JPH01270362A - Solid-state image sensing device and manufacture thereof - Google Patents
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- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロレンズを用いて素子感度を向上させ
た固体撮像装置及びその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a solid-state imaging device in which element sensitivity is improved using a microlens, and a method for manufacturing the same.
（従来の技術）
一般に固体撮像装置は、固体撮像素子からなる複数の画
素を配列することによって構成されている。１つの固体
撮像素子では、入射した光をフォトダイオード等からな
る感光部で電気信号に変換して出力信号を行う。このよ
うな固体撮像素子において、フォトダイオードの受光部
の寸法を大きくすることなく、受光感度を高めるために
、受光部の上方にマイクロレンズを設け、このマイクロ
レンズによって外光を感光部に集光することが一般に行
われている。(Prior Art) Generally, a solid-state imaging device is configured by arranging a plurality of pixels made of solid-state imaging elements. In one solid-state image sensor, incident light is converted into an electrical signal by a photosensitive section made of a photodiode or the like, and an output signal is generated. In such solid-state image sensors, in order to increase the light-receiving sensitivity without increasing the size of the light-receiving part of the photodiode, a microlens is provided above the light-receiving part, and this microlens focuses external light onto the light-receiving part. It is common practice to do so.
これを第３図に基づいて説明すると、半導体基板１の上
には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力する
感光部としてのフォトダイオード２と、このフォトダイ
オード２の各列の両端部に位置してボンディングパッド
部３が夫々形成され、この上面には、上記ボンディング
パッド部３の上方を除きパッシベーション膜４及びフィ
ルタ層５が順次積層されている。そして、このフィルタ
層５の上面には、上記フォトダイオード２の上方に位置
して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ６′が設けら
れ、このマイクロレンズ６′によって光を集め、この集
めた光をフォトダイオード２に入射することによりこの
感度を高めるよう構成されている。To explain this based on FIG. 3, on the semiconductor substrate 1 there is a photodiode 2 as a photosensitive part that converts incident light into an electric signal and outputs the signal, and each column of the photodiode 2 has a Bonding pad portions 3 are formed at both ends, and a passivation film 4 and a filter layer 5 are sequentially laminated on the upper surface of the bonding pad portions 3 except above the bonding pad portions 3. A microlens 6' in the shape of a convex lens is provided on the upper surface of the filter layer 5, and is located above the photodiode 2. The microlens 6' collects light and converts the collected light into a photo. It is configured to increase this sensitivity by entering the diode 2.
そして、このマイクロレンズ６′は、下記の製造上の制
約により、一般にゼラチン、カゼイン又はアクリル系の
レジストによって構成されていた。This microlens 6' is generally made of gelatin, casein, or acrylic resist due to the following manufacturing constraints.
上記固体撮像装置においては、上記のようにボンディン
グパッド３の上方のレジストを除去する必要があるため
、この製造は、一般に次のように行われていた。In the above-mentioned solid-state imaging device, since it is necessary to remove the resist above the bonding pad 3 as described above, the manufacturing thereof has generally been performed as follows.
即ち、パッシベーション膜４、フィルタ層５内のカラー
染色層間に介在させた混色にじみを防止するための中間
膜、及びフィルタ層５の上面に配置した保護膜等として
感光性のあるレジストを使用し、これらの膜を塗布した
後、毎回現像して上記ボンディングパッド部３の上方に
位置するレジストをそのたび毎に除去することにより、
上記第３図に示すもののうちマイクロレンズ６′を除く
基板部を形成し、しかる後、フォトダイオード部２の上
方の所定の位置に、マイクロレンズ６′をパターンニン
グし、更にこのマイクロレンズ６′としてゼラチン系や
カゼイン系のレジストを使用した場合にはこの上面に保
護膜を被せたり、またアクリル系のレジストを使用した
場合には表面を溶融させたりして、第３図に示す固体撮
像装置を製造するものであった。That is, a photosensitive resist is used as the passivation film 4, the intermediate film interposed between the color dyeing layers in the filter layer 5 to prevent color mixture bleeding, and the protective film disposed on the upper surface of the filter layer 5. After applying these films, by developing each time and removing the resist located above the bonding pad portion 3 each time,
A substrate part excluding the microlens 6' of the one shown in FIG. When a gelatin-based or casein-based resist is used as a resist, a protective film is placed on the top surface of the resist, or when an acrylic resist is used, the surface is melted to form the solid-state imaging device shown in Figure 3. It was intended to manufacture.
なお、ドライエツチングにより、マイクロレンズを形成
しようとすると、マスキングするレジストを厚膜化する
必要があるため、マイクロレンズとしてのレンズ効果を
損なう欠点があり、このレジストの材料の選定及び廉価
なマイクロレンズを作ることが一般に困難であった。In addition, when attempting to form microlenses by dry etching, it is necessary to thicken the masking resist, which has the disadvantage of impairing the lens effect as a microlens. was generally difficult to make.
即ち、マイクロレンズはフィルタ層の上面に作られるた
め、これを作る工程は、このフィルタ層の表面の状態と
大きな係わりがある。このため、ドライエツチングによ
りボンディングパッド部の上方のレジストを除去する際
に所望の形状のマイクロレンズを形成することは非常に
困難で、またポジレジスト等を用い、これをマスクとし
てドライエツチングによりボンディングパッド部のレジ
ストを除去した時には、この除去後にポジレジストを剥
離することが困難で、更にレジストとして無機の透明な
膜を使用し、これマスクとしてドライエツチングにより
ボンディングパッド部のレジストを除去した場合には、
この膜は平坦性がかなり良いため、この膜によってマイ
クロレンズの効果が著しく損なわれてしまうからである
。That is, since the microlens is made on the top surface of the filter layer, the process of making it has a great deal to do with the condition of the surface of the filter layer. For this reason, it is very difficult to form a microlens in the desired shape when removing the resist above the bonding pad by dry etching, and using a positive resist etc. as a mask, dry etching removes the bonding pad. When removing the resist from the bonding pad area, it is difficult to peel off the positive resist after this removal, and furthermore, when an inorganic transparent film is used as the resist and the resist from the bonding pad area is removed by dry etching as a mask, it is difficult to peel off the positive resist after this removal. ,
This is because this film has fairly good flatness, so the effect of the microlens is significantly impaired by this film.
このため、上記マイクロレンズをドライエツチングによ
って形成することは、一般には行われておらず、このマ
イクロレンズは、上記のようにゼラチン系、カゼイン系
又はアクリル系のレジストに限定されているのが現状で
あった。For this reason, the microlenses described above are not generally formed by dry etching, and the microlenses are currently limited to gelatin-based, casein-based, or acrylic-based resists as described above. Met.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来例においては、マイクロレンズはゼ
ラチン系、カゼイン系又はアクリル系のレジストで形成
されているため、これらの屈折率は一般に小さく、マイ
クロレンズを用いない場合に比べ、せいぜい１．５倍程
度の感度の向上が限界であるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減することはできなかった。(Problem to be Solved by the Invention) However, in conventional examples, microlenses are formed of gelatin-based, casein-based, or acrylic-based resists, so their refractive index is generally small, and when microlenses are not used, Not only is the sensitivity only limited to an improvement of about 1.5 times at most, but it also fails to reduce the smear phenomenon that causes whitish tails in the top and bottom when photographing bright objects.
また、上記製造方法においては、バッシュベーション膜
、混色にじみを防ぐ膜及び保３膜等を毎回現像する必要
があって、材料が限定されるばかりでなく工程数も多く
なり、しかも染色に使用する酸によって、パッシベーシ
ョン膜に上面に設けたアルミニウム遮光膜が腐蝕してし
まうことがあるといった問題点があった。In addition, in the above manufacturing method, it is necessary to develop the bashvation film, the film that prevents color mixture bleeding, and the protective film each time, which not only limits the materials used but also increases the number of steps. There is a problem in that the aluminum light-shielding film provided on the upper surface of the passivation film may be corroded by the acid.
本発明は上記に鑑み、ドライエツチングによりマイクロ
レンズを形成することにより、より屈折率の大きなレジ
ストを使用して素子感度の向上を図るとともに、工程数
を多くすることなく、所望の形状のマイクロレンズを廉
価に製造することができるものを提供することを目的と
する。In view of the above, the present invention aims to improve element sensitivity by using a resist with a higher refractive index by forming microlenses by dry etching, and to form microlenses in a desired shape without increasing the number of steps. The purpose is to provide products that can be manufactured at low cost.
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明における固体撮像装置
は、半導体基板上に感光部とボンディングパッド部を形
成し、この上面をボンディングパッド部の上方を除きフ
ィルタ層で覆うとともに、上記感光部の上方にマイクロ
レンズを配置した固体撮像装置において、このマイクロ
レンズをシリコン系やポリスチレン系等の透明なレジス
トにドライエツチングを施すことにより形成したもので
あり、その製造方法は、上部に感光部とボンディングパ
ッド部を形成した半導体基板の上面にフィルタ層を積層
し、ボンディングパッド部の上方を除くこの上面に透明
なレジストを塗布し、このレジストの上に上記感光部の
上方に位置してポジレジストをパターンニングし、ドラ
イエツチングを行うことによって上記透明なレジストで
マイクロレンズを形成するとともに、この透明なレジス
トをマスクとしてフィルタ層のボンディングパッド部上
方のレジストを除去するようにしたものである。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, a solid-state imaging device according to the present invention includes a photosensitive portion and a bonding pad portion formed on a semiconductor substrate, and a filter layer is formed on the upper surface of the photosensitive portion and a bonding pad portion except above the bonding pad portion. In a solid-state imaging device in which a microlens is placed above the photosensitive area, the microlens is formed by dry etching a transparent resist such as silicone or polystyrene. In this method, a filter layer is laminated on the upper surface of a semiconductor substrate on which a photosensitive area and a bonding pad area are formed, a transparent resist is applied to this upper surface except above the bonding pad area, and the photosensitive area is layered on top of this resist. By patterning the positive resist located above and performing dry etching, a microlens is formed using the transparent resist, and the resist above the bonding pad portion of the filter layer is removed using the transparent resist as a mask. This is what I did.
（作 用）
上記のように構成した本発明によれば、マイクロレンズ
は、フィルタ層の上面に塗布した透明なレジストを材料
とし、ドライエツチングによって作ることができ、この
ため高い屈曲率のレジストをマイクロレンズの材料とし
用い、マイクロレン・ズとしての屈曲率を増大させ、し
かもボンディングパッド部上方のレジストは、上記マイ
クロレンズを構成するレジストをマスクとして除去する
ことができるので、工程数を減少させることができる。(Function) According to the present invention configured as described above, the microlens can be made by dry etching using a transparent resist coated on the upper surface of the filter layer. It is used as a material for microlenses to increase the curvature of the microlenses, and the resist above the bonding pad can be removed using the resist constituting the microlenses as a mask, reducing the number of steps. be able to.
（実施例）
以下、本発明の実施例について、第１図及び第２図を参
照して説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図は、固体撮像素子を示すもので、半導体基板１の
上には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力す
る感光部としてのフォトダイオード２と、このフォトダ
イオード２の各列の両端部に位置してボンディングパッ
ド部３が夫々形成され、この上面には、上記ボンディン
グパッド部３の上方を除きパッシベーション膜４及びフ
ィルタ層５が順次積層されている。そして、このフィル
タ層５の上面には、上記フォトダイオード２の上方に位
置して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ６が設けら
れ、このマイクロレンズ６によって光を集め、この集め
た光をフォトダイオード２に入射することによりこの感
度を高めるよう構成されている。FIG. 1 shows a solid-state image sensor. On a semiconductor substrate 1, there is a photodiode 2 as a photosensitive part that converts incident light into an electrical signal and outputs the signal, and each of the photodiodes 2 Bonding pad portions 3 are formed at both ends of the row, and a passivation film 4 and a filter layer 5 are sequentially laminated on the upper surface of the bonding pad portions 3 except above the bonding pad portions 3. A microlens 6 in the shape of a convex lens is provided on the upper surface of the filter layer 5 and is located above the photodiode 2. The microlens 6 collects light, and the collected light is transmitted to the photodiode 2. The structure is configured to increase this sensitivity by making the beam incident on the beam.
そして、このマイクロレンズ６は、シリコン系やポリス
チレン系のレジストにドライエツチングを施すことによ
って構成され、これによって感度の向上及び上記スミア
現象の低減が図られている。The microlens 6 is constructed by performing dry etching on a silicon-based or polystyrene-based resist, thereby improving sensitivity and reducing the above-mentioned smear phenomenon.
即ち、例えばシリコン系のレジストを材料としてこのマ
イクロレンズ６を形成した場合には、マイクロレンズを
設けない場合に比べて、約２倍の素子感度の向上を図る
ことができる。That is, when the microlens 6 is formed using, for example, a silicon-based resist as a material, it is possible to improve the element sensitivity by about twice as much as when no microlens is provided.
上記撮像装置の製造方法を第２図に基づいて説明する。A method of manufacturing the above imaging device will be explained based on FIG. 2.
先ず、同図（ａ）で示すように、半導体基板１の上に、
入射した光を電気信号に変換して信号を出力する感光部
としてのフォトダイオード２と、このフォトダイオード
２の各列の両端部に位置してボンディングパッド部３を
夫々形成し、この上面に、ボンディングパッド部３を露
出させてパッシベーション膜４を、更にこの全上面にフ
ィルタ層５を順次積層するとともに、このフィルタ層５
の表面５ａを、ここに形成するマイクロレンズ６の形状
に合わせて凹凸を設けておく。First, as shown in FIG. 1(a), on a semiconductor substrate 1,
A photodiode 2 as a photosensitive section that converts incident light into an electric signal and outputs the signal, and bonding pad sections 3 are formed at both ends of each row of the photodiode 2, and on the upper surface thereof, A passivation film 4 is sequentially laminated on the entire upper surface of the passivation film 4 by exposing the bonding pad portion 3, and a filter layer 5 is sequentially laminated on the entire upper surface of the passivation film 4.
The surface 5a is provided with irregularities in accordance with the shape of the microlens 6 to be formed there.
この時、カラーフィルク層５の保護膜は、ボンディング
パッド部３を覆っており、このためこのボンディングパ
ッド部３は、他の酸等にはさらされていない。At this time, the protective film of the color film layer 5 covers the bonding pad portion 3, so that the bonding pad portion 3 is not exposed to other acids or the like.
この状態で、同図（ｂ）に示すように、このフィルタ層
５の上面に、感光性を有する、例えばポリスチレン系の
透明なマイクロレンズ形成用レジスト６ａを２μｍ程度
の厚さに塗布し、ボンディングパッド部３の上方を現像
により除去する。In this state, as shown in FIG. 5B, a photosensitive transparent resist 6a for forming microlenses made of, for example, polystyrene is applied to a thickness of about 2 μm on the upper surface of the filter layer 5, and bonding is performed. The upper part of the pad portion 3 is removed by development.
そして、同図（Ｃ）に示すように、ポジレジスト７を１
．７μｍ程度の厚さに塗布し、マイクロレンズ６を形成
する所定の位置、即ちフォトダイオード２の上方にこの
ポジレジストアが残るように所望の形状にパターンニン
グし、この状態で、０２プラズマの中に置いてドライエ
ツチングを施す。Then, as shown in the same figure (C), the positive resist 7 is
．． It is coated to a thickness of about 7 μm and patterned into a desired shape so that the positive resist remains at the predetermined position where the microlens 6 is to be formed, that is, above the photodiode 2. In this state, it is exposed to 02 plasma. and dry etching.
而して、このドライエツチングにより、ポジレジスト７
を上方から除々に除去するとともに、マイクロレンズ形
成用レジスト６ａの露出部分から、ポジレジストアの中
心方向に除々にこのレジスト６ａを除去することにより
、このレジスト６ａで凸レンズ状のマイクロレンズ６を
形成するとともに、上記マイクロレンズ形成用レジスト
６ａをマ部３の上方のレジストを除去して、第１図に示
す固体撮像造装置を製造するのである。By this dry etching, positive resist 7
By gradually removing the resist 6a from above and gradually removing the resist 6a from the exposed portion of the microlens forming resist 6a toward the center of the positive resist, a convex lens-shaped microlens 6 is formed using the resist 6a. At the same time, the resist 6a for forming the microlens is removed from above the peripheral portion 3 to manufacture the solid-state imaging device shown in FIG. 1.
なお、別な方法として、上記第２図（ｂ）で、透明なマ
イクロレンズ成形用レジスト６ａとしてシリコン系のレ
ジストを使用するとともに、同図（Ｃ）でこの図の他に
ボンディングパッド部３の上方にもポジレジストアのパ
ターンニングを行い、この状態でフレオン系ガスによる
プラズマの中でエツチングを行ってマイクロレンズ６め
上面の形状を形成し、この半形成のマイクロレンズ６を
マスクとして、０２プラズマの中に置いてドライエツチ
ングを施することにより、マイクロレンズ６を全形成す
るとともに、フィルタ層５のボンディングパッド部３の
上方のレジストを除去して、第１図に示す固体撮像造装
置を製造するようにすることもできる。As another method, as shown in FIG. 2(b) above, a silicon-based resist is used as the transparent microlens molding resist 6a, and in addition to this figure, in FIG. A positive resist pattern is also applied to the upper part, and in this state, etching is performed in plasma using Freon gas to form the shape of the upper surface of the microlens 6. Using this half-formed microlens 6 as a mask, 02 By placing it in plasma and performing dry etching, the microlens 6 is completely formed, and the resist above the bonding pad portion 3 of the filter layer 5 is removed, and the solid-state imaging device shown in FIG. 1 is completed. It can also be manufactured.
本発明は上記のような構成であるので、マイクロレンズ
の材料として、ポリスチレン系やシリコン系のレジスト
を使用するようにすることができ・この場合、屈曲率は
大きくなるので、受光感度を従来のマイクロレンズより
更に向上させることができるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減させることができる。Since the present invention has the above-described configuration, it is possible to use polystyrene-based or silicon-based resist as the material for the microlens. Not only can this be further improved than a microlens, but it can also reduce the smear phenomenon that causes whitish tails in the top and bottom when photographing bright objects.
更に、後の工程における組立工程での樹脂滴下による固
定の際の平坦化による受光感度の低下もなく、フィルタ
層の耐熱及び耐光性も向上する。Furthermore, there is no reduction in light-receiving sensitivity due to flattening during fixing by resin dripping in a later assembly step, and the heat resistance and light resistance of the filter layer are improved.
また、ドライエツチングによりボンディングパッド部の
上方のレジストを除去することができ、従ってアルミニ
ウム遮光膜の腐蝕を防止するとともに、毎回現像するこ
とを防止して、工程数の削減及び現像液の使用量の削減
を図ることができる。In addition, the resist above the bonding pad can be removed by dry etching, which prevents corrosion of the aluminum light-shielding film and prevents development each time, reducing the number of steps and the amount of developer used. reduction can be achieved.
しかも、マイクロレンズの形成とボンディングパッド部
上方のレジストの除去を同時に行うようにしたので、よ
り工程の短縮化を図ることができるといった効果がある
。Furthermore, since the formation of the microlens and the removal of the resist above the bonding pad portion are performed at the same time, there is an effect that the process can be further shortened.
第１図は本発明に係る固体撮像装置の一実施例を示す断
面図、第２図はその製造を工程順に示す断面図、第３図
は従来の固体撮像装置を示す断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・フォトダイオード、３・
・・ボンディングパッド部、４・・・パッシベーション
膜、５・・・フィルタ層、６・・・マイクロレンズ、６
ａ・・・マイクロレンズ形成用レジスト、７・・・ポジ
レジスト、６′・・・従来のマイクロレンズ。
出願人代理人 佐 藤 −雄
第 ３ 図
第２ 図FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the manufacturing process in order, and FIG. 3 is a sectional view showing a conventional solid-state imaging device. 1... Semiconductor substrate, 2... Photodiode, 3.
...Bonding pad part, 4... Passivation film, 5... Filter layer, 6... Microlens, 6
a...Resist for microlens formation, 7...Positive resist, 6'...Conventional microlens. Applicant's agent Mr. Yu Sato Figure 3 Figure 2
Claims (1)
成し、この上面をボンディングパッド部の上方を除きフ
ィルタ層で覆うとともに、上記感光部の上方にマイクロ
レンズを配置した固体撮像装置において、このマイクロ
レンズをシリコン系やポリスチレン系等の透明なレジス
トにドライエッチングを施すことにより形成したことを
特徴とする固体撮像装置。 ２、上部に感光部とボンディングパッド部を形成した半
導体基板の上面にフィルタ層を積層し、ボンディングパ
ッド部の上方を除くこの上面に透明なレジストを塗布し
、このレジストの上に上記感光部の上方に位置してポジ
レジストをパターンニングし、ドライエッチングを行う
ことによって上記透明なレジストでマイクロレンズを形
成するとともに、この透明なレジストをマスクとしてフ
ィルタ層のボンディングパッド部上方のレジストを除去
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。[Claims] 1. A solid state in which a photosensitive part and a bonding pad part are formed on a semiconductor substrate, the upper surface of this is covered with a filter layer except for the area above the bonding pad part, and a microlens is arranged above the photosensitive part. A solid-state imaging device characterized in that the microlens is formed by dry etching a transparent resist such as silicon-based or polystyrene-based resist. 2. A filter layer is laminated on the upper surface of the semiconductor substrate on which a photosensitive area and a bonding pad area are formed, a transparent resist is applied to this upper surface except above the bonding pad area, and the photosensitive area is formed on top of this resist. Patterning the positive resist located above and performing dry etching to form a microlens with the transparent resist, and using this transparent resist as a mask, remove the resist above the bonding pad portion of the filter layer. A method for manufacturing a solid-state imaging device, characterized by:
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|---|---|---|---|
| JP63099876A JPH07105481B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Method of manufacturing solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099876A JPH07105481B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Method of manufacturing solid-state imaging device |
Publications (2)
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| JPH01270362A true JPH01270362A (en) | 1989-10-27 |
| JPH07105481B2 JPH07105481B2 (en) | 1995-11-13 |
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Family Applications (1)
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0444267A (en) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sharp Corp | Formation of microlens of solid-state image sensing element |
| US5096665A (en) * | 1989-02-07 | 1992-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloys having MgZn2 -type laves phase structure |
| JPH04234707A (en) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | Color filter and manufacture thereof |
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5426058A (en) * | 1991-07-12 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state imaging device |
| US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
| JP2002512436A (en) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | Integrated circuit device |
| JP2006108580A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008122527A (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nec Electronics Corp | Optical transceiver module and its manufacturing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992568A (en) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | Photo receptor such as solid-state image pickup element and manufacture thereof |
| JPS6058668A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of color filter |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63099876A patent/JPH07105481B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992568A (en) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | Photo receptor such as solid-state image pickup element and manufacture thereof |
| JPS6058668A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of color filter |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096665A (en) * | 1989-02-07 | 1992-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloys having MgZn2 -type laves phase structure |
| JPH0444267A (en) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sharp Corp | Formation of microlens of solid-state image sensing element |
| JPH04234707A (en) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | Color filter and manufacture thereof |
| US5426058A (en) * | 1991-07-12 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state imaging device |
| US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| JP2002512436A (en) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | Integrated circuit device |
| JP2006108580A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device and manufacturing method therefor |
| US8134110B2 (en) | 2004-10-08 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and solid-state imaging device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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