JPH01297483A - 紫外線照射型ダイシングテープ - Google Patents
紫外線照射型ダイシングテープInfo
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- JPH01297483A JPH01297483A JP63125062A JP12506288A JPH01297483A JP H01297483 A JPH01297483 A JP H01297483A JP 63125062 A JP63125062 A JP 63125062A JP 12506288 A JP12506288 A JP 12506288A JP H01297483 A JPH01297483 A JP H01297483A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェハーのダイシング時に上記半導体ウ
ェハーを固定する紫外線照射型ダイシングテープに関す
る。
ェハーを固定する紫外線照射型ダイシングテープに関す
る。
（従来の技術）
従来、５インチ程度以上の大口径の半導体ウェハーを１
チツプ毎にダイシングする際、第３図（ａ）に示すよう
にダイシングテープ（１）が用いられている。これは、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、？リオレフィン、ポリプロピレン等で形成され
た１０〜１００μｍ程度の紫外線透過性のテープ基材（
２ｂ）と、その表面に、ゴム系あるいはアクリル系の紫
外線を照射することにより硬化し粘着性を失う粘着剤が
塗布された粘着剤層（２ａ）とから構成されている。こ
れを用いてダイシングを行なう場合、同図（ｂ）及び（
Ｃ）に示すように、まず半導体ウェハー（４）を上記粘
着剤層（２ａ ）に付着し、その後ダイシング時に上記
ダイシングテープ（１）が動かないように固定するため
に金属等で形成された環状のリング（３）に貼り付けて
からダイシングを行ない上記半導体ウェハー（４）を所
望のチップサイズに分割していた。そして更に上記テー
プ基材（２ｂ）裏面から紫外線を照射して、上記粘着剤
を硬化させることにより上記半導体ウェハー（４）と上
記粘着剤ｆｉ（２ａ）との接着弛度を低下させて、後工
程のダイボンダにおいて、上記ダイシングテープから１
チツプ毎にダイシングされた上記半導体ウェハー（４）
をピックアップしていた。
チツプ毎にダイシングする際、第３図（ａ）に示すよう
にダイシングテープ（１）が用いられている。これは、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、？リオレフィン、ポリプロピレン等で形成され
た１０〜１００μｍ程度の紫外線透過性のテープ基材（
２ｂ）と、その表面に、ゴム系あるいはアクリル系の紫
外線を照射することにより硬化し粘着性を失う粘着剤が
塗布された粘着剤層（２ａ）とから構成されている。こ
れを用いてダイシングを行なう場合、同図（ｂ）及び（
Ｃ）に示すように、まず半導体ウェハー（４）を上記粘
着剤層（２ａ ）に付着し、その後ダイシング時に上記
ダイシングテープ（１）が動かないように固定するため
に金属等で形成された環状のリング（３）に貼り付けて
からダイシングを行ない上記半導体ウェハー（４）を所
望のチップサイズに分割していた。そして更に上記テー
プ基材（２ｂ）裏面から紫外線を照射して、上記粘着剤
を硬化させることにより上記半導体ウェハー（４）と上
記粘着剤ｆｉ（２ａ）との接着弛度を低下させて、後工
程のダイボンダにおいて、上記ダイシングテープから１
チツプ毎にダイシングされた上記半導体ウェハー（４）
をピックアップしていた。
（発明が解決しようとする課題）
上述したような従来のダイシングテープ（１）を用いて
紫外線を照射した場合、 （イ） 紫外線照射不充分、 （ロ） 紫外線照射方向が間違っている、（ハ） 紫外
線未照射、 等の不具合により、上記粘着剤が十分に硬化せず次工程
のダイボンドで上記ダイシングテープ（１）から上記半
導体ウェハー（４）をピックアップできずに不良になる
可能性がある。このような事を無くすために＠造工程に
おいて紫外線照射後、接着力を測定し所定の接着力に低
下したことを確認してから次工程に進める方法もあるが
、接着力の測定が非常に難しく、歩留りが上がらないと
いう問題がある。
紫外線を照射した場合、 （イ） 紫外線照射不充分、 （ロ） 紫外線照射方向が間違っている、（ハ） 紫外
線未照射、 等の不具合により、上記粘着剤が十分に硬化せず次工程
のダイボンドで上記ダイシングテープ（１）から上記半
導体ウェハー（４）をピックアップできずに不良になる
可能性がある。このような事を無くすために＠造工程に
おいて紫外線照射後、接着力を測定し所定の接着力に低
下したことを確認してから次工程に進める方法もあるが
、接着力の測定が非常に難しく、歩留りが上がらないと
いう問題がある。
また、上述したような問題を改善する方法として例えば
、紫外線照射により変色するような材料を粘着剤に混合
させ、目視により十分紫外線が照射されたかどうかを判
断する方法もあるが、この場合、上記粘着剤に紫外線照
射により変色するような材料を混合するためにその組成
が変り、紫外線を照射しても所望の接着力低下が起らな
いといった問題や、上記材料の種類によっては不純物が
発生し、これが半導体ウェハー表面に付着し、信頼性が
悪化する問題が生じるし、これらを解決しようとすれば
多大な開発費がかかつてしまいコストアップは避けられ
ない。
、紫外線照射により変色するような材料を粘着剤に混合
させ、目視により十分紫外線が照射されたかどうかを判
断する方法もあるが、この場合、上記粘着剤に紫外線照
射により変色するような材料を混合するためにその組成
が変り、紫外線を照射しても所望の接着力低下が起らな
いといった問題や、上記材料の種類によっては不純物が
発生し、これが半導体ウェハー表面に付着し、信頼性が
悪化する問題が生じるし、これらを解決しようとすれば
多大な開発費がかかつてしまいコストアップは避けられ
ない。
そこで本発明は、所定量の紫外線照射により変色し、目
視により紫外線照射の有無及び所望の接着力低下が得ら
れたかどうかを容易に確認でき、歩留り良く半導体ウェ
ハーをダイボンドすることができて、安価な紫外線照射
型ダイシングテープを提供することを目的としている。
視により紫外線照射の有無及び所望の接着力低下が得ら
れたかどうかを容易に確認でき、歩留り良く半導体ウェ
ハーをダイボンドすることができて、安価な紫外線照射
型ダイシングテープを提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
本発明の紫外線照射型ダイシングテープは・ダイシング
の際に半導体ウェハーを接着するための粘着剤で形成さ
れている粘着剤層と、この粘着剤層が形成されていて紫
外線透過性を有するテープ基材と、上記テープ基材の上
記粘着剤層が形成されていない面に選択的にあるいは全
体的に形成されていて紫外線照射により変色する変色材
料層とＫより構成されている。
の際に半導体ウェハーを接着するための粘着剤で形成さ
れている粘着剤層と、この粘着剤層が形成されていて紫
外線透過性を有するテープ基材と、上記テープ基材の上
記粘着剤層が形成されていない面に選択的にあるいは全
体的に形成されていて紫外線照射により変色する変色材
料層とＫより構成されている。
（作用）
上述したように構成されたちのにおいては、粘着剤で形
成された粘着剤層に接着されている半導体ウェハーをダ
イシング後に紫外線を照射した際に、紫外線照射により
変色する変色材料層がテープ基板の上記粘着剤層が形成
されていない面に形成されているので、所定の紫外線が
照射されたかどうか目視により確認することができる。
成された粘着剤層に接着されている半導体ウェハーをダ
イシング後に紫外線を照射した際に、紫外線照射により
変色する変色材料層がテープ基板の上記粘着剤層が形成
されていない面に形成されているので、所定の紫外線が
照射されたかどうか目視により確認することができる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を挙照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｈ）は本発明の第１の実施例を示す
紫外線照射型ダイシングテープである。この図において
、１０〜１００μ程度の紫外線透過性のテープ基材（２
ｂ）とその表面に粘着剤により形成された粘着剤層（２
ａ）は従来と同様に構成されている。そして、上記テー
プ基材（２ｂ）の上記粘着剤Ｗｔ （２ａ ）が形成さ
れている面とは反対側の面に全体的に、紫外線・を照射
することにより変色するような変色材料が塗布され、変
色材料層（５）が形成されている。次に、このように形
成された紫外線照射型ダイシングテープ（６）を用いて
ダイシングを行なう場合の動作を説明する。まず、ダイ
シングしたい半導体ウェハー（４）を上記粘着剤＃（２
ａ）の中央部に付着させ、次にダイシング時に上記ダイ
シングテープ（６）が動かないように金属等で形成され
た環状のリング（３）に上記粘着剤層（２ａ）を貼り付
け、ダイシングを行なう。そしてその後、上記粘着剤層
（２ａ）から上記半導体ウェハー（４）をピックアップ
するために上記ダイシングテープ（６）の上記変色材料
層（５）側から所定の紫外線を照射して上記粘着剤層（
２ａ）を硬化させてピックアップできるようにする。そ
の際に同時に上記変色材料層（５）も所定の紫外線が照
射されていれば変色する。
紫外線照射型ダイシングテープである。この図において
、１０〜１００μ程度の紫外線透過性のテープ基材（２
ｂ）とその表面に粘着剤により形成された粘着剤層（２
ａ）は従来と同様に構成されている。そして、上記テー
プ基材（２ｂ）の上記粘着剤Ｗｔ （２ａ ）が形成さ
れている面とは反対側の面に全体的に、紫外線・を照射
することにより変色するような変色材料が塗布され、変
色材料層（５）が形成されている。次に、このように形
成された紫外線照射型ダイシングテープ（６）を用いて
ダイシングを行なう場合の動作を説明する。まず、ダイ
シングしたい半導体ウェハー（４）を上記粘着剤＃（２
ａ）の中央部に付着させ、次にダイシング時に上記ダイ
シングテープ（６）が動かないように金属等で形成され
た環状のリング（３）に上記粘着剤層（２ａ）を貼り付
け、ダイシングを行なう。そしてその後、上記粘着剤層
（２ａ）から上記半導体ウェハー（４）をピックアップ
するために上記ダイシングテープ（６）の上記変色材料
層（５）側から所定の紫外線を照射して上記粘着剤層（
２ａ）を硬化させてピックアップできるようにする。そ
の際に同時に上記変色材料層（５）も所定の紫外線が照
射されていれば変色する。
本実施例によれば、上記粘着材層（２ａ）を硬化させる
ための紫外線照射で同時に上記変色材料層の色が変わる
ので容易に所定の紫外線が照射されたかどうかを確認す
ることができる。また、変色材料を粘着剤に混合しない
ので変色材料を選ばず、どのような変色材料でも選択で
き、上記粘着剤の特性を損うことはない。
ための紫外線照射で同時に上記変色材料層の色が変わる
ので容易に所定の紫外線が照射されたかどうかを確認す
ることができる。また、変色材料を粘着剤に混合しない
ので変色材料を選ばず、どのような変色材料でも選択で
き、上記粘着剤の特性を損うことはない。
従って、安いコストで歩留り良く半導体ウェハーをダイ
シングできる紫外線照射型ダイシングテープを＠造する
ことができる。
シングできる紫外線照射型ダイシングテープを＠造する
ことができる。
次に第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の＃Ｓ２の実施例
を示す紫外線照射型ダイシングテープである。この図に
おいて、変色材料１？！ （５）が、上記テープ基材（
２ｂ）の上記粘着剤層（２ａ）が形成されていない面の
中央部付近に帯状に形成されている。その他の構成は上
述した第１の実施例と同様である。
を示す紫外線照射型ダイシングテープである。この図に
おいて、変色材料１？！ （５）が、上記テープ基材（
２ｂ）の上記粘着剤層（２ａ）が形成されていない面の
中央部付近に帯状に形成されている。その他の構成は上
述した第１の実施例と同様である。
本実施例の効果は係る第１の実施例と同様の効果が得ら
れるのは勿論、更に変色材料層（５）をテープ基材（２
ｂ）全面に塗布せずに帯状に塗布するだけでよいので構
造をより簡単にすることができ更に低コスト化を図るこ
とができる。
れるのは勿論、更に変色材料層（５）をテープ基材（２
ｂ）全面に塗布せずに帯状に塗布するだけでよいので構
造をより簡単にすることができ更に低コスト化を図るこ
とができる。
以上詳述した実施例においては、変色材料層をテープ基
材の全面あるいは中央部付近に帯状に塗布した也のに関
して述べてきたが、上記変色材料層はこれに限定される
ものではなく、上記テープ基材の少なくとも１点に形成
してもかまわず、上述した第１及び第２の実施例と同様
の効果を得ることができる。
材の全面あるいは中央部付近に帯状に塗布した也のに関
して述べてきたが、上記変色材料層はこれに限定される
ものではなく、上記テープ基材の少なくとも１点に形成
してもかまわず、上述した第１及び第２の実施例と同様
の効果を得ることができる。
また、上記実施例においては変色材料層（５）の形成に
変色材料を上記テープ基材（２ｂ）に塗布するようにし
たものに関して説明したが、上記変色材料をシール状に
形成して、上記テープ基材（２ｂ）に貼るようにしても
かまわず、上述した第１及び第２の実施例と同様の効果
が得られ、更により簡単に＠造することができる。
変色材料を上記テープ基材（２ｂ）に塗布するようにし
たものに関して説明したが、上記変色材料をシール状に
形成して、上記テープ基材（２ｂ）に貼るようにしても
かまわず、上述した第１及び第２の実施例と同様の効果
が得られ、更により簡単に＠造することができる。
本発明は以上説明してきたように、ダイシングされた半
導体ウェハーをピックアップする際に照射する紫外線が
十分に照射されたかどうかを目視により容易に確認する
ことができるので、半導体ウェハーを歩留り良くダイシ
ングすることができ、更に低コスト化することが可能と
なる。
導体ウェハーをピックアップする際に照射する紫外線が
十分に照射されたかどうかを目視により容易に確認する
ことができるので、半導体ウェハーを歩留り良くダイシ
ングすることができ、更に低コスト化することが可能と
なる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す紫外線照射
型ダイシングテープの断面図、同図（ｂ）はその平面図
、第２図（ａ）は本発明の第２の実施例を示す断面図、
同図（ｂ）はその平面図、第３図（ａ）は従来のダイシ
ングテープの断面図、同図（１））はそれに半導体ウェ
ハーを貼り付けた時の断面図、同図（Ｃ）はその平面図
である。 ２ａ・・・粘着剤層、 ２ｂ・・・テープ基材、 ５ ・・・変色材料層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ＋＋＋＋＋ （ＣＬ） （′Ｄ） 著 １ 区 （ａ） （ｂ） 第 ？ ロ ／２α ＋＋＋＋＋ 冨 ３ 図
型ダイシングテープの断面図、同図（ｂ）はその平面図
、第２図（ａ）は本発明の第２の実施例を示す断面図、
同図（ｂ）はその平面図、第３図（ａ）は従来のダイシ
ングテープの断面図、同図（１））はそれに半導体ウェ
ハーを貼り付けた時の断面図、同図（Ｃ）はその平面図
である。 ２ａ・・・粘着剤層、 ２ｂ・・・テープ基材、 ５ ・・・変色材料層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ＋＋＋＋＋ （ＣＬ） （′Ｄ） 著 １ 区 （ａ） （ｂ） 第 ？ ロ ／２α ＋＋＋＋＋ 冨 ３ 図
Claims (1)
- ダイシングの際に半導体ウエハーを接着し紫外線を照射
すると硬化し接着強度の低下する粘着剤で形成された粘
着剤層と、上記半導体ウエハー接着面に上記粘着剤層が
形成されている紫外線透過性を有するテープ基材と、上
記テープ基材の上記粘着剤層が形成されていない面に形
成され上記紫外線照射により変色する変色材料層とを有
することを特徴とする紫外線照射型ダイシングテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12506288A JPH0623347B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 紫外線照射型ダイシングテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12506288A JPH0623347B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 紫外線照射型ダイシングテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297483A true JPH01297483A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH0623347B2 JPH0623347B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=14900877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12506288A Expired - Fee Related JPH0623347B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 紫外線照射型ダイシングテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623347B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492830A2 (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-01 | Dow Corning Corporation | Method of indicating a cure point for ultraviolet radiation curing compositions by color change |
| EP0715341A1 (en) * | 1994-11-29 | 1996-06-05 | LINTEC Corporation | Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet |
| EP1321290A3 (de) * | 2001-12-13 | 2003-11-26 | Andreas Peter Galac | Verfahren zur Herstellung von Verbundglas |
| KR100557875B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2006-03-10 | 주식회사 애드텍 | Ｐｖｃ 지지체를 포함하는 감압형 다이싱용 점착제테이프의 제조방법 및 점착제 테이프 |
| JP2016000523A (ja) * | 2014-05-22 | 2016-01-07 | 大日本印刷株式会社 | 積層体の製造方法及びそれに用いる接着シート |
| CN107022319A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-08-08 | 东莞市睿泰涂布科技有限公司 | 抗静电uv减粘组合物、保护膜及该保护膜的制备工艺 |
| CN108748736A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 浙江美迪凯现代光电有限公司 | 一种用于厚玻璃制品的切割方式 |
| JP2020113678A (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物ユニット |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12506288A patent/JPH0623347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492830A2 (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-01 | Dow Corning Corporation | Method of indicating a cure point for ultraviolet radiation curing compositions by color change |
| EP0711802A3 (en) * | 1990-12-28 | 1996-09-25 | Dow Corning | Process for visualizing the curing of a UV-curable composition by color change |
| EP0715341A1 (en) * | 1994-11-29 | 1996-06-05 | LINTEC Corporation | Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet |
| EP1321290A3 (de) * | 2001-12-13 | 2003-11-26 | Andreas Peter Galac | Verfahren zur Herstellung von Verbundglas |
| KR100557875B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2006-03-10 | 주식회사 애드텍 | Ｐｖｃ 지지체를 포함하는 감압형 다이싱용 점착제테이프의 제조방법 및 점착제 테이프 |
| JP2016000523A (ja) * | 2014-05-22 | 2016-01-07 | 大日本印刷株式会社 | 積層体の製造方法及びそれに用いる接着シート |
| CN107022319A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-08-08 | 东莞市睿泰涂布科技有限公司 | 抗静电uv减粘组合物、保护膜及该保护膜的制备工艺 |
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