JPH01290368A - Electrostatic latent image picture processing system - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は画像を静電的に記録し、任意の時点で静電潜像
を静電的に読みだして、画像化することができる＃％電
電像像画像化システム関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is capable of electrostatically recording an image, electrostatically reading out the electrostatic latent image at any time, and converting it into an image. % electrophotographic imaging system.
従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。Conventionally, silver halide photography is known as a high-sensitivity photographing technique. In this photography method, the photographed image goes through a development process and is recorded on film, etc., and when reproducing the image, a silver salt emulsion (
This is done by using a photographic paper (such as photographic paper) or by optically scanning a developed film and reproducing it on a cathode ray tube (hereinafter referred to as CRT).
また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。In addition, electrodes are deposited on the photoconductive layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged by corona charging in a dark place, and then exposed to strong light to make the photoconductive layer conductive in the areas exposed to the light. By leaking and removing the charge, an electrostatic latent image is optically formed on the surface of the photoconductive layer, and a toner having a charge of the opposite polarity (or a charge of the same polarity) as the residual electrostatic charge is deposited. There is an electrophotographic technology that involves developing, but this is mainly used for copying and cannot be used for photography due to its low sensitivity.The retention time of electrostatic charge is short, so it is not possible to use it immediately after forming an electrostatic latent image. It is common to use toner for development.
また、Ｔ Ｖ ｉｌ影技術は撮像管で撮影し、光半導体
を利用して得た画像情報を電気信号として取り出し、そ
のままＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデ
オ記録し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法
がある。In addition, TV il imaging technology takes pictures with an image pickup tube, extracts the image information obtained using optical semiconductors as an electrical signal, outputs it as is to a CRT, or records it as a video using magnetic recording, etc., and records it at any time. There are methods such as outputting an image on a CRT.
銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。Silver halide photography is an excellent means of preserving images of subjects, but it requires a developing process to form silver halide images, and image reproduction involves complex optical processes such as hard copy and soft copy (CRT output). physical, electrical, or chemical treatment is required.
電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。In electrophotographic technology, the visualization of the obtained electrostatic latent image is easier and faster than in silver salt photography, but the storage time of the latent image is extremely short, and the developer dissociation properties, image quality, etc. are inferior to silver salt.
ＴＶ撮影技術は憑像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は逼像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。In TV photography technology, line-sequential scanning is required in order to extract and record electrical image signals obtained by an image tube. Line-sequential scanning is performed using an electron beam in the image tube and a magnetic head for video recording, but resolution depends on the number of scanning lines, so it is significantly worse than planar analog recording such as silver halide photography. .
また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＣＤ等）を
利用したＴＶ撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。Furthermore, TV imaging systems using solid-state imaging devices (CCDs, etc.), which have been developing in recent years, are essentially the same in terms of resolution.
これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。Problems inherent in these technologies include a complicated processing process if the image recording is of high quality and high resolution, and a lack of storage function or basic deterioration of image quality if the process is simple.
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が簡便で、長時間の記憶
が可能で、記憶した文字、線画、画像、コード、（１，
０）情報を目的に応じた画質で、任意に反復再生するこ
とができる静電画像画像化システムを提供することを目
的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and has high quality,
In addition to high resolution, the processing process is simple and long-term storage is possible.Memorized characters, line drawings, images, codes, (1,
0) The purpose is to provide an electrostatic image imaging system that can arbitrarily and repeatedly reproduce information with an image quality that suits the purpose.
第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、１は感光体、３は電荷
保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は
光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１
５は絶縁層支持体、１７は電源である。FIG. 1 is a diagram for explaining the recording method in the electrostatic image recording and reproducing method of the present invention, in which 1 is a photoreceptor, 3 is a charge retention medium, 5 is a photoconductive layer support, and 7 is a photoreceptor. 9 is a photoconductive layer, 11 is an insulating layer, 13 is a charge retention medium electrode, 1
5 is an insulating layer support, and 17 is a power source.
第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まず１園厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のｌ１Ｏからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上に１０μｍ程度の光導電層９を形成して感
光体１を構成している。この感光体１に対して、１０μ
ｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電
荷保持媒体３は１ｍ厚のガラスからなる絶縁層支持体１
５上に１０００人厚のｌ１電極１３を蒸着により形成し
、この電極１３上に１０Ｉｊｍ厚の絶！１ｊｉ１１を形
成したものである。In FIG. 1, exposure is carried out from the side of the photoreceptor 1, and first, a transparent photoreceptor electrode 7 made of 1100 mm thick is formed on a photoconductive layer support 5 made of glass with a thickness of 100 mm. A photoconductive layer 9 having a thickness of about 10 μm is formed thereon to constitute the photoreceptor 1. For this photoreceptor 1, 10μ
The charge retention medium 3 is arranged with a gap of about m. The charge retention medium 3 is an insulating layer support 1 made of glass with a thickness of 1 m.
On this electrode 13, a 10 Ijm thick electrode 13 is formed by vapor deposition. 1ji11 was formed.
先ず、第１図（イ）に示すように感光体ｌに対して、１
１０１Ｉ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし
、第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１
３間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵
抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光
体ｌ側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電
ｒ５９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ
、絶縁層１１に電荷が蓄積される。First, as shown in FIG. 1(a), 1
The charge holding medium 3 is set through a gap of about 101 I, and the electrodes 7.1 are connected to each other by the power source 17 as shown in FIG.
Apply voltage between 3. In a dark place, since the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, no change occurs between the electrodes. When light is incident on the photoreceptor l side, the photoconductive portion r59 on which the light is incident exhibits conductivity, a discharge occurs between it and the insulating layer 11, and charges are accumulated in the insulating layer 11.
露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。After the exposure is completed, the voltage is turned off as shown in Figure 1 (c).
The formation of the electrostatic latent image is completed by setting the FF to FF and then taking out the charge holding medium 3 as shown in FIG. 1(d).
なお、感光体１と電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３側の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁
Ｎ１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。Note that the photoreceptor 1 and the charge holding medium 3 may be of a contact type instead of a non-contact type as described above, and in the case of a contact type, a positive or negative charge is applied from the photoreceptor electrode 7 side to the exposed portion of the photoconductive layer 9. Charge is injected, this charge is attracted to the electrode 13 on the side of the charge holding medium 3, passes through the photoconductive layer 9, and when it reaches the surface of the insulating layer 11, the charge movement stops, and the injected charge is accumulated at that location. be done. Then, when the photoreceptor 1 and the charge holding medium 3 are separated, the insulation N11 is separated with the charge stored therein.
この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層１
１上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係な（放電
せず長期間保存される。When this recording method is used for planar analog recording, high resolution can be obtained similar to silver halide photography, and the insulating layer 1
The surface charge on 1 is exposed to the air environment, but since air has good insulation performance, it can be stored for a long time without discharging regardless of whether it is in the light or the dark.
この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁層１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよ
うにしてもよい。The charge storage period on the insulating layer 11 is determined by the properties of the insulator, and is affected by the charge trapping properties of the insulator in addition to the insulating properties of air. In the above explanation, charge is explained as a surface charge, but injected charge may simply accumulate on the surface, or it may microscopically penetrate into the interior near the surface of an insulator, creating electrons or In some cases, holes may be trapped, resulting in long-term storage. Further, the surface of the insulating layer 11 may be covered with an insulating film or the like for storage in order to prevent physical damage to the charge holding medium and discharge when the humidity is high.
以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。Hereinafter, the constituent materials of the photoreceptor and charge retention medium used in the present invention will be explained.
光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。The material and thickness of the photoconductive layer support 5 are not particularly limited as long as they have a certain level of strength to support the photoreceptor, such as flexible plastic film, metal foil, and paper. , or glass, plastic sheet,
A rigid body such as a metal plate (which can also serve as an electrode) is used. However, if it is used in a device that records information by entering light from the photoconductor side, it will naturally need to have the property of transmitting that light. For example, if it is used in a camera that uses natural light as incident light and enters from the photoconductor side. The thickness is 1mm.
A transparent glass plate or a plastic film or sheet is used.
感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０６Ω・ｃｌＩ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に
、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３０
００人程度である。この感光体電極７も光導電層支持体
５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００ｎｍ）であれば、Ｉ Ｔｏ （ＩｎｚＯ
ｓ−ＳｎＯｌ） 、Ｓ ｎ ０２等をスパッタリング、
蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ
化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、Ａ
Ｉ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ） 、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 except when metal is used for the photoconductive layer support 5, and the material thereof is limited as long as the specific resistance value is 106 Ω·clI or less. Rather, they are inorganic metal conductive films, inorganic metal oxide conductive films, etc. Such a photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, or the like. The thickness also depends on the electrical characteristics of the material that constitutes the photoreceptor electrode 7.
It is necessary to change the voltage depending on the applied voltage when recording information, but for example, in the case of aluminum, it is 100 to 30
Approximately 00 people. Similarly to the photoconductive layer support 5, when it is necessary to input information light to this photoreceptor electrode 7,
The above-mentioned optical properties are required, for example, when information light is visible light (
400 to 700 nm), I To (InzO
sputtering s-SnOl), Sn02, etc.
Transparent electrodes coated by vapor deposition or by making ink with their fine powders together with a binder, Au,
A translucent electrode made by vapor deposition or sputtering of I, Ag, Ni, Cr, etc., tetracyanoquinodimethane (T
CNQ), an organic transparent electrode coated with polyacetylene, etc. is used.
また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収Ｔｉ極も使用できる
。The above electrode material can also be used when the information light is infrared light (700 nm or more), but in some cases, colored visible light absorbing Ti poles can also be used to cut visible light.
更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、ｉ極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。Furthermore, when the information light is ultraviolet (400 nm or less) light, the above electrode materials can basically be used, but it is preferable that the i-electrode substrate material absorbs ultraviolet light (organic polymer material, soda glass, etc.). It is preferable to use a material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass.
光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。The photoconductive layer 9 is a conductive layer in which photocarriers (electrons, holes) are generated in the irradiated area when light is irradiated, and these carriers can move across the layer width, especially in the presence of an electric field. This is the layer where the effect is noticeable in some cases. The materials include inorganic photoconductive materials, organic photoconductive materials, organic-inorganic composite photoconductive materials, and the like.
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。Below, these photoconductive materials and methods of forming the photoconductive layer will be explained.
（Ａ）ｆ！＃機感光感光体導電体）
無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。(A) f! #Mechanical photoreceptor conductor) Examples of inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, and zinc oxide.
（イ）アモルファスシリコン感光体
アモルファスシリコン感光体としては
■水素化アモルファスシリコン（ａ−３ｔ：Ｈ）■フッ
素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｆ）・これらに
対して不純物をドーピングしないもの、
−ＢＳＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングによりＰ
型（ホール輸送型）にしたもの、 −・Ｐ、Ａｇ５
ＳｂＳＢ＋等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）に
したもの、
がある。(a) Amorphous silicon photoreceptor Amorphous silicon photoreceptors include ■Hydrogenated amorphous silicon (a-3t:H) ■Fluorinated amorphous silicon (a-3i:F)・These are not doped with impurities, -BSAI , Ga, In, TI, etc. by doping
type (hole transport type), -・P, Ag5
There is a type of N-type (electron transport type) made of SbSB+ etc. by doping.
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく １０ ””
〜Ｉ Ｔｏｒｒ） 、グロー放電により加熱、或いは加
熱しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱し
た電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体
原料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは
積層で使用する。膜厚は１〜５０１！ｍである。。The method for forming the photoreceptor layer is to introduce silane gas and impurity gas together with hydrogen gas into a low vacuum.
〜I Torr), the film is formed by depositing it on an electrode substrate heated or not heated by glow discharge, or it is simply formed by thermochemical reaction on a heated electrode substrate, or it is formed by vapor deposition of a solid raw material and sputtering method. It is formed into a film and used as a single layer or a stack. Film thickness is 1~501! It is m. .
また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−３ｉＮ層、ａ−５ｉ
Ｃ＠５ｓｔｏｚｌＷ。Further, in order to prevent charge from being injected from the transparent electrode 7 and charging as if it were exposed to light even though it was not exposed, a charge injection prevention layer can be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7. As this charge injection prevention layer, an a-3iN layer, an a-5iN layer, or an a-5iN layer is formed on one or both of the electrode substrate and the top layer (surface layer) of the photoreceptor by glow discharge, vapor deposition, sputtering, etc.
C@5stozlW.
Ａｌｔｏ、３Ｗ１等の絶縁層を設けるとよい。この絶縁
層を余り厚くしすぎると露光したとき電流が流れないの
で、少なくとも１０００Å以下とする必要があり、作製
し易さ等を考慮すると４００〜５００人程度が望ましい
。It is preferable to provide an insulating layer such as Alto or 3W1. If this insulating layer is made too thick, no current will flow during exposure, so it needs to be at least 1000 Å or less, and in consideration of ease of production, it is desirable to have about 400 to 500 people.
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Ｓｔにボロンをドープしたａ−３ｉ
： Ｈ（ｎ” ）は、ホールの輸送特性が上がって整流
効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。In addition, as a charge injection prevention layer, it is preferable to provide a charge transport layer on the electrode substrate that has a charge transport ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate by utilizing a rectifying effect.If the electrode is negative, a hole transport layer, an electrode If is positive, an electron transport layer is provided. For example, a-3i in which St is doped with boron
: H(n'') improves hole transport properties, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection prevention layer.
（ロ）アモルファスセレン感光体
アモルファスセレン感光体としては、
■アモノしファスセレン（ａ−３ｅ）
■アモルファスセレンテルル（ａ −３ｅ−Ｔｅ）■ア
モルファスひ素セレン化合物（ａ −ＡｓｚＳｅｓ）■
アモルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。(b) Amorphous selenium photoreceptor The amorphous selenium photoreceptor includes: ■ Amonoshiphaselenium (a-3e) ■ Amorphous selenium telluride (a-3e-Te) ■ Amorphous arsenic selenium compound (a-AszSes) ■
There is an amorphous arsenic selenium compound +Te.
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層として５ｉＯ１、Ａ Ｉ−ｚＯｓ 、５ｉ
Ｃ１ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等によ
りｆｆｉ極基極上板上けられる。また上記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚は
アモルファスシリコン感光体と同様である。This photoreceptor was manufactured by vapor deposition or sputtering, and a charge injection blocking layer of 5iO1, A I-zOs, 5i
A C1SiN layer is deposited on the top of the ffi electrode by evaporation, sputtering, glow discharge, or the like. Moreover, a laminated type photoreceptor may be produced by combining the above items (1) to (2). The thickness of the photoreceptor layer is similar to that of an amorphous silicon photoreceptor.
（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ）
この感光体は、コーティング、薄着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。また不パッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。(c) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is manufactured by coating, thin coating, and sputtering methods. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a tungsten board and vapor deposited by resistance heating, or by EB.
(electron beam) vapor deposition. In the case of non-puttering, a CdS target is used to deposit on the substrate in argon plasma. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous state, but a crystalline oriented film (oriented in the film thickness direction) can also be obtained by selecting sputtering conditions. For coating, Cd
It is preferable to disperse S particles (particle size 1 to 100 μm) in a binder, add a solvent, and coat on the substrate.
。
（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ Ｏ）
この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−ｔ〜ＩＴｏｒｒ）で混合
し、加熱した電極基板（１５０〜４００°Ｃ）上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。. (d) Zinc oxide (Zn 2 O) This photoreceptor is produced by a coating method or a CVD method. As a coating method, ZnS particles (particle size 1~
100 μm) in a binder, add a solvent, and coat on a substrate. Also CVD
The method involves mixing organic metals such as diethylzinc and dimethylzinc with oxygen gas in a low vacuum (10-t~ITorr) and chemically reacting on a heated electrode substrate (150~400°C) to form zinc oxide. Deposit as a film. In this case as well, a film oriented in the film thickness direction can be obtained.
（Ｂ）有機感光体
有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。(B) Organic photoreceptor Organic photoreceptors include single-layer photoreceptors and functionally separated photoreceptors.
（イ）単層系感光体
単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。(a) Single-layer photoreceptor A single-layer photoreceptor is made of a mixture of a charge-generating material and a charge-transporting material.
〈電荷発生物質系〉
光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。<Charge-generating substances> Substances that easily generate charges by absorbing light, such as azo pigments, disazo pigments, trisazo pigments, phthalocyanine pigments, perylene pigments, pyrylium dyes, cyanine dyes, and methine. A dye system is used.
〈電荷輸送物質系）
電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。(Charge transport material) A material with good transport properties for ionized charges, such as hydrazone, pyrazoline, polyvinylcarbazole,
There are carbazole-based, stilbene-based, anthracene-based, naphthalene-based, tridiphenylmethane-based, azine-based, amine-based, aromatic amine-based, etc.
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電画移動錯体としてもよい。Alternatively, a complex may be formed by a charge generation substance and a charge transport substance to form an electromagnetic transfer complex.
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰｖＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００ｎｍ波長近傍
しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０ｎｍ波長
域まで感じるようになる。Normally, photoreceptors have photosensitivity determined by the light absorption properties of the charge-generating substance, but when a charge-generating substance and a charge-transporting substance are mixed to form a complex, the light absorption properties change; for example, polyvinylcarbazole (PvK) Trinitrofluorenone (TNF) can only be felt in the 400 nm wavelength range, but the PVK-TNF complex can be felt up to a wavelength of 650 nm.
このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。The thickness of such a single-layer photoreceptor is preferably 10 to 50 μm.
（ロ）機能分離型感光体
電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。(b) Functionally separated photoreceptor Charge generating materials easily absorb light but have the property of trapping light, while charge transporting materials have good charge transport properties but poor light absorption properties. Therefore, it is a type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated in order to separate the two and fully exhibit their respective characteristics.
く電荷発生層〉
電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ビリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−Ｓｅ 、 ａ−５
ｔ 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。Charge generation layer> Examples of substances forming the charge generation layer include azo, disazo, trisazo, phthalocyanine, acidic xanthene dye, cyanine, styryl dye, biryllium dye, perylene, methine, a-Se, a-5
t, azulenium salts, squalium bases, etc.
（電荷輸送層）
電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。(Charge Transport Layer) Examples of substances forming the charge transport layer include hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, triphenylmethane, and polycyclic aromatic compounds. There are group compounds, etc.
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。The method for manufacturing a functionally separated photoreceptor is to first dissolve the charge generating substance in a solvent and apply it on the electrode, then dissolve the charge transport layer in the solvent and apply it to the charge transport layer, and then remove the charge generating layer from zero.
．． The thickness of the charge transport layer is preferably 1 to 10 μm, and the thickness of the charge transport layer is 10 to 50 μm.
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。In addition, in the case of either a single-layer photoconductor or a functionally separated photoconductor, silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polyvinyl is used as a binder. Acecool resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, melamine resin, polyimide resin, etc. are used as charge generating materials and charge generating materials, respectively.
0.1 to 10 parts to make it easier to adhere. As the coating method, a dipping method, a vapor deposition method, a sputtering method, etc. can be used.
次ぎに、電荷注入防止層について詳述するや電荷注入防
止層は、光導電Ｎ９の両表面の少なくとも一方か、両方
の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（電極からの
電荷注入）、すなわち露光していないにもかかわらず恰
も露光したように感光層中を電荷が移動する現象を防止
するために設けることができるものである。Next, the charge injection prevention layer will be explained in detail. This can be provided to prevent charges from moving in the photosensitive layer as if it had been exposed even though it had not been exposed.
この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導Ｍ層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、存機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
ＡｓアＯｓ 、Ｂ！０３、Ｂ＋１（ｌｓ 、ＣｄＳ 、
、 ＣａＯ、Ｃｅ０１ｓ ＣｒｇＯｓ ％ Ｃｏｏ 、
Ｇｅｍ＠、＋１ ｆ Ｏ，、Ｐａ、Ｏ＝ 、ＬａｚＯ＝
、ＭｇＯ、Ｍｎ０１、Ｎｄ、ｏ３、Ｎｂｇｏｓ 、Ｐ
ｂＯ，５ｂｚＯｘ 、５ｌｏｚ、５ｅＯ１、Ｔａ、Ｏ，
５Ｔｉｅ、、Ｗ（ｈ ％ ＶＪｓ、 ＹｚＯｓ、 Ｙ
ｚＯｚ、ＺｒＯ，、ＢａＴｉ０１、八１２０゜、ＢａＴ
ｉ０１ 、ＣａＯ−５ｒＯＳ Ｃａ０−Ｙ、０３、Ｃ
ｒ−５ｉｎ、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＴｉＯｓ、ＰｂＺｒＯ
ｓ、’Ｚｒ０ｌ−Ｇｏ 、 Ｚｒ０ｔ−５ｉＱｚ 、Ａ
ＩＮ 、ＢＮＳ ＮｂＮ 、５ｉｓＮ４ 、ＴａＮ
、、ＴｉＮ Ｓ ＶＮ、ＺｒＮ 。There are two types of charge injection prevention layers: a layer that utilizes a so-called tunneling effect and a layer that utilizes a rectification effect. First, in a device that utilizes the so-called tunneling effect, when only a voltage is applied, current does not flow to the photoconductive layer or the surface of the insulating layer due to this charge injection prevention layer, but when light is incident, the current does not flow to the surface of the photoconductive layer or the insulating layer. Since one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconducting M layer is present in the charge injection prevention layer, a high electric field is applied, causing a tunnel effect, and current flows through the charge injection prevention layer. . Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or a stack of these films. Os, B! 03, B+1(ls, CdS,
, CaO, Ce01s CrgOs% Coo,
Gem@, +1 f O,, Pa, O= , LazO=
, MgO, Mn01, Nd, o3, Nbgos, P
bO, 5bzOx, 5loz, 5eO1, Ta, O,
5Tie,,W(h% VJs, YzOs, Y
zOz, ZrO,, BaTi01, 8120°, BaT
i01, CaO-5rOS Ca0-Y, 03, C
r-5in, LiTaO3, PbTiOs, PbZrO
s, 'Zr0l-Go, Zr0t-5iQz, A
IN, BNS NbN, 5isN4, TaN
,, TiN S VN, ZrN.
ＳＩＣ、ＴｉＣ、Ｈ（：、へ！４Ｃ３等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この層
の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果
の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎ
に整流、効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を
利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する
電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層
は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、Ｇａ
、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光ＨＥ ｆ
ｆ Ｊ！！ 、アモルファスセレン、またはオキサジア
ゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチル
ベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタ
ン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミ
ン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極が
プラスの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ％Ｓｂ、Ｂｉ等をドープ
したアモルファスシリコン光導′Ｗ１層、ＺｎＯ光導電
層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コ
ーティング等の方法により形成される。Glow discharge of SIC, TiC, H(:, to!4C3, etc.)
It is formed by vapor deposition, sputtering, etc. The thickness of this layer is determined depending on the material used, taking into account the insulating properties to prevent charge injection and the tunnel effect. Next, the charge injection prevention layer utilizing the rectification effect is provided with a charge transport layer having a charge transport ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate using the rectification effect. That is, such a charge injection prevention layer is formed of an inorganic photoconductive layer, an organic photoconductive layer, and an organic-inorganic composite photoconductive layer, and has a thickness of about 0.1 to 10 μm. Specifically, if the electrode is negative, B, AI, Ga
, In, etc.-doped amorphous silicon light HE f
fJ! ! , amorphous selenium, or oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole, stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine, etc., dispersed in a resin to form an organic photoconductive layer or electrode. When is positive, an amorphous silicon photoconductive layer doped with P, N, As%Sb, Bi, etc., a ZnO photoconductive layer, etc. are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, coating, or other methods.
次ぎに、電荷保持媒体材料９．および電荷保持媒体の作
製方法について説明する。Next, the charge retention medium material 9. and a method for producing a charge retention medium.
電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１０表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る０例えば静電カメラ（同一出願人による同日出願）に
用いられる場合には、−最のフィルム（単コマ、連続コ
マ用）形状、あるいはディスク状となり、レーザー等に
よりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合
には、テープ形状、ディスク形状、或いはカード形状と
なる。The charge holding medium 3 is used together with the photoreceptor 1 to record information as a distribution of static charges on the surface or inside of the insulating layer 110 that constitutes the charge holding medium 3.
The charge retention medium itself is used as a recording medium. Therefore, depending on the information to be recorded or the method of recording, the shape of this charge-retaining medium can take various forms. For example, when used in an electrostatic camera (filed on the same day by the same applicant), (for single frame or continuous frame) or disk shape, and when recording digital information or analog information with a laser or the like, it becomes tape shape, disk shape, or card shape.
絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。The insulating layer support 15 strongly supports the charge holding medium 3 as described above, and is basically made of the same material as the photoconductive layer support 5, and has the same light transmittance. May be required. Specifically, when the charge retention medium 3 takes the form of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used; when strength is required, a rigid sheet, glass, etc. is used. Inorganic materials etc. are used.
電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。The charge retention medium electrode 13 may basically be the same as the photoreceptor electrode 7, and is formed on the insulating layer support 15 by the same formation method as the photoreceptor electrode 7 described above.
絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０′４
Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁Ｎｉｌは、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、デイソピングするか、または蒸着、スパ
ッタリング法により層形成させることができる。Since the insulating layer 11 records information as a distribution of static charges on its surface or inside, it needs to have high insulation properties to suppress the movement of charges, and has a specific resistance of 10'4.
It is required to have an insulation property of Ω·cm or more. This type of insulation Nil is made by dissolving resins and rubbers in a solvent.
The layer can be formed by coating, dipping, vapor deposition, or sputtering.
ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。Here, examples of the resin and rubber include polyethylene, polypropylene, vinyl resin, styrene resin, acrylic resin, nylon 66, nylon 6, polycarbonate, acetal homopolymer, fluororesin, cellulose resin, and phenol resin.
ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。Urea resin, polyester resin, epoxy resin.
可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰ○、ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン７ポリク
ロロプレン、イソブチレン。Flexible epoxy resin, melamine resin, silicone resin, phenoxy resin, aromatic polyimide, PP○, polysulfone, etc., as well as polyisoprene, polybutadiene 7 polychloroprene, isobutylene.
極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。Extremely high nitrile, polyacrylic rubber, chlorosulfonated polyethylene, ethylene/propylene rubber.
弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。Fluororubber, silicone rubber, polysulfide synthetic rubber.
ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。A single rubber such as urethane rubber or a mixture thereof is used.
またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。Also silicone film, polyester film, polyimide film, fluorine-containing film, polyethylene film, polypropylene film, polyparabanic acid film,
A layer may be formed by pasting a polycarbonate film, a polyamide film, etc. on the charge holding medium electrode 13 via an adhesive, or a thermoplastic resin, thermosetting resin, ultraviolet curable resin, electron beam curable resin. The layer may be formed by adding necessary hardening agents, solvents, etc. to rubber, etc., and coating or dipping the mixture.
また絶縁層１１として、ラングミエアー・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累ｆ！ｉ膜も
使用することができる。Further, as the insulating layer 11, a monomolecular film formed by the Langmier-Proschede method or a monomolecular film f! i-membranes can also be used.
またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または［Ａ
１１１１１上に電荷保持強化層を設けることができる。In addition, these insulating layers 11 have a space between them and the electrode surface or [A
A charge retention enhancement layer can be provided over 11111.
電荷保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ ／ ｃ ｍ以
上）が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１
０’Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをい
う、電荷保持強化層としては、例えばＳｉＯ□、Ａ１１
０３ 、ＳｉＣ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質とし
ては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン薫着
膜が使用できる。A charge retention enhancement layer is a layer in which charge is injected when a strong electric field (104 V/cm or more) is applied, but when a low electric field (104 V/cm or more) is applied, charge is injected into the layer.
For example, SiO□, A11
03, SiC, SiN, etc. can be used, and as the organic material, for example, a polyethylene vapor deposited film or a polyparaxylene smoke deposited film can be used.
また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物Ｉｔ（アクセプター材料）を添加
するとよい。ドナー材料としてはスチレン系、とレン系
、ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン
系化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（Ｔ
ＴＦ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）ｌ−リニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混
合して使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、
樹脂等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用さ
れる。In addition, in order to hold static charge more stably, the insulating layer 11
It is preferable to add a substance having an electron-donating property (donor material) or a substance It having an electron-accepting property (acceptor material) to the material. Donor materials include styrene-based, pyridine-based, naphthalene-based, anthracene-based, pyridine-based, and azine-based compounds; specifically, tetrathiofulvalene (T
TF), polyvinylpyridine, polyvinylnaphthalene,
Polyvinylanthracene, voriazine, polyvinylpyrene, polystyrene, etc. are used, and they may be used alone or in combination. In addition, acceptor materials include halogen compounds, cyanide compounds, nitro compounds, etc. Specifically, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), l-linitrofluorenone (TNF), etc. are used, and they can be used singly or in combination. Ru. The donor material and acceptor material are
It is used by adding about 0.001 to 10% to resin etc.
さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる０元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同ＪＩＢ族
（亜鉛族）、同１１１Ａ族（アルミニウム族）、同１［
ＩＢ族（希土Ｗ４）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族
（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族
（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶ
Ａ族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。Furthermore, in order to stably hold the charge, elemental element fine particles can be added to the charge retention medium.
Copper group), IIA group (alkaline earth metals), JIB group (zinc group), 111A group (aluminum group), 1[
IB group (rare earth W4), IB group (titanium group), IB group (vanadium group), IB group (chromium group), IB group (manganese group), IB group (iron group, platinum group) family), and the same IV
Group A (carbon group) includes silicon, germanium, tin, lead,
As the VA group (nitrogen group), antimony and bismuth are used, and as the VIA group (oxygen group), sulfur, selenium, and tellurium are used in fine powder form. Further, among the above elements, metals can be used in the form of metal ions, fine powder alloys, organic metals, and complexes.
更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜１０重量％程度でよい。 また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少なくても１０００人（０，１μｍ）以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００
ｔ１ｍ以下が好ましい。Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and halides. These additives need only be added in a very small amount to the charge retention medium such as the resin or rubber mentioned above, and the amount added is 0.0% relative to the charge retention medium.
It may be about 1 to 10% by weight. In addition, the insulating layer 11 needs to have a thickness of at least 1000 mm (0.1 μm) or more from the viewpoint of insulation, and from the viewpoint of flexibility, the thickness must be at least 1000 μm.
t1m or less is preferable.
このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保ｒｌ膜を設けることができる。保護膜としては粘着
性を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂
等の樹脂類をフィルム状にし、絶縁［１１の表面に貼着
するか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等
の密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０１４Ω
・ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０゜５〜３０ｕ
ｍ程度であり、絶縁ＮＩＩの情報を高解像度とする必要
がある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は、情
報再生時には保護股上から情報を再生してもよく、また
保！１ｉｌｌｌを剥離して絶縁層の情報を再生すること
もできる。The insulating layer 11 formed in this manner can be provided with an RL film on its surface in order to prevent damage or discharge of information charges on its surface. As a protective film, a film of sticky rubber such as silicone rubber or resin such as polyterpene resin may be used and adhered to the surface of the insulation [11], or a plastic film may be used with an adhesive such as silicone oil. It is best to attach it with a specific resistance of 1014Ω.
・It only needs to be at least cm, and the film thickness is 0°5~30u
If the information on the insulation NII needs to have high resolution, the thinner the protective film is, the better. This protective layer allows information to be played from the protective top when playing back information, and also protects! The information on the insulating layer can also be reproduced by peeling off the 1ill.
静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。In addition to the so-called free charge retention method in which surface charges are accumulated as described above, electrostatic charge retention methods include Niclet, which generates charge distribution and polarization within an insulating medium.
第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。FIG. 2 is a diagram showing an electrostatic charge holding method using a photoelectret, and the same numbers as in FIG. 1 indicate the same contents. In addition, in the figure, 19 is a transparent electrode.
第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ。As shown in FIG. 2(a), an electrode 13 is formed on a support 15 such as a film, and ZnS is deposited on the electrode plate.
ＣｄＳ、、ＺｎＯを、蒸着スパＮ７ター、ＣＶＤ、：１
−ティング法等でｌ１１１〜５μｍ形成する。そしてこ
の感光層表面に透明電極１９を接触あるいは非接触で重
ね、電圧印加状態で露光すると（第２図（ロ））、露光
部で光によって電荷が発生し、電場によって分極し、電
荷は電場を取り去ってもその位置にトラップされる（第
２図（ハ））。こうして、露光量に応じたエレクトレッ
トが得られる。なお、第２図の電荷保持媒体の場合は別
体の感光体を必要としない利点がある。CdS, ZnO, evaporated sputter, CVD: 1
111 to 5 μm is formed using the -ting method or the like. Then, when the transparent electrode 19 is placed on the surface of this photosensitive layer in contact or non-contact and exposed to light with a voltage applied (FIG. 2 (b)), a charge is generated by the light in the exposed area and polarized by the electric field. Even if you remove it, it will remain trapped in that position (Figure 2 (c)). In this way, an electret corresponding to the exposure amount is obtained. Note that the charge retention medium shown in FIG. 2 has the advantage of not requiring a separate photoreceptor.
第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容である。FIG. 3 is a diagram showing a method for holding an electrostatic charge using a thermosiliclet, and the same numbers as in FIG. 1 have the same contents.
熱エレクトレフト材料としては、例えばポリ弗化ビニリ
ゾ７ （ＰＶＤＦ）、 ボＩＪ （ＶＤＦ／三７）化エ
チレン）、ポリ（ＶＤＦ／四フッ化エチレン）、ポリフ
ッ化ビニル、ポリ塩化ビニリデン。Examples of thermal electric left materials include polyvinylizo7 fluoride (PVDF), VDF/tetrafluoroethylene), poly(VDF/tetrafluoroethylene), polyvinyl fluoride, and polyvinylidene chloride.
ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ（アクリロニトリル／塩化ヒニル）、ポリア
ミド１１．ポリアミド３．ポリ−ｍ−フェニレンイソフ
タルアミド、ポリカーボネート、ポリ（ビニリデンシア
ナイド酢酸ビニル）。Polyacrylonitrile, poly-α-chloroacrylonitrile, poly(acrylonitrile/hinyl chloride), polyamide 11. Polyamide 3. Poly-m-phenylene isophthalamide, polycarbonate, poly(vinylidene cyanide vinyl acetate).
ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極基板１
３上に１〜５０μｍ単層で設けるかあるいは２種類以上
のものを積層する。It consists of a PVDF/PZT composite etc., which is used as the electrode substrate 1.
A single layer with a thickness of 1 to 50 μm may be provided on No. 3, or two or more types may be laminated.
そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が太き
（なっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる（第３図（ハ））。Then, before exposure, the medium is heated to a temperature above the glass transition of the medium material by resistance heating or the like, and in this state, voltage is applied and exposure is performed (FIG. 3(b)). At high temperatures, the mobility of ions increases, and a high electric field is applied to the insulating layer in the exposed area, and among the thermally activated ions, negative charges collect on the positive electrode, and positive charges collect on the negative electrode. Then, when the medium is cooled, the generated charges are trapped in that position even when the electric field is removed, producing electrets according to the amount of exposure (Figure 3 (c)).
次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極７を設けた光導電Ｎ９からな
る感光体ｌと、感光体１に対向し、後面に電荷保持媒体
電極１３を設けた絶縁層１１からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
タも使用しうるし、また電気的なシャ２夕も使用しうる
ちのであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、ＲＳＧ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した電荷
保持媒体３セツトで１コマを形成するか、またはＩ平面
上にＲ，Ｇ、Ｂ像を並べて１セツトで１コマとすること
により、カラー逼影することもできる。Next, methods for inputting information to the insulating layer 11 include a method using a high-resolution electrostatic camera and a recording method using a laser. First, the high-resolution electrostatic camera used in the present invention has a photoconductor l made of photoconductive N9 with a photoconductor electrode 7 provided on the front surface, and a photoconductor 1 instead of the photographic film used in ordinary cameras. A recording member is constituted by a charge retention medium consisting of an insulating layer 11 facing the opposite side and provided with a charge retention medium electrode 13 on the rear surface, and a voltage is applied to the picture electrode to make the photoconductive layer conductive in accordance with the incident light. An electrostatic latent image of an incident optical image is formed on a charge storage medium by accumulating charges on an insulating layer according to the amount of incident light.A mechanical shutter can also be used, or an electric shutter can be used. Also, the electrostatic latent image can be retained for a long period of time regardless of bright or dark places. In addition, a prism separates the optical information into RSG and B light components, and a color filter is used to extract them as parallel light, and one frame is formed with three sets of charge retention media separated into R, G, and B, or one frame is formed on the I plane. By arranging R, G, and B images and making one set into one frame, it is also possible to create color images.
またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい。For recording methods using lasers, the light sources include argon laser (514,488 nm), helium-neon laser (633 nm), and semiconductor laser (780 nm).
(nm, 810 nm, etc.), and a voltage is applied to the photoreceptor and the charge holding medium with their surfaces brought into close contact with each other or facing each other at a fixed interval. In this case, it is preferable to set the photoreceptor electrode to the same polarity as the carrier of the photoreceptor.
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦＩ＋［に
より行う。また画像において網点形成されるものには、
レーザー光にドツトジェネレーターＯＮ−ＯＦＦＭ御を
かけて形成するものである。尚、感光体における光導電
層の分光特性は、パンクロマティ７りである必要はなく
、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。In this state, laser exposure corresponding to image signals, character signals, code signals, and line drawing signals is performed by scanning. Analog recording such as images is performed by modulating the light intensity of the laser, and digital recording such as characters, codes, and line drawings is performed by ON-OFFI+[ of the laser light. Also, in images where halftone dots are formed,
It is formed by subjecting laser light to ON/OFF control of a dot generator. Note that the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor do not need to be panchromatic, but only need to be sensitive to the wavelength of the laser light source.
第４図は本発明の静電潜像画像化システムの構成を示す
図で、図中、４は電荷保持媒体、６は静電電位測定手段
、８はＡ／Ｄ変換器、１０ばＣＰＵを内蔵した制御処理
装置、１２は走査駆動手段、１４は表示部である。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the electrostatic latent image imaging system of the present invention, in which 4 is a charge retention medium, 6 is an electrostatic potential measuring means, 8 is an A/D converter, and 10 is a CPU. A built-in control processing device, 12 a scanning driving means, and 14 a display section.
電荷持媒体４には第１図〜第３図で説明したような方法
で静電潜像が記録されている。静電電位測定手段６は後
述するように接触式または非接触式、あるいは直流増幅
型、交流増幅型、集電型、電子ビーム型、ＣＴスキヤン
グ、電子ビーム型等の方法で、電荷保持媒体４上の任意
の１点における電位を信号として読みだしアナログ信号
として出力する。検出されたアナログ電位信号は、マイ
クロコンピュータ等からなる制御処理装置１ｏにおける
処理に適するようにＡ／Ｄ変換器８によってディジタル
信号に変換される。変換されたディジタル信号は電荷保
持媒体４上において測定された任意の点のデータとして
取り込まれる。こうして電荷保持媒体４上のある１点に
おけるデータが取り込まれた後、制御処理装置１０によ
りＸｙステージ等からなる走査駆動手段１２を駆動して
電荷保持媒体４を駆動走査し、電子保持媒体４上の各部
におけるデータを収集する。もちろん静電電位測定手段
のプローブを駆動走査してもよい。An electrostatic latent image is recorded on the charge-carrying medium 4 by the method described in FIGS. 1 to 3. As will be described later, the electrostatic potential measuring means 6 may be a contact type, a non-contact type, or a direct current amplification type, an alternating current amplification type, a current collection type, an electron beam type, a CT scanning type, an electron beam type, etc., as will be described later. The potential at any one point above is read out as a signal and output as an analog signal. The detected analog potential signal is converted into a digital signal by an A/D converter 8 so as to be suitable for processing in a control processing device 1o composed of a microcomputer or the like. The converted digital signal is taken in as data at an arbitrary point measured on the charge retention medium 4. After the data at a certain point on the charge holding medium 4 is captured in this way, the control processing device 10 drives the scanning driving means 12 consisting of an XY stage or the like to drive and scan the charge holding medium 4. Collect data on each part of the project. Of course, the probe of the electrostatic potential measuring means may be driven and scanned.
こうして読み込まれた静電潜像データは、制御処理装置
１０で必要に応じて画像処理され、表示部１４に表示さ
れる。なお、必要に応じてプリンタを接続してプリント
アウトすることができることは言うまでもない。The electrostatic latent image data read in this way is image-processed as necessary by the control processing device 10 and displayed on the display section 14. Note that it goes without saying that a printer can be connected and printed out if necessary.
第６図はＸ＝１５ｍｍ、Ｙ＝１５ｍｍの面積の中に第５
図に示すような像が形成されているときのＹ＝８ｍｍに
おける電位分布を測定した結果を示す図である。第６図
からｍ１ｎ−１００Ｖ、ｍａｘ−１６３Ｖの電位分布が
検出されていることが分かる。Figure 6 shows 5 points in the area of X = 15 mm and Y = 15 mm.
It is a figure which shows the result of measuring the electric potential distribution at Y=8 mm when the image shown in a figure is formed. It can be seen from FIG. 6 that potential distributions of m1n-100V and max-163V are detected.
この第５図のような像が形成された電荷保持媒体４上の
電位を走査して読取りこれに画像処理を加え、立体像と
して表示させるようにした例を第７図に示す。FIG. 7 shows an example in which the potential on the charge holding medium 4 on which an image as shown in FIG. 5 has been formed is scanned and read, image processing is applied to this, and the image is displayed as a three-dimensional image.
二のように静電潜像をデータとして取り込み、これをデ
ータ処理することにより、色々な形の画像化を行うこと
ができる。また、データとして取り込んでいるので、こ
れを積算することによりノイズを減少させたり、あるい
は部分的にデータ修正して画像化することもでき、また
必要に応じて他の諷録媒体への記録等に利用することも
可能である。さらに任意の時に任意の部位を選択して出
力し、また反復再生することも可能である。By capturing an electrostatic latent image as data and processing this as data, as shown in step 2, various types of images can be created. In addition, since it is imported as data, it is possible to reduce noise by integrating it, or partially modify the data and create an image, and if necessary, record it on other recording media. It is also possible to use it for Furthermore, it is also possible to select and output any part at any time and to reproduce it repeatedly.
なお、電子保持媒体上に２次元的に記録されている情報
をデータとして取り込むために、測定器のプローブある
いは電荷保持媒体を移動させて走査させる必要がある。Note that in order to capture the information two-dimensionally recorded on the electronic storage medium as data, it is necessary to move and scan the probe of the measuring instrument or the charge storage medium.
その走査の方法については、■測定位置に移動させた後
、いったん停止して測定を行い次の位置に移動させるス
テッピングモータを使用する方法、■あるいは移動は一
定速度で行うように設定し、ある決められた一定のタイ
ミングによって測定を繰り返すことにより、得られたデ
ータと測定位置の対応付けを行う等の方法がある。Regarding the scanning method, there are two methods: (1) using a stepping motor that moves to a measurement position, then stops, measures, and then moves to the next position, (2) or using a stepping motor that moves at a constant speed. There is a method such as repeating measurements at a predetermined fixed timing and associating the obtained data with the measurement position.
■の方法によると正確に位置制御することができるが、
走査時間が長くなるという欠点があるため、データ収集
時間を短縮しようとするためには、移動を一定速度で走
査する■の方法を用いるのが望ましい。According to the method of ■, it is possible to accurately control the position, but
Since there is a drawback that the scanning time becomes long, in order to shorten the data collection time, it is desirable to use the method (2) in which the movement is scanned at a constant speed.
第８図は本発明の静電潜像画像化システムにおける電位
読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番号は同一
内容を示している。なお、図中、２１は電位読み取り部
、２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコンデン
サ、２９は電圧計である。FIG. 8 is a diagram showing an example of a potential reading method in the electrostatic latent image imaging system of the present invention, and the same numbers as in FIG. 1 indicate the same contents. In the figure, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, 27 is a capacitor, and 29 is a voltmeter.
電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に電荷保持媒体３の絶縁層１
１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読み取り部２１で電荷保持媒体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気
力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極のｆ＠
Ｗに接地したガード電極２５を配置するようにしてもよ
い。When the potential reading unit 21 is placed to face the charge storage surface of the charge storage medium 3, the detection electrode 23 is exposed to the insulating layer 1 of the charge storage medium 3.
An electric field generated by the charges accumulated on the detection electrode 1 acts, and an induced charge equivalent to the charge on the charge retention medium is generated on the detection electrode surface. Since the capacitor 27 is charged with an equal amount of charge of opposite polarity to this induced charge, a potential difference corresponding to the accumulated charge is generated between the electrodes of the capacitor, and by reading this value with a voltmeter 29, the potential of the charge carrier is determined. You can ask for it. Then, by scanning the surface of the charge holding medium with the potential reading section 21, the electrostatic latent image can be output as an electrical signal. Note that if only the detection electrode 23 is used, the electric field (line of electric force) due to charges in a wider range than the area facing the detection electrode of the charge retention medium acts and the resolution decreases, so the f@ of the detection electrode
A guard electrode 25 grounded to W may be arranged.
これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極２３に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。As a result, the lines of electric force are oriented perpendicularly to the surface, so that the lines of electric force only act on the area facing the detection electrode 23, and the potential of the area approximately equal to the area of the detection electrode 23 is read. be able to. Since the accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and guard electrode, and the distance between them and the charge retention medium, it is necessary to find and design optimal conditions according to the required performance.
第９図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出電
極、ガード電極を絶縁性保護！！３１上に設け、絶縁性
保護膜を介して電位を検出する点板外は第４図の場合と
同様である。Figure 9 is a diagram showing another example of the potential reading method, and the detection electrode and guard electrode are protected with insulation! ! The outside of the point plate provided on 31 and detecting the potential through an insulating protective film is the same as that in FIG.
この方法によれば、電荷保持媒体に接触させて検出でき
るため検出電極との間隔を一定にすることができる。According to this method, since detection can be performed by contacting the charge holding medium, the distance between the detection electrode and the detection electrode can be made constant.
第１０図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極３３を直接電荷保持媒体に接触させ、その部分の電
位を検出するもので、検出面積を小さくすることができ
るので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極
を複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上
させることが可能となる。FIG. 10 is a diagram showing another example of the potential reading method, in which the needle-shaped electrode 33 is brought into direct contact with the charge holding medium and the potential of that portion is detected. resolution can be obtained. Note that if a plurality of needle-like electrodes are provided for detection, the reading speed can be improved.
以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。The above is a direct current amplification type that detects a direct current signal with or without contact, but an example of an alternating current amplification type will be explained next.
第１１図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、２
２は検出電極、２４は増幅器、２６はメータである。Figure 11 is a diagram showing the method of reading the potential of the vibrating electrode type.
2 is a detection electrode, 24 is an amplifier, and 26 is a meter.
検出電極２２は振動し、電荷保持媒体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極２２における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサＣを通して交流骨を増幅器２４で増幅し、
メータ２６により読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。The detection electrode 22 is driven to vibrate and change its distance with respect to the charged surface of the charge holding medium 3 over time, and as a result, the potential at the detection electrode 22 changes according to the electrostatic potential of the charged surface. Changes over time with amplitude. This temporal potential change is taken out as a voltage change across the impedance Z, and the AC bone is amplified by the amplifier 24 through the capacitor C.
By reading with the meter 26, the electrostatic potential of the charged surface can be measured.
第１２図は回転型検出器の例を示し、図中２８は回転羽
根である。FIG. 12 shows an example of a rotating type detector, and 28 in the figure is a rotating blade.
電極２２と電荷保持媒体３の帯電面の間には導電性の回
転羽根２８．が設けられて図示しない駆動手段により回
転駆動されている。その結果、検出電極２２と電荷保持
媒体３との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため
、検出１ｉｆｉ２２には帯電面の静電電位に応じた振幅
の周期的に変化する電位信号が検出され、この交流成分
を増幅器２４で増幅して読み取ることになる。Between the electrode 22 and the charging surface of the charge retention medium 3 is a conductive rotating blade 28. is provided and rotationally driven by a drive means (not shown). As a result, the detection electrode 22 and the charge retention medium 3 are electrically shielded periodically. Therefore, the detection 1ifi 22 detects a potential signal whose amplitude changes periodically according to the electrostatic potential of the charged surface, and this alternating current component is amplified by the amplifier 24 and read.
第１３図は振動容量型検出器の例を示し、２８は駆動回
路、３０は振動片である。FIG. 13 shows an example of a vibration capacitance type detector, where 28 is a drive circuit and 30 is a vibrating piece.
駆動回路２日によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片３０を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極２２により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
く電位測定することができる。The vibrating piece 30 of one electrode forming the capacitor is vibrated by the drive circuit 2 to change the capacitance. As a result, the DC potential signal detected by the detection electrode 22 is modulated, and this AC component is amplified and detected. This detector converts direct current to alternating current and can measure potential with high sensitivity and stability.
第１４図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、Ｃ７手法（コンピュータ断層映像法
）を用いて電位検出を行うものである。FIG. 14 is a diagram showing another example of a potential reading method, in which a long and thin detection electrode is used to detect the potential using the C7 method (computer tomography imaging method).
検出電極３５を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、即ちＣＴにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第１４図（ロ）の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変
えて同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにＣＴアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。When the detection electrodes 35 are placed opposite each other across the charge storage surface, the data obtained is a value obtained by line integration along the detection electrodes, that is, data corresponding to projection data in CT. Therefore, by scanning this detection electrode over the entire surface as shown by the arrow in Fig. 14 (b), and then changing the angle θ and scanning in the same manner, the necessary data can be collected. By performing arithmetic processing using the CT algorithm, the potential distribution state on the charge carrier can be determined.
なお、第１５図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。Note that by arranging a plurality of detection electrodes as shown in FIG. 15, the data collection speed can be increased, and the overall processing speed can be improved.
第１６図は集電型検出器の例を示し、図中、３２は接地
型金属円筒、３４は絶縁体、３６は集電器である。FIG. 16 shows an example of a current collector type detector, in which 32 is a grounded metal cylinder, 34 is an insulator, and 36 is a current collector.
集電器３６には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。The current collector 36 has a built-in radioactive substance, from which alpha rays are emitted. Therefore, the air inside the metal cylinder is ionized to form positive and negative ion pairs. In their natural state, these ions disappear through recombination and diffusion and maintain an equilibrium state, but in the presence of an electric field, they statistically move in the direction of the electric field while repeatedly colliding with air molecules due to thermal motion. It plays a role in transporting electric charge.
即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器３６も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。That is, the air becomes conductive due to the ions, and it can be considered that an equivalent electrical resistance path exists between the surrounding objects including the current collector 36.
従って、電荷保持媒体３の帯電面と接地金属円筒３２、
帯電体と集電器３６、および集電器３６と接地金属円筒
３２の間の抵抗をそれぞれＲｏ、Ｒ，、Ｒ１とすると、
帯電体の電位をＶｌとすると、集電器３６の電位ｖ２は
、定常状態では、Ｖｚ −Ｒｚ Ｖ＋ ／ （Ｒ＋ ＋
Ｒｚ ）となる。その結果、集電器３６の電位を読み取
ることによって電荷保持媒体３の電位を求めることがで
きる。Therefore, the charged surface of the charge holding medium 3 and the grounded metal cylinder 32,
If the resistances between the charged body and the current collector 36 and between the current collector 36 and the grounded metal cylinder 32 are respectively Ro, R, and R1,
When the potential of the charged body is Vl, the potential v2 of the current collector 36 is Vz −Rz V+ / (R+ +
Rz). As a result, the potential of the charge retention medium 3 can be determined by reading the potential of the current collector 36.
第１７図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、３７は電子銃、３８は電子ビーム、３９は第１ダイノ
ード、４０は２次電子増倍部である。FIG. 17 is a diagram showing an example of an electron beam type potential reading device, where 37 is an electron gun, 38 is an electron beam, 39 is a first dynode, and 40 is a secondary electron multiplier.
電子銃３７から出た電子を回示しない静電偏向あるいは
は電磁偏向装置により偏向して帯電面を走査する。走査
電子ビームのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充
電電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下がる
。残りの変調された電子ビームは電子銃３７の方向に戻
り、第１ダイノード３９に衝突し、その２次電子が２次
電子増倍部４０で増幅されその陽極から信号出力として
取り出される。この戻りの電子ビームとして反射電子あ
るいは２次電子を使用する。Electrons emitted from the electron gun 37 are deflected by an electrostatic deflector or an electromagnetic deflector that does not rotate, and scan the charged surface. A portion of the scanning electron beam combines with the charges on the charged surface, causing a charging current to flow, and the potential on the charged surface decreases to the equilibrium potential by that amount. The remaining modulated electron beam returns to the electron gun 37 and collides with the first dynode 39, and its secondary electrons are amplified by the secondary electron multiplier 40 and taken out from the anode as a signal output. Reflected electrons or secondary electrons are used as the returning electron beam.
電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部分
（ｎ先部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく、
充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分では
最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの逆で
ネガ型となる。In the case of the electron beam type, a uniform charge is formed on the medium after scanning, but a current corresponding to a latent image is detected during scanning. If the latent image has a negative charge, there is less charge accumulated by electrons in the part with more charge (n tip),
Although the charging current is small, for example, the maximum charging current flows in a portion where no charge exists. In the case of a positive charge, the opposite is true; it becomes a negative type.
第１８図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、静電
潜像が形成された電荷保持媒体３をトナー現像し、着色
した面を光ビームにより照射してスキャニングし、その
反射光を光電変換器４１で電気信号に変換するものであ
り、光ビーム径を小さ（することにより高分解能を達成
することができ、また光学的に簡便に静電電位の検出を
行うことができる。FIG. 18 is a diagram showing another example of the potential reading method, in which the charge holding medium 3 on which the electrostatic latent image is formed is developed with toner, the colored surface is irradiated with a light beam and scanned, and the reflected light is detected. It is converted into an electrical signal by a photoelectric converter 41, and by making the diameter of the light beam small, high resolution can be achieved, and electrostatic potential can be easily detected optically.
第１９図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したＲ
、Ｇ、８分解像をトナー現像し、着色した面を光ビーム
により照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を得る
場合の例を示している。図中、４３は走査信号発生器、
４５はレーザー、４７は反射鏡、４９はハーフミラ−１
５１は光電変換器、５３．５５．５７はゲート回路であ
る。FIG. 19 is a diagram showing another example of the potential reading method,
R formed by a fine color filter as described later
, G, and 8 separated images are developed with toner, the colored surface is irradiated with a light beam, and Y, M, and C signals are obtained from the reflected light. In the figure, 43 is a scanning signal generator;
45 is a laser, 47 is a reflecting mirror, 49 is a half mirror 1
51 is a photoelectric converter, and 53, 55, and 57 are gate circuits.
走査信号発生器４３からの走査信号でレーザー４５から
のレーザー光を、反射鏡４７、ハーフミラ−４９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−４９を介して光電変換器５１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器４３からの信号に同期
してゲート回路５３．５５．５７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路５３．５５
．５７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色してお
かなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる。A laser beam from a laser 45 is applied to the colored surface via a reflecting mirror 47 and a half mirror 49 and scanned by a scanning signal from a scanning signal generator 43. The reflected light from the colored surface is made incident on a photoelectric converter 51 via a half mirror 49 and converted into an electrical signal. If the opening/closing of the gate circuits 53, 55, 57 is controlled in synchronization with the signal from the scanning signal generator 43, the gate circuits 53, 55,
．． 57 is controlled to open and close, it is possible to obtain Y, M, and C signals without having to color Y, M, and C.
なお、カラー像が後述するように３面分割したものの場
合も、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、
この場合もＹ、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよいこと
は同様である。Note that even if the color image is divided into three planes as described later, Y, M, and C signals can be obtained in exactly the same way.
In this case as well, Y, M, and C do not need to be colored.
第１８図、第１９図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯ｉｔ量に対応したγ特性を有
していることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変
化に対してしきい値を持たないようにする必要がある。In the electrostatic potential detection method shown in FIGS. 18 and 19, it is necessary that the toner image has a γ characteristic corresponding to the band IT amount of the electrostatic latent image, and therefore It is necessary to avoid having thresholds for change.
対応さえとれていればγ特性が一部していなくても電気
的な処理によってγの補正を行うようにすればよい。As long as the correspondence is met, it is sufficient to correct γ by electrical processing even if the γ characteristic is partially inconsistent.
次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。Next, a color filter used to form a color image will be explained.
第２０図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９
．８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。Figure 20 is a diagram showing a color separation optical system using a prism. In the figure, 71.73.75 is a prism block, 77.79
．． 81 is a filter, and 83.85 is a reflecting mirror.
色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１の３面から入射した光情報は、５面に
おいて一部が分離反射され、さらに３面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ７９
．８１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。そ
して、Ｇ、Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射させ
ることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこ
とができる。The color separation optical system consists of three prism blocks, and the light information that enters from the three surfaces of the prism block 71 is partially reflected on the five surfaces, and further reflected on the three surfaces, and the B color light component is extracted from the filter 77. It will be done. The remaining optical information enters the prism block 73, travels to the zero plane, where some of it is separated and reflected, and the rest goes straight to the filters 79.
．． A G color light component and an R color light component are extracted from 81. Then, by reflecting the G and B color light components with the reflecting mirrors 83.85, the R, G, and B light can be extracted as parallel light.
このようなフィルタ９１を、第２１図に示すように感光
体１の前面に配置して盪影することにより、第２１図（
ロ）のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツト
で１コマを形成するか、また第２１図（ハ）に示すよう
に１平面上にＲ，Ｇ。By placing such a filter 91 on the front surface of the photoreceptor 1 as shown in FIG.
Either three sets of charge holding media separated into R, G, and B form one frame as shown in (b), or R, G are separated on one plane as shown in FIG. 21 (c).
Ｂ像として並べて１セツトで１コマとすることもできる
。They can also be lined up as B images and one set can be one frame.
第２２図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してＲ，Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、
または第２０図のような方法で色分解した光を、それぞ
れ細いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干
渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成
する方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し
、静電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライブパターンを形成
し、これをトナー現像して３回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライプを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，
Ｇ、Ｂｌ＆Ｉｌで１画素を形成し、１画素を１０μｍ程
度の微細なものにする。このフィルタを第１８図のフィ
ルタ９Ｉとして使用することによりカラー静電潜像を形
成することができる。この場合、フィルタは感光体と離
して配置して石、あるいは感光体と一体に形成するよう
にしてもよい。FIG. 22 is a diagram showing an example of a fine color filter. For example, a film coated with resist is exposed with a mask pattern to form an R, G, B stripe pattern,
A method of forming by staining each with R, G, and B,
Alternatively, the R, G, and B interference fringes generated by passing the color-separated light as shown in Figure 20 through narrow slits are recorded on a hologram recording medium, or a photoconductor is used as a mask. It is formed by a method in which R, G, and B stripe patterns are formed using electrostatic latent images by closely exposing them to light, which are then developed with toner and transferred three times to combine colors and form toner stripes. do. R of the filter formed by such a method,
One pixel is formed by G, Bl & Il, and each pixel is made into a fine piece of about 10 μm. By using this filter as filter 9I in FIG. 18, a color electrostatic latent image can be formed. In this case, the filter may be placed apart from the photoreceptor and formed integrally with the stone or the photoreceptor.
第２３図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。Figure 23 is a diagram showing an example of a combination of a fine color filter and a Fresnel lens.
, B patterns can be reduced and recorded, and the lens can be designed to be thinner and more compact than a normal lens.
第２４図はＮＤ （Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５７３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、ＲＳＧ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。Figure 24 shows ND (Neutral Density)
) filter and R, G, and B filters, the incident light is divided into ND filters 81, 83 and reflection mirrors 8573, and R filters 8 and 8, respectively.
7. By passing through the G filter 89 and the B filter 91, the RSG and B lights can be extracted as parallel lights.
本発明の静電潜像画像化システムは、電荷保持媒体上に
面状にアナログ量として静電潜像を形成し、その電荷電
位を読み取ることにより静電潜像に対応した画像データ
として取り込み、これに必要な画像処理を加えてＣＲＴ
表示、或いはプリンタによりプリントアウトすることに
より、高品質、高解像であると共に、処理工程が簡便で
、長時間の記憶が可能であり、記憶した像情報を目的に
応じた画質で、任意に反復再生することができる。The electrostatic latent image imaging system of the present invention forms an electrostatic latent image as a planar analog quantity on a charge holding medium, reads the charge potential and captures it as image data corresponding to the electrostatic latent image, Adding the necessary image processing to this, CRT
By displaying or printing out with a printer, it is possible to achieve high quality and high resolution, as well as a simple processing process and long-term storage, and the stored image information can be used at any time with the image quality that suits the purpose. Can be played repeatedly.
以下、実施例を説明する。 Examples will be described below.
〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノール１：１
溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）：商品名 ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加えて
よく攪拌し、Ａ２を１０００人蒸着レムガラス基板上に
ドクターブレード４ミルを用いてコーティングを行った
。[Example 1]...Production method of charge retention medium 10 g of methylphenyl silicone resin, xylene-butanol 1:1
Add 1% by weight (0.2 g) of a curing agent (metal catalyst) (trade name: CR-15) to a mixed solution containing 10 g of solvent, stir well, and apply A2 to a 1000-person evaporation rem glass substrate with a doctor blade 4 mil. Coating was performed using
その後１５０°Ｃ，ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０μ
ｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。After that, drying was performed at 150°C for 1 hour, and the film thickness was 10μ.
A charge retention medium (a) of m was obtained.
また上記混合液を、Ａｌを１０００人蒸着レム１００μ
ｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ）を
得た。In addition, the above mixed solution was used to deposit 100 μm of Al.
It was coated on a polyester film in the same manner and then dried to obtain a film-like charge retention medium (b).
また上記混合液を、／ｌを１０００人蒸着レム４インチ
ディスク形状アクリル（１ｍｒ！Ｌ）Ｍ板上にスピンナ
ー２０００ｒｐ■でコーディングし、５０°Ｃ１３ｈｒ
乾燥させ、膜厚７μｍのディスク状電荷保持媒体（ｃ）
を得た。In addition, the above mixed solution was coated with /l on a 4-inch disk-shaped acrylic (1 mr! L) M plate deposited by 1000 people using a spinner at 2000 rpm, and heated at 50°C for 13 hours.
Dried disk-shaped charge retention medium (c) with a film thickness of 7 μm
I got it.
また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍの膜
厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。Furthermore, 0.1 g of zinc stearate was added to the above mixed solution, and the same coating and drying were performed to obtain a charge retention medium (d) having a film thickness of 10 μm.
〔実施例２〕
ポリイミド樹脂１０ｇＳＮ−メチルピロリドン１０ｇの
組成を有する混合液を、Ａ２を１０００人蒸着レムガラ
ス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐｍ、
２０秒）した。溶媒を乾燥させるため１５０℃で３０分
間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０℃、２時
間加熱した。[Example 2] A mixed solution having a composition of 10 g of polyimide resin and 10 g of SN-methylpyrrolidone was spinner coated (1000 rpm,
20 seconds). After pre-drying at 150° C. for 30 minutes to dry the solvent, heating was performed at 350° C. for 2 hours for curing.
膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。A uniform film with a film thickness of 8 μm was formed.
〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ −ＴＮ
Ｆ ）作製方法
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ （亜南香料（株
）製）、２，４．７−ドリニトロフルオレノン１０ｇ１
ポリエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東
洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０
ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎ２Ｏ２−
３ｎ島を約１０００人の膜厚でスパッターしたガラス基
板（１ｍａ＋厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し
、６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚的１０μｍの光導
電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために
、更に１日自然乾燥を行って用いた。[Example 3]...Single layer organic photoreceptor (PVK-TN
F) Production method Poly-N-vinylcarbazole 10g (manufactured by Anan Perfumery Co., Ltd.), 10g 2,4.7-dolinitrofluorenone
2 g of polyester resin (binder: Byron 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 90% tetrahydrofuran (THF)
A mixed solution having a composition of g was prepared in a dark place, and In2O2-
A photosensitive layer having a photoconductive layer with a film thickness of 10 μm was obtained by coating the glass substrate (1 ma+thickness) on which 3n islands were sputtered with a film thickness of about 1000 using a doctor blade and drying with ventilation at 60° C. for about 1 hour. I got it. In addition, in order to completely dry the sample, it was further air-dried for one day before use.
（実施例４ ）・・・アモルファスシリコンａｓｉ：Ｈ
無機感光体の作製方法
■基板洗浄
Ｓｎｏｗの薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社７０５９ガラス（２３Ｘ１６Ｘ０゜９ｔ、光学研
磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々１ｏ分ずつ超音波洗浄する。(Example 4)...Amorphous silicon asi:H
Manufacturing method of inorganic photoreceptor ■Substrate cleaning Corning 7059 glass (23 x 16 x 0° 9t, optically polished) with a Snow thin film transparent electrode layer on one surface was soaked in trichloroethane, acetone, and ethanol at 1o each in this order. Ultrasonic cleaning for minutes.
■装置の準備
洗浄の済んだ基板を第２５図の反応室２０４内のアノー
ド２０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
凰応室内を１０−”Ｔｏｒｒ台までり。(2) Preparation of the device After setting the cleaned substrate on the anode 206 in the reaction chamber 204 in FIG. 25 to ensure sufficient heat conduction,
The inside of the fire room reaches a level of 10-” Torr.
Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０＠Ｃ〜３５０°（４’約１時間行い、焼出し後装
置を冷却する。The reaction vessel and gas pipe are baked out at 150° C. to 350° (4' for about 1 hour), and the apparatus is cooled down after baking out.
■ａ−３ｔ：Ｈ（ｎ”）の堆積
ガラス基板が３５０＠Ｃになるようにヒーターを２０８
ｍ１１整、加熱し、予めタンク２０１内で混合しておい
たＰＨｓ ／’Ｓ ｉ Ｈ４＝ １０００’ｐｐｍ （
ＤガスをニードルパルプとＰＭＢの回転数を制御するこ
とによって反応室２０４の内圧が２００ｍＴ。■a-3t: H(n”) deposited The heater is set at 208°C so that the temperature of the glass substrate is 350＠C.
PHs /'S i H4 = 1000'ppm (
The internal pressure of the reaction chamber 204 is 200 mT by controlling the rotation speed of D gas, needle pulp and PMB.
ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ ｔ
ｃｈｉｎｇ Ｂｏｘ２０３を通じて、４０ＷのＲｆ Ｐ
ｏｗｅｒ ２０２ （１３，５６ＫＨｚ）を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４分
間行い、Ｒｆの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。After the flow internal pressure becomes constant so as to become rr, Mat
40W Rf P through changing Box 203
power 202 (13,56 KHz) is input to form plasma between the cathode and anode. Deposition is carried out for 4 minutes, then Rf input is stopped and the needle pulp is closed.
その結果、ブロッキング層を構成する約０．２μｍのａ
−３ｔ：Ｈ（ｎ”）膜が基板上に堆積された。As a result, a thickness of approximately 0.2 μm constituting the blocking layer was obtained.
-3t:H(n'') film was deposited on the substrate.
■ａ−３ｔ ；Ｈの堆積
ＳｉＨ４１００％ガスを■と同じ方法で内圧が２００ｍ
Ｔｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Ｍａｔｃｈｉｎｇ Ｂｏｘ２０３を通じて４０Ｗ
のＲｆＰｏ％４ｅｒ ２０２ （１３，５６ＫＨｚ）を
投入し、プラズマを形成して７０分間維持する。堆積終
了はＲｆの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。Ｈｅ
ａｔｅｒ２０ Ｂ Ｏｆｆ後、基板が冷えているから取
り出す。■ a-3t ; Deposit H SiH4 100% gas in the same way as ■ until the internal pressure is 200 m
Torr, and when the internal pressure becomes constant, 40W is applied through Matching Box 203.
RfPo%4er 202 (13,56 KHz) was input to form a plasma and maintained for 70 minutes. When the deposition is completed, the input of Rf is stopped and the needle pulp is closed. He
After ater20 B is turned off, the board is cold, so take it out.
この結果、約１８．８μｍの膜がａ−３ｉ＋Ｈ（ｎｌＪ
Ｅｉ上に堆積された。As a result, a film of approximately 18.8 μm was formed by a-3i+H (nlJ
Deposited on Ei.
こうしてＳｎｏｗ／ａ−ｓｔ：ｌ（（ｎ” ）ブロッキ
ング層／ａ−Ｓｔ ：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０μｍ
の感光体を作製することができた。Thus, Snow/a-st:l((n”) blocking layer/a-st:H(non-dope) 20μm
We were able to fabricate a photoreceptor.
（実施例５）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法
セレン（Ｓｓ）に対しテルル（Ｔｏ）が１３重ｆＪ％の
割合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−５ｅ
−Ｔｅ薄膜を真空度１０−’Ｔｏ ｒ ｒ、抵抗加熱法
でＩＴＯガラス基板上に蒸着した。膜厚は１８ｍとした
。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法で
Ｓｅのみの蒸着を行いａ −３ｓ−Ｔｏ層上に１０ｔＩ
ｍａ−５ｇ層を積層した。(Example 5)...Method for producing an amorphous selenium-tellurium inorganic photoreceptor A-5e was produced using a vapor deposition method using metal particles in which tellurium (To) was mixed with selenium (Ss) at a ratio of 13 times fJ%.
A -Te thin film was deposited on an ITO glass substrate using a resistance heating method at a vacuum degree of 10-' Torr. The film thickness was 18 m. Furthermore, while maintaining the degree of vacuum, only Se was evaporated using the same resistance heating method, and 10tI was deposited on the a-3s-To layer.
A ma-5g layer was laminated.
〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法）
クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍｆ容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズＮｏ３、！８０ｍｆを加え、
振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、約４
時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブルーを
得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニー
ピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加え約
４時間撹拌する。この溶液をＩｎｚＯ＋−３ｎＯ□を約
１０００人スパッターしたガラス基ｖｉ（１ｍ厚）にド
クターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍの電荷発
生層を得た。乾燥は室温で１日行つた。[Example 6] Method for producing a functionally separated photoreceptor (method for forming a charge generation layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodiane blue and 40 g of dichloroethane was placed in a 250 mf stainless steel container, and a glass Peas No. 3! Add 80mf,
Approximately 4
Pulverization for hours is carried out to obtain chlorocyan blue with a particle size of ~5 μm. After filtering the glass peas, 0.4 g of polycarbonate, Niepiron E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) was added and stirred for about 4 hours. This solution was applied using a doctor blade to a glass substrate vi (1 m thick) sputtered with about 1000 InzO+-3nO□ to obtain a charge generation layer with a thickness of about 1 μm. Drying was carried out for one day at room temperature.
４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。4-Dibenzylamino-2-methylbenzaldehyde-
0.1 g of 1,1'-diphenylhydrazone.
ポリカーボネート（ニーピロンＥ−２０００）０． １
ｇ。Polycarbonate (Kneepilon E-2000) 0. 1
g.
ジクロルエタン２．、Ｏｇの組成を有する混合液をドク
ターブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０
μｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０°Ｃで２時間行っ
た。Dichloroethane2. , Og was applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and the mixture was applied for about 10 minutes.
A charge transport layer of μm was obtained. Drying was performed at 60°C for 2 hours.
〔実施例７〕
（を荷発生層の形成方法）
酢酸ブチルＬｏｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
２０，塩、
０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０’Ｃ，２時間以上乾燥さ
せた。乾燥後の膜厚はＩｕｍ以下。[Example 7] (Method for forming a load-generating layer) Butyral resin (Building Chemical, 5LE) was added to butyl acetate Log.
C) 0.25g, azulenium C having the following structural formula
20. Mix 0.5 g of salt and 133 g of glass peas, stir with a touch mixer for 1 day, disperse well, and apply with a doctor blade or applicator on ITO layered on a glass plate. 'C, Dry for more than 2 hours. The film thickness after drying is less than Ium.
（電荷輸送層の形成方法）
テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１）
０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０“Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚
１０μｍ以下であった。(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000) and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan Perfume Co., Ltd., CTC1).
91) was mixed with 0.5 g and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60"C for 12 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.
〔実施例８］
（電荷発生層の形成方法）
テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５・ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５
ｇ、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで
１日間撹拌し、よく分散させものをＥ゛クターブレード
またはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上
に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の
被膜は、膜厚１μｍ以下であった。[Example 8] (Method for forming charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (5LEC, manufactured by Building Blocks Chemical), and 0.2 g of titanyl phthalocyanine.
5.g, 4.10-dibromoanthrone 0.25
33 g of Glass Peas No. 1 was stirred with a touch mixer for 1 day, dispersed well, and applied with an E vector blade or applicator onto ITO laminated on a glass plate, and dried at 60°C for 12 hours or more. . The film after drying had a thickness of 1 μm or less.
（電荷輸送層の作製方法）
ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上であ
った。(Preparation method of charge transport layer) Dissolve 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) and 0.5 g of the above hydrazone derivative (CTC191, Anan fragrance) in 9.5 g of dichloroethane, and generate the above charge using a doctor blade. Apply on layer, 6
It was dried at 0°C for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or more.
〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法
（電荷注入防止層の形成方法）
ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ２２時間以上乾燥
させた。[Example 9]... Method for producing a functionally separated photoreceptor provided with a charge injection prevention layer (method for forming a charge injection prevention layer) Soluble polyamide (Toagosei Kagaku, FS- 175SV10) was applied to a thickness of 0.5 to 1 μm using a spin coater and dried at 60° C. for 22 hours or more.
（電荷発生層の形成方法）
酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣ１ｏ、塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜ｗ、１μｍ以下であった。(Method for forming charge generation layer) Add butyral resin (Building Chemical, 5LE) to 10 g of butyl acetate.
C) 0.25 g, azulenium C1o, salt 0.
Glass Peas No. 5g and Glass Peas No. 133g were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, well dispersed, applied on the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator, and dried at 60°C for 12 hours or more. The film after drying had a film thickness of 1 μm or less.
（電荷輸送層の形成方法）
テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０゛Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚１０μ
ｍ以下であった。(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000), and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (CTC191, manufactured by Anan Kaori Co., Ltd.)
The mixture was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60°C for 12 hours or more. Film thickness 10μ
m or less.
〔実施例１０〕
（電荷注入防止層の形成方法）
ガラス板上に積層したＴＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ２布、６０°Ｃ１２特間以上乾燥
させた。[Example 10] (Method for forming charge injection prevention layer) Soluble polyamide (Toagosei Kagaku, FS-175SV10) was coated on TTO laminated on a glass plate with a spin coater of 0.5 to 1 μm2 cloth, 60°C, 12 special temperature. It was dried more than that.
（Ｔｉ電荷発生層形成方法）
テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．ｔｏ−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮ００１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚１μｍ以下であった。(Method for forming a Ti charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (Building Chemical, 5LEC), and 0.2 titanyl phthalocyanine.
5g, 4. to-dibromoanthrone 0.25g
, 33g of Glass Peas N001, 1 with a touch mixer
Stir for several days, disperse well, and apply the mixture onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator.
It was dried at 60°C for 12 hours or more. The film after drying had a thickness of 1 μm or less.
（電荷輸送層の形成方法）
溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．
５ｇ＠溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μ
ｍ以上であった。(Method for forming a charge transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) was added to 9.5 g of dichloroethane as a solvent.
The above hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) 0.
5 g of the solution was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60° C. for 2 hours or more. Film thickness is 10μ
It was more than m.
〔実施例１１〕
（感光体電極層の形成方法）
青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ｒＴｏ、比抵抗１
００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸着させた
。[Example 11] (Method for forming photoreceptor electrode layer) Indium tin oxide (rTo, specific resistance 1
00Ω·cm”) was deposited by sputtering.
また、ＥＢ法により同様に蒸着させ、ることかできる。Moreover, it can be similarly vapor-deposited by the EB method.
（電荷注入防止層の形成方法）
上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。(Method for Forming Charge Injection Prevention Layer) Silicon dioxide was deposited on the photoreceptor electrode layer by sputtering.
膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。The film thickness can be from 100 to 3,000, and aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and the EB method can be used instead of the sputtering method.
（電荷発生層の形成方法）
上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。(Method for Forming Charge Generation Layer) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection prevention layer by resistance heating. The film thickness is 2
It is less than μm.
（電荷輸送層の形成方法）
上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。(Method for Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was used on the charge generation layer and deposited by resistance heating. The film thickness is 10 μm or less.
Ｃ実Ｒ％例１２ ）・・・熱エレクトレットの作製方法
ポリ弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（１
０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡ２を１０００人
蒸着レムものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の
光導電性感光体と共に静電潜像を形成する。C Actual R% Example 12)...Production method of thermal electret Vacuum deposition (1
An electrostatic latent image was formed using A2 as a charge retention medium using a photoconductive photoreceptor of a function-separated type photoreceptor using 1000-person vapor deposition method (0-' Torr, resistance heating method).
まず電荷保持媒体のＡ２基板側からポンドプレート（３
Ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０°Ｃに媒体を加熱する。First, from the A2 substrate side of the charge holding medium, the pound plate (3
x3 cm) and heat the medium to 180°C.
加熱直後に感光体を電荷保持媒体に１０Ｉ！ｍの空気ギ
ャップで表面同志を対向させ、置型極間に一５５０Ｖの
電圧を印加（感光体電極を負とする）し、露光させた。Immediately after heating, transfer the photoreceptor to a charge holding medium for 10I! The surfaces were opposed to each other with an air gap of m, and a voltage of 1,550 V was applied between the mold electrodes (the photoreceptor electrode was set as negative), and exposed.
Ｗｋ光はノλロゲンランプを光源として、１０ルツクス
で、文字パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行
った。Wk light was applied for 1 second from the back surface of the photoreceptor through the character pattern document at 10 lux using a λ logen lamp as the light source.
この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０Ｖの電位が
測定された。After this, the film was naturally cooled, and as a result, the exposed areas (characters)
A potential of -150 V was measured in the area, and no potential was measured in the unexposed area. Water droplets were dropped onto the film on which the charging pattern was formed, and after being collected, the potential was measured. As a result, the potential of -150 V was measured in the exposed area, which was the same as before.
一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０Ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０■を示した露光部がＯＶと全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。On the other hand, after forcibly forming a charge of -150V on the surface of the charge holding medium by corona discharge, water droplets were dropped and collected, and the exposed area that initially showed -150V became OV and the charge completely disappeared. did. Therefore, it was found that charge formation under heating causes polarization inside polyvinylidene fluoride, resulting in electret formation.
〔実施例１３〕・・・光エレクトレットの作製方法１．
１ｍｍ厚のガラス支持体上にＡＡを、約１０００人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、その／ｌｌ’ｉ
上に硫化亜鉛を約１．５μｍの膜厚に蒸着（１０−’Ｔ
ｏｒｒ、抵抗加熱）させた。この硫化亜鉛層面に、ガラ
ス上に積層した１７０面を空気ギャップ１０ｕｍ設けて
対向させ、両電極間に＋７００ｖの電圧を印加（Ａ／電
極側を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露光を
行った。[Example 13] Method for producing photoelectret 1.
AA was laminated on a 1 mm thick glass support by about 1000 sputtering method to prepare a substrate.
Zinc sulfide was deposited on top to a thickness of approximately 1.5 μm (10-'T
orr, resistance heating). The surface of this zinc sulfide layer is exposed to light from the ITO substrate side with 170 layers laminated on glass facing each other with an air gap of 10 um and a voltage of +700V applied between both electrodes (A/electrode side negative). I did it.
露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。Exposure was performed in the same manner as in Example 11. As a result, a potential of +80 V was measured in the exposed area, and no potential was measured in the unexposed area. In this case as well, a water droplet experiment similar to that in Example 11 was conducted, but there was no change in the potential after recovery, and an electret with charge accumulated inside was formed.
〔実施例１４］
実施例３の単層系有機感光体（ＰＶＫ −ＴＮＦ ）、
実施例１ （ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使
用し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセット
する。その際に感光体ｌと電荷保持媒体３間に空隙を設
けるため、第２６図に示すように１０１１ｍのポリエス
テルフィルムをスペーサー２として露光面以外の周囲に
配置する。[Example 14] Single layer organic photoreceptor (PVK-TNF) of Example 3,
Example 1 Using the charge retention medium of (a) and a glass substrate, these are stacked with the electrode side facing outside and set in a camera. At this time, in order to provide a gap between the photoreceptor 1 and the charge holding medium 3, a 1011 m polyester film is placed around the area other than the exposed surface as a spacer 2, as shown in FIG.
感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を７
００ｖ印加し、その状態で露出ｆ＝１゜４、シャッタ−
スピード１／６０秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出ｆ＝１．４、シャッター開放状態でｌ／６０秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。Set the voltage to 7 with the photoreceptor electrode side negative and the charge holding medium side positive.
00V applied, exposure f=1°4, shutter in that state.
The subject was photographed outdoors in the daytime by either turning off the optical shutter at a speed of 1/60 seconds, or by applying voltage for 1/60 seconds with exposure f=1.4 and the shutter open.
露光ＯＦＦ、Ｔ！ｌ圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明
るい所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位
読取り法によるＣＲ７画像形成、■トナー現象による画
像形成を行った。Exposure OFF, T! After the application of 1 pressure was turned off, the charge holding medium was taken out in a bright or dark place, and 1) CR7 image formation was performed using a micro-area potential reading method, and 2) image formation was performed using a toner phenomenon.
■では、１００Ｘ１００μｍの微小面積表面電位測定プ
ローブをＸ−Ｙ軸スキャニングを行い、１００μｍ単位
の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位２００■から未露光部ＯＶまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をＣＲＴ上で１００μｍの解
像度で顕像化することができた。In (2), X-Y axis scanning was performed using a 100×100 μm micro-area surface potential measuring probe, potential data in units of 100 μm was processed, and an image was formed on a CRT by potential-luminance conversion. An analog potential latent image was formed on the charge holding medium from the maximum exposed area potential of 200 cm to the unexposed area OV, and this latent image could be visualized on a CRT with a resolution of 100 μm.
■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー（黒）に１０秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度は１μｍの高解像度で
あった。In (2), a positive image was obtained by immersing the charge holding medium taken out in negatively charged liquid toner (black) for 10 seconds. The resolution of the obtained toner image was as high as 1 μm.
カラー画像の撮影は以下の方法で行った。Color images were taken using the following method.
■プリズム型３面分割法
第２０図に示すようにプリズムの３面上にＲｌＧ、Ｂフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセットし
、ｆ＝１．４、シャッタ−スピード１／３０秒で被写体
撮影を行った。■ Prism type three-plane division method As shown in Figure 20, place RlG and B filters on the three sides of the prism, set the above medium on each side, f = 1.4, shutter speed 1/30 The subject was photographed in seconds.
■カラーＣＲＴ表示法
Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像各々を同様の方法でスキャニングして読
み取り、Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像に対応した螢光発色をＣＲＴ上
で形、成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成することに
よりカラー画像を得た。■Color CRT display method The R, G, and B latent images are each scanned and read using the same method, and fluorescent colors corresponding to the R, G, and B latent images are formed on the CRT to create a three-color separated image. A color image was obtained by compositing on a CRT.
■トナー現像法
分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、Ｂ潜像に対して負
に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナー・で各々現像し、トナー像を形成する。トナ
ーが乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普
通紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥
離を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、
同様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼ
ンダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普
通紙上にカラー画像が形成された。■Toner development method The exposed charge-retaining medium is developed with C (cyan), M (magenta), and Y (yellow) toners that are negatively charged with respect to the R, G, and B latent images to form toner images. do. Before the toner dries, plain paper is placed on top of the medium on which the cyan toner image has been formed, and the paper is positively charged with corona. Thereafter, when peeling was performed, the toner image was transferred to the plain paper. moreover,
When magenta toner and yellow toner were sequentially transferred and synthesized to the same location by aligning the image positions in a similar manner, a color image was formed on plain paper.
以上のように本発明によれば、アナログ的に面上に電荷
保持媒体に静電潜像として記録しておき、任意の時点で
静電潜像の局部電位を任意の走査密度で読み出して出力
することができるので、あたかも、銀塩写真を撮影し、
適当なときにその写真を光学走査して再出力するように
静電潜像を高画質で任意の時点で画像化することが可能
となる。As described above, according to the present invention, an electrostatic latent image is recorded on a charge holding medium on a surface in an analog manner, and the local potential of the electrostatic latent image is read out at an arbitrary scanning density at an arbitrary time and output. As if you were taking a silver halide photo,
It becomes possible to image an electrostatic latent image with high image quality at any time by optically scanning and re-outputting the photograph at an appropriate time.
また、直接電位検出する場合には、現像手段のような物
理的または化学的手段を必要としないので安価で筒便な
静電潜像画像化システムを作ることができる。Further, in the case of direct potential detection, a physical or chemical means such as a developing means is not required, so that an inexpensive and convenient electrostatic latent image imaging system can be created.
第１図は本発明の静電潜像画像化システムにおける静電
潜像記録方法の原理を説明するための図、第２図は光エ
レクトレットを用いた静電潜像記録方法の原理を説明す
るための図、第３図は熱エレクトレットを用いた静電潜
像記録方法の原理を説明するための図、第４図は本発明
の静電潜像画像化システムの構成を示すブロック図、第
５図は静電潜像の例を示す図、第６図は第５図の静電潜
像の場合における検出電位分布を示す図、第７図は第５
図の静電潜像を画像化した例を示す図、第８図、第９図
、第１０図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す
図、第１１図、第１２図、第１３図は交流増幅型の電位
読み取り方法の例を示す図、第１４図、第１５図はＣＴ
ススキャン法よる電位読み取り方法の例を示す図、第１
６図は集電型の電位読み取り方法の例を示す図、第１７
図は電子ビーム型の電位読み取り方法の例を示す図、第
１８図、第１９図はトナー着色を利用した電位読み取り
方法を説明するための図、第２０図は色分解光学系の構
成を示す図、第２１図はカラー静電潜像を形成する場合
の説明図、第２２図は微細カラーフィルタの例を示す図
、第２３図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組
み合わせた例を示す図、第２４図はＮＤフィルタとＲ，
Ｇ、Ｂフィルタの併用による３面分割を示す図、第２５
図はａ−＝３４ ： ）（５光体の作製方法を説明する
ための図、第２６図は本発明を通用した静電カメラによ
る撮影の実施例を説明するための図である。
１・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、６・・・静電
電位測定手段、８・・・Ａ、／Ｄ変換器、１０・・・制
御処理装置、１２・・・走査駆動手段、１４は表示部。
出 順 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信（外４名）第１図
（ハ）
１ （°）
ピ＝＝≠モヨー
第４図
第５図
；
訝
ト ト
第８図
第９図 第１０図
第１２図
第１５図
第１６図
第１７図
第１８図
第１９図
第２０図
第２１ 図
第２４図
第２６区
ξ憾 邦
＝ ５０″FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the electrostatic latent image recording method in the electrostatic latent image imaging system of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of the electrostatic latent image recording method using a photoelectret. 3 is a diagram for explaining the principle of an electrostatic latent image recording method using a thermal electret, and FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the electrostatic latent image imaging system of the present invention. Figure 5 is a diagram showing an example of an electrostatic latent image, Figure 6 is a diagram showing a detection potential distribution in the case of the electrostatic latent image in Figure 5, and Figure 7 is a diagram showing an example of the electrostatic latent image in Figure 5.
Figures 8, 9, and 10 are diagrams showing examples of DC amplification type potential reading methods, Figures 11, 12, and 13 The figure shows an example of an AC amplification type potential reading method, and Figures 14 and 15 are CT
Diagram 1 showing an example of a potential reading method using the scan method.
Figure 6 is a diagram showing an example of a current collecting type potential reading method, Figure 17
The figure shows an example of an electron beam type potential reading method, Figures 18 and 19 are diagrams for explaining a potential reading method using toner coloring, and Figure 20 shows the configuration of a color separation optical system. 21 is an explanatory diagram of forming a color electrostatic latent image, FIG. 22 is a diagram showing an example of a fine color filter, and FIG. 23 is a diagram showing an example of a combination of a fine color filter and a Fresnel lens. Figure 24 shows the ND filter and R,
Diagram showing 3-plane division using G and B filters, No. 25
The figure is a-=34: ) (A figure for explaining the method for producing a pentagonal body, and FIG. 26 is a figure for explaining an example of photographing with an electrostatic camera that can be used in the present invention.1. ... Photoreceptor, 3 ... Charge holding medium, 6 ... Electrostatic potential measuring means, 8 ... A, /D converter, 10 ... Control processing device, 12 ... Scanning drive means, 14 is the display section. Person Dai Nippon Printing Co., Ltd. agent Patent attorney Masanobu Hirukawa (4 others) Figure 1 (c) 1 (°) Pi==≠Moyo Figure 4 Figure 5; Fig. 8 Fig. 9 Fig. 10 Fig. 12 Fig. 15 Fig. 16 Fig. 17 Fig. 18 Fig. 19 Fig. 20 Fig. 21 Fig. 24 Fig. 26
Claims (7)
読み取る静電電位測定手段と、電荷保持媒体または静電
電位測定手段を走査駆動制御する制御処理手段とを備え
、電荷保持媒体あるいは静電電位測定手段を駆動走査す
ることにより、静電潜像を画像化することを特徴とする
静電潜像画像化システム。(1) It is equipped with an electrostatic potential measuring means for reading the electrostatic potential of a charge retaining medium on which an electrostatic latent image is recorded, and a control processing means for scanning and controlling the charge retaining medium or the electrostatic potential measuring means. An electrostatic latent image imaging system characterized by converting an electrostatic latent image into an image by driving and scanning a medium or electrostatic potential measuring means.
るＡ／Ｄ変換器、該ディジタル信号を取り込み画像処理
すると共に、電荷保持媒体または静電電位測定手段を走
査駆動制御する制御処理手段、及び制御処理手段の出力
により静電潜像データに基づいて画像表示する表示手段
とを備え、電荷保持媒体あるいは静電電位測定手段を駆
動走査することにより、静電潜像を画像化する請求項１
記載の静電潜像画像化システム。(2) An A/D converter that converts the measured analog signal into a digital signal, a control processing means that captures the digital signal and performs image processing, and controls the scanning drive of the charge holding medium or electrostatic potential measuring means, and control processing. 2. A display means for displaying an image based on the electrostatic latent image data based on the output of the means, wherein the electrostatic latent image is converted into an image by driving and scanning a charge holding medium or an electrostatic potential measuring means.
The electrostatic latent image imaging system described.
対向させ、検出電極に誘起した電荷により生じた電位を
検出する請求項１記載の静電潜像画像化システム。(3) The electrostatic latent image imaging system according to claim 1, wherein the charge potential is read by placing a detection electrode facing the charge holding medium and detecting the potential generated by the charge induced in the detection electrode.
載の静電潜像面像化システム。(4) The electrostatic latent image surface imaging system according to claim 1, further comprising a guard electrode provided around the detection electrode.
求項１記載の静電潜像画像化システム。(5) The electrostatic latent image imaging system according to claim 1, wherein an insulating film is provided on the surfaces of the detection electrode and the guard electrode.
検出器、またはＣＴスキャン型検出器である請求項１記
載の静電潜像画像化システム。(6) The electrostatic latent image imaging system according to claim 1, wherein the electrostatic potential measuring means is a current collector type detector, an electron beam type detector, or a CT scan type detector.
像し、光ビームを照射してその反射光を光電変換して行
う請求項１記載の静電潜像画像化システム。(7) The electrostatic latent image imaging system according to claim 1, wherein the electrostatic potential is read by developing the charge holding medium with toner, irradiating it with a light beam, and photoelectrically converting the reflected light.
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121594A JPH01290368A (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Electrostatic latent image picture processing system |
| US07/352,525 US5161233A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-16 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| CA000599963A CA1339151C (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor andrecording medium |
| ES89305010T ES2094728T3 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | PROCEDURE FOR RECORDING AND REPRODUCING INFORMATION, DEVICE FOR EXECUTING THE INDICATED PROCEDURE AND MEANS OF RECORDING. |
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| EP89305010A EP0342968B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
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| US08/812,559 US6493013B2 (en) | 1988-05-17 | 1997-03-07 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121594A JPH01290368A (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Electrostatic latent image picture processing system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290368A true JPH01290368A (en) | 1989-11-22 |
Family
ID=14815119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63121594A Pending JPH01290368A (en) | 1988-02-20 | 1988-05-17 | Electrostatic latent image picture processing system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290368A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63121594A patent/JPH01290368A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
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