０．０２μｍ未満の場合には帯電能を大きくすることが
できず、一方、２μｍを超えた場合には、この層領域（
７ｂ）でもって短波長光が吸収され、第１の層領域（７
ａ）へ至る短波長光が少なくなり・この層領域（７ａ）
で光感度を高めることがむずかしくなる。また、前記ａ
−Ｓｉ層（６）はアモルファス化したＱｉ元素と、その
ダングリングボンドを終端させるための１１元素やハロ
ゲン元素から成り、入射光のうち主に長波長側の光が吸
収される。

このａ−３ｉ層（６）の厚みは５〜１００　μｍ、好適
には１０〜５０μｍの範囲内に設定するのが望ましく、
この範囲内であれば、高い帯電能が得られ、しかも、長
波長光が有効に吸収されるという点で有利である。

また、ａ−Ｓｉ層（６）は実質上カーボン元素を含有し
ない層であるが、非常に微少量のカーボンを含有しても
よい。この場合、そのカーボンが１１０００ｐｐ以下、
好適には５００ｐｐｍ以下の範囲内であれば長波長光の
光感度が顕著に低下しない。

更に、ａ−Ｓｉ層（６）にはＶａ族元素を０．０１〜１
．０ｐｐｆｆｌ、好適には０．１〜５ｐｐｍの範囲内で
含有させてもよく、この範囲内であれば、高い帯電能が
得られ、しかも、残留電位を低凍化できるという点で有
利である。尚、このＶａ族元素のドーピング分布は層厚
方向に亘って均−又は不均一のいずれでもよく、不均一
にドーピングする場合の含有量はその層（６）の全体当
たりの平均値に対応する。

そして、このａ−Ｓｉ層（６）に含有させるＶａ族元素
にはＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ＋　Ｂｉがある。

かくして、本発明の電子写真感光体が、ハロゲンランプ
等の白色光を光源上して用いたＰＰＣに搭載された場合
、短波長側の光が主にａ−３ｉＣ層で吸収され、しかも
、長波長側の光が主にａ−Ｓｉ層で吸収され、これによ
り、赤外波長光をカットするためのフィルタが不要とな
り、感光体自体の光感度が著しく高められ、その上、高
い帯電能が得られる。

本発明の電子写真感光体は上記のような二層構造を不可
欠としているが、それ以外にキャリア注入阻止層や表面
保護層を形成してもよい。

例えば、第２図は典型的層構造を示しており、基板（５
）とａ−３ｉ層（６）の間にキャリア注入阻止層（８）
を、そして、ａ−ＳｉＣｊ！Ｆ（７）の上に表面保護層
（９）を形成している。

前記キャリア注入阻止層（８）については、基板（５）
からのキャリアの注入を阻止するものであり、表面保護
層（９）についてはａ−３ｉＣ層（７）を保護して耐湿
性などを向上させるものであり、しかも、両者のＮ（８
）及び１（９）はいずれも感光体の暗導電率を小さくし
て帯電能を高めることができる。

この表面保護層（９）にはそれ自体高絶縁性、高に４蝕
性並びに高硬度性を有するものであるならば種々の材料
を用いることができる。例えばポリイミド樹脂などの有
機材料、ＳｉＣ、ＳｉＯ、、Ａ１．Ｏ，、ＳｉＮなどの
無機材料を用いることができる。

また、キャリア注入阻止層（８）も上記表面保護層用材
料と同じ材料を用いることができる。

次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−３ｉ層又はａ−ＳｉＣ層を形成するにはグロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合にはＳｉ元素含有ガスを
、又はそのガスとＣ元素含有ガスを組合せ、グロー放電
分解する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｉ）Ｉｎ、　Ｓ
　ｉ　２　Ｈ６、Ｓ　ｉ　３　Ｉｔ　Ｂ　　、　　Ｓ　
ｉ　Ｆ　−１ＳｉＣ１４、５ＩＨＣ１ｚ等々があり、ま
た、Ｃ元素含有ガスにはＣＨ４、ＣｚＨｎ、Ｃ２１１□
、ＣＪｓ等々があり、就中、Ｃ２１１□は高連成膜性が
得られるという点で望ましい。

本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解
装置を第２２図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５、第６タンク（１
０）　（１１）　（１２）　（１３）　（１４）　（１
５）には、それぞれＳｉＨ４、Ｃｚ　１１　ｔ、Ｒｚ　
１１　ｂ、ＰＨ３，ＩＩ□、ＮＯガスが密封されており
、１１゜はキャリアガスとしても用いられる。これらの
ガスはそれぞれ対応する第１、第２、第３、第４、第５
、第６調整弁（１６）　（１７）　（１Ｂ）　（１９）
　（２０）　（２１）を開放することにより放出され、
その流量がマスフローコントローラ（２２）　（２３）
　（２４）　（２５）　（２６）　（２７）により制御
され、第１、第２、第３、第４、第５タンク（１０）　
（１１）　（１２）　（１３）　（１４）からのガスは
第１主管（２８）へ、第６タンク（１５）からのＮＯガ
スは第２主管（２９）へ送られる。尚、（３０）　（３
１）は止め弁である。第１主管（２８）及び第２主管（
２９）を通じて流れるガスは反応管（３２）へと送り込
まれるが、この反応管（３２）の内部には容量結合型放
電用電極（３３）が設置されており、それに印加される
高周波電力は５０臀〜３ＫＷが、また周波数は１〜５０
ＭＩＩｚが適当である。反応管（３２）の内部にはアル
ミニウムから成る筒状の成膜基板（３４）が試料保持台
（３５）の上に載置されており、この保持台（３５）は
モーター（３６）により回転駆動されるようになってお
り、そして、基板（３４）は適当な加熱手段により約２
００〜４００℃、好適には約２００〜３５０℃の温度に
均一に加熱される。更に反応管（３２）の内部はａ−Ｓ
ｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電時のガス圧０．１
〜２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ
（３７）と拡散ポンプ（３８）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えばａ−３ｉＣ膜を基板（３４）の上に形成する場合
、第１、第２、第５調整弁（１６）　（１７）　（２０
）を問いてそれぞれよりＳｉ）１４．ＣＺＩ＋２、Ｈ２
ガスを放出し、その放出量はマスフローコントローラ（
２２）　（２３）（２６）により制御され、ＳｉＨａ、
Ｃ，Ｈ２、Ｈ２の混合ガスは第１主管（２８）を介して
反応管（３２）へ流し込まれる。そして、反応管（３２
）の内部が０．１〜２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基
板温度が２００〜４００°Ｃ１容量結合型放電用電極（
３３）に印加される高周波電力が５０−〜３に−に設定
されていることに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが
分解してａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

（実施例） 次に本発明の詳細な説明する。

（例１） 第２２図のグロー放電分解装置を用いて第１表に示す通
りの成膜条件によりアルミニウム製基板上に光導電性ａ
−Ｓｉ層（６）、第１のＪｉＲＪｆ域（７ａ）及び第２
の層領域（７ｂ）を順次積層し、第１図に示す通りの感
光体ドラムを製作した。

かくして得られた感光体ドラムに、可視光分光器により
分光された０、３μＷ／ｃｍ２の単色光を照射し、表面
電位の半減時間を求めて分光感度を測定したところ、第
２３図に示す通りの結果が得られた。

同図において、横軸は波長であり、縦軸は光感度であり
、そして、○印は測定結果のプロットであり、ａはその
特性曲線である。

また第２３図には上記感光体ドラムより第２の層領域が
除かれた感光体ドラムが比較例として示されており、そ
の分光感度を測定したところ、φ印に示される測定結果
のプロットが得られ、ｂはその特性曲線である。

この結果より明らかな通り、本発明の感光体ドラムは短
波長側の光感度が顕著に大きくなっていることが判る。

尚、上記光導電性ａ−ＳｉＣ層のカーボン量をＩＥＳＣ
Ａ分析により求めたところ、ＳｉＩ−、Ｃ、のＸ値で０
．１２であり、また、そのＢ含有量及びＰ含有量を二次
イオン質量分析計により求めたところ、それぞれ２５ｐ
ｐｍ及び２０ｐｐｍであった。

（例２） 本例においては、第２表に示す通りの成膜条件によりア
ルミニウム製基板上にキャリア注入阻止層（８）、光導
電性ａ−３ｉ層（６）、光導電性ａ−ＳｉＣ層（７）及
び表面保護Ｎ（９）を順次積層し、第２図に示す通りの
感光体ドラムを製作した。

（以下余白） かくして得られた感光体ドラムをＰＰＣに搭載し、そし
て、赤色カットフィルタを用いないでハロゲンランプを
投光源とし、更にコロナチャージャで−５，６にνの電
圧を印加して負帯電させ、これにより、表面電位、光感
度並びに残留電位を測定したところ、下記に示す通りの
結果が得られた。

表面電位・・・・・・・−５２０ｖ 光感度（記録露光量）・・　０．５５　ｌｕｘ　　・ｓ
ｅｃ残留電位（露光開始５秒後の値）・・２５Ｖまた、
この感光体ドラムを高速ＰＰＣに搭載し、７０枚／分の
速度にて画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤
色部に対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃
度で且つカブリのない鮮明な画像が得られた。

（例３） 次に本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラ
ムより第２の層領域を除き、他の層は（例２）に示す通
りによって成膜された感光体ドラムについて、電子写真
特性を測定したところ、下記の通りの結果になった。

表面電位・・・・・・・−３８０ｖ 光感度（記録露光量）　　・・０．５２　ｌｕｘ　　−
５ｅｃ残留電位（露光開始５秒後の値）・・１８Ｖこの
結果より明らかな通り、残留電位が若干減少し、光感度
も若干高くなっているが、その反面、表面電位が顕著に
小さくなっている。

（例４） 本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムよ
り第１の層領域並びに第２の層領域のそれぞれの厚みを
幾通りにも変え、これによって感光体ドラムＡ−１を製
作し、各々の感光体ドラムの電子写真特性を測定したと
ころ、第３表に示すｉ止りの結果が得られた。

（以下余白） 第３表 傘印の感光体ドラムは本発明の範囲外のものである第３
表より明らかな通り、本発明の感光体ドラムＣ−Ｇは表
面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れた光感
度が得られたことが判る。

然るに感光体ドラムＡは光感度と表面電位に萌っており
、感光体ドラムＢは表面電位に劣っており、また、感光
体ドラムＨ，Ｉは残留電位が大きくなっている。

（例５） 本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムよ
り光導電性ａ−ＳｉＣＪｉのカーボン量並びに第１の層
領域のＰ含有量及び第２の層領域の８含有量をそれぞれ
幾通りにも変え、これによって感光体ドラムＪ−Ｘを製
作し、各々の感光体ドラムの電子写真特性を測定したと
ころ、 第４表に示す通りの結果が得られた。

（以下余白） 第４表 ＊印の感光体ドラムは本発明の範囲外のものである。

第４表より明らかな通り、本発明の感光体ドラムＭ−１
１は表面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れ
た感光体が得られていることが判る。

然るに、感光体ドラムＪ、には光感度に劣っており、感
光体ドラムしは表面電位が小さく、また、感光体ドラム
Ｖ、　Ｗ、　Ｘは光感度に劣り、しかも、残留電位が高
く、そのなかでも感光体ドラムＶ、Ｈについては表面電
位が低い。

また、本発明者等は上記感光体ドラムＣ−Ｇ及びＭ−Ｕ
をそれぞれ高速ＰＰＣに搭載し、７０枚７分の速度にて
画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤色部に対
する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃度で且つ
カブリのない鮮明な画像が得られることを確認した。

（発明の効果） 以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、光導電
性ａ−３ｉ層と光導電性ａ−ＳｉＣ層を積層し、そのａ
−ＳｉＣ層のカーボン原子比率及び厚み並びにｍａ族元
素含有量及びＶａ族元素含有量をそれぞれ所定の範囲内
に設定した場合、長波長側及び短波長側の両者の光感度
を高めることができ、その上、帯電能を高め、その結果
、赤外波長光カットフィルタを用いないで優れた光感度
が得られるＰＰＣ用の電子写真感光体が提供される。

また本発明の電子写真感光体によれば、高い帯電能が得
られ、これにより、高い画像濃度が得られ、しかも、複
写機現像系の設計自由度を高めて使い易くなった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の基本的層構造を示す断
面図、第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構造を
示す断面図、第３図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す断面図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図
及び第９図はカーボンドーピング分布を示す線図、第１
０図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図及び第
１５図は周期律表第Ｖａ族元素ドーピング分布を示す線
図、第１６図、第１７図、第１８図、第１９図、第２０
図及び第２１図は周期律表第ｍａ族元素ドーピング分布
を示す線図、第２２図はグロー放電分解装置の概略図、
第２３は分光怒度を示す線図である。 １．５　　・・導電性基板 ２．８・・・キャリア注入阻止層 ４．９・・・表面保護層 ６・・・・光Ｒ電性アモルファスシリコン層７・・・・
光’４Ｎ　性アモルファスシリコンカーバイド層 ７ａ　　・・・第１の層領域 ７ｂ　　・・・第２の層領域 特許出願人　（６６３）京　セ　ラ　株　式　会　社代
表者安城欽寿 同　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に、少なくとも、光導電性アモルファスシ
   リコン層及び光導電性アモルファスシリコンカーバイド
   層が順次形成された電子写真感光体であって、前記アモ
   ルファスシリコンカーバイド層のシリコン元素とカーボ
   ン元素の原子比率がＳｉ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｃｘのｘ
   値で０．０１≦ｘ≦０．５の範囲内にあり且つその厚み
   が０．０５〜５μｍの範囲内に設定され、更に該アモル
   ファスシリコンカーバイド層が周期律表第Ｖａ族元素を
   ０．５〜１００ｐｐｍ含有する第１の層領域並びに周期
   律表第IIIａ族元素を０．５〜１００ｐｐｍ含有する第
   ２の層領域が順次積層されて成り且つ第２の層領域の厚
   みが０．０２〜２μｍの範囲内に設定されていることを
   特徴とする電子写真感光体。