JPH01273326A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH01273326A JPH01273326A JP10187888A JP10187888A JPH01273326A JP H01273326 A JPH01273326 A JP H01273326A JP 10187888 A JP10187888 A JP 10187888A JP 10187888 A JP10187888 A JP 10187888A JP H01273326 A JPH01273326 A JP H01273326A
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- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子を基板に実装する工程を備えた
半導体装置の製法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a step of mounting a semiconductor element on a substrate.
半導体素子の電極（パッド）と基板上の電路を突起電極
（「バンプ」ともいう）を介して一括してボンディング
する方法が多く利用されてきている。このように−括し
て接合する方法（ギヤングボンディング）は、半導体素
子の電極数が増加しても、ボンディング時間を短くでき
ること、ボンディング面積を小さ（できることなどの点
で、ワイヤボンディングよりも有利である。2. Description of the Related Art A method of collectively bonding electrodes (pads) of a semiconductor element and electric circuits on a substrate via protruding electrodes (also referred to as "bumps") has been widely used. This method of joint bonding (guyang bonding) has advantages over wire bonding in that even if the number of electrodes on a semiconductor element increases, the bonding time can be shortened and the bonding area can be reduced. It is.
ギヤングボンディングでは、半導体素子の接合面を基板
の電路形成面に向けて位置決めし、熱圧着などにより接
合を行っている。ギヤングボンディングとしては、たと
えば、フリップチップ方式、あるいは、ＴＡＢ （テー
プオートメイテッドボンディング。Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式のボンディング方法
が利用されている。In gigantic bonding, the bonding surface of a semiconductor element is positioned toward the circuit forming surface of the substrate, and bonding is performed by thermocompression bonding or the like. Examples of gigantic bonding include the flip-chip method or TAB (Tape Auto Bonding).
A bonding method using a mated bonding method is used.
接合を信頼性良く行うためには、接合時に、半導体素子
の部分によって加圧、加熱などが均一になっていること
が必要である。不均一であると、１つの半導体素子内で
、十分に接合している部分と接合が不十分な部分とが存
在し、信頼性が悪くなる。In order to perform bonding with good reliability, it is necessary that pressure, heating, etc. be applied uniformly to different parts of the semiconductor element during bonding. If the bonding is non-uniform, there will be parts with sufficient bonding and parts with insufficient bonding within one semiconductor element, resulting in poor reliability.
そこで、従来は、たとえば、第４図および第５図にみる
ように、半導体素子４を位置決めして、基板２上の突起
電極２２・・・に接合するときに、半導体素子４の吸着
用ノズル２１と基板ステージ３との平行度を管理するこ
とにより、半導体素子４の接合面を基板ステージ３と平
行にして接合するようにしている。Therefore, conventionally, as shown in FIGS. 4 and 5, when the semiconductor element 4 is positioned and bonded to the protruding electrodes 22 on the substrate 2, a suction nozzle for the semiconductor element 4 is used. By controlling the parallelism between the semiconductor element 21 and the substrate stage 3, the bonding surface of the semiconductor element 4 is made parallel to the substrate stage 3 for bonding.
このような平行度の管理の仕方は、基板がすべて完全に
平らであることを前提としている。しがし、基板には、
反り、うねりが生じていることが多く、しかも、その反
り方やうねり方が基板ごとにまちまちである。また、そ
の厚みがばらついていることもある。そのような基板に
半導体素子を実装するときに、上記のようにして平行度
を管理すると、半導体素子の接合面と基板上の突起電極
先端の成す仮想面とが平行にならない。たとえば、第４
図にみるように、基板２が反っていると、基板ステージ
３と基板２とが平行にはならない。This method of managing parallelism assumes that all substrates are completely flat. However, on the board,
Warpage and waviness often occur, and the way the warp and waviness vary from board to board. Moreover, the thickness may vary. When a semiconductor element is mounted on such a substrate, if the parallelism is managed as described above, the bonding surface of the semiconductor element and the virtual plane formed by the tips of the protruding electrodes on the substrate will not become parallel. For example, the fourth
As shown in the figure, if the substrate 2 is warped, the substrate stage 3 and the substrate 2 will not be parallel to each other.
したがって、半導体素子４の接合面と基板２上の突起電
極２２・・・の成す仮想面とは平行ではない。Therefore, the bonding surface of the semiconductor element 4 and the virtual plane formed by the protruding electrodes 22 on the substrate 2 are not parallel.
この状態で接合を行うと、右側の突起電極２２と左側の
突起電極２２とでは、加熱、加圧が同じではなくなる。If joining is performed in this state, the right protruding electrode 22 and the left protruding electrode 22 will not be heated and pressurized the same.
このため、接合の均一性が依然として解消しないという
問題点がある。Therefore, there is a problem that the uniformity of bonding still remains unresolved.
そこで、この発明は、基板の反り、うねり、厚みのばら
つきなどがあっても、接合時に、各突起電極を均一に加
圧したり、加熱などしたりすることができる半導体装置
の製法を提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can uniformly press or heat each protruding electrode during bonding even if the substrate is warped, undulated, or has variations in thickness. The task is to
請求項１および２の各発明にかかる半導体装置の製法は
、基板表面から突起電極の高さ情報を得て、半導体素子
の接合面の、前記突起電極先端の成す仮想面に対する傾
きを調整して接合するようにしている。The manufacturing method of a semiconductor device according to each of the first and second inventions includes obtaining height information of the protruding electrode from the substrate surface and adjusting the inclination of the bonding surface of the semiconductor element with respect to the virtual plane formed by the tip of the protruding electrode. I'm trying to connect it.
請求項２の発明にかかる半導体装置の製法は、以上に加
えてさらに、基板表面の半導体素子接合部分の外形より
も外側の部分に突起電極と同様にして高さ検出用突起を
予め設けておき、同高さ検出用突起を用いて前記突起電
極の高さ情報を得るようにしている。In addition to the above, the method for manufacturing a semiconductor device according to the invention of claim 2 further includes providing in advance a height detection protrusion in the same way as a protrusion electrode on a portion of the substrate surface outside the outer shape of the semiconductor element bonding portion. , the height information of the protrusion electrode is obtained using the same height detection protrusion.
基板から突起電極の高さ情報を得るようにしているので
、基板に反り、うねり、厚みのばらつきなどがあっても
、これらが前記情報に反映される。突起電極の高さがば
らついていても、基板ごとに各基板の突起電極先端の成
す仮想面に応じて半導体素子の傾き調整を行うことがで
きる。これにより、半導体素子の接合を安定したものと
することができる。Since the height information of the protruding electrodes is obtained from the substrate, even if the substrate has warpage, waviness, variations in thickness, etc., these will be reflected in the information. Even if the heights of the protruding electrodes vary, the inclination of the semiconductor element can be adjusted for each substrate according to the virtual plane formed by the tips of the protruding electrodes of each substrate. Thereby, the bonding of the semiconductor elements can be made stable.
突起電極と同様にして設けた高さ検出用突起を用いて、
突起電極の高さ情報を得ることにより、その情報の精度
が高くなり、半導体素子の接合をより安定したものとす
ることができる。Using the height detection protrusion provided in the same way as the protrusion electrode,
By obtaining the height information of the protruding electrode, the accuracy of the information becomes higher, and the bonding of the semiconductor element can be made more stable.
第１図および第２図は、請求項１または２の発明にかか
る半導体装置の製法を実施する様子の１例を表す。これ
らの図にみるように、ＩＣなどの半導体素子４を吸着用
ノズル１２で保持し、基板２を基板ステージ３に載置し
て接合を行う。1 and 2 show an example of how the method for manufacturing a semiconductor device according to the first or second aspect of the invention is carried out. As shown in these figures, a semiconductor element 4 such as an IC is held by a suction nozzle 12, a substrate 2 is placed on a substrate stage 3, and bonding is performed.
基板２は、たとえば、セラミック基板が用いられるが、
他の材質のものでもよい。基板２表面に、所望のパター
ンで多数の電路２４・・・が形成されている。電路２４
は、導体からなっていれば、その材質は特に限定されな
い。突起電極２２は、各電路２４の半導体素子４の電極
との接合位置となる一端に設けられている。突起電極２
２は、たとえば、Ａｕを用いて作られるが、他の導体を
用いて作ってもよい。前記接合位置は、基板２中央付近
に四角い枠を形成するように配置されている。For example, a ceramic substrate is used as the substrate 2.
It may also be made of other materials. A large number of electrical circuits 24 are formed on the surface of the substrate 2 in a desired pattern. Electric line 24
The material is not particularly limited as long as it is made of a conductor. The protruding electrode 22 is provided at one end of each electric path 24 at a joining position with the electrode of the semiconductor element 4 . Protruding electrode 2
2 is made using Au, for example, but may be made using other conductors. The bonding positions are arranged so as to form a square frame near the center of the substrate 2.
接合位置の四隅に臨んでいる各電路２４ａは、それぞれ
、側方へ枝分かれしていてその上に高さ検出用突起２３
が合計４つ設けられている。これら高さ検出用突起２３
・・・は、半導体素子接合部分の外形よりも外側となる
ところに位置している。Each of the electric circuits 24a facing the four corners of the joining position branches laterally, and a height detection protrusion 23 is mounted on the electric circuit 24a.
There are a total of four. These height detection protrusions 23
. . . are located outside the outer shape of the semiconductor element bonding portion.
半導体素子４の電極（図示されず）とこれに対応する突
起電極２２とが対向するように半導体素子４を位置決め
する。この位置決めは、どのように行ってもよい。たと
えば、高さ検出用突起２３・・・と半導体素子４の外形
との間隔を調整しながら位置合わせすると、位置精度を
確認しながら行うことができる。The semiconductor element 4 is positioned so that an electrode (not shown) of the semiconductor element 4 and a corresponding protrusion electrode 22 face each other. This positioning may be performed in any manner. For example, positioning can be performed while adjusting the distance between the height detection protrusions 23 and the outer shape of the semiconductor element 4 while checking the positional accuracy.
一方、半導体素子４の接合面Ｂの、突起電極２２・・・
先端の成す仮想面Ａに対する傾きを調整する。これによ
り、前記接合面Ｂと前記仮想面Ａとが平行になった状態
で接合することができ、各突起電極が均一に加圧、加熱
される。１つの半導体素子において、部分ごとに接合が
十分であったり、不十分であったりするようなことがな
くなる。On the other hand, the protruding electrodes 22 on the bonding surface B of the semiconductor element 4...
Adjust the inclination of the tip with respect to the virtual plane A. Thereby, the bonding surface B and the virtual surface A can be bonded in a parallel state, and each protruding electrode is uniformly pressurized and heated. In one semiconductor element, there is no longer a case where the bonding is sufficient or insufficient for each part.
半導体素子４の傾きの調整は、たとえば、吸着用ノズル
１２が取り付けられている平行度調整機構１３により行
う。平行度調整機構１３には、吸着用ノズル１２に半導
体素子４を保持した状態で半導体素子４の外形よりも外
側に、かつ、より先端側に位置するよう、接触センサ１
１が取り付けられている。吸着用ノズル１２、平行度調
整機構１３および接触センサ１１から、吸着へラド１が
構成されている。Adjustment of the inclination of the semiconductor element 4 is performed, for example, by a parallelism adjustment mechanism 13 to which a suction nozzle 12 is attached. The parallelism adjustment mechanism 13 includes a contact sensor 1 so as to be located outside the outer shape of the semiconductor element 4 and closer to the tip side when the semiconductor element 4 is held in the suction nozzle 12.
1 is attached. The suction nozzle 12, the parallelism adjustment mechanism 13, and the contact sensor 11 constitute the suction rod 1.
平行度調整機構１３は、たとえば、第３図に示されるよ
うなものが使用されるが、これに限られない。この平行
度調整機構１３は、３枚の四角いステージ１４．１６．
１８が重ね合わされてなる。ステージ１６は、ステージ
１４と一辺同士を合わせた状態でこの辺を中心にして回
動することにより、ステージ１４に対する角度αを任意
に変えることができるようになっている。また、ステー
ジ１８は、ステージ１６と一辺同士を合わせた状態でこ
の辺を中心にして回動することにより、ステージ１６に
対する角度βを任意に変えることができるようになって
いる。これら２つの回動は互いに横向きになっていて、
これにより、ステージ１８の傾きを自由に調整する。吸
着用ノズル１２および接触センサ１１は、ステージ１８
に取り付けられている。The parallelism adjustment mechanism 13 used is, for example, the one shown in FIG. 3, but is not limited thereto. This parallelism adjustment mechanism 13 consists of three square stages 14, 16.
18 are superimposed on each other. The stage 16 is configured such that the angle α with respect to the stage 14 can be arbitrarily changed by rotating the stage 16 with one side aligned with the stage 14 around this side. Further, the stage 18 is configured such that the angle β relative to the stage 16 can be arbitrarily changed by rotating the stage 18 with one side aligned with the stage 16 around this side. These two rotations are sideways to each other,
Thereby, the inclination of the stage 18 can be adjusted freely. The suction nozzle 12 and the contact sensor 11 are mounted on the stage 18
is attached to.
角度αおよび角度βの調整は、それぞれ、接触センサ１
１で得られた情報により、たとえば、モータ駆動するマ
イクロメータ１５．１７で行われる。マイクロメータ１
５，１７はそれぞれ電動式であり、たとえば、ピストン
１５ｂ、１７ｂをシリンダ１５２．１７ａに対して出入
することにより、ステージ１６．１８をそれぞれ任意の
角度で回動させる。Adjustment of angle α and angle β is performed using contact sensor 1.
With the information obtained under 1, this is done, for example, with a motor-driven micrometer 15.17. Micrometer 1
5 and 17 are electrically operated, and for example, by moving pistons 15b and 17b in and out of cylinder 152.17a, stage 16.18 is rotated at an arbitrary angle.
接合時、高さ検出用突起２３に対応した位置に設けられ
た接触センサ１１が複数同時に高さ検出用突起２３に接
触するように、吸着用ノズル１２の傾きを制御する。こ
れにより、吸着用ノズル１２は、前記複数の高さ検出用
突起２３の先端の成す仮想面Ａに対して平行度が管理さ
れる。実際に接合に関わる突起電極２２に対する平行度
は、半導体素子接合部分が狭い範囲であることから、非
常に小さなズレ、たとえば、２〜３ｎ程度のズレに収ま
る。At the time of bonding, the inclination of the suction nozzle 12 is controlled so that a plurality of contact sensors 11 provided at positions corresponding to the height detection projections 23 contact the height detection projections 23 at the same time. Thereby, the parallelism of the suction nozzle 12 with respect to the virtual plane A formed by the tips of the plurality of height detection protrusions 23 is managed. The parallelism with respect to the protruding electrode 22 that is actually involved in bonding is within a very small deviation, for example, about 2 to 3n, since the semiconductor element bonding area is in a narrow range.
半導体素子の傾きの調整は、たとえば、つぎのように行
う。半導体素子を保持した吸着用ノズルを下げながら、
高さ検出用突起とセンサとの間の距離が皆同じになるよ
うに吸着用ノズルの傾きを変え、３つ以上またはすべて
のセンサが高さ検出用突起と同時に接触するようにして
から、半導体素子を接合する。この場合、吸着用ノズル
の下降速度を一定にしておき、各センサの接触信号のタ
イミングにより傾きを演算し、平行度の調整を行う。あ
るいは、半導体素子を保持した吸着用ノズルを一旦下げ
て、センサを高さ検出用突起に接触させ、３つ以上また
はすべてのセンサが高さ検出用突起と同時に接触するよ
うに吸着用ノズルの傾きを変えた後、半導体素子を接合
する。この場合、高さ検出用突起に接触したセンサの位
置が上下しないよう、たとえば、第３図に示す平行度調
整機構１３の角度α、βを演算し、それぞれのモータ駆
動するマイクロメータで３以上またはすべてのセンサが
同時に接触するようにし、この状態で半導体素子を接合
する。傾き調整をどのように行うにしても、接合する時
点で突起電極先端の成す仮想面と半導体素子の接合面と
が平行またはほぼ平行になっていればよい。The tilt of the semiconductor element is adjusted, for example, as follows. While lowering the suction nozzle holding the semiconductor element,
Change the inclination of the suction nozzle so that the distance between the height detection protrusions and the sensors is the same, so that three or more or all sensors come into contact with the height detection protrusions at the same time, and then Join the elements. In this case, the descending speed of the suction nozzle is kept constant, the inclination is calculated based on the timing of the contact signal of each sensor, and the parallelism is adjusted. Alternatively, once the suction nozzle holding the semiconductor element is lowered, the sensor is brought into contact with the height detection protrusion, and the suction nozzle is tilted so that three or more or all sensors contact the height detection protrusion at the same time. After changing the temperature, the semiconductor elements are bonded. In this case, in order to prevent the position of the sensor in contact with the height detection protrusion from rising or falling, for example, calculate the angles α and β of the parallelism adjustment mechanism 13 shown in FIG. Alternatively, all sensors are brought into contact at the same time, and semiconductor elements are bonded in this state. No matter how the inclination is adjusted, it is sufficient that the virtual plane formed by the tip of the protruding electrode and the bonding surface of the semiconductor element are parallel or nearly parallel at the time of bonding.
高さ検出用突起２３は、実際の接合に開わらないので、
いわばダミーバンブである。高さ検出用突起２３・・・
は、たとえば、次のようにして形成される。基板の上に
所望のバタ・−ンで電路を形成する。このパターンは、
たとえば、第２図にみるように、ボンディング用の電路
２４と枝分かれした電路２４ａからなる。これらの電路
の上にホトレジストを塗布して電路を覆い、ホトリソグ
ラフィーにより電路の突起電極形成部にホトレジストの
孔をあけるとともに、高さ検出用突起を設けるための孔
もあける。そして、前記電路を電極として、それらの孔
の中を電気めっき等によりＡｕ等の突起電極用材料で埋
めて、前記電路のトに突起電極と高さ検出用突起を形成
する。突起電極と高さ検出用突起との高さのずれは、基
板の反りなどによるずれに比べると非常に小さくするこ
とができる。したがって、突起電極と同様にして高さ検
出用突起を設けておき、接合時に、同高さ検出用突起を
用いて半導体素子の傾きを調整すると、突起電極先端の
成す仮想面とのずれが非常に小さくなる。Since the height detection protrusion 23 does not open for actual joining,
In other words, it is a dummy bump. Height detection protrusion 23...
is formed, for example, as follows. An electric path is formed on the board using the desired pattern. This pattern is
For example, as shown in FIG. 2, it consists of a bonding electrical path 24 and a branched electrical path 24a. A photoresist is coated on top of these electric circuits to cover the electric circuits, and holes in the photoresist are made by photolithography at the protruding electrode forming portions of the electric circuits, and holes for providing height detection protrusions are also made. Then, using the electric path as an electrode, the holes are filled with a protruding electrode material such as Au by electroplating or the like to form a protruding electrode and a height detection protrusion on the edge of the electric path. The height deviation between the protrusion electrode and the height detection protrusion can be made much smaller than the deviation caused by warpage of the substrate or the like. Therefore, if a height detection protrusion is provided in the same way as a protrusion electrode, and the inclination of the semiconductor element is adjusted using the same height detection protrusion during bonding, the deviation from the virtual plane formed by the tip of the protrusion electrode will be very large. becomes smaller.
なお、この発明は、上記実施例に限定されない。突起電
極の高さ情報は、同突起電極と同様にして設けられた高
さ検出用突起から得る必要はなく、たとえば、基板表面
の電路、あるいは、基板そのものの表面などから得るこ
ともできる。高さ検出用突起を設ける場合には、４つで
ある必要はな（、複数個（２つよりは３つ以上の方がよ
い）であればよい。突起電極の高さ情報を得る手段は、
上記した接触センサである必要はなく、たとえば、接触
により回路が閉じるような仕組みにしてもよい。Note that this invention is not limited to the above embodiments. The height information of the protruding electrode does not need to be obtained from the height detection protrusion provided in the same way as the protruding electrode, but can also be obtained from, for example, an electric path on the surface of the substrate or the surface of the substrate itself. When providing height detection protrusions, it is not necessary to provide four protrusions, but it is sufficient to have multiple protrusions (three or more is better than two). ,
It is not necessary to use the above-mentioned contact sensor; for example, a mechanism in which a circuit is closed by contact may be used.
請求項１および２の各発明にかかる半導体装置の製法は
、以上のように、基板の反り、ねじれ、厚みのばらつき
等によって突起電極先端の高さがばらついていても、基
板ごとに半導体素子の傾きを調整して接合できる。した
がって、半導体素子と突起電極との接合が安定したもの
となる。As described above, the method for manufacturing a semiconductor device according to each of the inventions of claims 1 and 2 allows the semiconductor device to be manufactured from one substrate to another even if the height of the protruding electrode tips varies due to warpage, twisting, thickness variations, etc. of the substrate. You can adjust the inclination and join. Therefore, the bonding between the semiconductor element and the protruding electrode becomes stable.
請求項２の発明にかかる半導体装置の製法は、以上に加
えて、より一層安定した接合を得ることができる。In addition to the above, the method for manufacturing a semiconductor device according to the second aspect of the invention can provide even more stable bonding.
第１図は請求項１または２の発明にかかる製法を実施す
る様子を模式的に表す側面図、第２図はその平面図、第
３図は平行度調整機構の１例を表す斜視図、第４図は従
来の１例を模式的に表す側面図、第５図はその平面図で
ある。
２・・・基板 ４・・・半導体素子 ２２・・・突起電
極２３・・・高さ検出用突起
代理人 弁理士 松 本 武 彦
第１図
第２図
第３図
第４図FIG. 1 is a side view schematically showing how the manufacturing method according to the invention of claim 1 or 2 is carried out, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a perspective view showing an example of the parallelism adjustment mechanism. FIG. 4 is a side view schematically showing one conventional example, and FIG. 5 is a plan view thereof. 2... Substrate 4... Semiconductor element 22... Projection electrode 23... Projection agent for height detection Patent attorney Takehiko Matsumoto Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
子の電極とを接合するにあたり、前記基板表面から前記
突起電極の高さ情報を得て、前記半導体素子の接合面の
、前記突起電極先端の成す仮想面に対する傾きを調整し
て接合することを特徴とする半導体装置の製法。 ２、基板表面の半導体素子接合部分の外形よりも外側の
部分に突起電極と同様にして高さ検出用突起を予め設け
ておき、同高さ検出用突起を用いて前記突起電極の高さ
情報が得られる請求項１記載の半導体装置の製法。[Scope of Claims] 1. When bonding a protruding electrode provided on a conductor on the surface of a substrate to an electrode of a semiconductor element, height information of the protruding electrode is obtained from the surface of the substrate and bonding of the semiconductor element is performed. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the inclination of the surface with respect to the virtual plane formed by the tips of the protruding electrodes is adjusted and bonded. 2. A height detection protrusion is provided in advance in the same way as a protrusion electrode on a portion of the substrate surface outside the outline of the semiconductor element bonding portion, and the height detection protrusion is used to obtain height information of the protrusion electrode. 2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10187888A JPH01273326A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187888A JPH01273326A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273326A true JPH01273326A (en) | 1989-11-01 |
Family
ID=14312210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10187888A Pending JPH01273326A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273326A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176569A (en) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | Flip chip bonder |
| US6077725A (en) * | 1992-09-03 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc | Method for assembling multichip modules |
| JP2007222903A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nichicon Corp | Soldering robot |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10187888A patent/JPH01273326A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077725A (en) * | 1992-09-03 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc | Method for assembling multichip modules |
| JPH07176569A (en) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | Flip chip bonder |
| JP2007222903A (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nichicon Corp | Soldering robot |
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