JPH01283921A - GaAsウエハのアニール方法 - Google Patents
GaAsウエハのアニール方法Info
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- JPH01283921A JPH01283921A JP11525888A JP11525888A JPH01283921A JP H01283921 A JPH01283921 A JP H01283921A JP 11525888 A JP11525888 A JP 11525888A JP 11525888 A JP11525888 A JP 11525888A JP H01283921 A JPH01283921 A JP H01283921A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はイオン注入を行ったGaAsウェハのアニー
ル方法に関するものである。
ル方法に関するものである。
第3図は従来のGaAsウェハのアニール方法を説明す
るためのアニール装置の一例を示す模式断面図で、(a
)〜(C1はアニールの各工程を示す1図において、(
1)は石英等からなる炉芯管、(2)は炉のヒータ、(
8)はアニールしようとするGaAsウェハ、(4)は
GaAsウェハ(8)を支える支持具、(6)は支持具
(4)を炉芯管(1)の高温部に押し込み、あるいは引
き出すための石英等からなる棒、(6)は炉芯管(1)
の内壁に付着したAs、(γ)はθMウェハ(8)上に
付着したAs 、(8)はキャリアガスの流量を調整す
るキャリアガス用流量計、(9)はキャリアガス用バル
ブ、(至)ハアニール中のGaAsウェハ(8)からの
Mの蒸発を防ぐために添加するAs83ガスの流量を調
整するAsH3ガス用流量計、αυはAsHsガス用バ
ルブ、■はキャリアガスAsH3ガスとを炉芯管(1)
に導入するためのガス配管である。
るためのアニール装置の一例を示す模式断面図で、(a
)〜(C1はアニールの各工程を示す1図において、(
1)は石英等からなる炉芯管、(2)は炉のヒータ、(
8)はアニールしようとするGaAsウェハ、(4)は
GaAsウェハ(8)を支える支持具、(6)は支持具
(4)を炉芯管(1)の高温部に押し込み、あるいは引
き出すための石英等からなる棒、(6)は炉芯管(1)
の内壁に付着したAs、(γ)はθMウェハ(8)上に
付着したAs 、(8)はキャリアガスの流量を調整す
るキャリアガス用流量計、(9)はキャリアガス用バル
ブ、(至)ハアニール中のGaAsウェハ(8)からの
Mの蒸発を防ぐために添加するAs83ガスの流量を調
整するAsH3ガス用流量計、αυはAsHsガス用バ
ルブ、■はキャリアガスAsH3ガスとを炉芯管(1)
に導入するためのガス配管である。
また、第4図は、この装置を用いてGaAsウェハ(8
)のアニールを行う場合のキャリアガス及びAsH3ガ
スの流量、炉の温度、炉芯管(1)中でのChAsウェ
ハ(8)の位置の時間的変化を示した線図である。
)のアニールを行う場合のキャリアガス及びAsH3ガ
スの流量、炉の温度、炉芯管(1)中でのChAsウェ
ハ(8)の位置の時間的変化を示した線図である。
次に動作について説明する。
アニールされるaaAsウェハ(8)は第3図(a)に
示すごとく支持具(4)に載せられ、棒(5)によって
、炉芯管(1)中を高温部に向かって押し込まれていく
。1Mウェハ(8)はある程度の温度(約650’O)
になると表面から劫が蒸発し、表面荒れなどを生ずる。
示すごとく支持具(4)に載せられ、棒(5)によって
、炉芯管(1)中を高温部に向かって押し込まれていく
。1Mウェハ(8)はある程度の温度(約650’O)
になると表面から劫が蒸発し、表面荒れなどを生ずる。
これを防ぐために、GaASウニ/X(8)の温度があ
る程度高温になった時点(第4図に示す時間U )で、
炉芯管(1)中に、キャリアガスに加えてAsH3ガス
を流し、AsH3ガスの熱分解により生成されたAs2
、 Ag3などにより(EtiAs t5エバ(8)表
面にM分圧(通常数分の1〜数Torr )を掛け、表
面荒れなどを防ぐ。第3図(blに示すごとく支持具(
4)が高温部中央に来たところで、アニールが開始され
る(通常、800°C前後)が、その際As(6)が炉
芯管(1)の内壁に析出する。適当な時間(第4図に示
すt8〜ts )(通常数分〜数十分間)経過したとこ
ろで第3図(c)に示すととく棒(6)により支持具(
4)と共にGaAsウー・・(8)が炉芯管(1)中を
低温部aき出され、冷却されて、アニールは終了する。
る程度高温になった時点(第4図に示す時間U )で、
炉芯管(1)中に、キャリアガスに加えてAsH3ガス
を流し、AsH3ガスの熱分解により生成されたAs2
、 Ag3などにより(EtiAs t5エバ(8)表
面にM分圧(通常数分の1〜数Torr )を掛け、表
面荒れなどを防ぐ。第3図(blに示すごとく支持具(
4)が高温部中央に来たところで、アニールが開始され
る(通常、800°C前後)が、その際As(6)が炉
芯管(1)の内壁に析出する。適当な時間(第4図に示
すt8〜ts )(通常数分〜数十分間)経過したとこ
ろで第3図(c)に示すととく棒(6)により支持具(
4)と共にGaAsウー・・(8)が炉芯管(1)中を
低温部aき出され、冷却されて、アニールは終了する。
従来のアニール方法では、以上のようにアニール後の(
hAsウェハを単純に、高温部から低温部へ引き出すよ
うになっているが、低温部では、AsHsの熱分解によ
って生成されたA92 、 Ag3などが炉芯管壁に析
出しているため、GaAsウニ/Nを棒により引き出し
てくる際に、ChAsウェハ上に、炉芯管壁に付着した
Asが、はがれ落ちて、ウェハ上にのる場合があり、こ
のGaAsウェハを用いて、高集積のICを作る場合な
どには、ゴミとしてパターン欠陥などの原因となるので
その対策が課題であった。
hAsウェハを単純に、高温部から低温部へ引き出すよ
うになっているが、低温部では、AsHsの熱分解によ
って生成されたA92 、 Ag3などが炉芯管壁に析
出しているため、GaAsウニ/Nを棒により引き出し
てくる際に、ChAsウェハ上に、炉芯管壁に付着した
Asが、はがれ落ちて、ウェハ上にのる場合があり、こ
のGaAsウェハを用いて、高集積のICを作る場合な
どには、ゴミとしてパターン欠陥などの原因となるので
その対策が課題であった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、GaAsウェハへのMの付着を防ぎ、綺麗な
表面が得られる0aAsウエハのアニール方法を得るこ
とを目的とする。
たもので、GaAsウェハへのMの付着を防ぎ、綺麗な
表面が得られる0aAsウエハのアニール方法を得るこ
とを目的とする。
この発明に係るGaAsウェハのアニール方法は、Ch
Asウェハを炉芯管中でアニールした後、ウェハ温度を
、ChAsが熱分解しない温度まで降温し、Hclガス
を導入し、しかる後に、ChAsウェハt 炉E管より
取出せるようにしたものである。
Asウェハを炉芯管中でアニールした後、ウェハ温度を
、ChAsが熱分解しない温度まで降温し、Hclガス
を導入し、しかる後に、ChAsウェハt 炉E管より
取出せるようにしたものである。
この発明においては、アニール後、(hAsウェハの温
度をGaASが熱分解しない温度にした状態で、Hcl
ガスを導入し、炉芯管壁に付着した蔀をエツチングし、
除去するので、GaAsウェハを炉芯管から引き出す際
に、炉芯管壁に付着していたAsが、GaAsウェハ上
へ落ちて付着することがなく、ゴミの付着していない、
表面の綺麗な、アニールされたI’!AASウェハを得
ることができる。
度をGaASが熱分解しない温度にした状態で、Hcl
ガスを導入し、炉芯管壁に付着した蔀をエツチングし、
除去するので、GaAsウェハを炉芯管から引き出す際
に、炉芯管壁に付着していたAsが、GaAsウェハ上
へ落ちて付着することがなく、ゴミの付着していない、
表面の綺麗な、アニールされたI’!AASウェハを得
ることができる。
第1図はこの発明のアニール方法を説明するためのアニ
ール装置の一例を示す模式断面図で、(a)〜(dlは
アニールの各工程を示す。図において、(1)〜(6)
、 (8)〜0υ及び■は従来例の第3図で示したもの
と同等のものである。住zはHalガスの流量を調整す
るHcAIガス用流量計、C13)はHcJガス用バル
ブである。
ール装置の一例を示す模式断面図で、(a)〜(dlは
アニールの各工程を示す。図において、(1)〜(6)
、 (8)〜0υ及び■は従来例の第3図で示したもの
と同等のものである。住zはHalガスの流量を調整す
るHcAIガス用流量計、C13)はHcJガス用バル
ブである。
また、第2図はこの発明によるアニール方法を用いて、
C1aAsウエハ(8)のアニールを行う場合のキャリ
アガス、 Ashsガス、 Hclガスの流量、炉の温
度、 GIA!3ウェハ(8)の位置の時間的変化を示
した線図である。
C1aAsウエハ(8)のアニールを行う場合のキャリ
アガス、 Ashsガス、 Hclガスの流量、炉の温
度、 GIA!3ウェハ(8)の位置の時間的変化を示
した線図である。
次に動作について説明する。
アニールされるGaAsウェハ(8)は、第1図(al
(Dごとく支持具(4)に載せられ、棒(5)によって
、炉芯管(1)中を、高温部に向かって押し込まれてい
く。ンAsウェハ(8)の温度がある程度高温になった
時点(第2図に示す時間tx )で表面荒れ防止のため
に、キャリアガスに加えて、AsH3ガスを流す。支持
具(4)が、高温部中央に来九ところで、第1図(bl
のごとくアニールが開始される(Ts−80000)。
(Dごとく支持具(4)に載せられ、棒(5)によって
、炉芯管(1)中を、高温部に向かって押し込まれてい
く。ンAsウェハ(8)の温度がある程度高温になった
時点(第2図に示す時間tx )で表面荒れ防止のため
に、キャリアガスに加えて、AsH3ガスを流す。支持
具(4)が、高温部中央に来九ところで、第1図(bl
のごとくアニールが開始される(Ts−80000)。
適当な時間(第2図に示すt2〜t3)(数分〜数十分
間)経過とたところで、炉温度をGaAsウェハ(8)
が熱分解しない温度(tz4600°C)まで降温する
。
間)経過とたところで、炉温度をGaAsウェハ(8)
が熱分解しない温度(tz4600°C)まで降温する
。
この時点t4でAsH3ガスを止め、HcJガスを流し
始める。炉芯管(1)の低温部には、As H3の熱分
解により生成したAs (6)が析出している部分があ
るが、Hclガスを流すことにより、As (6)は第
1図(CIに示すごとくエツチング除去される。Hcl
ガスを適当な時間(第2図に示すt4〜t11)流し、
炉芯管(1)の壁面に付着したAs (6)を除去でき
た時点(第2図に示すtl′I)で、棒(5)により支
持具(4)と共にGaAsウェハ(8)を、第1図(d
iに示すごとく高温部から引き出す。
始める。炉芯管(1)の低温部には、As H3の熱分
解により生成したAs (6)が析出している部分があ
るが、Hclガスを流すことにより、As (6)は第
1図(CIに示すごとくエツチング除去される。Hcl
ガスを適当な時間(第2図に示すt4〜t11)流し、
炉芯管(1)の壁面に付着したAs (6)を除去でき
た時点(第2図に示すtl′I)で、棒(5)により支
持具(4)と共にGaAsウェハ(8)を、第1図(d
iに示すごとく高温部から引き出す。
Hclガスにより炉芯管壁のAs (6)は除去されて
いるので、As (a)がGaAsウェハ(8)上に落
ちに付着することは無(、Asによるゴミが無い綺麗な
表面の、アニールされた0aAsウエハ(8)が得られ
る。この後、更に、常温までGaAsウェハ(8)を冷
却し、アニールは終了する。
いるので、As (a)がGaAsウェハ(8)上に落
ちに付着することは無(、Asによるゴミが無い綺麗な
表面の、アニールされた0aAsウエハ(8)が得られ
る。この後、更に、常温までGaAsウェハ(8)を冷
却し、アニールは終了する。
なお、上記実施例では、GaAsウェハ(8)の温度を
アニール温度1“lから、0aA5が熱分解しない温度
T2まで下げる方法として、炉温度を下げることにより
行う場合を示したが、例えば温度T1と温度T2の2つ
の温度帯を持つ炉を用い、この間をθ劾つェハを行き来
させることによって(hAsウエノ1の温度を変えるな
どしてもよい。
アニール温度1“lから、0aA5が熱分解しない温度
T2まで下げる方法として、炉温度を下げることにより
行う場合を示したが、例えば温度T1と温度T2の2つ
の温度帯を持つ炉を用い、この間をθ劾つェハを行き来
させることによって(hAsウエノ1の温度を変えるな
どしてもよい。
この発明は以上説明したとおり、(hAsウエノ1を炉
芯管中でアニールした後、GaAsウェハの温度をGa
Asが熱分解しない温度まで降温し、Hatガスを導入
し、炉芯管壁に付着したMをエツチング除去した後、C
kA9ウェハを炉芯管より取出せるようにしたので、G
aAsウェハ面上へのAsの付着を防ぐことができ、綺
麗な表面を有するアニールされたlAsウェハが得られ
るという効果がある。
芯管中でアニールした後、GaAsウェハの温度をGa
Asが熱分解しない温度まで降温し、Hatガスを導入
し、炉芯管壁に付着したMをエツチング除去した後、C
kA9ウェハを炉芯管より取出せるようにしたので、G
aAsウェハ面上へのAsの付着を防ぐことができ、綺
麗な表面を有するアニールされたlAsウェハが得られ
るという効果がある。
第1図はこの発明に係る(1!LA9ウエハのアニール
方法の一実施例を示すアニール装置の模式断面によって
アニールの各工程を示す図、第2図は第1図のアニール
方法を用いてGaAsウェハのアニールを行う場合のキ
ャリアガス、 AaHaガス、Halガスの流量、炉温
度、 GaAsウェハ位置の時間的変化を示す線図、第
3図は従来のoaAsウェハのアニール方法の一例を示
すアニール装置の模式断面によってアニールの各工程を
示す図、第4図は第3図のアニール方法ヲ用いて、Ga
Asウェハのアニールを行う場合のキャリアガス、 A
8H3ガスの流量、炉温度、 GaAsウェハ位置の時
間的変化を示す線図である。 図において、(1)は炉芯管、(2)はヒータ、(8)
は)劾ウェハ、(4)は支持具、(5)は棒、(6)は
M、(8)はキャリアガス用流量計、(9)はキャリア
ガス用バルブ、αQはAsH3ガス用流量計、■はAs
Hsガス用バルブazはHclガス用流量計、α3はH
alガス用バルブ、Iはガス配管である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
方法の一実施例を示すアニール装置の模式断面によって
アニールの各工程を示す図、第2図は第1図のアニール
方法を用いてGaAsウェハのアニールを行う場合のキ
ャリアガス、 AaHaガス、Halガスの流量、炉温
度、 GaAsウェハ位置の時間的変化を示す線図、第
3図は従来のoaAsウェハのアニール方法の一例を示
すアニール装置の模式断面によってアニールの各工程を
示す図、第4図は第3図のアニール方法ヲ用いて、Ga
Asウェハのアニールを行う場合のキャリアガス、 A
8H3ガスの流量、炉温度、 GaAsウェハ位置の時
間的変化を示す線図である。 図において、(1)は炉芯管、(2)はヒータ、(8)
は)劾ウェハ、(4)は支持具、(5)は棒、(6)は
M、(8)はキャリアガス用流量計、(9)はキャリア
ガス用バルブ、αQはAsH3ガス用流量計、■はAs
Hsガス用バルブazはHclガス用流量計、α3はH
alガス用バルブ、Iはガス配管である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- GaAsウェハを炉でアニールする方法において、G
aAsウェハを炉芯管中でアニールした後、GaAsウ
ェハ温度を、GaAsが熱分解しない温度まで降温し、
Hclガスを導入し、しかる後に、GaAsウェハを炉
芯管より取出せるようにしたことを特徴とするGaAs
ウェハのアニール方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11525888A JPH01283921A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | GaAsウエハのアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11525888A JPH01283921A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | GaAsウエハのアニール方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283921A true JPH01283921A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14658226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11525888A Pending JPH01283921A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | GaAsウエハのアニール方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283921A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
CN109112637A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-01 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11525888A patent/JPH01283921A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
CN109112637A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-01 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片 |
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