JPH01291215A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH01291215A
JPH01291215A JP63119202A JP11920288A JPH01291215A JP H01291215 A JPH01291215 A JP H01291215A JP 63119202 A JP63119202 A JP 63119202A JP 11920288 A JP11920288 A JP 11920288A JP H01291215 A JPH01291215 A JP H01291215A
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slits
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Tomio Kashihara
富雄 樫原
Kenji Sakashita
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、液晶表示装置に関する。
(従来の技術) 最近、平面デイスプレィとしてアクティブマトリックス
型液晶表示装置が広く市販され、その軽量性、低消費電
力から注目されている。中でも、スイッチ素子として薄
膜トランジスタを用いた液晶表示装置は、高コントラス
トで画質が良好であるため、小形カラーテレビに広く使
用されている。
かかる液晶表示装置は、通常、第3図に示す構造になっ
ている。即ち、図中の1はガラス基板である。この基板
1の表面上には、マトリックス状の薄膜トランジスタア
レイ2及び画素電極(図示せず)が形成されている。ま
た、前記基板1の表面上には前記薄膜トランジスタアレ
イ2及び画素電極を囲むように枠状のスペーサ3が設け
られている。前記基板1上の前記スペーサ3で囲まれた
領域内には、液晶4が収容されている。前記スペーサ3
上には、ITO(In −8n−0化合物)からなる対
向電極5、保護層6及びカラーフィルタ7が順次設けら
れている。前記カラーフィルタ7上及び前記基板1の裏
面には、夫々偏光板8a、 8bが設けられている。
ところで、前記液晶表示装置におけるガラス基板上に形
成された薄膜トランジスタアレイ及び画素電極は従来よ
り第4図及び第5図に示す構造になっている。即ち、第
4図はガラス基板上に形成された薄膜トランジスタアレ
イ及び画素電極を示す平面図、第5図は液晶表示装置の
薄膜トランジスタ周辺を示す断面図である。図中の11
は、ガラス基板であり、この基板ll上には複数のゲー
ト電極12が設けられている。これらのゲート電極12
は、前記ガラス基板11表面に設けられた行選択線13
が一体的に接続されている。前記ゲート電極12及び行
選択線13を含むガラス基板11上には、ゲート絶縁膜
14が被覆されている。このゲート絶縁膜14の前記各
ゲート電極12に対向する部分には、例えばアモルファ
スシリコンからなるチャンネル領域15が形成されてお
り、かつ該チャンネル領域15上には互いに電気的に分
離されiこ不純物ドープアモルファスシリコンからなる
ソース、ドレイン領域16.17が設けられている。前
記各チャンネル領域12のソース領域16側に隣接する
前記ゲート絶縁膜14上には、矩形状をなす透明導電材
料(例えばITO)からなる画素電極18が夫々設けら
れている。前記ソース領域16にはソース電極19の一
端が接続され、かつ該ソース電極19の他端は前記画素
電極18上に延在して接続されている。また、前記行選
択線13と直交する方向の前記各画素電極18間には列
選択線を兼ねるドレイン電極20が前記ドレイン領域1
7と接続するように設けられている。なお、図中の21
はITO対向電極、22は保護層、23はガラス基板1
1とITO対向電極21の間に収容された液晶である。
こうした構成の液晶表示装置において、特定の行選択線
13及び列選択線を兼ねるドレイン電極20に所定の電
圧を印加すると、それら行選択線13のゲート電極12
とドレイン電極20とが交差する薄膜トランジスタのド
レイン領域17からからソース領域16に電流が流れ、
これと接続される画素電極18、共通電極としてのIT
O対向電極21及びこれら電極18.21の間に位置す
る液晶23で構成されたコンデンサに電荷がチャージさ
れる。この電荷のチャージにより画素電極18とITO
対向電極21の間に電界が加わり、液晶23は光スィッ
チの働きがなされて画像を表示する。
しかしながら、上述した従来の液晶表示装置ではガラス
基板上に形成された透明導電材料からなる画素電極がべ
た膜であるため、第5図に示すようにガラス基板11と
ITO対向電極21の間の液晶23に導電性異物24が
混入すると、画素電極18と対向電極21の間でショー
トして一画素全体が点欠陥不良を生じる。また、前記導
電性異物が画素電極と列選択線を兼ねるドレイン電極に
跨って付着した場合にも同様にそれらの間のショートに
より一画素全体が点欠陥不良を生じる。
このようなことから、導電性異物が付着された画素電極
周辺をレーザ光の照射によりカットする技術が開発され
つつある。しかしながら、かかる技術では1素電極に付
着した導電性異物の大小によってカットのパターンが変
動するため、カット作業が繁雑となり、かつ時間がかか
るばかりか、画素電極のカット領域が広くなると、その
溶融物の周囲への飛散、付着によって再び画素電極と列
選択線を兼ねるドレイン電極とがショートを起こす恐れ
がある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記従来の課題を解決するために−5= なされたもので、導電性異物の付着により画素電極と対
向電極又は列選択線を兼ねるドレイン電極との間のショ
ートが生じた場合、該導電性異物が付着された画素電極
の周辺を簡単な操作でかつ一辺への溶融物の飛散を招く
ことなくカットして点欠陥不良を修復し得る液晶表示装
置を提供しようとするものである。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 本発明は、透明絶縁基板上にマトリックス状続される透
明導電材料からなる画素電極とを備えたアクティブマト
リックスタイプの液晶表示装置において、前記画素電極
にスリットを形成したことを特徴とする液晶表示装置で
ある。
(作用) 本発明によれば、透明絶縁基板上に設けられた画素電極
にスリットを形成しであるため、該画素電極に導電性異
物が付着した場合、該異物周辺のスリット間の画素電極
部分にレーザ光等を照射してカットすることにより該異
物が付着された画素電極部分を切離すことができる。そ
の結果、導電性異物の付着による画素電極と対向電極又
は列選択線を兼ねるドレイン電極との間のショートを解
消して一画素電極全体の点欠陥不良を防止できる。また
、前記レーザ光によるカットは画素電極に形成されたス
リット間の微小領域にレーザ光を照射することによって
行なうことかできるため、導電性異物か付着された画素
電極部分の切離操作を著しく簡単かつ短時間で行なうこ
とができる。
更に、前記し〜す光の照射、カットに際しての溶融物の
飛散量を著しく低減できるため、画素電極と列選択線を
兼ねるドレイン電極とに前記溶融物か付着してそれらの
間でショートを起こすという問題を回避できる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を第1図を参照して詳細に説明す
る。
図中の31は、厚さ500〜1500人の透明導電材料
(例えばITO)からなる長方形状の画素電極である。
この画素電極31は、前述した第4図に示すのと同様に
透明絶縁基板であるガラス基板上に薄膜トランジスタと
共に設けられ、かつ該トランジスタのソース電極と接続
されている。前記画素電極31には、スリット32が2
次元方向に形成されている。こうしたスリット32の形
成により前記画素電極31は、該スリット32間のブリ
ッジ33て繋がった複数の小画素領域34a〜34ノに
分割された形状になっている。
このような構成によれば、例えば第2図(A)に示すよ
うに画素電極31の小画素領域34dに導電性異物35
が付着した場合、該小画素領域34dを分割するスリッ
ト32間のブリッジ33に例えばYAGレーザの微細に
集光したレーザ光を図示しないガラス基板を通して照射
、溶融し、カット部3Bを形成する。かかる操作によっ
て該異物35が付着した小画素領域34dを画素電極3
1から分離できるため画素電極31とITO対向電極(
図示せず)との間のショートを解消して一画素電極全体
の点欠陥不良を防止することかできる。
また、第2図(B)に示すように画素電極31の小画素
領域34aと列選択線を兼ねるドレイン電極20とに跨
って導電性異物35が付着した場合、該小画素領域34
aを分割するスリット32間のブリッジ33に例えばY
AGレーザの微細に集光したレーザ光を照射、溶融して
カット部3Bを形成する。かかる操作により該異物35
が付着した小画素領域34aを画素電極31から分離て
きるため、画素電極31とドレイン電極20との間のシ
ョートを解消して一画素電極全体の点欠陥不良を防止す
ることができる。
更に、第2図(C)に示すように画素電極31の小画素
領域34d、34gに跨って導電性異物35か付着した
場合、該小画素領域34d、34gを分割するスリット
32間のブリッジ33に例えばYAGレーザの微細に集
光したレーザ光を図示しないガラス基板を通して照射、
溶融し、カット部36を形成する。
かかる操作によって該異物35が付着した小画素領域3
4d、34gを画素電極31から分離できるため、画素
電極3】とITO対向電極(図示せず)との間のショー
トを解消して一画素電極全体の点欠陥不良を防止するこ
とができる。
また、前述したレーザ光によるカットは画素電極31に
形成されたスリット32間のブリッジ33(微小領域)
にレーザ光を照射することによって行なうことができる
ため、導電性異物か付着された画素電極部分の切離操作
を著しく簡単かつ短時間で行なうことができる。更に、
前記レーザ光の照射、カットに際しての溶融物の飛散量
を著しく低減できるため、画素電極31と列選択線を兼
ねるドレイン電極とに前記溶融物が付着してそれらの間
でショートを起こすという問題を回避できる。
なお、上記実施例では画素電極を長方形状としたが、こ
れに限定されず正方形状等任意である。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によれば導電性異物の付着に
より画素電極と対向電極又は列選択線を兼ねるドレイン
電極との間のショートが生じた場合、該導電性異物が付
着された画素電極の周辺を簡単な操作でかつ周辺への溶
融物の飛散を招く−10= ことなくカットして点欠陥不良を修復でき、しかも該修
復作業の自動化が容易な液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す画素電極の平面図、第
2図(A)〜(C)は画素電極に導電性異物が付着した
場合におけるレーザ光の照射による修復を説明するため
の平面図、第3図はスイッチ素子として薄膜トランジス
タアレイを用いた一般的なアクティブマトリックス型液
晶表示装置を示す概略図、第4図は第3図のガラス基板
表面に設けられた薄膜トランジスタアレイ及び画素電極
を示す平面図、第5図は第4図の薄膜トランジスタアレ
イ等が形成されたガラス基板を組込んだ液晶表示装置の
要部断面図である。 11・・・ガラス基板、12・・・ゲート電極、13・
・・行選択線、14・・・ゲート絶縁膜、16・・・n
”a−8tのソース領域、17・・・n” a−3tの
ドレイン領域、19・・・ソース電極、20・・・ドレ
イン電極(列選択線)、31・・・画素電極、32・・
・スリット、33・・・ブリッジ、34a〜34I!・
・・小画素領域、35・・・導電性異物、3B・・・カ
ット部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 34に 第1図 (A) 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明絶縁基板上にマトリックス状に配置した複数のスイ
    ッチ素子と、前記基板上に設けられ、前記各スイッチ素
    子のソース電極と接続される透明導電材料からなる画素
    電極とを備えたアクティブマトリックスタイプの液晶表
    示装置において、前記画素電極にスリットを形成したこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
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