JPH01280334A - 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 - Google Patents
半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法Info
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- JPH01280334A JPH01280334A JP63083533A JP8353388A JPH01280334A JP H01280334 A JPH01280334 A JP H01280334A JP 63083533 A JP63083533 A JP 63083533A JP 8353388 A JP8353388 A JP 8353388A JP H01280334 A JPH01280334 A JP H01280334A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のト１的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ上の半導体チップの位置を検出
する位置検出方法に関する。
する位置検出方法に関する。
（従来の技術）
半導体ウェハ上に形成された半導体チップは、このダイ
シングラインに沿って切断し個々に分離して使用される
が、この時に半導体ウェノ１上の半導体チップの位置を
検出する必要がある。
シングラインに沿って切断し個々に分離して使用される
が、この時に半導体ウェノ１上の半導体チップの位置を
検出する必要がある。
従来、この半導体ウェハ上の半導体チップの位置の検出
は、一般に以下のような方法で行われていた。
は、一般に以下のような方法で行われていた。
即ち、半導体ウェハ上の半導体チップを、真上及び斜め
方向から照射し、この反射光を光学カメラで撮像し、こ
れを２値化して記憶装置に記憶する。
方向から照射し、この反射光を光学カメラで撮像し、こ
れを２値化して記憶装置に記憶する。
この記憶された２値化データを平面で表した２値化画像
は、第５図に示すように、半導体チップ１は明るく、ダ
イシングライン２は暗く写し出され、その境界である半
導体ナツプ１の輪郭線１ａ。
は、第５図に示すように、半導体チップ１は明るく、ダ
イシングライン２は暗く写し出され、その境界である半
導体ナツプ１の輪郭線１ａ。
１ｂは直線でなくてはならない。
この２値化画像に基づいて、゛ト導体チップ１の位置を
検出するのであるが、この縦の輪郭線１ａ（Ｘ座標）を
検出する時には、ｆＭ（Ｘ方向）の輪郭線１ｂに平行に
１画素の幅で検索範囲（ライン）を設定し、この検索範
囲に沿って検索線３を走らせて画素が明から暗に変わる
点を捜し出し、これをＸ座標とする。この操作を、間隔
を置いて宅行に数回、例えば３列に亘って行う。そして
、この口ＩＩ検出した点（Ｘ座標）が予め設定した許容
誤差範囲内にあるか否かを判断して、このＸ座標を決定
する。
検出するのであるが、この縦の輪郭線１ａ（Ｘ座標）を
検出する時には、ｆＭ（Ｘ方向）の輪郭線１ｂに平行に
１画素の幅で検索範囲（ライン）を設定し、この検索範
囲に沿って検索線３を走らせて画素が明から暗に変わる
点を捜し出し、これをＸ座標とする。この操作を、間隔
を置いて宅行に数回、例えば３列に亘って行う。そして
、この口ＩＩ検出した点（Ｘ座標）が予め設定した許容
誤差範囲内にあるか否かを判断して、このＸ座標を決定
する。
横の輪郭線１ｂ（Ｙ座標）を検出する時には、縦（Ｙ方
向）の輪郭線１ａに平行に１画素の幅で検索範囲（ライ
ン）を設定し、この検索範囲に沿って検索線３′を走ら
せて画素が明から暗に変わる点を捜し出し、これをＹ座
標とする。この操作を、間隔を置いて平行に数回、例え
ば３列に亘って行う。そして、この時検出した点（Ｙ座
標）がｒ・め設定した。′１容誤差範囲内にあるか占か
を判断して、このＹ座標を決定する。
向）の輪郭線１ａに平行に１画素の幅で検索範囲（ライ
ン）を設定し、この検索範囲に沿って検索線３′を走ら
せて画素が明から暗に変わる点を捜し出し、これをＹ座
標とする。この操作を、間隔を置いて平行に数回、例え
ば３列に亘って行う。そして、この時検出した点（Ｙ座
標）がｒ・め設定した。′１容誤差範囲内にあるか占か
を判断して、このＹ座標を決定する。
上記操作により、半導体チップ１のコーナ部ＣのＸ座標
及びＹ座標を決定して、この位置の検出を行うのである
。
及びＹ座標を決定して、この位置の検出を行うのである
。
（発明が解決しようとする課題）
上記検査方法では、２値化画像において、半導体チップ
とダイシングラインとか明確に区別できるよう、その境
界である半導体チップの輪郭線が直線になっている場合
には、半導体チップの位置を正確に検出することができ
る。しかしながら、照明の強さ、照明の角度及び２値化
する際のしきい値の設定等の影響で、２値化画像か乱れ
半導体チップとダイシングラインとの境界が直線になら
ない場合がある。この場合、上記検索線による検索では
、検索範囲は著しく狭いため、この境界の門凸や明暗の
程度等によって作動しなかったり誤作動を起こし、半導
体チップの位置を全く検出できないか、または誤検出を
して正確な位置を検出することができないことがあると
いった問題点があった。
とダイシングラインとか明確に区別できるよう、その境
界である半導体チップの輪郭線が直線になっている場合
には、半導体チップの位置を正確に検出することができ
る。しかしながら、照明の強さ、照明の角度及び２値化
する際のしきい値の設定等の影響で、２値化画像か乱れ
半導体チップとダイシングラインとの境界が直線になら
ない場合がある。この場合、上記検索線による検索では
、検索範囲は著しく狭いため、この境界の門凸や明暗の
程度等によって作動しなかったり誤作動を起こし、半導
体チップの位置を全く検出できないか、または誤検出を
して正確な位置を検出することができないことがあると
いった問題点があった。
本発明は上記に鑑み、２値化画像に多少の乱れかあって
も、正確かつ確実に半導体チップの位置を検出できるよ
うにしたものを提供することを目的とする。
も、正確かつ確実に半導体チップの位置を検出できるよ
うにしたものを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記［１的を達成するため、本発明における半導体チッ
プの検出方法は、半導体チップ上に照射した光の反射光
を撮像するとともに２値化装置で２値化し、この２値化
画像を基にダイシングラインを検出して半導体ウェハ上
の半導体チップの位置を検出する位置検出方法において
、上記ダイシングラインに直交する所定の位置に矩形状
のマスク領域を設け、このマスク領域の幅方向の画素数
を該マスク開城の長さ方向に沿って計測し、この画素数
が所定数以上又は所定数以下となった位置を’Ｆ−導体
チツブの一辺の輪郭位置とするようにしたものである。
プの検出方法は、半導体チップ上に照射した光の反射光
を撮像するとともに２値化装置で２値化し、この２値化
画像を基にダイシングラインを検出して半導体ウェハ上
の半導体チップの位置を検出する位置検出方法において
、上記ダイシングラインに直交する所定の位置に矩形状
のマスク領域を設け、このマスク領域の幅方向の画素数
を該マスク開城の長さ方向に沿って計測し、この画素数
が所定数以上又は所定数以下となった位置を’Ｆ−導体
チツブの一辺の輪郭位置とするようにしたものである。
（作 用）
上記のように構成された本発明によれば、半導体チップ
の位置の検出は、マスク領域の幅方向の画素数を数える
ことによって、一定の幅に互って行われるので、２値化
画像の多少のＩｉしれによっても、この位置を正確かつ
確実に検出することができる。
の位置の検出は、マスク領域の幅方向の画素数を数える
ことによって、一定の幅に互って行われるので、２値化
画像の多少のＩｉしれによっても、この位置を正確かつ
確実に検出することができる。
（実施例）
以上、本発明の実施例について第１図乃至第４図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第３図において、複数の半導体チップ１が縦及び横方向
に複数個形成された半導体ウェハ４は、駆動モータ５を
備えたＸ−Ｙステージ６の上面に載置され、この駆動モ
ータ５により位置決めが行われる。この半導体チップ１
には、落射照明７がハーフミラ−８を介して真上から、
及び斜光照明りか斜めから夫々照射され、この反射光は
ハーフミラ−８を通過して光学カメラ１０で撮像される
。
に複数個形成された半導体ウェハ４は、駆動モータ５を
備えたＸ−Ｙステージ６の上面に載置され、この駆動モ
ータ５により位置決めが行われる。この半導体チップ１
には、落射照明７がハーフミラ−８を介して真上から、
及び斜光照明りか斜めから夫々照射され、この反射光は
ハーフミラ−８を通過して光学カメラ１０で撮像される
。
そして、この光学カメラ１０からの映像信号は、２値化
回路１１に入力されてここで２値化され、記ｔａ装置１
２に紀億される。
回路１１に入力されてここで２値化され、記ｔａ装置１
２に紀億される。
この記憶された２値化データを・ｌ也面で表すと第１図
に示すようになり、上記第５図と同様に半導体チップ１
は明るく、ダイシングライン２は暗く写し出される。
に示すようになり、上記第５図と同様に半導体チップ１
は明るく、ダイシングライン２は暗く写し出される。
この２値化画像に基づいて半導体チップ１の位置を検出
するのであるが、これを以下のようにして行う。
するのであるが、これを以下のようにして行う。
先ず、同図における右下隅部Ｃ１のＸ、 Ｙ座標を求め
る方法について説明する。
る方法について説明する。
Ｘ座標を検出するため、検出する右下隅部Ｃ１の上方に
位置して″＋−＋−導体チップＦＭ（Ｘ方向）の輪郭線
１ｂに沿って横方向に延び、かつ縦方向（Ｙ方向）のダ
イシングライン２と交差する矩形状のマスク領域１３を
設ける。
位置して″＋−＋−導体チップＦＭ（Ｘ方向）の輪郭線
１ｂに沿って横方向に延び、かつ縦方向（Ｙ方向）のダ
イシングライン２と交差する矩形状のマスク領域１３を
設ける。
そして、このマスク領域１３の幅方向（Ｙ方向）１４ａ
に画素数を数え、これをマスク領域１３の長さ方向（Ｘ
方向）１４ｂの全域に亘って順次繰り返す。
に画素数を数え、これをマスク領域１３の長さ方向（Ｘ
方向）１４ｂの全域に亘って順次繰り返す。
この時のＸ座標を横軸に、画素のカウント数１５を縦中
由１ことったグラフを７１訃１．６で示す。
由１ことったグラフを７１訃１．６で示す。
そして、このカウント数１５を一定の検索方向１７、即
ち左から右方向にチエツクして行き、所定のカウント数
下限値１８よりも多く、かつ最初に画素数が最大となっ
たＸ位置１９を半導体チップ１のＸ座標とするのである
。
ち左から右方向にチエツクして行き、所定のカウント数
下限値１８よりも多く、かつ最初に画素数が最大となっ
たＸ位置１９を半導体チップ１のＸ座標とするのである
。
Ｙ座標を検出するためには、検出する右下隅部Ｃ１の右
側に位置して半導体チップ１の縦（Ｙ方向）の輪郭線１
ａに沿って縦方向に延び、かつ横ｈ′向（Ｘ方向）のダ
イシングライン２と交差する矩形状のマスク領域２０を
設ける。
側に位置して半導体チップ１の縦（Ｙ方向）の輪郭線１
ａに沿って縦方向に延び、かつ横ｈ′向（Ｘ方向）のダ
イシングライン２と交差する矩形状のマスク領域２０を
設ける。
そして、上記とほぼ同様にこのマスク領域２０の幅方向
（Ｘ方向）２１ａに画素数を数え、これをマスク領域２
０の長さノｊ向（Ｙ方向）２１ｂの全域に亘って順次繰
り返す。
（Ｘ方向）２１ａに画素数を数え、これをマスク領域２
０の長さノｊ向（Ｙ方向）２１ｂの全域に亘って順次繰
り返す。
この時のＹ座標を横軸に、画素のカウント数１５を縦軸
にとったグラフ１６を作成し、このカウント数１５を一
定の検索方向１７、即ち上から下方向にチエツクして行
き、所定のカウント数下限値１８よりも多く、かつ最初
に画素数が最大となったＹ位置２２を半導体チップ１の
Ｙ座標とするのである。
にとったグラフ１６を作成し、このカウント数１５を一
定の検索方向１７、即ち上から下方向にチエツクして行
き、所定のカウント数下限値１８よりも多く、かつ最初
に画素数が最大となったＹ位置２２を半導体チップ１の
Ｙ座標とするのである。
そして、上記Ｘ座標とＹ座標により、半導体チップ１の
右下隅のコーナ部Ｃ１の位置を検出するのである。
右下隅のコーナ部Ｃ１の位置を検出するのである。
なお、同図における左上隅のコーナ部Ｃ２のＸ。
Ｙ座標を検出するには、第４図（ａ）で示すように、Ｘ
座標を検出するマスク領域１３をコーナ部Ｃ２の下側に
設けて検索方向１７を右から左方向にするとともに、Ｙ
座標を検出するマスク領域２０をコーナ部Ｃ２の右側に
設けて検索方向１７を下から上方向にする。右下隅のコ
ーナ部Ｃ３のＸ、 Ｙ座標を検出するには、同図（ｂ）
で示すように、Ｘ座標を検出するマスク領域１３をコー
ナ部Ｃ３の下側に設けて検索方向１７を左から右方向に
するとともに、Ｙ座標を検出するマスク領域２０をコー
ナ部Ｃ３の左側に設けて検索方向１７をドから上方向に
する。左下隅のコーナ部Ｃ４のＸ、Ｙ座標を検出するに
は、同図（ｃ）で示すように、Ｘ座標を検出するマスク
領域１３をコーナ部Ｃ４の上側に設けて検索方向１７を
右から左方向にするとともに、Ｙ座標を検出するマスク
領域１８をコーナ部Ｃ４の右側に設けて検索方向１７を
上から下方向にすることによって行うのである。
座標を検出するマスク領域１３をコーナ部Ｃ２の下側に
設けて検索方向１７を右から左方向にするとともに、Ｙ
座標を検出するマスク領域２０をコーナ部Ｃ２の右側に
設けて検索方向１７を下から上方向にする。右下隅のコ
ーナ部Ｃ３のＸ、 Ｙ座標を検出するには、同図（ｂ）
で示すように、Ｘ座標を検出するマスク領域１３をコー
ナ部Ｃ３の下側に設けて検索方向１７を左から右方向に
するとともに、Ｙ座標を検出するマスク領域２０をコー
ナ部Ｃ３の左側に設けて検索方向１７をドから上方向に
する。左下隅のコーナ部Ｃ４のＸ、Ｙ座標を検出するに
は、同図（ｃ）で示すように、Ｘ座標を検出するマスク
領域１３をコーナ部Ｃ４の上側に設けて検索方向１７を
右から左方向にするとともに、Ｙ座標を検出するマスク
領域１８をコーナ部Ｃ４の右側に設けて検索方向１７を
上から下方向にすることによって行うのである。
本発明は上記のような構成であるので、半導体チップの
位置の検出は、マスク領域の幅方向の画素数を数えるこ
とによって、一定の幅に亘って行われるので、２値化画
像の多少の乱れによっても、この位置を正確、かつ確実
に検出することができる効果がある。
位置の検出は、マスク領域の幅方向の画素数を数えるこ
とによって、一定の幅に亘って行われるので、２値化画
像の多少の乱れによっても、この位置を正確、かつ確実
に検出することができる効果がある。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は
マスク領域を設けた２値化画面の概念図、第２図は＝１
測位置と計測した画素数との関係を示す図、第３図は全
体概要図、第４図は夫々異なる位置にマスク領域を設け
た状態を示す２値化画面の概念図、第５図は従来例を示
す２値化画面の概念図である。 １・・・半導体チップ、訃・・ダイシングライン、４・
・・半導体ウニ／１．７・・・落射照明、９・・・斜光
照明、１０・・・光学カメラ、１１・・・２値化回路、
１２・・・記憶装置、１３．２０・・・マスク領域、１
５・・・カウント数、１７・・・検査方向。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ）第４
図 ×◆−−− 第５図
マスク領域を設けた２値化画面の概念図、第２図は＝１
測位置と計測した画素数との関係を示す図、第３図は全
体概要図、第４図は夫々異なる位置にマスク領域を設け
た状態を示す２値化画面の概念図、第５図は従来例を示
す２値化画面の概念図である。 １・・・半導体チップ、訃・・ダイシングライン、４・
・・半導体ウニ／１．７・・・落射照明、９・・・斜光
照明、１０・・・光学カメラ、１１・・・２値化回路、
１２・・・記憶装置、１３．２０・・・マスク領域、１
５・・・カウント数、１７・・・検査方向。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ）第４
図 ×◆−−− 第５図
Claims (1)
- 半導体チップ上に照射した光の反射光を撮像するとと
もに２値化装置で２値化し、この２値化画像を基にダイ
シングラインを検出して半導体ウェハ上の半導体チップ
の位置を検出する位置検出方法において、上記ダイシン
グラインに直交する所定の位置に矩形状のマスク領域を
設け、このマスク領域の幅方向の画素数を該マスク領域
の長さ方向に沿って計測し、この画素数が所定数以上又
は所定数以下となった位置を半導体チップの一辺の輪郭
位置とすることを特徴とする半導体ウェハにおける半導
体チップの位置検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083533A JPH01280334A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 |
| KR1019890004445A KR890016636A (ko) | 1988-04-05 | 1989-04-04 | 반도체웨이퍼에서의 반도체칩 위치검출방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083533A JPH01280334A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280334A true JPH01280334A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=13805134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083533A Pending JPH01280334A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280334A (ja) |
| KR (1) | KR890016636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8034659B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-10-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Production method of semiconductor device and bonding film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261340A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハの要位置合せ角検出装置 |
| JPS62150112A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | スクライブラインのパターン検出方法 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP63083533A patent/JPH01280334A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-04 KR KR1019890004445A patent/KR890016636A/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261340A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | ウエハの要位置合せ角検出装置 |
| JPS62150112A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | スクライブラインのパターン検出方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8034659B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-10-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Production method of semiconductor device and bonding film |
| JP2012054582A (ja) * | 2006-06-23 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム |
| JP5181222B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2013-04-10 | 日立化成株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2013102190A (ja) * | 2006-06-23 | 2013-05-23 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890016636A (ko) | 1989-11-29 |
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