JPH01280313A - Ｘ線露光装置及びその方法 - Google Patents
Ｘ線露光装置及びその方法Info
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- JPH01280313A JPH01280313A JP63108982A JP10898288A JPH01280313A JP H01280313 A JPH01280313 A JP H01280313A JP 63108982 A JP63108982 A JP 63108982A JP 10898288 A JP10898288 A JP 10898288A JP H01280313 A JPH01280313 A JP H01280313A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟Ｘ線を用いて微細なノ（ターンを転写する
Ｘ線転写装置に係）、とくにＸ＠積算照度を制御するの
に好適なＸ線露光装置及びその方法に関する。
Ｘ線転写装置に係）、とくにＸ＠積算照度を制御するの
に好適なＸ線露光装置及びその方法に関する。
従来のｘｍｉｘ光装置においては、たとえば％開昭６０
−７７２２号公報に記載されているように、露光面にお
けるＸ？ｓ強度分布を測定する手段と、Ｘ線強度分布に
基づき露光物体を移動する手段とを備え、均一なｘ１ｍ
強度にするようにしたものが提案されている。
−７７２２号公報に記載されているように、露光面にお
けるＸ？ｓ強度分布を測定する手段と、Ｘ線強度分布に
基づき露光物体を移動する手段とを備え、均一なｘ１ｍ
強度にするようにしたものが提案されている。
上記従来技術にｂっては、フェノ１上に照射されるＸ線
積算照度について配慮が６ｎて８らず、数ＨｚでＸｄ源
からのＸ線照度をウニノー上で一定になるように制御す
ることが内点になるという問題があった。
積算照度について配慮が６ｎて８らず、数ＨｚでＸｄ源
からのＸ線照度をウニノー上で一定になるように制御す
ることが内点になるという問題があった。
本発明の目的は、マスクを透してフェノ１上に照射され
るＸ−の、ｆ＊算照度を正確に制御可能とするＸ線露光
Ｉｉ装置及びその方法を提供することにるる。
るＸ−の、ｆ＊算照度を正確に制御可能とするＸ線露光
Ｉｉ装置及びその方法を提供することにるる。
上記の目的を達成するため、本発明のｘ＊ｇ光装置にお
いては、ＸＭＡｊｌ光装置において、Ｘ線源から発生す
るＸ線照度を測定し、測定されたＸ線照度とマスクを透
してウェハ上に照射されるＸ線照度との関係を算出する
算出手段と、この算出結果に基いてウェハ上に照射され
るＸｍ照度を制御する制御手段とを備え付けたものであ
る。
いては、ＸＭＡｊｌ光装置において、Ｘ線源から発生す
るＸ線照度を測定し、測定されたＸ線照度とマスクを透
してウェハ上に照射されるＸ線照度との関係を算出する
算出手段と、この算出結果に基いてウェハ上に照射され
るＸｍ照度を制御する制御手段とを備え付けたものであ
る。
上記のように構成されたＸＩＩＲ露光装置においては、
Ｘ電源に発生するＸ線照度を制御することによってウェ
ハ上に所定のＸ線を正確に照射することができる。
Ｘ電源に発生するＸ線照度を制御することによってウェ
ハ上に所定のＸ線を正確に照射することができる。
以下、本発明の一実施例を示す図面について説明する。
図面に示すように、Ｘｌｌ１Ａ源１は、プラズマフォー
カス型などのＸＮＡ源でｌ）、１ケ所の露光に対して数
千回乃至数千回に亘５Ｘ線を断続的に発生する。このさ
い、１回に発生する照度は常に一定でなく数チ乃至数ナ
チのバラツキがある。ある１ケ所の露光を行う場合には
、ウェハ６上に照射されるＸ！！照度が所定の値になっ
たとき、Ｘａ電源のＸ線発生を中断すれば良いが、ウェ
ハ６上のＸ線照度は、マスク５およびＸ線源１からウェ
ハ６までの経路において、Ｘ線源１で発生し九Ｘ線の数
チ乃至数十−が減衰するため、ウェハ６上のＸ扇照度を
測定することが不可能である。
カス型などのＸＮＡ源でｌ）、１ケ所の露光に対して数
千回乃至数千回に亘５Ｘ線を断続的に発生する。このさ
い、１回に発生する照度は常に一定でなく数チ乃至数ナ
チのバラツキがある。ある１ケ所の露光を行う場合には
、ウェハ６上に照射されるＸ！！照度が所定の値になっ
たとき、Ｘａ電源のＸ線発生を中断すれば良いが、ウェ
ハ６上のＸ線照度は、マスク５およびＸ線源１からウェ
ハ６までの経路において、Ｘ線源１で発生し九Ｘ線の数
チ乃至数十−が減衰するため、ウェハ６上のＸ扇照度を
測定することが不可能である。
そこで、本発明においては、ＸＭＡ源１の側面に取付け
たＸ′ｍ検出セン？４６と、ＸＹステージ５上のウェハ
６周囲付近に取付けたＸ−検出センサ４ｂとの出力をそ
れぞれ照度制御回路６に取り込む。この照度制御側Ｎｒ
６は、一方のｘｍ＊出センナ４ａによるＸ線の照ＫＡと
、他方のＸ線検出センサ４ｂによるＸ？ｍ照度Ｂとの比
Ｋをつぎの式によシあらかじめ算出する。
たＸ′ｍ検出セン？４６と、ＸＹステージ５上のウェハ
６周囲付近に取付けたＸ−検出センサ４ｂとの出力をそ
れぞれ照度制御回路６に取り込む。この照度制御側Ｎｒ
６は、一方のｘｍ＊出センナ４ａによるＸ線の照ＫＡと
、他方のＸ線検出センサ４ｂによるＸ？ｍ照度Ｂとの比
Ｋをつぎの式によシあらかじめ算出する。
Ｋ−８１人
しかるに、実際に露光を行うときには、一方のＸ線検出
センサ４＆で測定したｘｍａ度Ａ°と比にとより Σ＾１ｘＫ−所定照度（ｉはＸ線発生回数ンのＯＮ、０
ＦＦｌｌ返し行い、Ｘ腋源電諏８の電荷をＸ？ｓ源１に
供給し、Ｘｍを発生させる。
センサ４＆で測定したｘｍａ度Ａ°と比にとより Σ＾１ｘＫ−所定照度（ｉはＸ線発生回数ンのＯＮ、０
ＦＦｌｌ返し行い、Ｘ腋源電諏８の電荷をＸ？ｓ源１に
供給し、Ｘｍを発生させる。
しかるのち、ウェハ６上の積算Ｒ＠度が所定の値に４し
たとき、スイッチ７をＯＦＦ”状態に保持し、Ｘｌｌ５
の発生を中断する。この場合、マスク５の下方でのＸ線
照度測定は、ウェハ６ｇＩＩＪのＸ線検出センサ４ｂに
よって行う。このＸａ検出センサ４ｂは、ＸＹテーブル
５に搭載されているため、このＸＹテーブル５を駆動す
ることによりウェハ６ｇ４のＸｄ検出七ンサ４ｂｔ′マ
スク５の下方に移動して測定することが可能である。
たとき、スイッチ７をＯＦＦ”状態に保持し、Ｘｌｌ５
の発生を中断する。この場合、マスク５の下方でのＸ線
照度測定は、ウェハ６ｇＩＩＪのＸ線検出センサ４ｂに
よって行う。このＸａ検出センサ４ｂは、ＸＹテーブル
５に搭載されているため、このＸＹテーブル５を駆動す
ることによりウェハ６ｇ４のＸｄ検出七ンサ４ｂｔ′マ
スク５の下方に移動して測定することが可能である。
このようにしてＸ線源１１１のＸ線検出センナ４４から
のＸ線照度人と、クエへ６側のＸ線検出センサ４ｂから
のＸ線照［Ｂとの比を算出することによって、以後は、
Ｘ線源１ｇ４のＸＷＡ検出センナ４農からのＸｆＩ＆照
度を検出することによシウエハ６のＸｄ積算照度を間接
的に測定することができ、しかも実際に露光を行うとき
のＸ線源１からのＸ履量へ゛とそのときのウェハ６の積
算照度とで両者の関係を算出しているので数チ乃至数拾
チのバラツキをもっていたウェハ６上のＸ線積算照度を
１−以下に制御することができ、これによって微細パタ
ーンの転写を目的とするＸ線露光により製造するＬＳＩ
の品質向上および保留向上に大きく寄与することができ
る。
のＸ線照度人と、クエへ６側のＸ線検出センサ４ｂから
のＸ線照［Ｂとの比を算出することによって、以後は、
Ｘ線源１ｇ４のＸＷＡ検出センナ４農からのＸｆＩ＆照
度を検出することによシウエハ６のＸｄ積算照度を間接
的に測定することができ、しかも実際に露光を行うとき
のＸ線源１からのＸ履量へ゛とそのときのウェハ６の積
算照度とで両者の関係を算出しているので数チ乃至数拾
チのバラツキをもっていたウェハ６上のＸ線積算照度を
１−以下に制御することができ、これによって微細パタ
ーンの転写を目的とするＸ線露光により製造するＬＳＩ
の品質向上および保留向上に大きく寄与することができ
る。
以上説明し九よりに本発Ｅ！Ａによれば、ウェハ上に照
射するＸ、＠の照度を正確に制御でき、これによってｘ
ｍｇ光装置を用いて製造するＬＳＩの品質向上および歩
留向上に大きく寄与することができる。
射するＸ、＠の照度を正確に制御でき、これによってｘ
ｍｇ光装置を用いて製造するＬＳＩの品質向上および歩
留向上に大きく寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例であるｘｓｇ元装型装置す斜
視図である。 １−Ｘ＠＠、５− Ｘ Ｙ ｙ −７’ル、４−Ｘｇｆ
ｉ＆測定センナ、５−マスク、６−１エバ、７−２４ツ
デ、ｓ−Ｘ線源用電源、９−照度制御回路。
視図である。 １−Ｘ＠＠、５− Ｘ Ｙ ｙ −７’ル、４−Ｘｇｆ
ｉ＆測定センナ、５−マスク、６−１エバ、７−２４ツ
デ、ｓ−Ｘ線源用電源、９−照度制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線源から発生するＸ線照度と、マスクを透してウ
ェハ上に照射されるＸ線照度との関係を算出する算出手
段と、この算出手段によって算出された関係に基いてウ
ェハ上に照射されるＸ線照度を制御する制御手段とを備
え付けたことを特徴とするＸ線露光装置。 ２、上記制御手段は、Ｘ線源をオン・オフすることによ
って構成したことを特徴とする請求項１記載のＸ線露光
装置。 ３、予めＸ線源から発生するＸ線照度を測定し、測定さ
れたＸ線照度とマスクを透してウェハ上に照射されるＸ
線照度との関係を算出し、算出された関係に基いてウェ
ハに照射されるＸ線照度を制御することを特徴とするＸ
線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108982A JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Ｘ線露光装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108982A JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Ｘ線露光装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280313A true JPH01280313A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14498583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63108982A Pending JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Ｘ線露光装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63108982A patent/JPH01280313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
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