JPH01265229A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH01265229A JPH01265229A JP9412588A JP9412588A JPH01265229A JP H01265229 A JPH01265229 A JP H01265229A JP 9412588 A JP9412588 A JP 9412588A JP 9412588 A JP9412588 A JP 9412588A JP H01265229 A JPH01265229 A JP H01265229A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はiri晶表示!!置装間する。
[1に来の技術]
一般に、マトリックス盟液晶表示装置は、少なくとも一
方の基板上にイα晶の電気光学効果を利運するためのデ
ータ線と走査線を具備した一対の基板を周辺のシール部
材て作詩させ、その間隙に液晶を浬持した構造からなる
。従来は第2図に示し・たように、上記データ線1と走
査線2は、11:こアクティブマトリックス型濠晶表示
装置で、異なった材料を用いているため膜厚が異なって
いたり、 。
方の基板上にイα晶の電気光学効果を利運するためのデ
ータ線と走査線を具備した一対の基板を周辺のシール部
材て作詩させ、その間隙に液晶を浬持した構造からなる
。従来は第2図に示し・たように、上記データ線1と走
査線2は、11:こアクティブマトリックス型濠晶表示
装置で、異なった材料を用いているため膜厚が異なって
いたり、 。
同し・材i4てもプロセス上の都合で膜厚が異なったり
していた。
していた。
[発明が解決し・ようとする!!題]
しかし、前述の従来技術では、データ線と走査線の膜厚
が異なるため、液晶のセルギャップが少なくとも2線材
料の膜厚の差だけ異なり、LI!厚の差が大きいほと、
液晶のセルギャップが狭い−lど液晶の1気光学効果に
与える影響が大きく1.特に、紫外線硬化型樹脂をシー
ル部材に用いた場合は硬化時に熱による影響がないため
、直接121材料の膜厚の差が、α晶のセルギャップの
差となり、コシトラストムラ・応答ムラ・邑ムラなとの
表示上のムラが生じるという課題を有する。
が異なるため、液晶のセルギャップが少なくとも2線材
料の膜厚の差だけ異なり、LI!厚の差が大きいほと、
液晶のセルギャップが狭い−lど液晶の1気光学効果に
与える影響が大きく1.特に、紫外線硬化型樹脂をシー
ル部材に用いた場合は硬化時に熱による影響がないため
、直接121材料の膜厚の差が、α晶のセルギャップの
差となり、コシトラストムラ・応答ムラ・邑ムラなとの
表示上のムラが生じるという課題を有する。
そこで本発明:i、このような課題を解決するもので、
その目的とするところは、コントラストムラ・応答ムラ
・色ムラなどの表示上のムラをなくし、均一で高画質の
液晶表示装置を得るところにあ る。
その目的とするところは、コントラストムラ・応答ムラ
・色ムラなどの表示上のムラをなくし、均一で高画質の
液晶表示装置を得るところにあ る。
[課tIlを解決するための手■]
本発明の液晶表示装置は、少なくとも一方の基板に1α
晶の電気光学効果を制御するための手段を具備した一対
の基板を周辺のシール部i才で保持させ、その間隙に液
晶を封入してなるiαα晶示装置において、シール部材
が接する部分に膜厚が均一となるようなギャップMl用
パターンを形成したことを特徴とする。
晶の電気光学効果を制御するための手段を具備した一対
の基板を周辺のシール部i才で保持させ、その間隙に液
晶を封入してなるiαα晶示装置において、シール部材
が接する部分に膜厚が均一となるようなギャップMl用
パターンを形成したことを特徴とする。
[実施例]
本発明の実施例を以下図面二二基づいて説明する。
第1図(a)は本発明の、11品表示装置の上視国、第
1図(b)は本発明の液晶表示装置の断面図であ る。
1図(b)は本発明の液晶表示装置の断面図であ る。
まず、透明基板3上にεα晶の電気光学効果を、v制御
する手段として、ポリシリコン薄膜トランジスターを下
記の(1)〜(8)の工程により形成する。
する手段として、ポリシリコン薄膜トランジスターを下
記の(1)〜(8)の工程により形成する。
(1)チャンネル部となるポリシリコン膜4g圧CVD
により形成し、パターニングする。
により形成し、パターニングする。
(2)熱酸1ヒ法−二よりゲート故化膜を形成する。
(3)走査線2及びゲート電極となるポリシリコン膜を
3500Aの膜厚となるように減圧CvDで形成し、l
(ターニングする。
3500Aの膜厚となるように減圧CvDで形成し、l
(ターニングする。
(4)リンイオンを打ち込みソース、ドレイン領域を形
成する。
成する。
(5)層間絶縁膜としてSiO2膜をCVD法により形
成する。
成する。
(6)層間Sa it IIIをパターニングしてコン
タクトホールを閉口する。
タクトホールを閉口する。
(7)データ線15画M’f4極4及びギャップ制御用
パターン■となろITO!IIを5000 の膜厚とな
るようにスパッタ法て杉成し、パターニングする。この
時、ギャップル1i#用パターンI+は配11部とショ
ートしないように島状に分離し・て杉成する方が望まし
い。
パターン■となろITO!IIを5000 の膜厚とな
るようにスパッタ法て杉成し、パターニングする。この
時、ギャップル1i#用パターンI+は配11部とショ
ートしないように島状に分離し・て杉成する方が望まし
い。
(8)深謹膜として5iOallをマスクスパッタ法に
より実装端子の部分を除いて&(反全面:こ形成する。
より実装端子の部分を除いて&(反全面:こ形成する。
次に、透明基板5上にカラーフィルター層6を杉成し、
該カラーフィルター層上に共通1ftff+7としてI
TO膜を基町全面にスパッタ法で形成し対向基板とする
。
該カラーフィルター層上に共通1ftff+7としてI
TO膜を基町全面にスパッタ法で形成し対向基板とする
。
そして、上記一対の基板それぞれミニ配向膜としてポリ
イミドを塗布し焼成した後ラビング処理し、スペーサー
8を混入した紫外線硬化型樹脂をシール部材9として用
い、一対の基板を貼り合わせ押圧した後紫外線を照射し
てシール部材を硬化せしめ、所定の間隙を有する液晶セ
ルを1りな。
イミドを塗布し焼成した後ラビング処理し、スペーサー
8を混入した紫外線硬化型樹脂をシール部材9として用
い、一対の基板を貼り合わせ押圧した後紫外線を照射し
てシール部材を硬化せしめ、所定の間隙を有する液晶セ
ルを1りな。
最後に、iα晶lOを封入した後、!外線硬化型樹脂を
封入口に塗布して封止し、液晶表示Hrltを得本実施
刑において、データ線l、画素電へ4及びギャップ制御
用パターン11を同一工程で形成して膜厚の厚い方の配
線材料に膜厚を揃えるようにし・たが、別工程にてギャ
ップ制御用パターンを杉成しデータ線と走査線よりも膜
厚を厚くして、シール部材が接する部分の膜厚を等しく
してもよい。
封入口に塗布して封止し、液晶表示Hrltを得本実施
刑において、データ線l、画素電へ4及びギャップ制御
用パターン11を同一工程で形成して膜厚の厚い方の配
線材料に膜厚を揃えるようにし・たが、別工程にてギャ
ップ制御用パターンを杉成しデータ線と走査線よりも膜
厚を厚くして、シール部材が接する部分の膜厚を等しく
してもよい。
また、薄い方の膜厚のlSi!線材料の上にギャップ制
御用パターンを形成して膜厚の厚い方の配線材料にlI
Hを揃えるようにしてもよい。
御用パターンを形成して膜厚の厚い方の配線材料にlI
Hを揃えるようにしてもよい。
さらに、本実施例において、ギャップMvsパターンを
配&!材料飼に形成したが、対向基板側に形成しても同
様な効果が得られる。
配&!材料飼に形成したが、対向基板側に形成しても同
様な効果が得られる。
[発明の効果]
本発明は、以上説明したように、シールn材が接する部
分に膜厚が均一となるようなギャップ制御用パターンを
したことにより、液晶のセルギャップがデータ線側と走
査線側で異なることがなくなり、その結果コントラスト
ムラ・応答ムラ・色ムラなとの表示ムラが大幅に改善さ
れ、高画質を有するjαα晶表示装置14られた。また
、紫外線硬化型樹脂をシール部材に用いた場合には、容
易にセルギャップのコントロールができるようになり。
分に膜厚が均一となるようなギャップ制御用パターンを
したことにより、液晶のセルギャップがデータ線側と走
査線側で異なることがなくなり、その結果コントラスト
ムラ・応答ムラ・色ムラなとの表示ムラが大幅に改善さ
れ、高画質を有するjαα晶表示装置14られた。また
、紫外線硬化型樹脂をシール部材に用いた場合には、容
易にセルギャップのコントロールができるようになり。
大量処理により低コスト化も合わせて実現された。
第1図(a)は、本発明のi(2品表示装置の上視図、
第1図(b)は、本発明の液晶表示装置の断面図、第2
図は、1に来の液晶表示装置の断面図であ る。 1、データ線 2、走査線 3、透明基板 4、画素電極 5、透明基板 6、カラフィルタ−層 7、共通電極 8、スペーサー 9、シール部材 lOl、α晶 Il、 ギャップ制御パターン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉(他1名) (α) (b) 第1図 第2図
第1図(b)は、本発明の液晶表示装置の断面図、第2
図は、1に来の液晶表示装置の断面図であ る。 1、データ線 2、走査線 3、透明基板 4、画素電極 5、透明基板 6、カラフィルタ−層 7、共通電極 8、スペーサー 9、シール部材 lOl、α晶 Il、 ギャップ制御パターン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉(他1名) (α) (b) 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)少なくとも一方の基板に液晶の電気光学効果を制
御するための手段を具備した一対の基板を周辺のシール
部材で保持させ、その間隙に液晶を封入してなる液晶表
示装置において、シール部材が接する部分に膜厚が均一
となるようなギャップ制御用パターンを形成したことを
特徴とする液晶表示装置。 - (2)上記シール部材に紫外線硬化型樹脂を用いたこと
を特徴とする第1項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9412588A JPH01265229A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9412588A JPH01265229A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01265229A true JPH01265229A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14101698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9412588A Pending JPH01265229A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01265229A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994002880A1 (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display |
JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014132356A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9412588A patent/JPH01265229A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994002880A1 (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display |
US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014132356A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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