JPH01266761A - ショットキバリア半導体装置の製造方法 - Google Patents
ショットキバリア半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01266761A JPH01266761A JP9354588A JP9354588A JPH01266761A JP H01266761 A JPH01266761 A JP H01266761A JP 9354588 A JP9354588 A JP 9354588A JP 9354588 A JP9354588 A JP 9354588A JP H01266761 A JPH01266761 A JP H01266761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- schottky barrier
- semi
- semiconductor region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 27
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高耐圧のショットキバリア半導体装置に関す
る。
る。
更未匹技生
ショットキバリアダイオードは、良好な高速応答性(高
速スイッチング特性)及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧(ショッ
トキバリアの中央部での耐圧)に比べて周辺耐圧(ショ
ットキバリアの周辺での耐圧)が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
速スイッチング特性)及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧(ショッ
トキバリアの中央部での耐圧)に比べて周辺耐圧(ショ
ットキバリアの周辺での耐圧)が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
周辺耐圧を向上させる方法の1つとして、特開昭62−
45172号公報に示されているように、ショットキバ
リアとその下部の半導体領域を半絶縁性半導体領域で包
囲した高耐圧化i造が知られている。この高耐圧化構造
を有するショットキバリアダイオードを第4図によって
説明する0図示のショットキバリアダイオードは、n0
形領域2の上にn影領域3が形成されたGaAs(砒化
ガリウム)から成る半導体基板1を有し、He(ヘリウ
ム) 、 H(水素)、B(@素)等をn影領域3にイ
オン注入することにより半絶縁性半導体領域4が形成さ
れる。半絶縁性半導体領域4は平面的には環状に形成さ
れる。半絶縁性半導体領域4に包囲されたn影領域3a
の上面にはAQ(アルミニウム)層から成るバリア電極
5が形成され、バリア電極5とn影領域3aの間に整流
接合であるショットキバリアが形成されている。n1形
領域2の下面には、Aυ(金)とGe(ゲルマニウム)
の合金層にAu層を重ねたオーミック電極6が形成され
ている。このショットキバリアダイオードは、逆電圧が
印加されたとき、空乏層の広がりが半絶縁性半導体領域
4によって制限されるため、ショットキバリアの周辺で
の電界集中が緩和され、かなり大幅な耐圧向上が期待で
きる。半絶縁性半導体領域4は、n影領域3と同じ半導
体材料から成り、ショットキバリアの周辺に応力集中を
生ずることなく形成される点も耐圧向上の一因であると
考えられる。なお、「半絶縁性半導体領域」の表記は、
用語「半絶縁性」と「半導体」との概念が矛盾するが、
本明細書では汎用語として使用されているように「半導
体材料から成りかつ半絶縁性を有する高抵抗な領域」を
意味する。半絶縁性半導体領域は半導体基板材料中にH
等のイオンを注入して形成される。この半絶縁性半導体
領域が高耐圧化に効果的であることは実験により確認さ
れている。
45172号公報に示されているように、ショットキバ
リアとその下部の半導体領域を半絶縁性半導体領域で包
囲した高耐圧化i造が知られている。この高耐圧化構造
を有するショットキバリアダイオードを第4図によって
説明する0図示のショットキバリアダイオードは、n0
形領域2の上にn影領域3が形成されたGaAs(砒化
ガリウム)から成る半導体基板1を有し、He(ヘリウ
ム) 、 H(水素)、B(@素)等をn影領域3にイ
オン注入することにより半絶縁性半導体領域4が形成さ
れる。半絶縁性半導体領域4は平面的には環状に形成さ
れる。半絶縁性半導体領域4に包囲されたn影領域3a
の上面にはAQ(アルミニウム)層から成るバリア電極
5が形成され、バリア電極5とn影領域3aの間に整流
接合であるショットキバリアが形成されている。n1形
領域2の下面には、Aυ(金)とGe(ゲルマニウム)
の合金層にAu層を重ねたオーミック電極6が形成され
ている。このショットキバリアダイオードは、逆電圧が
印加されたとき、空乏層の広がりが半絶縁性半導体領域
4によって制限されるため、ショットキバリアの周辺で
の電界集中が緩和され、かなり大幅な耐圧向上が期待で
きる。半絶縁性半導体領域4は、n影領域3と同じ半導
体材料から成り、ショットキバリアの周辺に応力集中を
生ずることなく形成される点も耐圧向上の一因であると
考えられる。なお、「半絶縁性半導体領域」の表記は、
用語「半絶縁性」と「半導体」との概念が矛盾するが、
本明細書では汎用語として使用されているように「半導
体材料から成りかつ半絶縁性を有する高抵抗な領域」を
意味する。半絶縁性半導体領域は半導体基板材料中にH
等のイオンを注入して形成される。この半絶縁性半導体
領域が高耐圧化に効果的であることは実験により確認さ
れている。
ところで、第4図に示すショットキバリアダイオードを
特開昭62−45172号公報に示されるように製造す
る場合に、最終的に残存させるバリア電極5をマスクと
してイオン注入する方法が知られている。この方法を実
施するとき、第5図に示すように、バリア電極5の上に
シリコン酸化膜7を形成し、矢印8で模式的に示すよう
にシリコン酸化膜7とバリア電極5の外側からn影領域
3にHeをイオン注入し、半絶縁性半導体領域4が形成
される。この方法によれば、イオン注入時にシリコン酸
化膜7とバリア電極5をマスクとして使用し、イオン注
入後にバリア電極5をそのまま残存できるので、マスク
効果が確実であるとともに簡略化された製造工程により
周辺耐圧の高いショットキバリアダイオードを得ること
ができる。
特開昭62−45172号公報に示されるように製造す
る場合に、最終的に残存させるバリア電極5をマスクと
してイオン注入する方法が知られている。この方法を実
施するとき、第5図に示すように、バリア電極5の上に
シリコン酸化膜7を形成し、矢印8で模式的に示すよう
にシリコン酸化膜7とバリア電極5の外側からn影領域
3にHeをイオン注入し、半絶縁性半導体領域4が形成
される。この方法によれば、イオン注入時にシリコン酸
化膜7とバリア電極5をマスクとして使用し、イオン注
入後にバリア電極5をそのまま残存できるので、マスク
効果が確実であるとともに簡略化された製造工程により
周辺耐圧の高いショットキバリアダイオードを得ること
ができる。
Iが 決しようとする ド
しかし、前述の方法で製作したショットキバリアダイオ
ードは、所望の耐圧特性を得られないのが実状であった
。これは、平面的に見たとき、バリア電極5の周縁部と
半絶縁性半導体領域4の内周縁部との重複部が十分な幅
で形成されないためある。すなわち、バリア電極5の周
縁部を拡大して第6図に示すように、全面に形成された
Au層をフォトエツチングにより選択的に除去してバリ
ア電極5を形成するとき、バリア電極5の横方向エツチ
ングによりシリコン酸化膜7にひさし状突出部7aが形
成される。したがって、ひさし状突出部7aの下部のn
影領域3には、Haの注入量が減少する。ひさし状突出
部7aの先端ではイオンビームの散乱のためイオンビー
ムの挙動が複雑化するが1図示のような形状の半絶縁性
半導体領域4が形成されるものと推定される。半絶縁性
半導体領域4の正確な形状の把握は困難であるが、平面
的に見たときのバリア電極5と半絶縁性半導体領域4の
重複部がほとんど形成されないか、形成されても微かで
あることは事実である。この場合。
ードは、所望の耐圧特性を得られないのが実状であった
。これは、平面的に見たとき、バリア電極5の周縁部と
半絶縁性半導体領域4の内周縁部との重複部が十分な幅
で形成されないためある。すなわち、バリア電極5の周
縁部を拡大して第6図に示すように、全面に形成された
Au層をフォトエツチングにより選択的に除去してバリ
ア電極5を形成するとき、バリア電極5の横方向エツチ
ングによりシリコン酸化膜7にひさし状突出部7aが形
成される。したがって、ひさし状突出部7aの下部のn
影領域3には、Haの注入量が減少する。ひさし状突出
部7aの先端ではイオンビームの散乱のためイオンビー
ムの挙動が複雑化するが1図示のような形状の半絶縁性
半導体領域4が形成されるものと推定される。半絶縁性
半導体領域4の正確な形状の把握は困難であるが、平面
的に見たときのバリア電極5と半絶縁性半導体領域4の
重複部がほとんど形成されないか、形成されても微かで
あることは事実である。この場合。
半絶縁性半導体領域4による高耐圧化効果が十分に発揮
されず、第4図のように上記重複部が十分である場合に
比べて耐圧が低下する欠点がある。
されず、第4図のように上記重複部が十分である場合に
比べて耐圧が低下する欠点がある。
シリコン酸化膜7を形成せずにバリア電極5のみをマス
クとしてイオン注入すれば、ひさし状突出部7aに基因
する上述の問題は解消する。しかし、AQ層中への注入
イオンの飛程(到達深さ)はn影領域3中への飛程と同
程度であるから、例えば4μm以上の膜厚でバリア電極
5を厚く形成しないとイオンの一部がバリア電極5を貫
通するので、十分なマスク効果が得られない。十分なマ
スク効果が得られるようにバリア電極5を厚くすると、
フォトエツチングの精度が低下してバリア電極5のパタ
ーンが崩れ、耐圧低下の原因となる。
クとしてイオン注入すれば、ひさし状突出部7aに基因
する上述の問題は解消する。しかし、AQ層中への注入
イオンの飛程(到達深さ)はn影領域3中への飛程と同
程度であるから、例えば4μm以上の膜厚でバリア電極
5を厚く形成しないとイオンの一部がバリア電極5を貫
通するので、十分なマスク効果が得られない。十分なマ
スク効果が得られるようにバリア電極5を厚くすると、
フォトエツチングの精度が低下してバリア電極5のパタ
ーンが崩れ、耐圧低下の原因となる。
そこで、本発明の目的は、半絶縁性半導体領域を含む高
耐圧化構造の周辺耐圧を向上できるショットキバリア半
導体装置の改良された製造方法を提供することを目的と
する。
耐圧化構造の周辺耐圧を向上できるショットキバリア半
導体装置の改良された製造方法を提供することを目的と
する。
ニー役
本発明によるショットキバリア半導体装置の爬漬方法は
、半導体領域との間にショットキバリアを形成する物質
から成る電極層及び該電極層を隣接包囲しかつ前記半導
体領域との間にショットキバリアを形成する物質から成
る薄層とを前記半導体領域の一主面上に形成する工程と
、前記電極層又は/及び該電極層上に形成した被膜をマ
スクとして前記薄層を通過させて前記半導体領域にイオ
ンを注入し、前記電極層の下部の前記半導体領域を包囲
するよう半絶縁性半導体領域を形成する工程とから成る
。
、半導体領域との間にショットキバリアを形成する物質
から成る電極層及び該電極層を隣接包囲しかつ前記半導
体領域との間にショットキバリアを形成する物質から成
る薄層とを前記半導体領域の一主面上に形成する工程と
、前記電極層又は/及び該電極層上に形成した被膜をマ
スクとして前記薄層を通過させて前記半導体領域にイオ
ンを注入し、前記電極層の下部の前記半導体領域を包囲
するよう半絶縁性半導体領域を形成する工程とから成る
。
務−■
本発明によれば、バリア電極をイオン注入のマスクとし
て兼用させ、主電流通路となるショットキバリアを形成
するバリア電極として電極層の少なくとも主要部を最終
的に残存させる。電極層はバリア電極の主要部を成し、
薄層はその周辺にあって補助的バリア電極を成している
と見なせる。
て兼用させ、主電流通路となるショットキバリアを形成
するバリア電極として電極層の少なくとも主要部を最終
的に残存させる。電極層はバリア電極の主要部を成し、
薄層はその周辺にあって補助的バリア電極を成している
と見なせる。
電極層と薄層とを合すせて平面的にバリア電極と見たと
き、バリア電極と半絶縁性半導体領域とは十分な幅の重
複部を持って形成されている。このため、電極層と半絶
縁性半導体領域との重複部の幅が不十分であっても、耐
圧特性の低下や不安定性は起こらない。
き、バリア電極と半絶縁性半導体領域とは十分な幅の重
複部を持って形成されている。このため、電極層と半絶
縁性半導体領域との重複部の幅が不十分であっても、耐
圧特性の低下や不安定性は起こらない。
大−流−■
以下、本発明の実施例である電力用高耐圧ショットキバ
リアダイオードの製造方法を第1図及び第2図に基づい
て説明する。
リアダイオードの製造方法を第1図及び第2図に基づい
て説明する。
まず、第1図(Δ)に示すように、GaAs(砒化ガリ
ウム)から成る半導体基板11を用意する。
ウム)から成る半導体基板11を用意する。
半導体基板11は、不純物濃度2 X 10”am−”
、厚さ約300μmのn◆形領領域12上に不純物濃度
2 X 10”cxa″″3、厚さ約15μmのn影領
域13をエピタキシャル成長させた半導体領域を有する
。
、厚さ約300μmのn◆形領領域12上に不純物濃度
2 X 10”cxa″″3、厚さ約15μmのn影領
域13をエピタキシャル成長させた半導体領域を有する
。
次に、第1図(B)に示すように半導体基板11の上面
にTi (チタン)とAl1を連続的に真空蒸着しTi
の薄層14とAa層15を形成する。
にTi (チタン)とAl1を連続的に真空蒸着しTi
の薄層14とAa層15を形成する。
Tiの薄層14の厚さは約100人(0,01μm)と
極薄である。AQ層15の厚さは約2μmである。また
、半導体基板11の裏面にAu(金)とGs(ゲルマニ
ウム)の合金とAuとを連続して真空蒸着し、オーミッ
ク電極16を形成する。その後、プラズマCV D (
Chemical V apor D epositi
on)によりALJil15の上面に約1μmの厚さの
シリコン酸化膜17を形成する。
極薄である。AQ層15の厚さは約2μmである。また
、半導体基板11の裏面にAu(金)とGs(ゲルマニ
ウム)の合金とAuとを連続して真空蒸着し、オーミッ
ク電極16を形成する。その後、プラズマCV D (
Chemical V apor D epositi
on)によりALJil15の上面に約1μmの厚さの
シリコン酸化膜17を形成する。
続いて、第1図(C)に示すように、素子周縁近傍のT
iの薄層14、AQ層15及びシリコン酸化膜17をフ
ォトエツチングにより除去し、更に、素子周辺側のTi
の薄Nj14とAΩ層15をフォトエツチングにより除
去して1図示のようにTiの薄層14a、14b、A1
2層15a、シリコン酸化膜17aを残存させる。Ti
層14a、14bとAn、ff15aはともに半導体領
域であるn影領域゛13との間にショットキバリアを形
成する金属層であるが、T1の薄層14aが極薄である
だけにTiの薄層14aがどのようにショットキバリア
の形成に関与しているかは明らかではない、ここでは、
12層15aとその下部のTiの薄層14aを合わせて
電極層を構成する主バリア電極18と呼ぶ。
iの薄層14、AQ層15及びシリコン酸化膜17をフ
ォトエツチングにより除去し、更に、素子周辺側のTi
の薄Nj14とAΩ層15をフォトエツチングにより除
去して1図示のようにTiの薄層14a、14b、A1
2層15a、シリコン酸化膜17aを残存させる。Ti
層14a、14bとAn、ff15aはともに半導体領
域であるn影領域゛13との間にショットキバリアを形
成する金属層であるが、T1の薄層14aが極薄である
だけにTiの薄層14aがどのようにショットキバリア
の形成に関与しているかは明らかではない、ここでは、
12層15aとその下部のTiの薄層14aを合わせて
電極層を構成する主バリア電極18と呼ぶ。
この場合、Tiの薄層14bは、n影領域13との間に
ショットキバリアを形成するとともにn影領域13の表
面状態を安定化させる作用があり、補助的なバリア電極
と呼べるものである。なお、Tiの薄層14bは、極薄
であるためにシート抵抗約400Ω/口の抵抗層となっ
ている6次に、矢印19で模式的示すように、半導体基
板11の上面全域にHe(ヘリウム)を加速電圧を変え
て多重にイオン注入する。この結果、H8のイオン注入
によってG a A s結晶格子が乱れ、A12層15
aの直下のn影領域13aを包囲するように平面的に見
て環状の半絶縁性半導体領域2oが形成される。
ショットキバリアを形成するとともにn影領域13の表
面状態を安定化させる作用があり、補助的なバリア電極
と呼べるものである。なお、Tiの薄層14bは、極薄
であるためにシート抵抗約400Ω/口の抵抗層となっ
ている6次に、矢印19で模式的示すように、半導体基
板11の上面全域にHe(ヘリウム)を加速電圧を変え
て多重にイオン注入する。この結果、H8のイオン注入
によってG a A s結晶格子が乱れ、A12層15
aの直下のn影領域13aを包囲するように平面的に見
て環状の半絶縁性半導体領域2oが形成される。
Heは、シリコン酸化膜、17aと主バリア電極18に
よりマスクされている部分では、n影領域13に到達す
ることはない。しかし、Tiの薄層14bが極薄である
ために、シリコン酸化IM17 aにマスクされていな
い部分では、HeはTiの薄層14bを簡単に通過して
n影領域13中に注入される。
よりマスクされている部分では、n影領域13に到達す
ることはない。しかし、Tiの薄層14bが極薄である
ために、シリコン酸化IM17 aにマスクされていな
い部分では、HeはTiの薄層14bを簡単に通過して
n影領域13中に注入される。
結果として、半絶縁性半導体領域20が、約2゜5μm
の深さに形成される。半絶縁性半導体領域20は、比抵
抗10’〜109Ω−1を有する絶縁物に近い高抵抗層
である。第2@に主バリア電極18の周縁部を拡大して
示すように、シリコン酸化膜17aの周縁部は主バリア
電極18の周辺部から突出するひさし状突出部17bを
形成する。
の深さに形成される。半絶縁性半導体領域20は、比抵
抗10’〜109Ω−1を有する絶縁物に近い高抵抗層
である。第2@に主バリア電極18の周縁部を拡大して
示すように、シリコン酸化膜17aの周縁部は主バリア
電極18の周辺部から突出するひさし状突出部17bを
形成する。
半絶縁性半導体領域20の形状を正確に把握することが
困芝なため図示する形状は予想図である。
困芝なため図示する形状は予想図である。
ただし、主バリア電極18に対する補助バリア電極とな
るTiの薄層14bは、半絶縁性半導体領域2oに対し
十分な幅の重複部で形成されている。
るTiの薄層14bは、半絶縁性半導体領域2oに対し
十分な幅の重複部で形成されている。
更に、第1図(D)に示すように、シリコン酸化膜17
aをエツチング除去した上で、プラズマCVD又は光C
VDにより半導体基板11の上面にシリコン酸化膜を被
覆し、フォトエツチングの工程を経てシリコン酸化膜2
1を形成する。更に。
aをエツチング除去した上で、プラズマCVD又は光C
VDにより半導体基板11の上面にシリコン酸化膜を被
覆し、フォトエツチングの工程を経てシリコン酸化膜2
1を形成する。更に。
半導体基板11の上面にTiとAuを連続的に真空蒸着
し、フォトエツチングの工程を経て外部接続用電極22
を形成して、ショットキバリアダイオードチップを完成
させる。主バリア電極18とn影領域13との間に主電
流通路となるショットキバリアが形成され、主バリア電
極18側がアノード、オーミック電極16(Imがカソ
ードである。
し、フォトエツチングの工程を経て外部接続用電極22
を形成して、ショットキバリアダイオードチップを完成
させる。主バリア電極18とn影領域13との間に主電
流通路となるショットキバリアが形成され、主バリア電
極18側がアノード、オーミック電極16(Imがカソ
ードである。
こうして製作されたショットキバリアダイオードは、約
210vの高耐圧を得た。バルク耐圧にほとんど等しい
約230vの耐圧が得られることもあった。信頼性試験
も良好な結果を得た。一方。
210vの高耐圧を得た。バルク耐圧にほとんど等しい
約230vの耐圧が得られることもあった。信頼性試験
も良好な結果を得た。一方。
半絶縁性半導体領域20を形成する際にTiの薄層14
bをエツチング除去した上でHeのイオン注入を行った
場合には、接続用電極22の周辺部22aがシリコン酸
化膜21を介して一般的なフィールドプレートとして作
用しているが、耐圧は約150Vであった。特に、この
場合にはシリコン酸化膜21による保護膜の膜質や形成
条件の影響を強く受けて、耐圧のバラツキが大きく、信
頼性試験でも耐圧低下が起こり易い。Tiの薄層14b
を除去しかつ半絶縁性半導体領域20を形成しない構造
(高耐圧化対策を全く行わない構造)では、耐圧は約6
0Vである。
bをエツチング除去した上でHeのイオン注入を行った
場合には、接続用電極22の周辺部22aがシリコン酸
化膜21を介して一般的なフィールドプレートとして作
用しているが、耐圧は約150Vであった。特に、この
場合にはシリコン酸化膜21による保護膜の膜質や形成
条件の影響を強く受けて、耐圧のバラツキが大きく、信
頼性試験でも耐圧低下が起こり易い。Tiの薄層14b
を除去しかつ半絶縁性半導体領域20を形成しない構造
(高耐圧化対策を全く行わない構造)では、耐圧は約6
0Vである。
Tiの薄層14bは、半絶縁性半導体領域2oの上部に
延在する部分においてフィールドプレートとして作用し
ていると考えられるが、詳細なメカニズムは不明である
。ただし9次のような特徴を有する。Tiの薄層14b
はn影領域13の表面に形成されたときには、n影領域
13との間にショットキバリアを形成するとともに、n
影領域13の表面状態を安定化させる。従って、半絶縁
性半導体領域20の表面近傍に半導体的性質が残ってい
たとしても開運にならない、また、Tiの薄層14bは
シリコン酸化膜のような絶縁層を介さないフィールドプ
レートであるから、その下部に空乏層を形成する作用が
非常に大きいし、絶縁層を形成する材質(材料の種類、
含有不純物、界面状態など)による特性の不安定性も生
じない。
延在する部分においてフィールドプレートとして作用し
ていると考えられるが、詳細なメカニズムは不明である
。ただし9次のような特徴を有する。Tiの薄層14b
はn影領域13の表面に形成されたときには、n影領域
13との間にショットキバリアを形成するとともに、n
影領域13の表面状態を安定化させる。従って、半絶縁
性半導体領域20の表面近傍に半導体的性質が残ってい
たとしても開運にならない、また、Tiの薄層14bは
シリコン酸化膜のような絶縁層を介さないフィールドプ
レートであるから、その下部に空乏層を形成する作用が
非常に大きいし、絶縁層を形成する材質(材料の種類、
含有不純物、界面状態など)による特性の不安定性も生
じない。
叉−並一斑
本発明は、実施例に限られることなく、その趣旨の範囲
では種々の変更が可能である。
では種々の変更が可能である。
例えば、Tiの薄層14bに相当する薄層として。
第3図に示すように、Tiの薄PI114bt&酸化し
て形成したチタン酸化物の薄層23を用いることもでき
る。この場合、チタン酸化物の9MI23は、Tiの薄
層14bと同様に、n影領域13との間にショットキバ
リアを形成するとともに、n影領域13の表面状態を安
定化させる作用がある。チタン酸化物はシート抵抗約1
00MΩ/口の高抵抗層である。主バリア電極18は外
周部のTiの薄層14cの部分を除いてAQ層ISaの
みによるものである。
て形成したチタン酸化物の薄層23を用いることもでき
る。この場合、チタン酸化物の9MI23は、Tiの薄
層14bと同様に、n影領域13との間にショットキバ
リアを形成するとともに、n影領域13の表面状態を安
定化させる作用がある。チタン酸化物はシート抵抗約1
00MΩ/口の高抵抗層である。主バリア電極18は外
周部のTiの薄層14cの部分を除いてAQ層ISaの
みによるものである。
半導体領域との優れた密着性1表面安定化効果及びフィ
ールドプレート構造による半導体表面に与える影響の面
から、薄層としてTiの薄層又はチタン酸化物(TiO
x)薄層が好適である。しかし、n影領域13との間に
ショットキバリアを形成しかつ注入されるイオンを容易
に通過させる物質であれば、Ta(タンタル)薄層やタ
ンタル酸化物(TaOx)薄層等の前記以外の物質を使
用することができる。薄層の厚さは、イオンを通過させ
るとともに応力発生を最小限にするために、10〜10
00人、望ましくは20〜300人に選定するのがよい
。
ールドプレート構造による半導体表面に与える影響の面
から、薄層としてTiの薄層又はチタン酸化物(TiO
x)薄層が好適である。しかし、n影領域13との間に
ショットキバリアを形成しかつ注入されるイオンを容易
に通過させる物質であれば、Ta(タンタル)薄層やタ
ンタル酸化物(TaOx)薄層等の前記以外の物質を使
用することができる。薄層の厚さは、イオンを通過させ
るとともに応力発生を最小限にするために、10〜10
00人、望ましくは20〜300人に選定するのがよい
。
また、主バリア電極18に相当する電極層の上にシリコ
ン酸化膜17aのような被膜を形成して。
ン酸化膜17aのような被膜を形成して。
電極層と被膜を合わせてイオン注入のマスクとして使用
する場合に本発明は特に有効である。しかし、マスク効
果の大きい金属から成る電極層単独のマスクでイオン注
入を行う場合でも、電極層と半絶縁性半導体領域との小
さい重複部による耐圧特性の不安定性を改善できる方法
として有効である。なお、イオン注入後、電極層の周辺
を少しエツチング除去して、主バリア電極18を半絶縁
性半導体領域から意図して離間させてもよい。
する場合に本発明は特に有効である。しかし、マスク効
果の大きい金属から成る電極層単独のマスクでイオン注
入を行う場合でも、電極層と半絶縁性半導体領域との小
さい重複部による耐圧特性の不安定性を改善できる方法
として有効である。なお、イオン注入後、電極層の周辺
を少しエツチング除去して、主バリア電極18を半絶縁
性半導体領域から意図して離間させてもよい。
また、本発明は、G a A s、 A Q G a
A s (砒化アルミニウム・ガリウム) 、GaP(
燐化ガリウム)、InP(燐化インジウム)等の■〜■
族化合物半導体を用いた半導体装置に好適であるが、他
の化合物半導体やSi(シリコン)等を用いた半導体装
置にも適用可能である。
A s (砒化アルミニウム・ガリウム) 、GaP(
燐化ガリウム)、InP(燐化インジウム)等の■〜■
族化合物半導体を用いた半導体装置に好適であるが、他
の化合物半導体やSi(シリコン)等を用いた半導体装
置にも適用可能である。
見匪叫紘釆
本発明によれば、イオン注入によって半絶縁性半導体領
域を形成しかつ高耐圧化するショットキバリア半導体装
置の製造方法において、ショットキバリアを形成するバ
リア電極をイオン注入のマスクとして兼用することが可
能となり、高耐圧のショットキバリア半導体装置を高い
製造歩留りで製造することができる。
域を形成しかつ高耐圧化するショットキバリア半導体装
置の製造方法において、ショットキバリアを形成するバ
リア電極をイオン注入のマスクとして兼用することが可
能となり、高耐圧のショットキバリア半導体装置を高い
製造歩留りで製造することができる。
第1図は本発明の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードの製造工程図で2第1図(A)は半導体基板の断面
図、第1図(B)は半導体基板の上面にTiの薄層、A
Q層及びシリコン酸化膜を形成した状態を示す断面図、
第1図(C)はイオン注入の工程を示す断面図、第1図
(D)はシリコン酸化膜及び外部接続用電極を形成した
状態を示す断面図、第2図は第1図(C)の工程におけ
る主バリア電極の周縁部を拡大して示す部分的断面図、
第3図は本発明の他の実施例を示すショットキバリアダ
イオードの断面図、第4図は従来のショットキバリアダ
イオードの断面図、第5図は従来のショットキバリアダ
イオードの製造におけるイオン注入の工程を示す断面図
、第6図は第5図におけるバリア電極の周縁部を拡大し
て示す部分的断面図である。 13.13a、、n影領域(半導体領域)。 14a、、Tiの薄層、 14b、、Tiの薄層(薄
層)、 180.主バリア電極(電極層)、 20
0.半絶縁性半導体領域。 特許出願人 サンケン電気株式会社 第 1 図 第2図 第 3 図 第4図 第5図 第6図 a
ードの製造工程図で2第1図(A)は半導体基板の断面
図、第1図(B)は半導体基板の上面にTiの薄層、A
Q層及びシリコン酸化膜を形成した状態を示す断面図、
第1図(C)はイオン注入の工程を示す断面図、第1図
(D)はシリコン酸化膜及び外部接続用電極を形成した
状態を示す断面図、第2図は第1図(C)の工程におけ
る主バリア電極の周縁部を拡大して示す部分的断面図、
第3図は本発明の他の実施例を示すショットキバリアダ
イオードの断面図、第4図は従来のショットキバリアダ
イオードの断面図、第5図は従来のショットキバリアダ
イオードの製造におけるイオン注入の工程を示す断面図
、第6図は第5図におけるバリア電極の周縁部を拡大し
て示す部分的断面図である。 13.13a、、n影領域(半導体領域)。 14a、、Tiの薄層、 14b、、Tiの薄層(薄
層)、 180.主バリア電極(電極層)、 20
0.半絶縁性半導体領域。 特許出願人 サンケン電気株式会社 第 1 図 第2図 第 3 図 第4図 第5図 第6図 a
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体領域との間にショットキバリアを形成する物質
から成る電極層及び該電極層を隣接包囲しかつ前記半導
体領域との間にショットキバリアを形成する物質から成
る薄層とを前記半導体領域の一主面上に形成する工程と
。 前記電極層又は/及び該電極層上に形成した被膜をマス
クとして前記薄層を通過させて前記半導体領域にイオン
を注入し、前記電極層の下部の前記半導体領域を包囲す
るよう半絶縁性半導体領域を形成する工程と、 から成るショットキバリア半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63093545A JPH0618274B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | ショットキバリア半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63093545A JPH0618274B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | ショットキバリア半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01266761A true JPH01266761A (ja) | 1989-10-24 |
JPH0618274B2 JPH0618274B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14085235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63093545A Expired - Fee Related JPH0618274B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | ショットキバリア半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0618274B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0494753U (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-17 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4941463A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-04-18 | ||
JPS5487482A (en) * | 1977-12-24 | 1979-07-11 | Fuji Electric Co Ltd | Schottky barrier diode |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63093545A patent/JPH0618274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4941463A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-04-18 | ||
JPS5487482A (en) * | 1977-12-24 | 1979-07-11 | Fuji Electric Co Ltd | Schottky barrier diode |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0494753U (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-17 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0618274B2 (ja) | 1994-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20130009166A1 (en) | Semiconductor device | |
US20210074826A1 (en) | Power semiconductor device | |
CN106449773B (zh) | GaN基肖特基二极管结构及其制作方法 | |
US6670688B2 (en) | Semiconductor device including at least one schottky metal layer surrounding PN junction | |
US20240021718A1 (en) | Hemt transistor including an improved gate region and related manufacturing process | |
US20010042862A1 (en) | Schottky diode | |
US7029965B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US6838744B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JPH01266761A (ja) | ショットキバリア半導体装置の製造方法 | |
JPS58197825A (ja) | 半導体保護層形成方法 | |
JPH01257370A (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
JPH01266760A (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
JPH01259558A (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
JPH02253659A (ja) | 半導体装置 | |
CN114709252A (zh) | 肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 | |
JPS63313859A (ja) | メサ型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006165021A (ja) | スイッチ集積回路装置およびその製造方法 | |
JPS6394674A (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
JPH05114723A (ja) | シヨツトキーバリア半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007103419A (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JPS6318679A (ja) | バラクタダイオ−ドの製造方法 | |
JPS62222672A (ja) | シヨツトキバリヤ形半導体装置およびその製造方法 | |
JPS62188279A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JP2006165020A (ja) | スイッチ集積回路装置およびその製造方法 | |
JPH01266759A (ja) | ショットキバリア半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |