JPH01299058A - 薄膜型サーマルヘッド - Google Patents
薄膜型サーマルヘッドInfo
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- JPH01299058A JPH01299058A JP13111488A JP13111488A JPH01299058A JP H01299058 A JPH01299058 A JP H01299058A JP 13111488 A JP13111488 A JP 13111488A JP 13111488 A JP13111488 A JP 13111488A JP H01299058 A JPH01299058 A JP H01299058A
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- heating resistor
- thermal head
- layer
- protective film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感熱記録印字に用いられる薄膜型サーマルヘ
ッドに関するものである。
ッドに関するものである。
（発明の概要）
本発明は、Ｔａ−３ｔ０２を発熱抵抗体とする薄膜サー
マルヘッドで保護膜と発熱抵抗体の間にＴａｇ Ｏｓ層
を設け、保１１１Ｉの密着性を向上し、寿命の長い薄膜
サーマルヘッドを提供するものである。
マルヘッドで保護膜と発熱抵抗体の間にＴａｇ Ｏｓ層
を設け、保１１１Ｉの密着性を向上し、寿命の長い薄膜
サーマルヘッドを提供するものである。
一般に感熱記録印字に用いられるサーマルヘッドは、絶
縁基板上に複数個の発熱抵抗体および、発熱抵抗体に電
力を供給し、ジュール熱を発生させるための電極を順次
積層し、その上に発熱抵抗体が発熱時の酸化防止や印字
時の耐摩耗のために、第１層が酸化シリコン（８１０２
）であり、第２層が五酸化タンタル（Ｔａ２０ｓ）の２
１１！構造よりなる保護膜が形成されている。
縁基板上に複数個の発熱抵抗体および、発熱抵抗体に電
力を供給し、ジュール熱を発生させるための電極を順次
積層し、その上に発熱抵抗体が発熱時の酸化防止や印字
時の耐摩耗のために、第１層が酸化シリコン（８１０２
）であり、第２層が五酸化タンタル（Ｔａ２０ｓ）の２
１１！構造よりなる保護膜が形成されている。
このようなサーマルヘッドは近年、高速印字。
大型化、高密度化による低消費電流、高信頼性などの緒
特性が強く要求されているため、発熱抵抗体材料として
窒化タンタル（ＴａＮ）より高比抵抗で高温安定性に優
れたタンタル−酸化シリコン（Ｔａ−ａｉｏ２）が用い
られるようになってぎている。
特性が強く要求されているため、発熱抵抗体材料として
窒化タンタル（ＴａＮ）より高比抵抗で高温安定性に優
れたタンタル−酸化シリコン（Ｔａ−ａｉｏ２）が用い
られるようになってぎている。
しかしＴａ−３ｉＣｈを用いた場合、従来の保護膜第１
層の３１０２との密着性が悪いため、印字時保護膜に亀
裂や剥離が発生し、号−マルヘッドの寿命が劣るとしう
問題点があった。
層の３１０２との密着性が悪いため、印字時保護膜に亀
裂や剥離が発生し、号−マルヘッドの寿命が劣るとしう
問題点があった。
上述したように、従来の保護膜ではＴａ−３ｉＯ２から
なる発熱抵抗体との密着性が悪いため寿命が短く、」−
分な特性を有していない。
なる発熱抵抗体との密着性が悪いため寿命が短く、」−
分な特性を有していない。
かかる点から本発明は、発熱抵抗体と保護膜のＷ！者性
を向上しハサーマルヘッドの寿命を延ばす事を目的とす
るものである。
を向上しハサーマルヘッドの寿命を延ばす事を目的とす
るものである。
本発明は上記問題点を解決するために、発熱抵抗体と保
護膜の中間にＴａ２０ｓ層を備えた薄膜型サーマルヘッ
ドを構成したものである。
護膜の中間にＴａ２０ｓ層を備えた薄膜型サーマルヘッ
ドを構成したものである。
上述したように発熱抵抗体と保護膜の中間にＴａ２０ｓ
層を形成する事により、密着性が向上し、長寿命のサー
マルヘッドを構成できる。
層を形成する事により、密着性が向上し、長寿命のサー
マルヘッドを構成できる。
第１図はこの発明の一実施例であるサーマルヘッドの断
面図を示す。
面図を示す。
第１図において電気的絶縁基板１上にスパッタリングに
よりＴａ−３ｉＯｚよりなる発熱抵抗体２を形成し、こ
の上に発熱抵抗体に電力を供給するためのＴｉＩ４を形
成した後、フォトリソグラフィー技術によりパターン形
成する。この上に発熱抵抗体と保護膜の密着性向上のた
めのＴａ２０ｓ層４と保護膜第１ＷＪ（３１０２）５と
第２層（Ｔａ２０ｓ） ６をスパッタリングにより順次
形成した構成となっている。
よりＴａ−３ｉＯｚよりなる発熱抵抗体２を形成し、こ
の上に発熱抵抗体に電力を供給するためのＴｉＩ４を形
成した後、フォトリソグラフィー技術によりパターン形
成する。この上に発熱抵抗体と保護膜の密着性向上のた
めのＴａ２０ｓ層４と保護膜第１ＷＪ（３１０２）５と
第２層（Ｔａ２０ｓ） ６をスパッタリングにより順次
形成した構成となっている。
保Ｉｌ躾のスパッタリングは、５１０２ターゲツトとＴ
ａ２ Ｑ５ターゲットを備えた高周波マグネットロンス
パッタリングにより行い、中間層のＴａ２０５と保護膜
第１層の３１０２と第２層のＴａ２０ｓを１回のスパッ
タリングで連続的に形成する。また中間層のＴａ２αは
、保護膜第２層の丁ａ２ Ｑ５に比べ軟質の膜となるよ
うにスパッタリング時の高周波出力を３０−・８０％程
度低くしてスパッタリングを行い、膜厚は１趨以下とし
た。
ａ２ Ｑ５ターゲットを備えた高周波マグネットロンス
パッタリングにより行い、中間層のＴａ２０５と保護膜
第１層の３１０２と第２層のＴａ２０ｓを１回のスパッ
タリングで連続的に形成する。また中間層のＴａ２αは
、保護膜第２層の丁ａ２ Ｑ５に比べ軟質の膜となるよ
うにスパッタリング時の高周波出力を３０−・８０％程
度低くしてスパッタリングを行い、膜厚は１趨以下とし
た。
第２図は、膜厚０．５趨のＴａ２０ｓ層を形成したサー
マルヘッド（実線で示す）と、形成していないサーマル
ヘッド（破線で示す）を用いて、連続パルス印加試験を
行った結果を示す。試験条件としてはパルス幅１ ａ＋
ｓｅｃ、パルス周期１ｏ＋ｅｓｅｃ、印加電力４０Ｗ／
−で行い、初期抵抗値との変化率を示した。この結果よ
りＴａ２０ｓＷＩを形成した場合の方が寿命が長くなる
ことがわかる。
マルヘッド（実線で示す）と、形成していないサーマル
ヘッド（破線で示す）を用いて、連続パルス印加試験を
行った結果を示す。試験条件としてはパルス幅１ ａ＋
ｓｅｃ、パルス周期１ｏ＋ｅｓｅｃ、印加電力４０Ｗ／
−で行い、初期抵抗値との変化率を示した。この結果よ
りＴａ２０ｓＷＩを形成した場合の方が寿命が長くなる
ことがわかる。
以上述べてぎた通り、Ｔａ−８ＬＣｈ発熱抵抗体と保護
膜の中間にＴａ２０ｓＷＩ ッドは、明らかに寿命が延び、信頼性が高くなる。
膜の中間にＴａ２０ｓＷＩ ッドは、明らかに寿命が延び、信頼性が高くなる。
以上述べたように本発明は、発熱抵抗体と保護膜の中間
に膜厚１＃以下のＴａ２０ｓ層を備えた薄膜型サーマル
ヘッドであり、これによりサーマルヘッドの寿命の向上
が容易にでき、その工業的価値は非常に＾い。
に膜厚１＃以下のＴａ２０ｓ層を備えた薄膜型サーマル
ヘッドであり、これによりサーマルヘッドの寿命の向上
が容易にでき、その工業的価値は非常に＾い。
第１図は本発明における薄膜型サーマルヘッドの断面を
示した図。第２図は本発明の一実施例として連続パルス
印加寿命を示した図である。 １・・・絶縁基板 ２・・・発熱抵抗体 ４− Ｔａ２０ｓ層（中間層） ５・ｆｆ１１１１１ｍ第１１１ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬之助 本−５！明の実施例の断面図 第 １ 図 ／ＹルアｆＴ１７７０Ｕ３数（回） 本発明の欠流を１の左窒説朗図 第 ２ 図
示した図。第２図は本発明の一実施例として連続パルス
印加寿命を示した図である。 １・・・絶縁基板 ２・・・発熱抵抗体 ４− Ｔａ２０ｓ層（中間層） ５・ｆｆ１１１１１ｍ第１１１ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬之助 本−５！明の実施例の断面図 第 １ 図 ／ＹルアｆＴ１７７０Ｕ３数（回） 本発明の欠流を１の左窒説朗図 第 ２ 図
Claims (1)
- タンタル−酸化シリコン（Ｔａ−ＳｉＯ＿２）を発熱抵
抗体とする薄膜型サーマルヘッドにおいて、保護膜と発
熱抵抗体の中間に五酸化タンタル（Ｔａ＿２Ｏ＿５）層
を形成した事を特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13111488A JPH01299058A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜型サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13111488A JPH01299058A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜型サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01299058A true JPH01299058A (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=15050314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13111488A Pending JPH01299058A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 薄膜型サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01299058A (ja) |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP13111488A patent/JPH01299058A/ja active Pending
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