JPH01274743A - Ｘ線断層撮影装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｘ線管とＸ線検出器とをその間に位置する被
検体を中心として相対運動させ該被検体を断層撮影する
Ｘ線断層撮影装置に関し、特にＸ線検出器の各素子ごと
の素子内感度分布特性の補正を行うことができるＸ線断
層撮影装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のＸ線断層撮影装置は、第５図に示すように、被検
体１にＸ線を放射するＸ線管２と、上記被検体１を間に
挟んでＸ線管２に対向配置され該被検体１を透過したＸ
線を検出する多素子のＸ線検出器３と、所定形状の標準
減弱体にＸ線照射して計測した試射量データ及び被検体
１を体軸方向に移動させながらＸ線照射して計測したＸ
線透過像データを用いて上記Ｘ線検出器３からの電気信
号をディジタル化して入力するデータについて感度や試
射特性の補正を行う前処理演算器４と、この前処理演算
器４からのデータを入力して画像化する画像再構成演算
器５と、この画像再構成演算器５からの画像データを断
層像として表示するディスプレイ６とを有して成ってい
た。そして、上記被検体１を中心としてＸｆｉ管２とＸ
線検出器３とを相対運動させて該被検体１の透過Ｘｉデ
ータを計測し、その被検体１のある断面のＸ線吸収係数
の分布を計算し画像化してディスプレイ６に断層像とし
て表示していた。

なお、第５図において、符号７は上記Ｘ線検出器３から
出力された電気信号を増幅する増幅器、符号８は上記増
幅器７から出力された電気信号をディジタル化するＡ／
Ｄ変換器、符号９は上記画像再構成演算器５から出力さ
れる画像データを格納する画像メモリである。また、上
記前処理演算器４には、上記Ａ／Ｄ変換器８から入力す
るデータについて感度や試射特性の補正を行うのに用い
るデータをそれぞれ格納する感度補正データメモリ１０
と、試射量計測データメモリ１１と、試射特性補正メモ
リ１２と、被検体透過像データメモリ１３とが接続され
ている。

このような従来装置において、上記Ｘ線検出器３の各検
出素子の感度補正は次のようにして行う。

まず、Ｘ線管２からのＸ線照射領域に何も置かない状態
で計測を行い、上記各素子からの出力を前処理演算器４
で対数変換した後のデータを各素子ごとに感度補正デー
タメモリ１０に格納する。次に、上記ｘＲｆＡ照射領域
に被検体１を配置して該被検体１について計測を行い、
Ｘ線検出器３の各素子からの出力を上記前処理演算器４
で対数変換した後の計測データと上記感度補正データメ
モリ１０から読み出した感度補正用データとの差をとる
ことによって、被検体１を透過するときのＸ線試射量が
得られるにこで、被検体のＸ線試射量をｄとし、Ｘ線照
射領域に被検体１を配置しないでＸ線照射したときのＸ
線検出器３からの出力強度をＥｏとし、上記Ｘ線照射領
域に被検体１を配置してＸ線照射したときのＸ線検出器
３からの出力強度をＥとすると、 Ｅ＝Ｅ、　・ｅｘｐ　（−ｄ）　　−（１）の関係があ
る。そして、上記第（１）式の対数をとると、 １ｏｇＥ＝ｌｏｇ　（Ｅｏｊｅｘｐ　（ｄ）　）＝ｌｏ
ｇＥ、ｄ　・・・（２） となる、この第（２）式の左辺は被検体１についてＸ線
照射したときの計測データを対数変換したものであり、
右辺第１項は被検体１がＸ線照射領域にないときの計測
データを対数変換したものであるので、この二つの値の
差をとることによって上記被検体１のｘｉ滅試射ｄが求
められる。すなわち、 ｄ＝ｌｏｇＥ、−１ｏｇＥ となる。

このようにして、Ｘ線検出器３の各素子ごとの感度補正
を行った後に、各素子について試射特性の補正を行う。

ここで、第６図は上記被検体１のＸａ′ｆｌｉ弱量と、
Ｘ線検出器３の各素子からの出力を前処理演算器４で対
数変換を行い、且つ各素子ごとの感度補正を行った計測
試射データとの関係を示したものであり、工は理論計算
から導かれるものであり１Ｍは実際の検出素子の計測に
よって得られるカーブであり、１曲線（直線）からのＭ
曲線のずれは各素子ごとに異なる。このように、各素子
ごとに試射特性が異なると、同−試射体について計測し
ても素子ごとに違う計測試射データを示すことになり、
この分が誤差となる。従って、各素子ごとにこの試射特
性を補正しなければならない、このために、Ｘ線試射係
数及び寸法が既知の材料で作られた所定形状の標準減弱
体（例えば被検体１と同程度の大きさの円柱状体）の計
測を行う。そして、上記対数変換を行い且つ感度補正を
した標準減弱体について計測された試射データを試射量
計測データメモリ１１に格納する。さらに、上記所定形
状の標準減弱体の寸法及びＸ線試射係数から求まる理論
的な試射量と上記のように計測された試射データとの差
をとって試射特性補正係数として各素子ごとに求め、試
射特性補正メモリ１２へ格納する。

次に１以上のようにして求めた試射特性の補正用データ
を用いて補正を行う方法を第６図によって説明する。図
において、標準減弱体のＸ線試射量ａに対するＸ線検出
器３の実際の計測試射データがａ工で、それに対応する
標準減弱体の寸法とＸ線試射係数から計算される理論値
がａｏで表されている。このとき、試射量計測データメ
モリ１１には上記Ｘ線検出器３の各素子ごとの計測試射
データａ１の値が、試射特性補正メモリ１２には各素子
ごとの（ａｏ−ａよ）の値が格納される。次に、実際に
被検体１をＸ線照射領域に配置して計測した場合、その
被検体１のＸ線試射量をｂとすると、このＸ線試射量す
に対するＸ線検出器３の実際の計測試射データはｂ工と
いう値が得られる。

この値ｂ１を理論的な真値であるｂｏにするため補正を
する。これは簡単な直線補間によって得られ、の関係が
ある。この第（３）式の右辺第２項のかっこ内の分子（
ａ　ｏ−ａ工）は試射特性補正メモリ１２内に、分母ａ
１は試射量計測データメモリ１１内に格納されている値
である。そして、Ｘ線検出器３の各素子ごとに上記第（
３）式によって補正を行うことにより、上記Ｘ線検出器
３の各素子の試射特性が補正され、それぞれの素子間で
の計測誤差はなくなる。

このように従来装置においては、Ｘ線検出器３の各素子
そのものの感度補正及び試射特性の補正は行っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、従来装置において上記のような補正を行っても
、Ｘ線検出器３の各素子の内部で場所によって検出感度
が異なるような特性をもっていると、不均一なＸ線ビー
ムが上記の各素子へ入射した場合には、上記のような方
法では十分な補正はできないものであった。ここで、上
記Ｘ、＠検出器３の各素子の内部で場所によって検出感
度が不均一となる原因としては、Ｘ線検出器３としてシ
ンチレータと光電変換素子（例えばシリコンフォトダイ
オード）とを組み合わせたものでは、上記シンチレータ
の材料の不均一や光電変換素子の光感度の不均一や表面
の汚れなどがあげられ、Ｘｃなどのガスを用いた電離箱
方式では、平行に配置された電極板の平行度や厚さの不
拘−及び平坦度不良などがあげられる。

そして１例えば、第７図に示すように、被検体１の頭頂
部１′のように体軸方向に厚さが変化する診断部位にお
いては、その体軸方向のＸ線試射量の変化が大きくなり
、計測時においてＸ線検出器３に入射するときの上記頭
頂部１′を透過したｘ！ｉＡ強度は、頭頂部１′のスラ
イス厚が小さいＣ側では強く、スライス厚が大きいｄ側
では弱くなる。このとき、Ｃ側の検出感度が高くｄ側の
検出感度が低い素子と、反対にＣ側の検出感度が低くｄ
側の検出感度が高い素子とでは、それぞれからの出力信
号の大きさが異なり計測誤差が生ずるものであった。従
って、アーチファクトが発生することがあり、良好な断
層像が得られないものであった。このことから、良い診
断情報が得られず。

画像診断の効率が低下することがあった。

そこで、本発明は、このような問題点を解決することが
できるＸ線断層撮影装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、被検体にＸ線を放射するＸ線管と、上記
被検体を間に挟んでＸ線管に対向配置され該被検体を透
過したＸ線を検出する多素子のＸ線検出器と、所定形状
の標準減弱体にＸ線照射して計測した試射量データ及び
被検体を体軸方向に移動させながらＸ線照射して計測し
たＸ線透過像データを用いて上記Ｘ線検出器からの電気
信号をディジタル化して入力するデータについて感度や
域別特性の補正を行う前処理演算器と、この前処理演算
器からのデータを入力して画像化する画像再構成演算器
と、この画像再構成演算器からの画像データを断層像と
して表示するディスプレイとを有し、上記被検体を中心
としてＸ線管とＸ線検出器とを相対運動させて該被極体
の透過Ｘ線データを計測し、その被検体のある断面のＸ
線吸収係数の分布を計算し画像化するＸ線断層撮影装置
において、上記の標準減弱体とは異なる断面形状の第二
の標準減弱体にＸ線照射して計測した試射斌データを格
納する試射量計測データメモリと、上記第二の標準減弱
体をＸ線管とＸ線検出器との相対運動の中心軸に平行方
向に移動させながらＸ線照射して計測したＸ線透過像デ
ータを格納する試射体透過像データメモリと、上記被検
体について計測したＸ線透過像データから求めた被検体
の体軸方向のＸ線試射量の変化量を格納する試射変化量
データメモリとを設け、これらのメモリからのデータを
用いて上記前処理演算器で上記Ｘ線検出器の各素子ごと
の素子内感度分布特性の補正を行うようにしたＸ線断層
撮影装置によって達成される。

〔作　用〕

このように構成されたＸ線断層撮影装置は、試射薫計測
データメモリに所定形状の第一の標準減弱体とは異なる
断面形状の第二の標準減弱体にＸ線照射して計測した試
射量データを格納し、試射体透過像データメモリに上記
第二の標＄減弱体をＸＭｃ管とＸ線検出器との相対運動
の中心軸に平行方向に移動させながらＸ線照射して計測
したＸ線透過像データを格納し、かつ試射変化量データ
メモリに被検体について計測したＸ線透過像データから
求めた被検体の体軸方向のＸ線試射量の変化量を格納し
ておき、これらのメモリから読み出したデータを用いて
前処理演算器でＸ線検出器の各素子ごとの素子内感度分
布特性の補正を行うものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明
する。

第１図は本発明によるＸ線断層撮影装置の実施例を示す
ブロック図である。このＸＭｃ断層撮影装置は、Ｘａ管
とＸ線検出器とをその間に位置する被検体を中心として
相対運動させ該被検体を断層撮影するもので、第１図に
示すように、Ｘ線管２と、ｘｇ検出器３と、前処理演算
器４と、画像再構成演算器５と、ディスプレイ６とを有
している。

上記Ｘ線管２は、被検体１にｘｍを放射するもので、上
記被検体１を寝載するテーブル（図示省略）の上方に支
持されている。ｘｍ検出器３は、上記被検体１を透過し
たＸ線を入射してその強度に応じた電気信号に変換する
もので、上記被検体１を間に挟んでＸ線管２に対向配置
されると共に、多数の検出素子が横に列状に並べられて
いる。前処理演算器４は、上記ｘｍ検出器３がら出力さ
れた電気信号を増幅器７で増幅した後、Ａ／Ｄ変換器８
でディジタル化したデータを入力して各素子の感度や域
別特性の補正を行うものである。画像再構成演算器５は
、上記前処理演算器４がら出方されるデータを入力して
画像化するものである。

さらに、ディスプレイ６は、上記画像再構成演算器５か
ら出力される画像データをＤ／Ａ変換して断層像として
表示するもので１例えばＣＲＴモニタから成る。

なお、第１図において、符号９は上記画像再構成演算器
５から出力される画像データを格納する画像メモリであ
る。また、符号１０は、Ｘ線管２からのＸ線照射領域に
何も置かない状態で計測を行い、上記ｘｉ検出器３の各
素子からの出力を前処理演算器４で対数変換した後のデ
ータを各素子ごとに格納する感度補正データメモリであ
る。符号１１は、Ｘ線試射係数及び寸法が既知の材料で
作られた所定形状の第一の標準減弱体（例えば被検体１
と同程度の大きさの円柱状体）にＸ線照射して計測を行
い、上記Ｘ線検出器３の各素子からの出力を前処理演算
器４で対数変換し且つ感度補正をした計測試射データを
格納する第一の試射量計測データメモリである。符号１
２は、上記第一の標ｉ！！減弱体の寸法及びＸＭｃ減弱
減数係数求まる理論的な試射斌と上記計測試射データと
の差をとって試射特性補正係数として各素子ごとに求め
たものを格納する試射特性補正メモリである。さらに、
符号１３は、Ｘ線管２とＸ線検出器３とを対向させて成
る位置に固定した状態で被検体１を上記両者の相対運動
の中心軸に平行方向（被検体１の体軸方向）に一定速度
で移動させながらＸ線ビームを細く絞って計測したデー
タを順次並べることにより得られる被検体１のＸ線透過
像データを格納する被検体透過像データメモリである。

そして、上記被検体１を中心としてＸ線管２とＸ線検出
器３とを相対運動させて該被検体１の透過Ｘ線データを
計測し、その被検体１のある断面のＸ線吸収係数の分布
を計算し画像化してディスプレイ６に断層像として表示
したり、画像メモリ９に格納するようになっている。こ
のとき、Ｘ線検出器３の各素子そのものの感度補正及び
試射特性の補正は、上記前処理演算器４によって各メモ
リ１０〜１３から読み出したデータを用いて従来と同様
に行われる。

ここで、本発明においては、上記Ｘ線検出器３の各素子
ごとの素子内感度分布特性の補正を行うため、上記前処
理演算器４に、第１図に示すように、第二の試射量計測
データメモリ１４と、試射体透過像データメモリ１５と
、試射変化量データメモリ１６とが接続されている。上
記第二の試射斌計測データメモリ１４は、前記円柱状の
第一の標準減弱体とは異なる断面形状、例えば第２図に
示すように横倒しの円錐台形状に形成された第二の標準
減弱体１８にＸ線照射して計測した試射量データを格納
するものである。なお、上記第二の標準減弱体１８の平
均的なＸ線試射量は、円柱状に形成された第一の標準減
弱体のＸＳＸ弱量と等しくされている。また、試射体透
過像データメモリ１５は、Ｘ線管２とＸ線検出器３とを
対向させて成る位置に固定した状態で上記第二の標準減
弱体１８を上記両者の相対運動の中心軸に平行方向に一
定速度で移動させながらＸ線ビームを細く絞って計測し
たデータを順次並べることにより得られる該第二の標準
減弱体のＸ線透過像データを格納するものである。さら
に、試射変化量データメモリ１６は、第４図（ａ）に示
すように被検体１について計測したｘｉ透過像データＤ
工から求めた被検体１の体軸方向のＸ線試射量の変化量
データＤ、　（第４図（ｂ）参照）を格納するものであ
る。なお、符号１７は、上記第二の試射量計測データメ
モリ１４及び試射体透過像データメモリ１５のデータを
用いて作成した素子内感度不均一補正用の補正係数を格
納する補正係数データメモリである。

次に１．このように構成されたＸ線断層撮影装置におけ
る補正動作について説明する。まず、第２図に示す第二
の標準減弱体１８についてＸ線照射して試射量データを
計測し、この試射量データを第二の試射量計測データメ
モリ１４に格納する。

第２図のグラフは、上記の計測による第二の標準減弱体
１８の中心軸方向の位置とＸ線試射量の関係を示したも
のである。次に、Ｘ線管２とＸ線検出器３とを対向させ
て成る位置に固定した状態で上記第二の標準減弱体１８
を上記両者の相対運動の中心軸に平行方向に一定速度で
移動させながらＸ線ビームを細く絞ってデータを計測し
、順次並べることにより得られるＸ線透過像データを試
射体透過像データメモリ１５に格納する。この得られた
Ｘ線透過像データの第二の標準減弱体１８の位置に対す
るＸ線試射量の変化の割合（第２図の（ｈ　　ｇ）／（
ｆ−ｅ）に対応する）を求めると。

これが入射Ｘ線強度の傾斜となる。第３図はこのような
Ｘ線強度の傾斜とそのときの計測試射データの関係を示
すグラフである。ここで、Ｘ線検出器３の各素子の素子
内部で場所による検出感度差がない場合は、計測試射デ
ータはＸ８強度の傾斜の大きさによらず一定となり、直
線Ｉ′のような特性を示す。しかし、素子内部で場所に
よる検出感度差がある場合は、計測試射データはＸ線強
度の傾斜の大きさにより曲線Ｍ′のような特性を示し、
実際にはこの特性は素子ごとにばらつくものである。

そして、円柱状の第一の標準減弱体について計測しだ試
射データは第３図のｉの値に、円錐台形　　゛状の第二
の標準減弱体について計測した試射データは第３図のｋ
の値に対応する。また、このときのｘｉ強度の傾斜ｊは
、第２図の（ｈ−ｇ）／（ｆ−ｅ）に対応するので、上
記試射体透過像データメモリー５に格納された第二の標
準減弱体１８の透過像データにより求まる。いま、実際
の被検体１の計測時にある素子でＱというＸ線強度の傾
斜があったとすると、その素子では第３図においてｍの
値の計測試射データが得られるが、この値ｍは素子内部
の場所による検出感度の不均一による誤差を含んだもの
であり、真値であるｉに補正しなければならない。この
場合も前述の第（３）式と同様に簡単な直線補間によっ
て補正することができる。補正後のデータをｍｏとする
と。

−ｋ ｍ０＝ｍ＋　（−）　Ｑ　・・・（４）となる。この第
（４）式の右辺第２項のかっこ内が補正係数なので、こ
れをＸ線検出器３の各素子ごとに求めて補正係数データ
メモリー７に格納する。

次に、Ｘ線管２とＸ線検出器３とを対向させて成る位置
に固定した状態で被検体１を上記両者の相対運動の中心
軸に平行方向（被検体１の体軸方向）に一定速度で移動
させながらＸ線ビームを細く絞ってデータを計測し、順
次並べることにより得られる被検体１のＸ線透過像デー
タを被検体透過像データメモリ１３に格納する。第４図
（ａ）のグラフは、上記の計測による被検体１の体軸方
向の位置とＸ線試射量との関係からなるＸ線透過像デー
タＤ１を示したものである。そして、上記ｘｉ透過像デ
ータＤ□から被検体１の体軸方向のＸ線試射量の変化量
データを計算により求め、減数変化量データメモリ１６
に格納する。第４図（ｂ）は、上記のように求めた被検
体１の体軸方向の位置と試射量の変化量との関係からな
るＸ線試射量の変化量データＤ２を示すグラフであり。

これは第３図に示すＸ線強度の傾斜に対応する。

このような状態で、実際の被検体１について断層撮影を
行うには、まず１．第１図に示す被検体透過像データメ
モリ１３に格納された被検体１のＸ線透過像データＤ□
（第４図（ａ）参照）を用いて撮影断面位置を決定する
。次に、この決定した撮影断面位置に対応するＸ線試射
量の変化量データＤ２を試射変化量データメモリ１６か
ら読み出すと共に、補正係数データメモリ１７から素子
内感度不均一補正用の補正係数を読み出す。このとき、
上記Ｘ線試射量の変化量データＤ２は第（４）式のＸ線
強度の傾斜２に対応するものであり、上記補正係数デー
タメモリ１７からの補正係数は第（４）式の右辺第２項
のかっこ内の補正係数に対応する。従って、実際の被検
体１について断層撮影を行い、ある素子における計測試
射データｍを得ることにより、上記第（４）式を用いて
Ｘ線検出器３の各素子ごとの素子内感度分布特性の補正
が行える。

なお、第１図においては、第二の試射量計測データメモ
リ１４及び試射体透過像データメモリ１５のデータを用
いて作成した素子内感度不均一補正用の補正係数を格納
する補正係数データメモリ１７を設けたものとして示し
たが、本発明はこれに限らず、上記補正係数データメモ
リ１７を設けずに、上記両メモリ１４．１５のデータを
用いて作成した素子内感度不均一補正用の補正係数を直
接前処理演算器４へ送出するようにしてもよい。

〔発明の効果〕

本発明は以上のように構成されたので、Ｘ線検出器３の
各素子ごとの素子内感度分布特性の補正を行うことがで
きる。従って、検出素子内部の場所による検出感度の不
均一の影響を除去し、各素子からの出力信号の大きさを
同等として計測誤差をなくし、アーチファクトの発生し
ない良好な断層像を得ることができる。このことから、
良い診断情報が得られると共に画像診断の効率を向上す
ることができる。また、仮にＸ線検出器３の素子ごとの
特性ばらつきが大きくても十分な補正が行えるので、Ｘ
線検出器３の組み立ての歩留りを向上することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＸ線断層撮影装置の実施例を示す
ブロック図、第２図は第二の標準減弱体についてｘ４ａ
照射して計測した該第二の＃Ａ準減滅弱体中心軸方向の
位置とＸ線試射量の関係を示すグラフ、第３図はＸ線強
度の傾斜とそのときの計測試射データの関係を示すグラ
フ、第４図（ａ）は被検体の体軸方向の位置とＸ線試射
量との関係を示すグラフ、第４図（ｂ）は被検体の体軸
方向の位置と試射量の変化量との関係を示すグラフ、第
５図は従来のＸ＠断層撮影装置を示すブロック図、第６
図は被検体のＸ線試射量とＸ線検出器の各素子からの出
力を感度補正した計測試射データとの関係を示すグラフ
、第７図は被検体の頭頂部の計測時におけるＸ線管及び
Ｘ線検出器の配置を示す説明図である。 １・・・被検体、　２・・・Ｘ線管、　３・・・Ｘ＠検
出器、４・・・前処理演算器、　５・・・画像再棉成演
算器、６・・・ディスプレイ、　８・・・Ａ／Ｄ変換器
、　１゜・・・感度補正データメモリ、　１１・・・第
一の試射量計測データメモリ、　１２・・・試射特性補
正メモリ、１３・・・被検体透過像データメモリ、　　
１４・・・第二の試射量計測データメモリ、　１５・・
・試射体透過像データメモリ、　１６・・・試射変化量
データメモリ、　１７・・・補正係数データメモリ、　
　１８・・・第二の標準減弱体。 出゛顕六　株式会社日立メディコ 第−２図 □偉Ｉ 第３図 →Ｘ綿沖戊の４１ｆ＋ 第４図 −１１！ □　ｔ↑ｌ＋ｌ；威弱デとり

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　被検体にＸ線を放射するＸ線管と、上記被検体を間に
   挟んでＸ線管に対向配置され該被検体を透過したＸ線を
   検出する多素子のＸ線検出器と、所定形状の標準減弱体
   にＸ線照射して計測した減弱量データ及び被検体を体軸
   方向に移動させながらＸ線照射して計測したＸ線透過像
   データを用いて上記Ｘ線検出器からの電気信号をディジ
   タル化して入力するデータについて感度や減弱特性の補
   正を行う前処理演算器と、この前処理演算器からのデー
   タを入力して画像化する画像再構成演算器と、この画像
   再構成演算器からの画像データを断層像として表示する
   ディスプレイとを有し、上記被検体を中心としてＸ線管
   とＸ線検出器とを相対運動させて該被検体の透過Ｘ線デ
   ータを計測し、その被検体のある断面のＸ線吸収係数の
   分布を計算し画像化するＸ線断層撮影装置において、上
   記の標準減弱体とは異なる断面形状の第二の標準減弱体
   にＸ線照射して計測した減弱量データを格納する減弱量
   計測データメモリと、上記第二の標準減弱体をＸ線管と
   Ｘ線検出器との相対運動の中心軸に平行方向に移動させ
   ながらＸ線照射して計測したＸ線透過像データを格納す
   る減弱体透過像データメモリと、上記被検体について計
   測したＸ線透過像データから求めた被検体の体軸方向の
   Ｘ線減弱量の変化量を格納する減弱変化量データメモリ
   とを設け、これらのメモリからのデータを用いて上記前
   処理演算器で上記Ｘ線検出器の各素子ごとの素子内感度
   分布特性の補正を行うようにしたことを特徴とするＸ線
   断層撮影装置。