JPH01287482A - 半導体装置測定システム - Google Patents
半導体装置測定システムInfo
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- JPH01287482A JPH01287482A JP63117369A JP11736988A JPH01287482A JP H01287482 A JPH01287482 A JP H01287482A JP 63117369 A JP63117369 A JP 63117369A JP 11736988 A JP11736988 A JP 11736988A JP H01287482 A JPH01287482 A JP H01287482A
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- JP
- Japan
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- signal
- electrical
- semiconductor device
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 3
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光入力により半導体装置のテストを行うこ
とができる半導体装置測定システムに関する。
とができる半導体装置測定システムに関する。
第３図は高周波ウェハテストを行うための従来から用い
られている半導体ｉ＊ｍ定システムを示す構成図である
。図において、１はウェハ内の測定チップ、２は信号を
発生したり受信したり、データ処理を行う電気特性試験
装置である。
られている半導体ｉ＊ｍ定システムを示す構成図である
。図において、１はウェハ内の測定チップ、２は信号を
発生したり受信したり、データ処理を行う電気特性試験
装置である。
高周波プローブ針３は、電気特性試験装Ｍ２から高周波
信号線４を介して与えられた高周波信号を測定チップ１
上のテスト用コンタクト部１ａに伝える。
信号線４を介して与えられた高周波信号を測定チップ１
上のテスト用コンタクト部１ａに伝える。
プローブ針５は、高周波信号が与えられることにより測
定チップ１内の諸回路から発生される電気信号を電気特
性試験装Ｈ２に信号線６を介し伝達する。
定チップ１内の諸回路から発生される電気信号を電気特
性試験装Ｈ２に信号線６を介し伝達する。
次に動作について説明する。電気特性試験装置２により
発生された高周波信号は、高周波信号線４及び高周波プ
ローブ針３を介し測定チップ１上のテスト用コンタクト
部１ａに与えられる。
発生された高周波信号は、高周波信号線４及び高周波プ
ローブ針３を介し測定チップ１上のテスト用コンタクト
部１ａに与えられる。
そして、高周波信号が測定チップ１内の諸回路に入力さ
れ、諸回路は、高周波信号に応じた電気信号を出力する
。この諸回路により出力された電気信号はプローブ針５
及び信号線６を介し電気特性試験装置２に入力される。
れ、諸回路は、高周波信号に応じた電気信号を出力する
。この諸回路により出力された電気信号はプローブ針５
及び信号線６を介し電気特性試験装置２に入力される。
そして、電気特性試験装置２は、この電気信号により測
定チップ１の緒特性を測定する 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置測定システムは以上のように構成され
、高周波信号は高周波プローブ針５を介し、測定チップ
１上のテスト用コンタクト部１ａに与えられているので
、高周波プローブ針５と測定チップ１との間に発生する
コンタクト抵抗、高周波信号線４及び高周波プローブ針
５が有する容量等により高周波成分が減衰したり、また
高周波プローブ針３とテスト用コンタクト部１ａの接点
を介しノイズを受けやすいため測定チップ１の試験を高
精度に行うのが困難であるという問題点があった。
定チップ１の緒特性を測定する 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置測定システムは以上のように構成され
、高周波信号は高周波プローブ針５を介し、測定チップ
１上のテスト用コンタクト部１ａに与えられているので
、高周波プローブ針５と測定チップ１との間に発生する
コンタクト抵抗、高周波信号線４及び高周波プローブ針
５が有する容量等により高周波成分が減衰したり、また
高周波プローブ針３とテスト用コンタクト部１ａの接点
を介しノイズを受けやすいため測定チップ１の試験を高
精度に行うのが困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体装置の試験を高精度に行うことができ
る半導体装置測定システムを得ることを目的とする。
たもので、半導体装置の試験を高精度に行うことができ
る半導体装置測定システムを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置測定システムは、半導体装置
の緒特性を測定する半導体装置測定システムであって、
前記半導体装置にテスト用信号としての電気信号を与え
るとともに、前記電気信号に応答し前記半導体装置より
生じる信号を感知し、前記半導体装置の緒特性を測定す
る電気特性試験装置と、前記電気信号が入力され、前記
電気信号を光信号に変換する電気−光変換手段と、前記
電気−光変換手段からの光信号を前記半導体装置に照射
する光照射手段と、前記光照射手段に、前記電気−９光
変換手段からの光信号を伝達する光信号伝達手段と、前
記半導体装置内の所定の場所に設けられ、前記光照射手
段からの光信号を電気信号に変換する光−電気変換手段
とを備え、前記電気特性試験装置からの電気信号を光信
号に変換し、前記光−電気変換手段に与えることにより
生じる電気信号を前記電気特性試験装置により感知し、
前記半導体装置の試験を行なうことができるよう構成し
ている。
の緒特性を測定する半導体装置測定システムであって、
前記半導体装置にテスト用信号としての電気信号を与え
るとともに、前記電気信号に応答し前記半導体装置より
生じる信号を感知し、前記半導体装置の緒特性を測定す
る電気特性試験装置と、前記電気信号が入力され、前記
電気信号を光信号に変換する電気−光変換手段と、前記
電気−光変換手段からの光信号を前記半導体装置に照射
する光照射手段と、前記光照射手段に、前記電気−９光
変換手段からの光信号を伝達する光信号伝達手段と、前
記半導体装置内の所定の場所に設けられ、前記光照射手
段からの光信号を電気信号に変換する光−電気変換手段
とを備え、前記電気特性試験装置からの電気信号を光信
号に変換し、前記光−電気変換手段に与えることにより
生じる電気信号を前記電気特性試験装置により感知し、
前記半導体装置の試験を行なうことができるよう構成し
ている。
この発明における電気−光変換手段は、電気特性試験装
置からの電気信号を光信号に変換し、光信号伝達手段は
光信号を光照射手段に伝達し、光照射手段は光信号を半
導体装置上の光−電気変換手段に照射する。光−電気変
換手段は光信号を電気信号に変換し、半導体装置内の諸
回路に伝達し、電気特性試験装置は、半導体装置内の諸
回路からの出力を受は半導体装置の緒特性を測定する。
置からの電気信号を光信号に変換し、光信号伝達手段は
光信号を光照射手段に伝達し、光照射手段は光信号を半
導体装置上の光−電気変換手段に照射する。光−電気変
換手段は光信号を電気信号に変換し、半導体装置内の諸
回路に伝達し、電気特性試験装置は、半導体装置内の諸
回路からの出力を受は半導体装置の緒特性を測定する。
（実施例）
第１図は、この発明の一実施例を示す構成図である。
図において、第１図に示した従来の半導体装置測定シス
テムとの相違点は、測定チップ１内に従来のテスト用コ
ンタクト１１ａの代りにフォトダイオードＰＤを設けた
こと、高周波プローブ針３をなくし、新たに電気信号を
光信号に変換する電気−光変換器（以下ｒＥ１０変換器
」という。）７、Ｅ１０変換器７の出力を伝達する光フ
ァイバー８、光ファイバー８を介して入力される光信号
を集光するコリメータレンズ９を設けたことである。
テムとの相違点は、測定チップ１内に従来のテスト用コ
ンタクト１１ａの代りにフォトダイオードＰＤを設けた
こと、高周波プローブ針３をなくし、新たに電気信号を
光信号に変換する電気−光変換器（以下ｒＥ１０変換器
」という。）７、Ｅ１０変換器７の出力を伝達する光フ
ァイバー８、光ファイバー８を介して入力される光信号
を集光するコリメータレンズ９を設けたことである。
次に動作について説明する。Ｅ１０変換器７は、電気特
性試験装置２からの高周波信号を光信号に変換し、光フ
ァイバー８を介しコリメータレンズ９に伝達する。コリ
メータレンズ９は、第２図に示すように光信号を集光し
、測定チップ１内のフォトダイオードＰＤに光を照射す
る。そして、フォトダイオードＰＤはコリメータレンズ
８からの光信号を電気信号に変換し測定チップ１内の諸
回路に伝達する。そして、測定チップ１内の開回路は入
力される電気信号に応じた電気信号を発生し、この信号
がプローブ針５．信号線６を介し電気特性試験装置２に
入力される。電気特性試験装置２はこの信号により測定
チップ１の測定結果を出力する。
性試験装置２からの高周波信号を光信号に変換し、光フ
ァイバー８を介しコリメータレンズ９に伝達する。コリ
メータレンズ９は、第２図に示すように光信号を集光し
、測定チップ１内のフォトダイオードＰＤに光を照射す
る。そして、フォトダイオードＰＤはコリメータレンズ
８からの光信号を電気信号に変換し測定チップ１内の諸
回路に伝達する。そして、測定チップ１内の開回路は入
力される電気信号に応じた電気信号を発生し、この信号
がプローブ針５．信号線６を介し電気特性試験装置２に
入力される。電気特性試験装置２はこの信号により測定
チップ１の測定結果を出力する。
なお、上記実施例ではテスト用信号に高周波信号を用い
た場合について説明したが、微少電流等のようにノイズ
等の外乱による影響が大きい信号をテスト用信号に用い
た場合についても同様の効果を奏する。
た場合について説明したが、微少電流等のようにノイズ
等の外乱による影響が大きい信号をテスト用信号に用い
た場合についても同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、従来のテスト用コンタクト部１
ａの代りにフォトダイオードＰＤを用いたが、フォトダ
イオードＰＤにその他の光１１０回路及び光信号処理回
路を付加することにより、より安定して測定チップ１の
試験を行うことができる。
ａの代りにフォトダイオードＰＤを用いたが、フォトダ
イオードＰＤにその他の光１１０回路及び光信号処理回
路を付加することにより、より安定して測定チップ１の
試験を行うことができる。
さらに、フォトダイオードＰＤは、測定チップ１上の必
要部分に任意に付加できるため、部分的な回路テストも
できる。
要部分に任意に付加できるため、部分的な回路テストも
できる。
以上のようにこの発明によれば、電気信号を光信号に変
換する電気−光変換手段、前記電気−光変換手段からの
光信号を被測定半導体装置に照射する光照射手段及び前
記電気−光変換手段からの光信号を前記光照射手段に伝
達する光伝達手段を設けるとともに、半導体装置内の所
定の場所に光−電気変換手段を設けたので、従来のよう
に被測定半導体装置にテスト用信号を与える場合にコン
タクト抵抗が生じることなく、ノイズ等の外乱の影響を
少なくすることができ、半導体装置の試験を高精度に行
なうことができるという効果がある。
換する電気−光変換手段、前記電気−光変換手段からの
光信号を被測定半導体装置に照射する光照射手段及び前
記電気−光変換手段からの光信号を前記光照射手段に伝
達する光伝達手段を設けるとともに、半導体装置内の所
定の場所に光−電気変換手段を設けたので、従来のよう
に被測定半導体装置にテスト用信号を与える場合にコン
タクト抵抗が生じることなく、ノイズ等の外乱の影響を
少なくすることができ、半導体装置の試験を高精度に行
なうことができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は光
伝達部分の拡大図、第３図は従来の半導体装置測定シス
テムを示す構成図である。 図において、２は電気特性試験装置、７は電気−光変換
器、８は光ファイバー、９はコリメータレンズ、ＰＤは
フォトダイオードである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
伝達部分の拡大図、第３図は従来の半導体装置測定シス
テムを示す構成図である。 図において、２は電気特性試験装置、７は電気−光変換
器、８は光ファイバー、９はコリメータレンズ、ＰＤは
フォトダイオードである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体装置の諸特性を測定する半導体装置測定シ
ステムであって、 前記半導体装置にテスト用信号としての電気信号を与え
るとともに、前記電気信号に応答し前記半導体装置より
生じる信号を感知し、前記半導体装置の諸特性を測定す
る電気特性試験装置と、前記電気信号が入力され、前記
電気信号を光信号に変換する電気−光変換手段と、 前記電気−光変換手段からの光信号を前記半導体装置に
照射する光照射手段と、 前記光照射手段に、前記電気−光変換手段からの光信号
を伝達する光信号伝達手段と、 前記半導体装置内の所定の場所に設けられ、前記光照射
手段からの光信号を電気信号に変換する光−電気変換手
段とを備え、 前記電気特性試験装置からの電気信号を光信号に変換し
、前記光−電気変換手段に与えることにより生じる電気
信号を前記電気特性試験装置により感知し、前記半導体
装置の試験を行なうことを特徴とする半導体装置測定シ
ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117369A JPH01287482A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置測定システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117369A JPH01287482A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置測定システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287482A true JPH01287482A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14709956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117369A Pending JPH01287482A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置測定システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287482A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013386A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置の検査方法、半導体装置、半導体集積回路、半導体集積回路のテスト方法およびテスト装置 |
| JP2007266345A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体装置の試験方法、その試験方法に用いるプローブカード及び半導体装置 |
| JP2011242216A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Advantest Corp | 試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイス |
| TWI448704B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-08-11 | Advantest Corp | 測試裝置、測試方法以及裝置介面 |
| EP3660563A1 (fr) * | 2018-11-30 | 2020-06-03 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Test de circuit photonique intégré |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63117369A patent/JPH01287482A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013386A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置の検査方法、半導体装置、半導体集積回路、半導体集積回路のテスト方法およびテスト装置 |
| JP2007266345A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体装置の試験方法、その試験方法に用いるプローブカード及び半導体装置 |
| JP2011242216A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Advantest Corp | 試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイス |
| TWI448704B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-08-11 | Advantest Corp | 測試裝置、測試方法以及裝置介面 |
| EP3660563A1 (fr) * | 2018-11-30 | 2020-06-03 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Test de circuit photonique intégré |
| FR3089344A1 (fr) * | 2018-11-30 | 2020-06-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Test de circuit photonique intégré |
| US11131710B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-09-28 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Integrated photonic test circuit |
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